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TEMA 7.

FAMILIAS LOGICAS INTEGRADAS

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IEEE 125 Aniversary: http://www.flickr.com/photos/ieee125/with/2809342254/

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

TEMA 7 FAMILIAS LOGICAS INTEGRADAS

7.1. Introduccin 7.2. Familias lgicas bipolares


Lgica diodo-transistor (DTL) Lgica transistor-transistor (TTL) Lgica resistencia transistor (RTL)

7.3. Familias lgicas MOSFET


Circuitos lgicos de carga integrada MOSFET Lgica CMOS

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TEMA 7. FAM LOGICAS INTEGRADAS

7.1. INTRODUCCIN

En el tema anterior hemos visto la simbologa asociada a los distintos circuitos que realizan las operaciones bsicas: AND, OR; NOT, etc.. En este tema estudiaremos los circuitos digitales ms simples que realizan dichas operaciones lgicas. Los circuitos digitales se encuentran agrupados en distintas familias, de acuerdo con las caractersticas y estructuras fsicas en que se basen. Una primera CLASIFICACION:
Las familias lgicas pasivas En su constitucin solamente intervienen elementos pasivos (resistencias y diodos). Hoy da, estn totalmente en desuso Desventajas: La prdida de nivel en las seales, la poca inmunidad al ruido y el pequeo aislamiento entre entrada y salida. Las familias lgicas activas son aquellas que estn formadas (casi exclusivamente), por dispositivos electrnicos activos (transistores) Ventajas: proporcionan ganancia (restauracin de niveles) y mejoran el aislamiento entre etapas. Si los transistores son BJT se denominan familias lgicas bipolares Si los transistores son de efecto de campo (MOSFET) se denominan familias lgicas MOSFET.
D. Pardo, et al. 1999

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TEMA 7. FAM LOGICAS INTEGRADAS

7.1. INTRODUCCIN

Como hemos estudiado en el Tema 6: en los circuitos lgicos la salida slo puede tomar uno de dos valores ("0" "1") cuando las entradas tambin toman slo esos valores.
Para conseguir esta caracterstica de los circuitos, los transistores deben estar:
En corte o muy prximos a l O conduciendo (saturado si es bipolar o en la regin lineal si son de efecto de campo).

Nunca deben estar operando en una situacin intermedia de sus caractersticas, para que la tensin de salida no est en la regin prohibida. Solamente en la transicin desde un estado al otro el transistor pasar por la regin activa si es bipolar o por la de saturacin si es de efecto de campo.

BJT
IC ( mA) IB = 80 A IB = 60 A IB = 40 A IB = 20 A IB = 0 A
FFI-UPV.es

MOSFET

VCE (V)

FFI-UPV.es

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TEMA 7. FAM LOGICAS INTEGRADAS

7.1. INTRODUCCIN

Caractersticas de los circuitos digitales (son independientes de la funcin que realicen o de la familia a la que pertenezcan).
Poseen dos niveles lgicos de tensin, bien diferenciados, para representar los dos valores posibles de las variables. Dos tensiones umbral (tensin a la que la puerta comienza a cambiar de estado), una para cada estado lgico. Dos mrgenes de ruido (uno para cada estado o nivel lgico), que son la variacin de tensin admisible a la entrada de un circuito lgico sin que la salida del mismo cambie de estado, es decir, sin que el circuito "detecte" un nivel lgico diferente. Abanico de entrada, que es el mximo nmero de entradas que el circuito lgico puede tener. Abanico de salida, que es el nmero mximo de circuitos lgicos que una puerta puede alimentar. Tiempo de propagacin, el cual se define como la media aritmtica entre los tiempos medios de propagacin del cambio de estado de la entrada a la salida en los casos en que la salida pasa del estado 1 al 0 y viceversa. Potencia disipada, la cual se define, normalmente, como la requerida por la puerta para estar funcionando al 50%, es decir, tanto tiempo en el estado 1 como en el 0.

Se pueden estudiar todas estas caractersticas para las distintas familias lgicas vamos a ver un anlisis comparado de las diversas familias lgicas.
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no

TEMA 7. FAM LOGICAS INTEGRADAS


Familias Lgicas Bipolares
Dentro de la lgica bipolar, existen diversas familias. Todas ellas tienen en comn: que emplean en su constitucin la etapa inversora (amplificador en emisor comn). Esta es la parte del circuito que proporciona:
Ganancia en corriente, Complementacin a una variable Fija la tensin de salida a un valor perfectamente determinado.

7.2. FAM LOG BIPOLARES


+VCC RC RB Vi
FFI-UPV.es

V0

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Tipos de familias lgicas bipolares:


Cuando la etapa inversora es tal que en el estado de ON el transistor est saturado, se suelen denominar circuitos lgicos bipolares saturados, entre los que estudiaremos las familias DTL, TTL y RTL. En otros circuitos el transistor de la etapa inversora cuando conduce no est saturado, recibiendo el nombre genrico de circuitos lgicos no saturados (entre ellos la familia ECL).
Este tipo de circuitos es, en general, ms rpido.

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Familias lgicas bipolares

7.2. FAM LOG BIPOLARES


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VCC

VCC RL RC V0

Lgica diodo-transistor (DTL) EJEMPLO: puerta NAND:


Los diodos D1, D2 y D3 forman la puerta AND Y su salida est conectada, a travs de dos diodos D01 y D02, al inversor formado por el transistor Q.
V1 V2 V3 D1

D01 D02 D2 D3 IB Q

Funcionamiento:
Cuando todas las entradas estn en "1" lgico (VCC Voltios): Los diodos D1, D2 y D3 estn en corte. D01 y D02 lo estn en directa. Si RL es suficientemente pequea, IB puede ser suficiente para saturar al transistor Q y ser la salida VCE(sat) 0V.

Lgica Diodo Transistor DTL (NAND)


Funcin lgica NAND (tres entradas), con lgica definida positiva.

V1 V2 V3

V1 V2 V3

0 0 1 1 1

1 1 0

Si alguna o todas las entradas estn a "0" lgico (0V): En esa rama/s el diodos de entrada est en directa. Aplicamos tensin baja a D01 Las tres uniones D01 , D02 y la unin base-emisor del transistor estarn en corte con lo que VCE=VCC ("1" lgico).
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Familias lgicas bipolares
Lgica transistor - transistor (TTL)
Quiz son los circuitos ms conocidos y utilizados por su alta velocidad de respuesta y su bajo consumo. Deriva del anterior reemplazando las entradas por un transistor multi-emisor. Funcionamiento:
Si una o ms de las entradas estn en 0 lgico (0 Volts) Los emisores de Q2 estn directamente polarizados, Q2 conduce y circula IC. Como la corriente de base de Q3 no puede ser negativa Q3 est cortado V0=VCC 1 lgico. Si todas las entradas estn a 1 lgico (VCC), todos los emisores de Q2 estn inversamente polarizados Su unin base-colectora est en directa. La corriente circula de VCC a travs de RL hacia la base de Q3 Q3 estr saturado y VCE=0 volts 0 lgico.

7.2. FAM LOG BIPOLARES


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Lgica Transistor- Transistor TTL (NAND)

Este circuito realiza la funcin lgica NAND para tres entradas, con lgica definida positiva.

0 0 1 1 1

1 1 0

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Familias lgicas bipolares
Lgica resistencia -transistor (RTL)
Este es un tipo de lgica que ya en la prctica no se utiliza, sin embargo es muy simple y adems es histricamente la primera que fue utilizada extensamente. Funcionamiento:
Si cualquiera de las m entradas est en el estado de alta (VCC ), el correspondiente transistor conectado a ella estar conduciendo (saturado) y la salida ser la baja tensin, VCE0V. Por otro lado, si todas las entradas estn en baja (0V), los m transistores estn en corte y la salida est en alta (VCC ).

7.2. FAM LOG BIPOLARES


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VCC RC RB V1 V0 V2 RB Vm

La operacin que realiza, en lgica definida positiva, es la NOR.

Lgica ResistenciaTransistor RTL (NOR)

V1 V2 V3

V1 +V2 +V3
Este circuito realiza la funcin lgica NOR para tres entradas, con lgica definida positiva.
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1 0 0

0 1 1 0

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Familias lgicas MOSFET

7.3. FAM LOG MOSFET

Bsicamente, los circuitos digitales MOSFET estn incluidos dentro de uno de los tres siguientes grupos:
Lgica de carga integrada Lgica de simetra complementaria (CMOS) Lgica dinmica multifsica.

Los dos primeros tipos forman los que se conocen como circuitos lgicos estticos, que analizaremos brevemente en esta leccin. Los circuitos lgicos dinmicos sern analizados cuando aparezcan ms claramente sus aplicaciones. Circuitos lgicos de carga integrada MOSFET Lgica CMOS

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Familias lgicas MOSFET
Circuitos lgicos de carga integrada MOSFET

7.3. FAM LOG MOSFET


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VDD

Estos circuitos estn basados en la etapa inversora de carga integrada, analizada en el Tema 5. Las modificaciones del circuito inversor bsico estn encaminadas a proporcionarle ms de una entrada. En la figura se muestra una etapa inversora de carga integrada saturada con tres transistores activos en serie. Funcionamiento
La corriente de drenador slo podr existir si todos los transistores activos tienen su rejilla a la tensin de alta ("1" lgico), la cual ser VDD Si cualquiera de las rejillas tiene una tensin aplicada correspondiente al estado de baja ("0" lgico), ese dispositivo estar en corte no permitiendo el paso de la corriente de drenador; la salida entonces estar en alta ("1" lgico). Cuando todas las rejillas estn en alta, todos los transistores estarn conduciendo, existir corriente de drenador, y la salida estar en el estado de baja ("0" lgico).

Lgica NMOS (NAND)

0 0 1 1 1

1 1 0

Con lgica definida positiva, este circuito realiza la operacin NAND.

Funcin lgica NAND NOTA: Examinaremos los circuitos construidos con carga integrada saturada y con inversores canal N. El anlisis de los otros tipos es inmediato. Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

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Familias lgicas MOSFET
Circuitos lgicos de carga integrada MOSFET

7.3. FAM LOG MOSFET

Si al transistor activo de la etapa inversora saturada se le aaden otros transistores activos en paralelo, cada uno con su entrada como se muestra en la Figura. Funcionamiento:
Uno cualquiera de ellos en conduccin hace que la salida est en el estado de baja ("0" lgico). Solamente si todas las entradas estn a la tensin de baja, la salida est en alta ("1" lgico).

Este circuito por tanto realiza la operacin NOR, con lgica definida positiva.

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VDD

1
S

0 1 1 0

0 0
X Y Z
Lgica NMOS (NOR)

Funcin lgica NOR

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Familias lgicas MOSFET

7.3. FAM LOG MOSFET

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Lgica CMOS: El inversor bsico CMOS tambin puede

VDD

utilizarse para construir circuitos lgicos.


Cada entrada acta sobre dos transistores, uno canal N y el otro canal P. El nmero de transistores necesario es el doble del de entradas del circuito n mayor que el de carga integrada. Se necesitamos transistores con los dos tipos de canal y por tanto con los dos tipos de sustrato. Sin embargo, el consumo de los circuitos lgicos CMOS es mucho menor interesantes para algunas aplicaciones. El Circuito NOR:
Cuando alguna de las entradas o las dos estn en alta ("1" lgico, en lgica definida positiva), el transistor correspondiente de canal N est conduciendo y la salida estar en baja ("0" lgico). Solamente cuando las dos entradas estn en baja, la salida estar en alta. La funcin que realiza este circuito es por tanto la NOR.

Lgica CMOS (NOR)

1 0 0

0 1 1 0

Funcin lgica NOR

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Familias lgicas MOSFET

7.3. FAM LOG MOSFET

VDD
Lgica CMOS
Puede comprobarse fcilmente que el circuito de la figura con lgica definida positiva, realiza la operacin NAND.

0 0 1 1 1

1 1 0
X

Y
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Funcin lgica NAND

Lgica CMOS (NAND)

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Agradecimientos
Daniel Pardo Collantes, rea de Electrnica, Departamento de Fsica Aplicada de la Universidad de Salamanca.

Referencias
Pardo Collantes, Daniel; Bailn Vega, Lus A., Elementos de Electrnica.Universidad de Valladolid. Secretariado de Publicaciones e Intercambio Editorial.1999. Jose Antonio Gmez Tejedor. Apuntes Fundamentos Fsicos de la Informtica (FFI). Universidad Politcnica de Valencia. http://personales.upv.es/jogomez/ffi.html

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