INTRODUCCIN A LOS TRANSISTORES BIPOLARES (BJT)

BJT (Bipolar Junction Transistor) Un transistor de unin bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la regin del emisor, la regin de la base y la regin del colector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada regin del semiconductor est conectada a un terminal denominado emisor (E), base (B) o colector (C), segn corresponda. Es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales. Un transistor de unin bipolar est formado por dos uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga. Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector. Colector, de extensin mucho mayor.

CONSTITUCION INTERNA DE UN BJT Es un dispositivo de tres terminales, equivalente a dos diodos PN unidos en sentido opuesto (emisor, base y colector). En funcin de la situacin de las uniones, existen dos tipos: NPN y PNP. La unin correspondiente a la Base-Emisor, se polariza en directa; y la BaseColector en inversa. As, por la unin Base-Colector circula una corriente inversa. En NPN, la regin de emisor tiene mayor dopaje que la base. Al polarizar la unin Base-Emisor en directa, y la Base-Colector en inversa, los electrones libres que proceden del emisor llegan a la base, con mucho menor nmero de huecos, por lo que son atrados por el colector (con alta concentracin de impurezas).

TRANSISTOR BIPOLAR NPN Est formado por una capa fina tipo p entre dos capas n, contenidas en un mismo cristal semiconductor de germanio o silicio, presentando las tres zonas mencionadas (E, B, C). El emisor emite portadores de carga hacia el interior de la base. En la base se gobiernan dichos portadores. En el colector se recogen los portadores que no puede acaparar la base. Unin emisor: es la unin PN entre la base y el emisor. Unin colector: es la unin PN entre la base y colector. Cada una de las zonas est impurificada en mayor o menor grado. La base 100 veces menos que el colector o emisor. La base tiene menor tamao, despus el emisor y a 2 veces de espesor el colector.

TRANSISTOR BIPOLAR PNP El BJT PNP est formado tambin por un cristal semiconductor con tres regiones definidas por el tipo de impurezas. Las tensiones de continua aplicadas son opuestas a las del NPN. Las corrientes fluyen en sentido contrario al del NPN. Por lo dems, este dispositivo es similar al NPN. El BJT PNP desde el emisor emite huecos, controlada por la base. El exceso de huecos que no pueden recombinarse en la base va a parar al colector.

OPERACIN DEL TRANSISTOR El transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales gracias al cual es posible controlar una gran potencia a partir de una pequea. En la figura se puede ver un ejemplo cualitativo del funcionamiento del mismo. Entre los terminales de colector (C) y emisor (E) se aplica la potencia a regular, y en el terminal de base (B) se aplica la seal de control gracias a la que controlamos la potencia. Con pequeas variaciones de corriente a travs del terminal de base, se consiguen grandes variaciones a travs de los terminales de colector y emisor. Si se coloca una resistencia se puede convertir esta variacin de corriente en variaciones de tensin segn sea necesario.

FUNDAMENTOS FSICOS DEL EFECTO TRANSISTOR El transistor bipolar basa su funcionamiento en el control de la corriente que circula entre el emisor y el colector del mismo, mediante la corriente de base. En esencia un transistor se puede considerar como un diodo en directa (unin emisor-base) por el que circula una corriente elevada, y un diodo en inversa (unin base-colector), por el que, en principio, no debera circular corriente, pero que acta como una estructura que recoge gran parte de la corriente que circula por emisor-base. En la figura 9 se puede ver lo que sucede. Se dispone de dos diodos, uno polarizado en directa (diodo A) y otro en inversa (diodo B). Mientras que la corriente por A es elevada (IA), la corriente por B es muy pequea (IB). Si se unen ambos diodos, y se consigue que la zona de unin (lo que llamaremos base del transistor) sea muy estrecha, entonces toda esa corriente que circulaba por A (IA), quedar absorbida por el campo existente en el diodo B. De esta forma entre el emisor y el colector circula una gran corriente, mientras que por la base una corriente muy pequea. El control se produce mediante este terminal de base porque, si se corta la corriente por la base ya no existe polarizacin de un diodo en inversa y otro en directa, y por tanto no circula corriente.

En una configuracin normal, la unin emisor-base se polariza en directa y la unin basecolector en inversa. Debido a la agitacin trmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez, prcticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo elctrico que existe entre la base y el colector. Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la regin del nodo compartida. En una operacin tpica, la unin base-emisor est polarizada en directa y la unin base-colector est polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo, cuando una tensin positiva es aplicada en la unin base-emisor, el equilibrio entre los portadores generados trmicamente y el campo elctrico repelente de la regin agotada se desbalancea, permitiendo a los electrones excitados trmicamente inyectarse en la regin de la base. Estos electrones "vagan" a travs de la base, desde la regin de alta concentracin cercana al emisor hasta la regin de baja concentracin cercana al colector. Estos electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que la base est dopada con material P, los cuales generan "huecos" como portadores mayoritarios en la base. La regin de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los portadores puedan difundirse a travs de esta en mucho menos tiempo que la vida til del portador minoritario del semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores que se recombinan antes de alcanzar la unin base-colector. El espesor de la base debe ser menor al ancho de difusin de los electrones.

CONTROL DE TENSIN, CARGA Y CORRIENTE La corriente colector-emisor puede ser vista como controlada por la corriente base-emisor (control de corriente), o por la tensin base-emisor (control de voltaje). Esto es debido a la relacin tensin-corriente de la unin base-emisor, la cual es la curva tensin-corriente exponencial usual de una unin PN (es decir, un diodo). En el diseo de circuitos analgicos, el control de corriente es utilizado debido a que es aproximadamente lineal. Esto significa que la corriente de colector es aproximadamente veces la corriente de la base. Algunos circuitos pueden ser diseados asumiendo que la tensin base-emisor es aproximadamente constante, y que la corriente de colector es veces la corriente de la base. No obstante, para disear circuitos utilizando BJT con precisin y confiabilidad, se requiere el uso de modelos matemticos del transistor como el modelo Ebers-Moll.

EL ALFA Y BETA DEL TRANSISTOR Una forma de medir la eficiencia del BJT es a travs de la proporcin de electrones capaces de cruzar la base y alcanzar el colector. El alto dopaje de la regin del emisor y el bajo dopaje de la regin de la base pueden causar que muchos ms electrones sean inyectados desde el emisor hacia la base que huecos desde la base hacia el emisor. La ganancia de corriente emisor comn est representada por o por hfe. Esto es aproximadamente la tasa de corriente continua de colector a la corriente continua de la base en la regin activa directa y es tpicamente mayor a 100. Otro parmetro importante es la ganancia de corriente base comn, . La ganancia de corriente base comn es aproximadamente la ganancia de corriente desde emisor a colector en la regin activa directa. Esta tasa usualmente tiene un valor cercano a la unidad; que oscila entre 0.98 y 0.998. El Alfa y Beta estn ms precisamente determinados por las siguientes relaciones (para un transistor NPN):

NPN

El smbolo de un transistor NPN

NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayora de los transistores bipolares usados hoy en da son NPN, debido a que la movilidad del electrn es mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operacin. Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de material dopado N. Una pequea corriente ingresando a la base en configuracin emisor-comn es amplificada en la salida del colector. La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y apunta en la direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo.

PNP El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refirindose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en da son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeo en la mayora de las circunstancias.

El smbolo de un transistor PNP

Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comnmente operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentacin a travs de una carga elctrica externa. Una pequea corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector. La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta en la direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo.

ACCIN AMPLIFICADORA DEL TRANSISTOR

Despus que un transistor se haya polarizado con un punto de operacin Q cerca de la mitad de la lnea de carga de CC, se puede acoplar una pequea seal de CA en la base. Esto produce alternancias o fluctuaciones de igual forma y frecuencia en la corriente de colector. Por ejemplo, si la entrada es una onda senoidal con una frecuencia de 1 kHz, la salida ser una onda senoidal amplificada con una frecuencia de 1 kHz. El amplificador se llama lineal (o de alta fidelidad) si no cambia la forma de la seal. Si la amplitud de la seal es pequea, el transistor slo usar una pequea parte de la lnea de carga y la operacin ser lineal. Si la seal de entrada es demasiado grande, las fluctuaciones en la lnea de carga excitarn al transistor a saturacin y corte. Esto cortar los picos de una onda senoidal y el amplificador ya no ser lineal con lo que la seal se distorsiona grandemente.

Figura 11

Esto se puede explicar haciendo uso del modelo Ebers-Moll que se muestra en figura 11b. La figura 11d muestra la curva del diodo que relaciona a IE con VBE. En ausencia de una seal de CA (corriente alterna), el transistor opera en el punto Q, el cual normalmente est colocado en la mitad de la lnea de carga de CC. Cuando una seal de CA excita a un transistor, se produce un cambio en voltaje y corriente de emisor; si la seal es pequea, el punto de operacin vara senoidalmente desde Q hasta un pico positivo de corriente en A, luego a un pico negativo de corriente en B, y de regreso otra vez al punto Q, donde se repite el ciclo. Esto produce variaciones senoidales en IE y VBE. Si la seal es pequea, los picos A y B estn muy cercanos a Q, y la operacin es aproximadamente lineal. En otras palabras, el arco entre A y B es casi una Un recta y debido a esto los cambios en voltaje y corriente son aproximadamente proporcionales. Pero cuando la seal de entrada es grande, la corriente de emisor ya no ser senoidal debido a la no linealidad de la curva del diodo. Cuando la seal es demasiado grande,

la corriente de emisor se extender sobre el semiciclo positivo y ser comprimida en el semiciclo negativo, como se indica en la figura 11e. Una seal se considerar pequea si la variacin pico a pico en la corriente de emisor, es menor al 10% de la corriente esttica o de reposo del emisor. Por ejemplo, si IE = 10 mA, entonces la variacin pico a pico de menos de 1 mA significa que tenemos una operacin de seal pequea. Esta regla de 10:1 mantiene la distorsin en los niveles bajos para la mayor parte de las aplicaciones. En lo referente a la seal de CA, el diodo aparece como una resistencia (figuras 11b y 11c), y est dada por:

donde:

re = resistencia de emisor a la CA.

VBE = cambio de voltaje de base emisor IE = cambio correspondiente en la corriente de emisor. La figura 12 muestra una grfica caracterstica de IC en funcin de IB. cc es la razn de la corriente de colector de CC IC a la corriente de base a CC IB. Como la grfica no es lineal, ICC depende de las coordenadas del punto Q. Por eso, en las hojas tcnicas cc queda especificada para un valor particular de IC.

Figura 12

La beta de CA (designada como ca o simplemente ) es una cantidad de pequea seal que depende de la localizacin de Q, se define como:

o, como las corrientes alternas son las mismas que los cambios en las corrientes totales,

Grficamente, es la pendiente de la curva en el punto Q; por esta razn, tiene diferentes valores a diferentes ubicaciones del punto Q. En las hojas tcnicas es identificada como hfe.

CONFIGURACIN BASE COMN

La figura 20a muestra un amplificador de base comn. Puesto que la base est conectada a tierra, este circuito tambin se denomina amplificador de base a tierra. El punto Q es fijado por la polarizacin del emisor, que inmediatamente se reconoce cuando se dibuja el circuito equivalente de CC como se muestra en la figura 19b.

Figura 20

La corriente de CC en el emisor est dada por:

La figura 20c muestra un amplificador base comn polarizado con divisor de voltaje. Puede reconocerse la polarizacin de divisor de voltaje dibujando el circuito equivalente de CC, como se muestra en la figura 20d. En uno y otro, la base est a tierra de CA. La seal de entrada excita al emisor, y la seal de salida es tomada del colector. La figura 21a muestra el circuito equivalente de CA de un amplificador de base comn durante el semiciclo positivo del voltaje de entrada. Los resistores de polarizacin se omiten porque tienen un efecto despreciable en la impedancia de entrada. La impedancia de entrada de un amplificador de base comn se aproxima segn: .

El voltaje de salida est dado por:

vsal = icxRC

El cual est en fase con el voltaje de entrada. Ya que el voltaje de entrada es: vent = ie re La ganancia de voltaje es:

Figura 21

En vista de que ic ie la ecuacin anterior puede reescribirse como:

Esto indica que la ganancia de voltaje tiene la misma magnitud que la tendra un amplificador de emisor comn no minimizado nicamente la fase es diferente. Por ejemplo, si RC = 2500 y re = 25, entonces un

amplificador base comn tiene una ganancia de voltaje de 100, en tanto que un amplificador emisor comn tiene una ganancia de voltaje de -100. Idealmente, la fuente de corriente de colector de la figura 21a tiene una impedancia interna infinita. Por lo tanto, la impedancia de salida de un amplificador de base comn es Zsal RC. La figura 21b muestra el modelo de CA de un amplificador de base comn. La gran diferencia entre ste y el amplificador de emisor comn es la impedancia de entrada extremadamente baja. Una razn por la cual el amplificador de base comn no se usa mucho es su baja impedancia de entrada. La impedancia que ve la fuente de CA que excita el amplificador base comn es Zent re que puede ser bastante baja. Por ejemplo, si IE = 1 mA, la impedancia de entrada de un amplificador de base comn es de slo 25. A menos que la fuente de CA sea estable, la mayor parte de la seal se pierde en la resistencia de la fuente. La impedancia de entrada de un amplificador base comn es tan baja que sobrecarga la mayor parte de las fuentes de seal. Debido a esto, un amplificador base comn discreto no se usa regularmente a bajas frecuencias. Encuentra aplicacin, sobre todo, en circuitos de altas frecuencias (arriba de 10 MHz) donde son comunes las bajas impedancias de la fuente.

CONFIGURACIN EMISOR COMN

La figura 13a muestra un amplificador de emisor comn. Como el emisor est acoplado a tierra por medio de un capacitor, a este

amplificador algunas veces se le llama amplificador con emisor a tierra, esto significa que el emisor est a tierra de CA, pero no a tierra de CC. Tiene acoplada a la base una pequea onda senoidal, lo cual produce variaciones en la corriente de base. La corriente de colector es una forma de onda senoidal amplificada de la misma frecuencia, debida a . Esta corriente senoidal de colector, fluye por la resistencia de colector y produce un voltaje amplificado de salida.

Figura 13

Debido a las fluctuaciones de CA en la corriente de colector, el voltaje de salida de la figura 13a vara senoidalmente en la parte superior e inferior del voltaje esttico o de reposo. Debe notarse que el voltaje de salida de CA est invertido con respecto al voltaje de CA de entrada, lo cual significa que est 180 fuera de fase con respecto a la entrada. Durante el primer semiciclo positivo del voltaje de entrada aumenta la corriente de base, dando origen a un incremento en la corriente del colector. Esto produce una cada de voltaje mayor en el resistor de colector; por lo tanto, el voltaje de colector disminuye y se obtiene el primer semiciclo negativo del voltaje de salida. Por el contrario, en el semiciclo negativo del voltaje de entrada, fluye menos corriente de colector y disminuye la cada de voltaje en el resistor de colector. Por esta razn, el voltaje de colector a tierra aumenta y se obtiene el semiciclo positivo del voltaje de salida. La figura 13b muestra la lnea de carga de CA y el punto Q. El voltaje de CA de entrada produce variaciones de CA en la corriente de base. Esto da origen a variaciones senoidales alrededor del punto Q, como se muestra. Para operacin de pequea seal, la variacin de pico a pico

en la corriente de colector deber ser menor del 10% de la corriente de colector esttica o de reposo (esto mantiene la distorsin muy abajo de los niveles aceptables en la mayor parte de las aplicaciones). Para grandes seales, el punto de operacin vara ms a lo largo de la lnea de carga. Si la seal es muy grande, el transistor va hacia saturacin y corte, lo que recortar los picos negativos y positivos de la seal. En algunas aplicaciones el recorte ser aceptado, pero con amplificadores lineales el transistor deber operar en la regin activa todo el tiempo. Eso significa que nunca ir a saturacin o corte durante el ciclo. La ganancia de voltaje de un amplificador es la relacin del voltaje de CA de salida al voltaje de CA de entrada. Simblicamente:

La figura 14a muestra el circuito equivalente de ca. La resistencia RC de colector va hacia tierra porque el punto de voltaje de alimentacin acta como un cortocircuito para CA. De la misma forma, el resistor R1 est a tierra, por lo que aparece en paralelo con R2 y el diodo emisor. Debido al circuito en paralelo en el lado de entrada, vent aparece directamente en paralelo con el diodo emisor. Por lo tanto, se puede visualizar el circuito equivalente de CA como se muestra en la figura 14b. En cualquier circuito, el voltaje aplicador a re es igual a vent.

Figura 14

El voltaje de entrada de la figura 14b se muestra con una polaridad msmenos para indicar el semiciclo positivo del voltaje de entrada. La corriente de CA de emisor es:

Como la corriente de colector es aproximadamente igual a la corriente de emisor, esta corriente de CA de colector fluye a travs del resistor de colector, produciendo un voltaje de salida de

El signo menos se usa para indicar la inversin de fase, en el semiciclo positivo del voltaje de entrada aumenta la corriente de colector, produciendo el semiciclo negativo del voltaje de salida. Como ie = vent /re , entonces:

Reacomodando los trminos anteriores se obtiene la ganancia de voltaje:

As por ejemplo, con un amplificador como ste, un voltaje de base de 1 mV produce un voltaje de salida de 188 mV. En un amplificador de emisor comn la fuente de CA aprecia las resistencias de polarizacin en paralelo con el diodo emisor (ver figura 14a), razn por lo que estas impedancias de polarizacin tambin estn en paralelo con la impedancia de entrada en la base ZBent que es igual a re. De manera que la impedancia total de entrada es el paralelo de ellas tres:

Zent R1 R2 re
De la figura 14b puede determinarse grficamente que la impedancia de salida es Zsal RC. La figura 15 muestra un ejemplo de en un circuito de amplificador en configurado como emisor comn y cmo son vistas las seales CA a travs de un osciloscopio.

Figura 15

CONFIGURACIN DE COLECTOR COMN

La figura 16a muestra el circuito llamado amplificador de colector comn. Como RC es cero el colector est a tierra de CA, siendo sta la razn por la que el circuito tambin se conoce como amplificador de colector a tierra. Cuando un voltaje Vent de CC excita la base, aparece un voltaje Vsal de CC en la resistencia de emisor.

Figura 16

Un amplificador de colector comn es como un amplificador emisor comn altamente saturado o minirnizado con la resistencia de colector en cortocircuito y la salida tomada en el emisor en vez del colector. Como el emisor est autoelevado al voltaje de la base, el voltaje de CC de salida es:

Vsal = Vent - VBE

El circuito se denomina tambin emisor seguidor porque el voltaje de CC de emisor sigue el voltaje de CC de base. En la figura 16a, VCE est dada por:

VCE = VCC - Vsal

Si Vsal aumenta, VCE disminuye. Por lo tanto, VcE est fuera de fase con respecto a Vsal y Vent. Puede apreciarse esta relacin fuera de fase en las figuras 16b y 16c. Sumando los voltajes de CC alrededor del circuito de colector de la figura 16a, se obtiene:

VCE + IERE - VCC = 0

Como la corriente de colector es aproximadamente igual a la corriente de emisor, se puede resolver para IC y obtener:

Esta es la ecuacin para la lnea de carga de CC mostrada en la figura 16d. Cuando el voltaje de entrada contiene una componente de CA y una de CC, la lnea de carga de CA es la misma que la lnea de carga de CC, debido a que IC y VCE tienen la fluctuacin senoidal mostrada en la figura 10d. Si la seal de entrada es suficientemente grande para usar toda la lnea de carga de CA, el transistor tiende a irse a saturacin y a corte en los picos. Esto limita la variacin del voltaje de salida a un valor pico a pico igual a VCC como se muestra en la figura 16e.

Figura 17 La figura 17a muestra un emisor seguidor excitado por un voltaje de CA pequeo; la figura 17b muestra el circuito equivalente de CA. El voltaje de CA de salida es igual a:

vsal = ie RE
Debido a que el voltaje de CA de entrada es: La relacin de vsal a vent es:

vent = ie(RE + re)

En la mayor parte de los emisores seguidores, el voltaje de salida est dentro de 0. 5 % del voltaje de entrada, debido a que RE minimiza a re y la ganancia de voltaje se aproxima a la unidad, as: A 1. En la prctica se polariza la base de un amplificador de colector comn con divisin de voltaje de VCC por medio de dos resistencias R1 y R2 (Ver figura 18a).

Figura 18

Puesto que el amplificador de colector comn est fuertemente minimizado, su impedancia entrada en la base es ZBent = (RE + re). Pero RE normalmente es mucho mayor que re y por ende reduce sus efectos, de manera que ZBent RE.. Esta impedancia es muy alta. La impedancia total de entrada en un amplificador colector comn comprende tambin las resistencias de polarizacin R1 y R2 en paralelo con ZBent: Zent = R1 R2 RE Cuando la polarizacin del divisor de voltaje es estable, RE es por lo menos 100 veces mayor que R1 por lo que se puede despreciar, de manera que: R2, Zent = R1 R2 La figura 18d muestra el circuito equivalente para la corriente de salida ie. La resistencia RE del emisor est excitado por una fuente de CA que tiene una impedancia de salida de CA de:

La impedancia total de salida es Zsal = RE Esal. Sin embargo RE normalmente es demasiado Z grande y puede despreciarse. De modo que:

El seguidor de emisor es esencialmente un amplificador de baja distorsin. Puesto que el resistor de emisor no est derivado, la minimizacin es sumamente alta y la no linealidad del diodo emisor est casi eliminada. Dado que la ganancia de voltaje es aproximadamente la unidad, el voltaje de salida es una rplica del voltaje de entrada. Con una onda senoidal perfecta de entrada se obtiene una onda senoidal perfecta de salida. La figura 19 muestra un ejemplo de en un circuito de amplificador configurado como colector comn y cmo son vistas las seales CA a travs de un osciloscopio.

Figura 19

PRUEBA DE TRANSISTORES

Un transistor bipolar equivale a dos diodos en oposicin (tiene dos uniones), por lo tanto las medidas deben realizarse sobre cada una de ellas por separado, pensando que electrodo base es comn a ambas direcciones.

Se emplear un multmetro analgico y las medidas se efectuarn colocando el instrumento en las escalas de resistencia y preferiblemente en las escalas ohm x 1, ohm x 10 tambin ohm x 100. Antes de aplicar las puntas al transistor es conveniente cerciorarse del tipo de ste, ya que si es NPN se proceder de forma contraria que si se trata de un PNP. Para el primer caso (NPN) se situar la punta negra (positivo) del multmetro sobre el terminal dela base y se aplicar la punta roja sobre las patillas correspondientes al emisor y colector. Con esto se habr aplicado entre la base y el emisor o colector, una polarizacin directa, lo que traer como consecuencia la entrada en conduccin de ambas uniones, movindose la aguja del multmetro hasta indicar un cierto valor de resistencia, generalmente baja (algunos ohm) y que depende de muchos factores.

A continuacin se invertir la posicin de las puntas del instrumento, colocando la punta roja (negativa) sobre la base y la punta negra sobre el emisor y despus sobre el colector. De esta manera el transistor recibir una tensin inversa sobre sus uniones con lo que circular por l una corriente muy dbil, traducindose en un pequeo o incluso nulo movimiento de la aguja. Si se tratara de un transistor PNP el mtodo a seguir es justamente el opuesto al descrito, ya que las polaridades directas e inversas de las uniones son las contrarias a las del tipo NPN.

Las comprobaciones anteriores se completan con una medida, situando el multmetro entre los terminales de emisor y colector en las dos posibles combinaciones que puede existir; la indicacin del instrumento ser muy similar a la que se obtuvo en el caso de aplicar polarizacin inversa (alta resistencia), debido a que al dejar la base sin conexin el transistor estar bloqueado. Esta comprobacin no debe olvidarse, ya que se puede detectar un cortocircuito entre emisor y colector y en muchas ocasiones no se descubre con las medidas anteriores.

POLARIZACIN EN DC DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES

Polarizar un transistor bipolar implica conseguir que las corrientes y tensiones continuas que aparecen en el mismo queden fijadas a unos valores previamente decididos. Es posible polarizar el transistor en zona activa, en saturacin o en corte, cambiando las tensiones y componentes del circuito en el que se engloba. El transistor bipolar se emplea en numerosas aplicaciones, y en infinidad de circuitos diferentes. Cada uno de ellos lo polariza de forma determinada. En este apartado se abordar la polarizacin del transistor mediante una red de resistencias. Supongamos que se quiere polarizar un transistor bipolar en zona activa. Se ha de conseguir que sus tensiones y corrientes cumplan las condiciones de estar en activa: VBE = 0,7V, VCE > 0,2V Una primera opcin sera usar un circuito como el de la figura 17. Podemos ver cmo conseguimos polarizar la unin base-emisor mediante una resistencia (R) conectada a alimentacin. Por la base del transistor circular una corriente igual a (VCC-VBE)/R, y en colectoremisor tendremos: VCE = VCC > VCEsat.

Figura 17 Este primer circuito tiene como inconveniente por un lado que el transistor nunca se podra polarizar en saturacin, pues no se puede conseguir que VCE = 0,2V siendo VBE =0,7V; y por otro lado la excesiva disipacin. Un circuito un poco ms complejo, y con el que se puede conseguir polarizar al transistor en las tres regiones de funcionamiento es el de la figura 18. Vemos que en este caso la tensin colector-emisor depende directamente de la corriente de base (VCE=VCC-IBRC), y dicha corriente se fija actuando sobre la resistencia de base (IB=(VCCVBE)/RB). Para polarizar el transistor en cada una de las regiones se

pueden emplear las dos ecuaciones mencionadas y aplicar las restricciones de cada regin.

Figura 18 Cuando se pretende que la polarizacin sea estable (es decir, que no vare con factores externos1), se usan redes de polarizacin ms complejas, que fijan la tensin en base, como por ejemplo la que aparece en la figura 19. En apartados posteriores se resuelve un ejercicio con un transistor polarizado tal y como aparece en la figura 19.

Figura 19

CORTE Y SATURACIN DEL TRANSISTOR

CORTE Cuando el transistor se encuentra en corte no circula corriente por sus terminales. Por eso se dice que el BJT se comporta como un interruptor abierto. Concretamente, y a efectos de clculo, decimos que el transistor se encuentra en corte cuando se cumple la condicin: IE = 0 IE < 0 (Esta ltima condicin indica que la corriente por el emisor lleva sentido contrario al que llevara en funcionamiento normal). Para polarizar el transistor en corte basta con no polarizar en directa la unin base-emisor del mismo, es decir, basta con que VBE=0.

SATURACIN En la regin de saturacin se verifica que tanto la unin base-emisor como la base-colector se encuentran en directa. Se dejan de cumplir las relaciones de activa, y se verifica slo lo siguiente:

Donde las tensiones base-emisor y colector-emisor de saturacin suelen tener valores determinados (0,8 y 0,2 voltios habitualmente). Es de sealar especialmente que cuando el transistor se encuentra en saturacin circula tambin corriente por sus tres terminales, pero ya no se cumple la relacin:

IC = IB

Estado de saturacin de un transistor bipolar.

CIRCUITO DE POLARIZACIN PARA BJT CON RESISTOR EN EMISOR

Consiste en colocar una resistencia de emisor. La unin de colector se polariza en inversa por medio de Vcc y Rc. La unin de emisor se polariza en directa por el divisor de tensin y Re.

Se demuestra que al aumentar la , la b se hace ms pequea, compensando el aumento de c. Si la se reduce ocurrir el efecto inverso. Esta realimentacin del sistema se debe a Re.

CIRCUITO DE CONFIGURACIN DE DIVISOR DE VOLTAJE CON RESISTOR EN EMISOR

La malla de entrada se puede redibujar:

La red equivalente Thevenin a la izquierda de la terminal de la base puede encontrarse de la siguiente manera:

La aplicacin de la regla del divisor de voltaje:

La red equivalente Thevenin a la izquierda de la terminal de la base queda de la siguiente manera:

MALLA BASE EMISOR

MALLA COLECTOR EMISOR

CIRCUITOS DE POLARIZACIN DE DC CON REALIMENTACIN DE VOLTAJE

Este tipo de polarizacin proporciona mayor estabilidad del punto de operacin que la polarizacin fija. El efecto de la realimentacin radica en el hecho de que si por alguna razn (incremento en por ejemplo) IC incrementa, entonces el voltaje en RE aumenta, lo que a su vez produce decremento en la tensin de RB. Si el voltaje de RB disminuye entonces IB disminuye lo cual obliga a que IC tambin disminuya. Se concluye que el incremento original de IC queda parcialmente balanceado. El razonamiento anterior parece bueno, pero como se demostrar en los anlisis respectivos, el circuito no trabaja adecuadamente para valores prcticos de resistencia.

ANLISIS DE MALLA DE COLECTOR

ANLISIS EN LA MALLA DE BASE

Si esta desigualdad se cumple entonces el transistor se satura pues

El valor de iC se aproxima al valor de la IC de saturacin, por lo que puede concluirse lo siguiente: Si RB se hace un poco menor que RC, entonces el transistor se satura.