Universidad Nacional del Nordeste Facultad de Ciencias Naturales, Exactas y Agrimensura

Ao 2011. Segundo Cuatrimestre. Profesora titular: Dra. Noem Sogari. Profesor a cargo del grupo: Ing. Andrs Firman Grupo N3 Jueves 14 hs-16 hs Comisin: Integrantes: Aristiqui, Mara Florencia; LU n42369. Kallus, Claudia Silvina; LU n38690 Payes Monzn, Jesica Alejandra; LU n39666 Pen, Mara Gabriela; LU n39181 Peralta, Gabriela Guadalupe; LU n43037 Pirelli, Carla Mara; LU n38412

Fecha de realizacin: 7 de septiembre de 2011 Fecha de entrega: 14 de septiembre de 2011

Objetivos del trabajo:

Estudiar la relacin tensin intensidad de la corriente elctrica en una celda fotovoltaica. Medir la eficiencia de una celda fotovoltaica y determinar el tipo.

Introduccin
Las celdas solares o clulas fotoelctricas son dispositivos que aprovechan el efecto de la luz solar cuando incide sobre ciertos materiales, por lo general, metales. Hay tres tipos de efectos posibles: Efecto fotoemisivo o fotoexterno: provoca prdida de electrones de la capa externa con liberacin de los mismos. Efecto fotoconductivo o fotointerno: modifica la conductividad elctrica del material. Efecto fotovoltaico: crea una diferencia de potencial en el material. En las celdas fotovoltaicas se produce este ltimo efecto: debido a la diferencia de potencial en el material se produce un paso de corriente que es proporcional a la intensidad de la luz solar que incide sobre la celda. Los materiales que constituyen la celda son semiconductores, ya que la energa que proporciona su luz solar es del mismo orden de magnitud que la energa de los electrones de la capa de valencia de dichos materiales y esto permite que sean liberados. Los semiconductores como el silicio o el germanio tienen la propiedad de modificar fuertemente su conductividad en presencia de impurezas . Tambin los cambios de temperatura influyen en la conductividad. En el caso de los semiconductores el aumento de la energa de los electrones favorece su movilidad aumentando la conductividad, al contrario de lo que ocurre con los conductores cuya resistividad aumentar con la temperatura debido a que se incremente la friccin en el movimiento de los electrones bajo la forma de choques de los mismos contra la red cristalina en el metal. Los electrones liberados en el semiconductor dejan huecos que actan como cargas positivas (los protones estn inmovilizados en el ncleo y no participan directamente en los procesos de conduccin de la corriente elctrica) que se desplazan , ya que los electrones ya que el hueco puede ser ocupado por otro electrn liberado que deja a su vez un hueco en el sitio de donde proviene. Este proceso se denomina recombinacin. Pero este movimiento no basta para crear un campo elctrico: hace falta que exista separacin de cargas. Para lograrlo se trata al semiconductor (un cristal de silicio) acondicionndole

impurezas que lo doten de diferente afinidad a los electrones. Especficamente, en las clulas solares convencionales se unen dos regiones de un cristal de silicio. Una de las regiones, denominada n, se trata con fsforo. Las impurezas de fsforo, que tiene un electrn ms de valencia con respecto al silicio, dotan al silicio de una menor afinidad por los electrones que el silicio puro. La otra regin denominada p, ha sido impurificada con boro. El boro tiene tres electrones de valencia, uno menos que el silicio, por lo que esta regin tiene ms afinidad por los electrones que el silicio puro. La unin de las dos regiones (p-n) presenta una diferencia de potencial que hace que los electrones se desven desde la zona n hacia la p y los huecos quedan en la zona p. La celda de silicio se fabrica a partir de una barra impurificada con boro que se cortan en discos de silicio cristalino de 0,3 mm. Una de las caras se dopa con fsforo hasta una profundidad de 0,3 micras. Se coloca una rejilla metlica sobre ella y en la parte posterior una capa continua conductora. El material conductor sirve para facilitar el contacto elctrico entre las dos regiones. Cuando inciden fotones sobre la cara superior de la celda algunos enlaces se rompen en el interior de semiconductor dejando los electrones liberados huecos . Se forman pares electrn-huecos . Si esta generacin se produce a una distancia menor de la unin a la denominada longitud de difusin, el campo elctrico que existe en la unin , el electrn se mueve de la zona p a la n , y el hueco queda en la zona p. Los materiales empleados para las celdas fotoelctricas deben ser tales que los electrones de valencia tengan una energa de enlace baja para que los fotones puedan romper el enlace, pero no tanto como para que se desperdicie la energa de los fotones. El material ms utilizado es el silicio, con 1,1 eV, aunque tambin se puede usar sulfuro de cobre (con 1,2 eV de energa de enlace) y arseniuro de galio que con sus 1,4 eV es ms tericamente ms recomendable pero se deja de lado por su alto costo. Como el objetivo final de la celda fotoelctrica es genera energa resulta de gran importancia maximizar su rendimiento. El rendimiento de una celda se define como el cociente de la potencia elctrica mxima entregada por la misma y la potencia luminosa que incide sobre la superficie. En condiciones de laboratorio, el rendimiento obtenido usando celdas de silicio monocristalino es del 22% a 24% pero en condiciones de uso cotidiano el rendimiento baja al 15%. Es decir que por cada 100 vatios de potencia que inciden sobre la celda , slo 15 se aprovechan para generar energa elctrica. La baja perfomance se debe a numerosos factores:

 En primer lugar, no todos los fotones incidentes tienen la energa adecuada para romper el enlace. Se producen prdidas por recombinacin (electrones que cambian de posicin sin contribuir a la generacin de una ddp) Prdidas por reflexin: el material usado para las celdas no es un cuerpo negro, de hecho tiene propiedades reflectantes. Prdidas por contacto elctrico imperfecto. Prdidas por disipacin debido a la resistencia interna de los materiales ( todo material ejerce resistencia al paso de corriente elctrica, con excepcin de los superconductores).

Clasificacin:
Las celdas o clulas fotoelctricas se clasifican en 6 tipos: las hay de diferentes materiales, estructura y su rendimiento vara segn tambin con ellos. Celdas de arseniuro de galio: rendimiento cercano al 27%-28%, pero el material encarece el costo total de las mismas. Celdas de sulfuro de cadmio: son de bajo coste, pero tambin de bajo rendimiento. Celdas bifaciales: con dos caras tiles. Tiene un rendimiento alto, cercano al 30%, pero son usadas casi exclusivamente en el espacio debido a la costo y la complejidad de su instalacin. Celdas de silicio amorfo: su ventaja principal es la delgadez ya que son casi tan finas como las celdas de silicio monocristalino, y adems son muy baratas. Su eficiencia es baja, del orden del 9%. Celdas de silicio policristalino: Son celdas de rendimiento medio, alrededor del 14%. Se fabrican de forma cuadrada lo que facilita el armado de los paneles. Celdas de silicio monocristalino: son las ms empleadas en la actualidad. Su ventaja principal es la delgadez de las mismas.

Parmetros de la celda:
El material de las celdas es un semiconductor. Como tal no cumple la ley de Ohm y la grfica de la intensidad de corriente que circula por la celda en funcin de la ddp es una curva , no una recta.

Al observar dicha curva pueden verse en ella ciertos puntos que son carctesrsticos de cada celda: 1) La intensidad de cortocircuito (Icc): es la corriente que circula por la celda cuando la diferencia de potencial sobre ella es cero. 2) La tensin de circuito abierto: es la tensin mxima que puede proporcionar la celda y se da cuando cuando la corriente que circula por ella es nula. 3) Potencia pico: es el punto en el cual la potencia suministrada por la celda es la mxima que sta puede alcanzar. Adems , con los valores previamente citados se puede calcular: 1) El factor de llenado: permite determinar la calidad de la clula y se calcula a partir de cociente entre la potencia pico y el producto entre la intensidad de cortocircuito y la tensin de circuito abierto. 2) Rendimiento: permite calcular la eficiencia de la celda. Se obtiene como el cociente entre la potencia pico y la potencia de la radiacin incidente.

Materiales:
Celda fotoelctrica. Lmpara. Restato.. 2 multmetros, uno en conectado como ampermetro y otro como voltmetro. Cables de conexin. Fuente de energa (para la lmpara)

Celda solar: imagen:

Esquema del circuito:

Restato

Lmpara Voltmetro

Celda solar Ampermetro

Desarrollo de la experiencia:
Para el desarrollo de la experiencia se siguen los pasos que se detallan a continuacin: 1) Se ilumina la celda con una lmpara colocada a una distancia de 70cm del mdulo fotovoltaico , simultneamente se coloca el multmetro en funcin de ampermetro en la escala de 200 mA y se procede a medir la corriente de cortocircuito. 2) Luego se acerca la lmpara hasta lograr que la corriente que circule sea inferior a 199mA. 3) Se deja fija la lmpara y se mide y anota el valor de la corriente de cortocircuito. 4) Se mide la tensin del circuito abierto. 5) Se conecta una resistencia variable al circuito y se mide y anota en una tabla los diferentes pares de valores de corriente elctrica y diferencia de potencial cuidando usar todo el rango de la resistencia variable. 6) Finalmente con los datos recolectados se procede a su representacin grfica y se

determina el punto de mxima potencia. 7) Se determina el factor de llenado del mdulo. 8) Se mide la radiacin incidente y se determina la eficiencia del mdulo. 9) Finalmente, con ayuda de los datos obtenidos se determina el tipo de mdulo empleado.

Datos experimentales:
Los datos recolectados durante la experiencia son los siguientes: Corriente de cortocircuito en mA 40,9 Mediciones realizadas: Potencia: I.V en W 0,02 0,04 0,05 0,06 0,07 0,08 0,09 0,10 0,11 0,11 0,12 0,12 0,12 0,12 0,13 0,12 0,12 0,12 0,12 0,12 0,12 0,12 0,12 V en voltios 0,59 1,01 1,22 1,62 1,83 2,04 2,22 2,58 2,84 3,00 3,14 3,36 3,49 3,57 3,68 3,76 3,84 3,90 3,96 3,98 3,98 3,98 3,99 Corriente en mA 40,3 40 39,7 39,3 39,1 39,0 38,8 38,6 38,4 37,9 37,3 36,6 35,8 34,6 34,0 33,1 32,2 31,3 30,5 30,0 29,9 29,7 29,5 Tensin de circuito abierto en V 5,22

0,12 0,12 0,12 0,11 0,11 0,11 0,11 0,11 0,11 0,10 0,10 0,10 0,09 0,09

4,00 4,02 4,04 4,09 4,11 4,14 4,16 4,20 4,22 4,25 4,28 4,33 4,37 4,38

29,3 28,9 28,6 27,5 27,1 26,6 26,2 25,5 25,1 24,4 23,8 22,9 21,7 21,5

Grfica I-V:
Variacin de la corriente en funcin de la ddp
45 40 35 30 25 20 15 10 5 0 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5
ddp en voltios (V)

34

corriente en mA

4.5

Puede observarse tanto en la tabla de valores que los rimeros pares de valores estn muy separados pero luego tienden a amontonarse. El punto donde el producto I.V se hace mximo, es el punto de coordenadas (3,68 V, 34,0 mA: de color rojo en el grfico). La potencia en ese punto mide 0,13 W y es la potencia mxima de la celda.

Con los datos obtenidos puede calcularse el factor de llenado mediante la frmula:
FF = I P .V P I cc .V ca

F = F

(3 . 1 3 A 3 8 V ) 4 0 . ,6 =0 1 ,6 (4 ,9 1 3 A . 5 2 V ) 0 . 0 ,2

El valor obtenido est comprendido en el intervalo ( 0,6 ; 0,7); lo que lo sita dentro de los valores tpicos de una celda fotoelctrica convencional. Se mide la potencia de la lmpara y el valor obtenido es de 2,41 W. Con ayuda de este dato y del valor calculado de la potencia mxima se puede hallar la eficiencia usando la frmula:
= Pm Pi n c

03 ,1 21 ,4

W =0 5 ,0 W

En porcentaje el valor es del 5,2 %.

Tratamiento de errores:
Como se trabaja con cocientes y productos de datos experimentales los errores se propagan del siguiente modo:
F F / F F = V / V
P

c a

c c

F F

=(

/ i

c a

c c

) .

F F

F F

=( 0 , 0 1

3 , 6 8

0 , 1

m A

3 4 , 0

m A

0 , 0 1

/5 , 2 2

0 , 1

m A

4 0 , 9

m A

. 0

, 6 1

FF= 0,006 Se trata de un error relativamente pequeo. En el caso de la eficiencia el clculo es:
/ = V / V
P

i / i

K .

i / i

= (

K .

i )

= ( 0 , 0 1

3 , 6 8

0 , 1

m A

/ 3 4 , 0

m A

0 ,. 0 9 2 3 3

0 , 1

m A

2 6 , 1

m A

) .

0 , 0 5

= 0,0005. En ambos casos son nmeros pequeos comparados con el valor calculado.

Conclusin
Debido a que las circunstancias experimentales estaban muy alejadas de los valores ideales (temperatura superior a 25C, y se us una lmpara muy poco potente 2,21 W es un valor muy inferior a 1000 W) el valor hallado de eficiencia (alrededor del 5%) no permite determinar el tipo de celda utilizada en la experiencia (segn datos suministrados por el JTP es una celda de silicio policristalino).

Bibliografa
Resnick- Halliday- Fsica Parte 2 CECSA

 Herring R. HANDBOOK OF SEMICONDUCTOR SILICON TECHNOLOGY. 1990. Tiwari G, Dubey S. FUNDAMENTALS OF PHOTOVOLTAIC MODULES AND THEIR APPLICATIONS. 2010. Millman J. Halkias C. ANALOG AND DIGITAL CIRCUITS AND SYSTEMS. 1972.