DIODO DE UNIN P-N POLARIZADO

Se entiende como polarizacin de una unin p-n a la aplicacin externa de una diferencia de potencial continua o con un determinado sentido a la unin. La polarizacin del diodo puede ser en directa o en inversa, como veremos a continuacin.

UNIN P-N POLARIZADA DIRECTAMENTE

La unin p-n est polarizada directamente cuando a la regin p se le aplica un potencial mayor que a la regin n , se debe conectar el polo positivo de la batera al nodo del diodo (zona p) y el polo negativo al ctodo (zona n).

En estas condiciones podemos observar los siguientes efectos:

 Los huecos de la regin p y los electrones de la regin n son empujados hacia la unin por el campo elctrico Epol a que da lugar la polarizacin. Por lo tanto, se reduce la anchura de la zona de transicin. El campo elctrico de la polarizacin Epol se opone al de la unin Eu. As, se reduce el campo elctrico de la unin y, consecuentemente, la barrera de potencial. Recordar que, como vimos en el Tema 4, la barrera de potencial sin polarizacin es VJ=Vo. Con la polarizacin directa de la unin p-n se reduce en la forma VJ=Vo-V, siendo V la tensin directa aplicada a dicha unin, tal y como se muestra en la figura siguiente.

Dado que ha de cumplirse que V= Vp-VJ+Vn, se tiene que VJ= Vp+Vn-V. Puesto que Vp+Vn=Vo, entonces se verifica que VJ=Vo-V. Como decamos antes, al polarizar la unin p-n en directa disminuye la barrera de potencial y el valor de esa reduccin es la tensin V de la batera. Sin embargo, en la prctica, el diodo siempre trabaja con barrera de potencial VJen la unin, incluso con polarizacin directa. Si se aplicara suficiente polarizacin directa para que se anulara la barrera de potencial, circulara una corriente excesiva por la unin y podra destruirse sta por sobrecalentamiento. La reduccin del campo elctrico de la unin reduce el efecto de arrastre Al ser la zona de transicin ms estrecha, aumenta el gradiente de las distintas concentraciones de portadores en ella y consecuentemente, aumenta el efecto de difusin No se alcanza el equilibrio, producindose una circulacin neta de carga por el circuito. De esta forma, la corriente en la unin es por difusin y fuera de ella por arrastre. Los portadores que atraviesan la unin se difunden alejndose de ella hasta que se recombinan con los portadores mayoritarios que son aportados por las corrientes de arrastre. As, los electrones libres del lado n que atraviesan la unin se difunden en el lado p, donde son minoritarios, y se recombinan con huecos que aporta el arrastre, convirtindose en electrones de valencia en el lado p. Del mismo modo, los electrones de valencia del lado n que atraviesan la unin hacia el lado p, o lo que es lo mismo, los huecos del lado p que atraviesan la unin, se difunden en el lado n, donde son minoritarios, y se recombinan con electrones libres que aporta el arrastre. En definitiva, la corriente que atraviesa la unin es debida al movimiento de electrones y huecos inyectados a cada lado de la unin donde son minoritarios. Los huecos que circulan de izquierda a derecha constituyen una corriente en el mismo sentido que los electrones que se mueven de derecha a izquierda, y, por lo tanto, la corriente resultante que atraviesa la unin es la suma de las corrientes de los huecos y de los electrones minoritarios, que puede llegar a ser importante. En una unin asimtrica, que corresponde a una unin con un lado ms dopado que el otro, la corriente ser fundamentalmente debido al tipo de portador ms abundante.

LA LEY DE SHOCKLEY
Descripcin cualitativa del flujo de corriente en una unin.

Se observa que el semiconductor tipo P se une con el semiconductor tipo N, formando una unin P-N o diodo P-N a una temperatura de 300 K.

La diferencia de concentracin de electrones y huecos entre las zonas N y P, y como vemos origina que los electrones de la zona N pasen a la zona P y los huecos de la zona P pasen a la zona N, de modo que en la unin la zona P se carga negativamente y la zona N se carga positivamente.

CONMUTACIN DEL DIODO

La tensin, I (mA), Op (pC) , Vd (v) avanza de forma igual, van parejo al mismo tiempo.

Los circuitos de ayuda a la conmutacin de diodos, o snubbers, son esenciales para los diodos usados en circuitos de conmutacin. Estos pueden proteger a un diodo de sobretensiones, las cuales pueden ocurrir durante el proceso de recuperacin reversa. Un circuito snubber comn para un diodo de potencia consiste de una capacitancia y una resistencia conectadas en paralelo con el diodo. Cuando la corriente de recuperacin reversa disminuye, la capacitancia mantendr su voltaje por un tiempo, el cual es aproximadamente el mismo del diodo. La resistencia por otra parte, disipar alguna de la energa almacenada en la inductancia parsita L.