Introduccin a los Lseres

La palabra LASER corresponde al acrnimo en ingls de las palabras que definen este tipo de radiacin, y que son Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation, es decir luz amplificada por la emisin estimulada de radiacin. Son muchas las lneas de investigacin que han favorecido los avances en esta tecnologa. Por un lado el desarrollo militar, y por otro el industrial, han ido abarcando su utilizacin a muchos niveles, existiendo en la actualidad ms de un centenar de tipos distintos de emisores lser. Los lseres se pueden dividir en varios grupos, de acuerdo con diferentes criterios:

El estado de la materia del medio activo: slido, lquido, gas, o plasma. El rango espectral de la longitud de onda del lser: espectro visible, espectro Infra-Rojo (IR), etc. El mtodo de excitacin (bombeo) del medio activo: bombeo ptico, bombeo elctrico, etc. Las caractersticas de la radiacin emitida por el lser. El nmero de niveles de energa que participan en el proceso lser. Volver al Contenido

Sistema Lser
El lser es un sistema similar a un oscilador electrnico. Un sistema lser provisional consta de un medio activo, un mecanismo de excitacin (feedback), retroalimentacin ptica (espejos), y un acoplador de salida. Como se muestra en la siguiente figura.

Figura 1: Sistema Lser

El medio activo Es una parte muy importante del lser ya que el material usado como medio activo determina:

La longitud de onda del lser. El mtodo de bombeo ms adecuado. Orden de magnitud de la salida del lser. El rendimiento del sistema lser. El medio activo determina muchas de las propiedades del lser, tal es as, que el nombre de cada lser deriva del nombre del medio activo. Lseres que dependen de su medio activo. Lseres de Gas Lseres de estado slido Lser de Diodo (lser de Semiconductor, lser de Inyeccin) Lser de Colorante (Lquido). Volver al Contenido

Teora de Banda en Slidos

La teora de bandas nos permite construir modelos sencillos para comprender el comportamiento de conductores, aislantes y semiconductores, as como de dispositivos semiconductores. Esta teora nos dice que un estado con una elevada probabilidad de que haya un electrn entre dos ncleos positivos (que resulta una fuerza de enlace covalente por la atraccin de Coulomb del electrn sobre ambos ncleos) deber tener una energa diferente que un estado en donde el electrn tenga una alta probabilidad de encontrarse en otra parte. Ahora si consideramos un gran nmero de tomos que se encuentran en los slidos (del orden de tomos por ), obtendremos una gran cantidad de niveles de energa variable con tan poco espacio entre s que se les puede considerar como una banda continua de niveles de energa. En el caso del sodio se acostumbra a denominar bandas s a las distribuciones continuas de niveles de energa permitidos, por que las bandas se originan en los niveles s de los tomos individuales de sodio. En generar, un slido cristalino tiene diversas bandas de energa permitidas que surgen de los distintos niveles atmicos de energa. En la fig. se muestran las bandas permitidas del sodio.

Figura 2: Bandas de energa de un cristal de sodio. Observe que las brechas de energa (regiones blancas) entre las bandas permitidas; los electrones no pueden ocupar estados que se encuentran en esta brechas.El azul representa bandas de energa ocupadas por los electrones de sodio cuando el tomo est en su estado base. El color oro representa bandas de energa vacas.

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Conduccin Elctrica en Metales, Aislantes y Semiconductores

Los buenos conductores elctricos contienen una alta densidad de portadores de carga libres, y la densidad de

portadores de carga libre en un aislador es casi cero. Los semiconductores son una clase de materiales tcnicamente importantes, en los que las densidades de los portadores de carga son intermedias entre las de los aislantes y las de los conductores.

Metales
Si un material puede ser un buen conductor elctrico, los portadores de carga debern estar libres de moverse en respuesta a un campo elctrico aplicado, el movimiento de los electrones representa un aumento de energa cintica. Por lo tanto, cundo un campo elctrico se aplica a un conductor, los electrones deben moverse hacia arriba a un estado de energa ms alto, disponible en un diagrama de nivel de energa.

Figura 3: Metal Banda semivaca de un metal, un conductor elctrico. A T=0 K, la energa de Fermi se encuentra a la mitad de la banda.

En la figura 3. Muestra una banda semivaca en un metal a T=0 K, donde la regin azul representa niveles llenos de electrones. Debido a que los electrones obedecen la estadstica de Fermi-Dirac, todos los niveles abajo de la energa de Fermi estn llenos de electrones y todos los niveles arriba de la energa de Fermi estn vacios .La energa de Fermi se encuentra en la banda en el estado lleno ms alto a T=0k. Si al metal se le aplica una diferencia de potencial,los electrones que tengan energas cercanas a la energa de Fermi requieren solo de una pequea cantidad de energa adicional

del campo aplicado para alcanzar estados de energa cercanos, vacios, por arriba de la energa de Fermi. Por lo tanto, los electrones de un metal que experimente un solo un pequeo campo elctrico aplicado estn libres para moverse porque hay numerosos niveles vacos disponibles cerca de los niveles de energa ocupados. El modelo de metales basado en la teora de bandas muestra que los metales son excelentes conductores elctricos. Volver al Contenido

Aislante
Ahora consideremos las dos bandas de energa ms externas de un material en las que la banda ms baja est llena de electrones y la banda ms alta est vaca a 0K. La banda llena ms baja se denomina banda de valencia, la banda vaca superior se conoce como banda de conduccin (la banda de conduccin es la que est parcialmente en un metal). Es comn llamar brecha de energa Eg del metal a la separacin de energa entre las bandas de valencia y de conduccin. La energa de Fermi se encuentra entre la brecha de energa, como se ve en la figura.

Figura 4: Aislante Un aislante elctrico a T=0 k tiene una banda de valencia llena y una banda de conduccin vaca.

El nivel de Fermi se encuentra entre estas bandas en la regin conocida como brecha de energa.

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Semiconductores
Los semiconductores tienen el mismo tipo de estructura de banda que un aislante pero la brecha de energa es mucho menor, del orden de 1 eV. La tablaI muestra las brechas de energa para algunos materiales representativos. La estructura de banda de un semiconductor se muestra en la figura 5. Debido a que el nivel de Fermi est situado cerca de la mitad de la brecha para un semiconductor y dado que Eg es muy pequea, un considerable nmero de electrones son trmicamente excitados de la banda de valencia a la banda de conduccin. Hay muchos niveles vacos arriba de los niveles trmicamente llenos en la banda de conduccin, lo cual resulta en una corriente moderada.

Tabla I

A T=0, todos los electrones en estos materiales estn en la banda de valencia, y no hay energa que los excite a cruzar la

banda de energa. Por lo tanto, los semiconductores son malos conductores a temperaturas muy bajas. Debido a que la excitacin trmica de los electrones al otro lado de la angosta brecha es ms probable a temperaturas ms altas, la conductividad de los semiconductores aumenta rpidamente con la temperatura. Esto contrasta en gran medida con la conductividad de los metales, que disminuye poco a poco al aumentar la temperatura.

Figura 5: Semiconductor Estructura de bandas de un semiconductor. La brecha de energa es mucho menor que en un aislante, y algunos electrones de la banda de valencia ocupan estados de la banda de conduccin.

Los portadores de carga de un semiconductor pueden ser negativos, positivos o ambos. Cuando un electrn se mueve de la banda de valencia y entra a la banda de conduccin, deja tras de si un sitio vacio, llamado hueco en la banda de valencia que de otro modo estara llena este hueco) deficiente en electrones actan como potador de cargan en el sentido de que un electrn libre de un lugar cercano puede entrar en el hueco. Siempre que un electrn ingrese en un hueco, crea un nuevo hueco en el lugar que abandon y , de esta forma , el efecto neto se puede ver como el hueco que emigra por el material en direccin opuesta a la del movimiento de electrones. El hueco se comporta como si fuera una partcula con una carga positiva. Volver al Contenido

Lser de Semiconductor
Introduccin
EL lser de semiconductor o diodo lser es, como su nombre indica, un diodo que emite luz lser coherente . Esencialmente , no es ms que un bloque de material semiconductor que contiene una unin p-n , con las regiones p y n muy densamente dopadas y con una estructura interna ms o menos compleja que se hace funcionar a modo de diodo para producir un efecto lser. En dicha unin los pares electrn hueco representan los estados excitados y la emisin de fotones se debe a la recombinacin de estos pares . En estos materiales, el efecto lser no ocurre por transiciones entre niveles de energa atmicos o de sistemas moleculares sino que , por el contrario , se ha de considerar la estructura de bandas de energa del cristal como un todo. El lser semiconductor ha alcanzado hoy da un estado de desarrollo muy avanzado , despus de un largo periodo de evolucin . Este tipo de lseres haba sido discutido ya durante la dcada de los 50s pero no fue hasta 1961 cuando Basov et al. Sugirieron el primer lser semiconductor en el cual la emisin estimulada de fotones se llevaba a cabo por recombinacin de portadores inyectados a travs de un in pn. En 1962, tan solo tres aos despus de que Mainman hiciese funcionar el primero de todos los lseres (el lser de rub), tres grupos de investigadores estadounidenses casi simultneamente que haban conseguido el funcionamiento pulsante del lser de semiconductor a bajas temperaturas. La lenta evolucin de lser de semiconductor se ha debido sobre todo a problemas especficos relacionados con el desarrollo de una nueva tecnologa de semiconductores y, en parte, tambin est asociado con las caractersticas particulares del aparato por ejemplo, la emisin estimulada en semiconductores es mucho ms intensa, para un determinado grado de inversin, que en lseres de cualquier

otro material y el diseo de la cmara resonante es ms complejo. A lo largo de este desarrollo, el lser de semiconductor ha sufrido una metamorfosis considerable y ya no se parece nada al primer aparato de 1962. De la simple unin p-n se ha pasado a heteroestructuras que contienen barias capas de semiconductores de distintas composiciones. Estas heterosestructuras introducidas en 1969, causaron un gran impacto y han ido mejorando paulatinamente. El resultado final de todos los cambios habitados es que ha pasado de un aparato que funcionaba slo a bajas temperaturas, a un componente muy prctico capas de funcionar a temperatura ambiente en modo continuo. Volver al Contenido

Fundamento Terico
Los materiales semiconductores son aquellos que a temperaturas muy bajas se comportan como aislantes, es decir, no conducen la electricidad, pero que cuando la temperatura aumenta por encima de un cierto valor se convierten en muy buenos conductores. Algunos materiales semiconductores son por ejemplo el silicio, el germanio y el selenio. Los materiales Semiconductores los dividiremos en dos lo semiconductores extrnsecos y los intrnsecos. El esquema de nivel de energa para un semiconductor ideal se muestra en la figura 5, el espectro de nivel de energa consiste en varias bandas anchas, estas son las bandas de valencia V y la banda de conduccin C, separadas por una regin prohibida de energas (grap), cada banda consiste de una gran numero de estados de energa muy cercanos unos de otros. Cuando aumenta la temperatura o se hace incidir luz sobre estos materiales, los electrones de la banda de valencia adquieren energa suficiente para saltar a la banda de conduccin, dejando un hueco en la primera.

Para mejorar an ms la conduccin en los materiales semiconductores, se les introducen impurezas, tomos similares que pueden tener un electrn menos (tipo p) o un electrn ms (tipo n). Este proceso se denomina dopaje. La conductividad elctrica del semiconductor se aumenta sustancialmente si se le aaden impurezas de cualquiera de los dos tipos en partes por milln. Una consecuencia importante es que en semiconductores con impurezas el nmero de electrones que conducen electricidad puede ser controlado. Las propiedades de conductividad de la unin p-n dependen de la direccin del voltaje, de manera que as se puede controlar el uso del dispositivo. En la figura siguiente vemos grficamente las bandas de conduccin y de valencia para materiales semiconductores tipo n y tipo p.

Figura 6: Si el material se halla dopado con impurezas, tendremos adems, dentro de la brecha Eg, niveles de impurezas donadoras cerca del fondo de la banda C y niveles de impurezas aceptoras cerca de la parte superior de la banda V.

Cuando un semiconductor tipo "p" se asocia a un semiconductor tipo "n ", tenemos una: Unin p-n. Esta unin conduce la electricidad en una direccin preferencial (polarizado hacia adelante). Este aumento direccional de la conductividad es el mecanismo habitual para todos los diodos y los transistores en electrnica. En la figura 7 se visualizan las bandas de energa de una unin p-n ideal cuando no se aplica ningn voltaje externo. Esta disposicin de las bandas en la unin, es la base de la accin del lser diodo.

Figura 7: Niveles de energa en la unin p-n cuando no se aplica un voltaje externo.

El nivel de mxima energa ocupado por electrones se denomina nivel de Fermi. Cuando el contacto positivo de la fuente de voltaje se une a la parte p de la unin p-n, y el contacto negativo se conecta a la parte n, la corriente fluye a travs de la unin p-n. Esta conexin se denomina Voltaje polarizado hacia adelante. Cuando se conecta la polaridad inversa, esta conexin es llamada Voltaje de polarizacin posterior, y esto provoca un aumento del potencial de barrera entre la parte p y la parte n. Ello dificulta el flujo de corriente a travs de la unin p-n. Volver al Contenido

Aplicacin de Voltaje a la Unin P - N

Cuando se aplica un voltaje sobre la unin p-n, cambia la poblacin de las bandas de energa. Puede aplicarse el voltaje a la unin en dos configuraciones posibles: Voltaje polarizado hacia adelante - significa que el polo negativo de la fuente de voltaje est conectado a la parte "n" de la unin, y la parte positiva est conectada al semiconductor tipo " p", como se muestra en la figura 8.

Figura 8: Banda de energa de una unin p-n en la cual se aplica un voltaje polarizado hacia adelante.

El voltaje polarizado hacia adelante genera portadores de carga extra en la unin, disminuye el potencial de barrera, y provoca la inyeccin de los portadores de la carga, a travs de la unin, hasta otro sitio. Cuando un electrn de la parte "n" de la banda de conduccin, es inyectado a travs de la unin a un hueco vaco de la banda de valencia en la parte "p", se produce un proceso de recombinacin (de un electrn ms un hueco). Como resultado del proceso de recombinacin, se libera energa. Para los lseres de diodo interesan los casos especficos en los que esta energa se libera en forma de radiacin lser. Se produce un aumento sostenido de la conductividad cuando el voltaje polarizado hacia adelante es aproximadamente igual a la separacin de energa del semiconductor. Voltaje Inverso (hacia atrs) - el cual provoca un aumento del potencial de barrera de la unin, y disminuye la posibilidad de que un electrn cruce la unin hasta otro lado. Aumentando el voltaje inverso hasta valores elevados (decenas de voltios), puede producirse una ruptura del voltaje de la unin (avalancha). Volver al Contenido

Radiacin de Salida de un Lser de Diodo

La figura 9 describe la forma de la radiacin electromagntica lser de un lser simple de diodo construido en capas.

Figura 9: Perfil de la radiacin de un lser simple de diodo.

La radiacin proviene de la forma rectangular de una capa muy delgada, y se dispersa con diferentes ngulos en 2 direcciones. Despus se describirn las estructuras especiales que permiten confinar la capa activa a una pequea regin, y controlar la forma del perfil de la radiacin lser. La aniquilacin de un par electrn hueco con emisin de un fotn puede implicar o no, en funcin de la estructura de bandas del material que forman la unin p n, la emisin simultanea de un fotn. Si se da dicha emisin de un fotn se dice que sucede transicin indirecta o, en caso contrario, una transicin directa. La recombinacin con emisin espontnea es muy efectiva en semiconductores con transiciones directas, como GaAs, pues en ellos la vida media de emisin espontnea es muy corta y, por tanto, la amplificacin que se obtiene en un sistema con inversin de poblacin como este es muy alta. Por el contario, en un semiconductor de transiciones indirectas, como Si o Ge, la emisin espontnea

tiene una vida media relativa muy alta y predomina el efecto de los procesos no radiactivos, de modo que no es posible obtener un lser a partir de este tipo de semiconductores. Volver al Contenido

Funcin de Distribucin de Fermi - Dirac

Conforme al principio de exclusin de pul: no pude haber ms de un electros ocupando cada estado de energa. La probabilidad de que un estado en particular con energa E sea ocupado por uno de los electrones para un slido est dada por:

donde k = constante de Boltzmann T = temperatura F = nivel de Fermi El nivel Fermi representa el estado de energa con un 50% de probabilidad de ser ocupado si no existe banda prohibida .Esto es si , entonces para cualquier valor de la temperatura , que es el caso de los conductores. Cuando 1. ) , existen dos condiciones posibles:

, el termino exponencial tiende a infinito y , en consecuencia no hay ninguna posibilidad de encontrar un estado cuntico ocupado de energa mayor que F a temperatura de cero absoluto.

2. ) el termino exponencial es cero y .Todos los niveles cunticos con energas menores que F estn ocupados a por lo tanto, a la banda de valencia estar completamente llena y la banda de conduccin completamente vaca. Cuando la unin p-n esta funcionado como diodo en polarizacin directa , ya no est en equilibrio y el estudio terico de la misma debera realizarse a travs de probabilidades de ocupacin de no-equilibrio, distintas a las expresadas anteriormente . Ahora bien, cuando se excita un electrn dentro de la banda de conduccin, la interacciones de dicho electrn con los fenmenos de la red disminuirn su energa hasta que se corresponda con la del fondo de la banda de conduccin. Esta transicin dentro de la banda ocurre en un tiempo muy pequeo, del orden evidentemente lo mismo le sucede a hueco excitado dentro de la banda de Valencia. Una vez situados en los extremos de las bandas respectivas , el electrn y el hueco se re combinan emitiendo un fotn en un proceso que dura alrededor de es decir , mucho ms que las transiciones dentro de las bandas. El equilibrio trmico se restablece tan rpidamente dentro de cada una de la bandas que podemos considerar que aunque el semiconductor como un todo no est en equilibrio trmico. La bandas por separado s lo estn y las probabilidades de ocupacin de cada una de las bandas pueden expresarse tal y como se hace para un semiconductor en equilibrio sin ms que sustituir el concepto de equilibrio del nivel de fermi por su anlogo de no equilibrio, el cuasi nivel de fermi. As, al sustituir en la expresin anterior por (cuasi nivel de fermi de la banda V), se obtendr la probabilidad de ocupacin de la banda V y, al sustituir F por (cuasi nivel de fermi de la banda C),se obtendra la probabilidad de ocupacin de la banda C. Una condicin necesaria para el funcionamiento del lser es que el numero de emisiones estimuladas debe ser mayor que

el numero de fotones absorbidos (siendo un exceso necesario para compensar las prdidas en al cavidad resonante).La velocidad de emisin estimulada ser proporcional al producto de la probabilidad de ocupacin del nivel superior ,Fc, y al probabilidad de no-ocupacin del nivel inferior . Recprocamente , la velocidad de absorcin de fotones ser proporcional al producto de la probabilidad de ocupacin del nivel inferior, Fv, y la probabilidad de noocupacin del nivel inferior, .As , para conseguir la emisin estimulada debe satisfacer

la cual implica que

Es decir

La frecuencia de la radiacin emitida debe estar comprendida entre las que corresponde a la anchura de la grap de energa entre las bandas y la diferencia entre las energas de los cuasi niveles de Fermi de las bandas C y V, los cuales dependen de los nmeros de electrones excitados. Esto implica la necesidad de excitar un mnimo numero de electrones para asegurar que , ya que de no ser as, la ganancia del semiconductor sera nula y no podra observar el efecto lser. Volver al Contenido

Curva del Lser de Diodo

Si la condicin de "Inversin de Poblacin " (que se requiere para la accin lser) no existe, los fotones se emiten por emisin espontnea. Estos fotones se emiten aleatoriamente

en todas las direcciones, lo que es la base de operacin de un diodo emisor de luz (LED). La condicin de inversin de poblacin depende del bombeo. Incrementando la corriente que se inyecta a la unin p-n, se llega a una corriente umbral que cumple esta condicin. En la figura 10 se muestra un ejemplo de la potencia de salida de un lser de diodo en funcin de la corriente inyectada.

Figura 10: Potencia de salida de un lser de diodo en funcin de la corriente de entrada.

Como se ve claramente, la pendiente de esta grfica en la emisin estimulada (lser) es mucho mayor que la pendiente en la emisin espontnea (LED). La corriente umbral para accin lser est determinada por el punto de corte de la tangente de la grfica para emisin estimulada con el eje de la corriente (este punto est muy prximo al punto de cambio en la pendiente). Cuando la corriente umbral es baja, se pierde menos energa en forma de calor, y se transmite ms energa como radiacin lser (aumenta el rendimiento del lser). En la prctica, el parmetro importante es la densidad de corriente, lo que se mide en unidades de Amperios por centmetro cuadrado de la seccin perpendicular a la unin. Volver al Contenido

Dependencia de los Parmetros del Lser de Diodo con la Temperatura

Uno de los problemas de los lseres de diodo es el aumento de la corriente umbral para la accin lser al aumentar la temperatura . El funcionamiento del lser de diodo a baja temperatura requiere corrientes bajas. Conforme la corriente fluye a travs del diodo, se va generando calor. Si la disipacin de calor no es adecuada, la temperatura del diodo aumenta, y al corriente umbral requerido tambin aumenta. Uno de los problemas bsicos de los diodos lser es el aumento del umbral de corriente con la temperatura. Los operativos a bajas temperaturas requieren bajas corrientes. A medida que la corriente fluye por el diodo, se genera calor. Si la disipacin no es la adecuada, la temperatura aumenta, con lo que aumenta tambin el umbral de corriente. Los cambios en la temperatura provocan cambios en la longitud de onda emitida por el lser de diodo. En la figura 11 se ilustra el cambio de la longitud de onda con la temperatura. En otras palabras un aumento gradual de la longitud de onda al aumentar la temperatura, hasta que se produce un salto a otro modo longitudinal. Este salto se denomina "Modo de Salto"

Figura 11: Cambio de la longitud de onda del lser de diodo con la temperatura.

Debido a las variaciones de temperatura, se necesitan disear estructuras especiales para los lseres de diodo, para poder lograr radiacin lser contina de alta potencia. Diferentes Estructuras de los Lseres de Diodo Una tpica construccin de la capa activa es en forma de una franja estrecha (Geometra de Lnea), confinada por los dos lados (por arriba y por abajo) con otro material. Esta familia de lseres de diodo se denomina Lseres basados en ndice. Ejemplos de diferentes estructuras lser para el confinamiento de la luz lser a una regin especfica.

Figura 12: Ejemplos de diferentes estructuras lser para el confinamiento de la luz lser a una regin especfica.

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Empaquetado del Lser de Diodo

Los tamaos miniaturizados de los lseres de diodo, requieren de un empaquetado especial que permita usarlos cmodamente. Hay muchos tipos de ensamblajes, pero el estndar es similar al de un transistor, e incluye los colimadores pticos bsicos para producir un haz aprovechable (vase la figura 13).

Figura 13: Empaquetado de un lser de diodo comercial.

Figura 14: Seccin Perpendicular del ensamblaje de un lser de diodo comercial.

Los diodo lser son muy pequeos un diodo comercial ya empaquetado mide de diez a veinticinco milmetros aproximadamente como se ve en la siguiente figura 15.

Figura 15:Perfil de la radiacin de un lser simple de diodo.

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Ventajas de los Lseres de Diodo:

Rendimiento muy alto (ms del 20% de la energa suministrada es emitida como radiacin lser). Alta fiabilidad. Tiempo de vida muy largo (se estima que ms de 100 aos de operacin contina!). Precio muy barato - Los lseres de diodo se fabrican utilizando tcnicas de produccin a gran escala utilizadas en la industria electrnica. Posibilidad de realizar la modulacin directa de la radiacin emitida, controlando la corriente elctrica a travs de la unin p-n. La radiacin emitida es funcin lineal de la corriente y puede llegar a una velocidad de modulacin de decenas de GHz. Pequeo peso y volumen. Corriente umbral muy baja. Bajo consumo de energa. Bandas espectrales estrechas, las cuales pueden ser de unos pocos kiloHerzios en lseres de diodo especiales. Un sistema experimental, utilizando fibras pticas de modo sencillo, transmite la informacin a una velocidad de 4 [GHz], lo cual es equivalente a la transmisin simultnea de alrededor de 50,000 llamadas telefnicas en una fibra (cada llamada ocupa una banda de frecuencia de 64 [KB/s]).

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Desventajas de Los Lseres Diodo:

Una baja potencia a consecuencia de las bandas de energa ocupadas por los electrones. Una alta sensibilidad a los cambios de temperatura. Alto calentamiento al pasar corriente sobre el material diodo. Poca colimacin en el as obtenido.

A pesar de las desventajas el lser de semiconductores es el segundo ms vendido despus del lser He-Ne por sus usos en computadoras, impresoras, medios de comunicacin, tratamientos mdicos, etc. Volver al Contenido

Homoestructuras
Los primeros lseres de semiconductor constaban simplemente de una homo unin u homo estructura, es decir, en ellos la unin lser se formaba con las regiones del tipo p y n del mismo material (normalmente GaAs).A esta unin lser se fijaban dos lminas paralelas entre si y perpendiculares a la unin, que reflejaba parte de la luz generada de forma que sta volva al semiconductor .Se formaba asi un resonador de tipo Fabry Perot. Realmente el ndice de refraccin del semiconductor era tan alto que ya posea una gran reflectividad en la interface aire semiconductor y algunos diodos lser no requeran de estas lminas . La diferencia principal con otros tipos de lseres, en lo que al resonador se refiere , estaba en la longitud del Fabry Perot podra hacerse mucho ms pequea (del orden de decimas de milmetro) gracias a que la emisin estimulada es mucho ms rpida en semiconductores.

En la figura 10,se muestra la forma en que vara la intensidad de la luz emitida con la corriente de inyeccin . en esta figura se ve cmo la intensidad crese muy rpidamente a partir de cierta corriente umbral . , mientras que por debajo de es muy dbil . Cuando la corriente es menor que , la directividad de la luz es pobre y la anchura espectral grande, funcionando de forma similar a un LED. Por encima de , por el contrario, la luz lser tiene una anchura espectral muchsimo menor y una directividad mucho menor. Para el GaAs , es del orden a temperatura ambiente y de a la temperatura de nitrgeno liquido. Aproximadamente decrece con T como ,dependiendo del semiconductor. Esto se debe a las altas prdidas que causa la forma de la cavidad pues el haz, al abrirse entra en las regiones p y n donde la absorcin es dominante adems, la regin donde se da la inversin no est perfectamente definida sino que presenta unos lmites muy poco definidos en la direccin en que se difunden los portadores de carga. Recordemos que la ganancia del semiconductor depende de y que, al disminuir la temperatura, aumenta y disminuye. Resulta as que la ganancia aumenta rpidamente al disminuir la temperatura. sta es la razn de que los lseres de homo estructuras slo funcionan en modo continuo a bajas temperaturas. Volver al Contenido

Heteroestructuras
Para salvar las dificultades mencionadas ya anteriormente, se utiliza lseres con heterouniones . si la capa de semiconductor donde se produce la inversin se sita entre dos capas de otro material semiconductor con mayor gap de energas, los portadores inyectados y los fotones emitidos queda confinados por completo dentro de la capa activa. El

hecho de que los portadores queden confinados de debe simplemente a las barreras de potencial que existen en las interfaces con el material de mayor gap. El confinamiento de la luz se debe a que la capa activa tiene un mayor ndice de refaccin que las capas del semiconductor de mayor gap y por lo tanto, se forma una gua de ondas. Esta estructura de multicapas pude complicarse muchsimo con el objeto de mejorar las caractersticas de operacin del lser pero, en general, se trata de crear una gua, de ondas para la luz y reducir el tamao de la capa activa. Los lseres de hetero unin simple son aqullos en los que la capa activa limita por una parte con un material que tiene una banda prohibida distinta. Es decir, la capa activa se halla situada entre dos capas de diferente composicin qumica usualmente GaAs y GaAlAs, que tienen diferentes bandas prohibidas. Los lseres de heterouniones simples tienen mejores propiedades que los de homo uniones y son muy usados en modo pulsante para producir altas potencias de pico. Sin embargo, estos lseres son relativamente ineficientes y tienen altas , lo cual los hace inadecuados para funcionamiento continuo. Los lseres de heterounin doble tienen una capa activa limitada por dos capas de materiales diferentes, por ejemplo GaAs entre dos capas de GaAlAs . Estos lseres han demostrado ser los ms adecuados para funcionamiento continuo y son muy usados en sistemas con fibras pticas. No pueden producir pulsos de altas potencias de pico pero pueden operar de modo continuo a potencias del orden de a temperatura ambiente. Sus capas activas son mucho ms delgadas que en las heterouniones simples , de forma que sus son lo suficientemente bajas . En uno de estos lseres con hetero unin doble y estructura plana, la luz en la direccin perpendicular a la unin se concentra cerca de la capa activa, pero la luz en la direccin transversal se dispersa mucho y la distribucin de intensidades es variable incluso con pequeos cambios en la corriente. La anchura del electrodo superior se reduce con el objeto de concentrar la accin lser en el centro de forma que nos queda lo que se denomina una estructura de banda. Esto

no consigue impedir la dispersin horizontal, pero si mejora la calidad del haz, en cuanto que limita el nmero de modos espaciales y , adems , disminuye ms la . Por estos motivos, se han buscado muchas estructuras diferentes de lser que confinan la capa activa no slo a una pequea profundidad si no tambin a una pequea anchura. Como ejemplo de tal estructura se muestra en la figura 5, junto con otras estructuras ms simples de diodos lser, una heteroestructura enterrada despus de formar la heterounin doble de GaAlAs con capa activa de GaAs, slo se deja la parte central cubierta por una mscara de unas cuantas micras de anchura y se elimina el resto por corrosin. Las partes corrodas se remplazan por crecimiento de un cristal de GaAIAs(n) de esta forma la capa activa est rodeada por todos los lados (arriba, abajo, derecha e izquierda ) por GaAIAs, como la inyeccin de portadores se da slo en la parte central, el modo lser dentro de la heterounin es como una radiacin de microondas en una gua rectangular. La ganancia en los diodos lser es muy alta de forma que la cavidades resonantes son pequeas (de unos 100pm de largo). Estas cavidades tienen formas variadas en funcin de la naturaleza de la capa activa. Los diodos lser pueden producir haces por ambas caras aunque normalmente tienen una lmina totalmente reflectante que limita la salida a una sola cara.

Aplicaciones
El campo de aplicacin para los diodos lser se ha ampliado rpidamente y hoy da ya no se restringe slo a su empleo como fuente de luz en las comunicaciones por fibra ptica, si no que incluye adems muchos otros campos del tratamiento de informacin. El inters en las comunicaciones por fibras pticas fue una motivacin para el desarrollo de la tecnologa de los diodos lser durante los 70s y el comienzo de los 80s. los primeros sistemas de fibras pticas operaban entre .8 y.9 m(lseres de GaAlAs), pero progresivamente se ha ido usando sistemas de mayores longitudes de onda para

disminuir la atenuacin. Por ejemplo la longitud de onda de 1.3m se usa ampliamente en los sistemas comerciales habituales ya que la fibras actuales tienen una amplia anchura de banda y muy pocas prdidas sobre dicha longitud. Las comunicaciones por fibras pticas siguen siendo el uso dominante de los lseres de InGaAsP, y parece ser que esto va a continuar as sin embargo, a esta aplicacin slo se indica una pequesima parte de los lseres de GaAlAs, pues esto tiene otras aplicaciones en tratamiento de informacin incluyendo la lectura de informacin previamente grabada y su grabacin en impresoras o sistemas de almacenamiento de datos. Por supuesto tambin es importante su aplicacin en compact-disk ya que slo en 1985 se vendieron ms de un milln de estos diodos hoy en da los diodos lser dominan las aplicaciones de almacenamiento de datos y sistemas compact- disk y videodisk asimismo, las impresoras lser (que siguiendo una tcnica similar a la de fotocopiadoras escriben sobre un cilindro electrosttico para despus transferirlo a un papel normal) tambin usan diodos lser. Asimismo, tambin se usan diodos lser para la lectura de cdigos de barras y una gran variedad de sistemas de comunicacin atmosfricos. Las aplicaciones militares, incluidas la simulacin de guerras y el rastreo de objetivos, emplean lseres de heteroestructuras simples y bateras de lseres, en modo pulsante. Los misiles aire-aire incluyen diodos lser de bsqueda de objetivo que detectan las distancias a los blancos militares y sincronizan la detonacin de la cabeza nuclear cuando el misil est los suficientemente cerca del blanco como para destruirlo.

Bibliografa
Revista Mexicana de Fsica 37 No. 2(1991) pag 382 390.

FSICA Para ciencias e ingenieras. Raymond A. Serway. Volumen II. Sexta edicin, pg. 714-720 "http://www.bme.es/schneider/espanol/d1.htm" "http://www.mupe.org/elect/ley/semi.html" "http://www.um.es/LEQ/laser/Ch-6/F6s3p3.htm " "http://www.photonicproducts.com/espanol/products/receptacled_laser_diodes/rec _telecomms.htm " "http://www.lasersystems.com.mx/pdf/bases_cientificas.pdf "

Niveles de Energa
Cada tomo o molcula en un gas est a una distancia muy grande de sus vecinos, de modo que puede ser tratado, (desde el punto de vista de los niveles de energa) como aislado de sus alrededores. De manera similar a los tomos aislados de gas, podemos tratar a unos pocos tomos de un material (el cul se presenta como impurezas de tomos ) los cules son aadidos a un medio slido homogneo de otra sustancia. En contraste con los niveles de energa separados de un gas, o de un pequeo nmero de tomos como impurezas en un medio slido, los electrones en un semiconductor estn en bandas amplias de energa, las cuales estn compuestas de un gran nmero de niveles de energa agrupados por efectos cunticos (esto proviene de una simulacin). Estas bandas de energa pertenecen al material completo y no estn asociadas con un nico tomo. La anchura de la banda aumenta conforme disminuye la distancia entre los tomos, y la interaccin entre vecinos aumenta.

Las bandas de energa en un semiconductor se dividen en dos grupos :

Banda de Valencia - Los electrones en la banda de valencia estn ligados a los

tomos del semiconductor.

Banda de Conduccin - Los electrones en la banda de conduccin estn libres y

pueden moverse por el semiconductor.

La separacin entre la banda de valencia y la de conduccin es llamada Separacin de Energa , y en esta regin no hay niveles de energa de los electrones. Si un electrn de la banda de valencia tiene suficiente energa, puede "saltar" a la banda de conduccin superando la diferencia de energa entre las dos bandas.

(Vanse los diagramas de niveles de energa de la pgina siguiente) Las bandas de energa llenas son los niveles de energa de los electrones internos, los cuales estn ligados al tomo, y no participan en los enlaces entre los tomos del slido. Para que el slido tenga conductividad elctrica, los electrones han de moverse en el slido.

Corrosion
Pourbaix diagram Corrosion of Stainless Steel

mo-Calc can perform calculations for alloys as well as for pure The corrosion of stainless steel can be invetigated by the simul lements. In a heterogeneous interaction system involving an of stability of phases such as for example Cr2O3 eous solution, the speciation and partition in aqueous solution various interacting phases (gas mixture, stoichiometric solids nd solid solutions) depend on the acidity (pH) and electronic ntial (Eh), besides other controlling factors (bulk composition, temperature, pressure and so on) in the system. esent the speciation and partition in various phases as functions pH and/or Eh conditions in an equilibrium state or dynamic ess is very interesting to R&D in aqueous chemistry, electrolyte lution chemistry, materials corrosion, chemical engineering, geochemistry, environmental chemistry, etc.

abases for Aqueous solutions for simulation with Thermo-Calc are available as: TCAQ and AQS.

Example of references are:

: Thermodynamic investigations on materials corrosion in some industrial and environmental processes Authors: Pingfang Shi, Anders Engstrm, Bo Sundman Published in: Journal of Environmental Sciences 2011, 23(Supplement) S1S7, ISSN 1001-0742, CN 11-2629/X

e: Transformation, stability and Pourbaix diagrams of high performance corrosion resistant (HPCRM) alloys. s: Larry Kaufmana, J.H. Perepezko b, K. Hildal b, J. Farmerc, D. Dayc, N. Yangd, D. Branagan e

ed in: CALPHAD: Computer Coupling of Phase Diagrams and Thermochemistry 33 (2009) 89 99

Title: Computational Materials Design

Author: Larry Kaufman

ublished in: JPEDAV, DOI: 10.1007/s11669-009-9563-5, 1547-7037 ASM International

Read more about the Pourbaix module in Thermo-Calc Classic Users Guide

Materiales semiconductores
Los materiales semiconductores son aquellos que a temperaturas muy bajas se comportan como aislantes, es decir, no conducen la electricidad, pero que cuando la temperatura aumenta por encima de un cierto valor se convierten en muy buenos conductores.

Algunos materiales semiconductores son por ejemplo el silicio, el germanio y el selenio. Los electrones que tienen los tomos de un slido van ocupando las bandas permitidas, una vez que se ocupa una banda los electrones restantes, si es que los hay, empiezan a ocupar la siguiente banda permitida. En un slido, el espectro de energa forma bandas tanto permitidas como prohibidas.

Hay varias posibilidades, una de ellas es que los tomos de una sustancia vayan llenando las capas permitidas y que todava queden electrones que al empezar a ocupar la ltima banda permitida no la llenen completamente. Los electrones que estn en la ltima banda incompleta podrn desprenderse de los tomos con mucha facilidad, por tanto, podrn conducir muy bien electricidad y la sustancia es, en consecuencia, un buen conductor de electricidad. A las bandas que se ocupan completamente se les llama bandas de valencia y a las que se ocupan parcialmente se les llama de conduccin. Tambin puede ocurrir que una vez llena la banda de valencia, ya no haya ms electrones, con lo que la banda de conduccin queda vaca y el material no conduce, es decir, es un aislante.

Una tercera posibilidad, es que aunque ocurra lo anterior, la diferencia de energa entre la banda de valencia y la de conduccin no sea muy grande, y los electrones puedan pasar a esta ltima al recibir la energa suficiente. Este sera el caso de los materiales semiconductores. Cuando aumenta la temperatura o se hace incidir luz sobre estos materiales, los electrones de la banda de valencia adquieren energa suficiente para saltar a la banda de conduccin, dejando un hueco en la primera.

Es como si los electrones se moviesen de un tomo a otro creando una corriente elctrica. Por otro lado, el hueco que progresivamente van dejando los electrones tras de s puede verse como un defecto de carga negativa, por lo que se forma otra segunda corriente debida a los huecos, que es como si transportasen carga positiva.

Para mejorar an ms la conduccin en los materiales semiconductores, se les introducen impurezas, tomos similares que pueden tener un electrn menos (tipo P) o un electrn ms (tipo N). Este proceso se denomina dopaje. La conductividad elctrica del semiconductor se aumenta sustancialmente si se le aaden impurezas de cualquiera de los dos tipos en partes por milln. Una consecuencia importante es que en semiconductores con impurezas el nmero de electrones que conducen electricidad puede ser controlado. Germanio dopado con un tomo de fsforo.

Las uniones entre materiales tipo P y materiales tipo N, dan lugar a los diodos y los transistores, que tienen la particularidad que la corriente slo circula de un tipo de material a otro y no en sentido contrario, ya que ofrece una gran resistencia al paso de corriente en un sentido y una resistencia muy baja si es en el contrario.

Las propiedades de conductividad de la unin PN dependen de la direccin del voltaje, de manera que as se puede controlar el uso del dispositivo.