You are on page 1of 5

Prof.

Orlando Heredia (pendiente revisin)

CARACTERSTICAS DE LOS DIODOS

Textos de referencia Circuitos Microelectrnicos. M. Rashid. Editorial Internacional Thomson. Capitulo 2. Objetivos generales El objetivo final del experimento es que el estudiante perciba las principales caractersticas de los diodos semiconductores y su dependencia de la temperatura, observando las diferencias entre los distintos tipos de diodos. El estudiante efectuar actividades que mejoraran sus conocimientos y habilidades en la toma y registro de datos as como en la presentacin de resultados. Objetivos especficos Los objetivos terminales del experimento de manera resumida son: la temperatura. Recursos materiales Equipos adicionales a los existentes en los bancos de trabajo, necesarios para efectuar las experiencias: Calentador. Medidor de temperatura con termopar. Aprender a medir la tensin umbral del diodo. Observar las variaciones de las corrientes de fuga de un Distinguir la influencia de la temperatura en la Obtener las constantes Is y n del modelo de un diodo. Observar la curva dinmica del diodo y su variacin con

diodo con la temperatura. polarizacin de un diodo.

Los componentes a usar en las experiencias son:

Prof. Orlando Heredia (pendiente revisin)

al 1N5400) Pre-laboratorio

Diodo de seal (similar al 1N4148) o rectificador (similar Diodo de germanio similar al 1N34A Transistor BJT similar al 2N2222A. Diodo Zener. Diodo emisor de luz (LED).

El estudiante tiene que estimar el valor de la resistencia R1 del circuito de la figura 1 considerando que la salida mxima del generador de seales es de 10 voltios pico. Tambin se debe estimar el valor de la resistencia R1 del circuito de la figura 2 de manera que pueda obtener los valores de la tabla 1 tomando en cuenta que la fuente DC se puede variar de 0 a 30 voltios en pasos de 0,5 a 1 voltios. Es importante evitar que el diodo alcance la mxima corriente y el mximo voltaje en inverso (ver hoja del fabricante), para ello considere el mximo voltaje del generador de seales y de la fuente. Se usar un transistor como diodo cortocircuitando el terminal del colector con la base. El estudiante debe simular cada uno de los experimentos de manera similar a la forma en que sern ejecutados en el laboratorio, registrando los resultados para compararlos con los que medir de manera experimental. Laboratorio A menos que se indique lo contrario, el estudiante debe efectuar las actividades de laboratorio con cada uno de los diferentes tipos de diodos: Led, diodo de silicio, diodo de germanio, transistor conectado como diodo y diodo zener. 1. Para visualizar la curva caracterstica del diodo se usar el osciloscopio en modo X- Y. Si se excita el diodo con una seal de baja frecuencia en el rango de tensin desde -10 Voltios hasta +10 Voltios y se conecta en la entrada X del osciloscopio la tensin que cae en los extremos del diodo y en la entrada Y la tensin proporcional a la corriente que circula por l, se podr ver la curva caracterstica del diodo. Monte el circuito de la figura 1, asegurndose de aislar la tierra del osciloscopio de

Prof. Orlando Heredia (pendiente revisin)

la tierra del generador de seales. Aumente la amplitud de la salida del generador de seales desde cero hasta que observe la curva caracterstica del diodo en el osciloscopio. 2. Utilizando un calentador y el osciloscopio, tome nota de los cambios en la curva del diodo de silicio y germanio (voltaje umbral, resistencia) debido a variaciones de la temperatura. Tome nota de la tensin umbral del diodo para 25 y 70 grados centgrados aproximadamente.

Figura 1 Circuito para observar la curva de un diodo 3. Montando un circuito similar al de la figura 2 y mida las corrientes y voltajes de cada diodo para las zonas de conduccin y corte o bloqueo, y anote los datos como en la tabla 1. Tenga cuidado de no sobrepasar el 60% de la mxima corriente y del voltaje en inverso del diodo.

Figura 2 Circuito para obtener la curva del diodo

Prof. Orlando Heredia (pendiente revisin)

Tabla 1 Valores de la curva del diodo Zona Directo o Zener


v
Zona de Corte

10

.....

D D

-5

- 10

- 15

- 20

-25

Post-laboratorio El estudiante presentar un informe de los resultados obtenidos en el laboratorio (mediciones, clculos etc.) y en las simulaciones, dando una explicacin sobre las diferencias entre los valores. El informe debe contener al menos lo siguiente: 1. Los valores, de los dispositivos pasivos y activos, usados en el laboratorio: resistencia, caractersticas de los diodos dadas por el fabricante, etc. 2. Los valores de la tensin umbral de cada uno de los diodos. 3. Tablas con los valores obtenidos en el laboratorio y en la simulacin de cada experimento por cada diodo. 4. Las grficas I D vs V D elaboradas con los valores tomados en el laboratorio. Efecte las graficas usando Excel (anexar archivo) o Mathcad. 5. Comparacin de los resultados del laboratorio con los de la simulacin. 6. Las constantes Is y n del modelo de Shockley para cada uno de los diodos. Estas constantes se deben obtener en base a dos puntos de los datos medidos (Rashid, 1999, pagina 37, seccin 2.7). 7. Las corrientes del diodo calculadas usando el voltaje medido (tabla 1) y el modelo del diodo obtenido en el punto 5 anterior. Calcule la diferencia o desviacin porcentual entre los resultados medidos o reales y los estimados por el modelo.

Prof. Orlando Heredia (pendiente revisin)

8. De la grfica I D vs V D determine la resistencia dinmica del diodo. Compare con los valores dados por el fabricante. 9. Determine el valor terico de la tensin umbral del diodo para 70 oC, (Rashid, 1999, pagina 40) usando los datos experimentales. Compare con el valor medido en el laboratorio. 10. Conclusiones. Preguntas directa? Puede usarse un diodo como elemento sensor de Observ alguna diferencia entre las caractersticas del Cmo puede obtenerse el valor de Is por medicin

temperatura? Explique. transistor usado como diodo y el diodo de silicio?