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GUIA DE ESTUDIO DE FISICOQUIMICA DE LOS METALES Y SEMICONDUCTORES

UNIVERSIDAD TECNOLOGICA PRIVADA DE SANTA CRUZ DE LA SIERRA

MAYO 2008

Material compilado por MSc. Lic. Ricardo Ibez Robert

NOTA INTRODUCTORIA
La Fisicoqumica es una ciencia experimental. Son innumerables las aplicaciones que esta ciencia tiene en el mundo actual. Durante un importante perodo de la humanidad se meda el desarrollo de una nacin por el nmero de industrias qumicas que posea. Naturalmente que este estrecho criterio de desarrollo ha quedado atrs, pero sigue siendo importante para el progreso de la humanidad el conocimiento de la ciencia qumica, sus leyes, regularidades y sobre todo las aplicaciones dirigidas a resolver las numerosas y crecientes necesidad humana. En esta poca el enfoque de la ciencia y tecnologas qumicas est unido a la preservacin y conservacin del entorno, o sea una perspectiva sostenible que defienda la existencia de animales, plantas y seres humanos. Para los estudiantes esta gua es un resumen de todo el amplio contenido que la ciencia qumica posee en su lmite con la fsica. Para nada se considera suficiente lo que en este material est escrito y por esta razn es importante la investigacin ms profunda en numerosos libros que aparecen reverenciados en la bibliografa que acompaa este material, adems de aquellos que el estudiante pueda encontrar por sus medios incluyendo todo lo que se encuentra en las redes informticas. En esta gua el estudiante podr encontrar resmenes de contenidos, ejemplos prcticos, ejercicios y preguntas sobre los objetivos ms importantes de la materia. Este material tambin posee modelos de evaluaciones que seguro sern de mucha utilidad para saber qu es lo ms importante que se debe saber de la materia. Hay un numeroso grupo de modelos de evaluacin aplicados en semestres anteriores. Estos materiales se pueden emplear para realizar ejecitos y resolver problemas. El mayor deseo de los autores es que sea de utilidad y provecho para el estudio independiente. Por eso esperamos sus sugerencias y crticas que seguro sern de mucho provecho para mejorar este material Los autores.

MAYO 2008.

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INDICE
TEMA PLANIFICACION POR CLASES.. PROGRAMA ANALITICO DE LA MATERIA... TEMA I. ESTRUTURA ATOMICA Y TABLA PERIODICA DE LOS ELEMENTOS TEMA II. ENLACE QUIMICO. ENLACE METALICO METALES Y ALEACIONES..................... TEMA III. SEMICONDUCTORES ... TEMA IV. EL ESTADO GASESO. LEYES DE LOS GASES. TEMA V. PROCESOS DE OXIDACION REDUCCION. PILAS Y ELECTROLISIS.. MODELOS DE EVALUACIONES. PRACTICAS DE LABORATORIO PAGINA 4 6 8 20 25 29 51 57 71

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PLANIFICACION POR CLASES


# 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 FECHA 14/3/2006 15/3/2006 16/3/2006 17/3/2006 20/3/2006 22/3/2006 23/3/2006 24/3/2006 27/3/2006 28/3/2006 30/3/2006 3/4/2006 4/4/2006 5/4/2006 6/4/2006 7/4/2006 10/3/2006 ACTIVIDAD Unidad 1. Estructura atmica. Orbital atmico. Carga nuclear. Regla de llenado de los orbtales. Tabla peridica de los elementos qumicos. Ley peridica. Grupos y periodos. Tipos de elementos segn la configuracin electrnica. Propiedades peridicas de los elementos qumicos. Radio atmico. Radio inico. Potencial de ionizacin. Carcter metlico y no metlico. Unidad 2. Enlace qumico. Regla del dueto y regla del octeto. Enlace inico. Redes cristalinas. Propiedades del enlace covalente. Hibridacin de orbitales. Polaridad del enlace covalente. Propiedades de las sustancias de enlace covalentes polares y apolares. SEMINARIO 1 EN INGLES de carbono, grafito, diamante y enlace metlico. PRACTICA DE LABORATORIO # 1 ESTRUCTURAY PROPIEDADES DE LAS SUSTANCIAS. AMONIACO OBTENCION Y PROPIEDADES. Clase prctica en mquina de hibridacin de orbitales Unidad 3. SEMINARIO 2 EN INGLES . Estudio de los materiales semiconductores. Estructura del silicio y el germanio. Concepto de semiconductor. Impurificacin y dopado del semiconductores. Conduccin elctrica en los semiconductores. Continuacin del SEMINARIO 2 Unidad 4. Reacciones de oxidacin reduccin. Potenciales de electrodo Pilas elctricas. Pila Zn Cu. Clculo del potencial de una pila. SEMINARIO 3. PILAS. PILA DE LECLANCHE. PILA SECA. PILAS ALCALINAS. PILAS BOTON. Electrlisis. Leyes de Faraday. Electrlisis de sales fundidas PRACTICA DE LABORATORIO DE PILAS Y ELECTROLISIS SEMINARIO 4. DE ACUMULADORES Y CORROSION Ejercicios de REDOX RECURSOS Computadora. VHS. TV. INTERNET. Proyector MM. Video Computadora. INTERNET EN EL AULA. Proyector MM Computadora. INTERNET EN EL AULA. Proyector MM Centro de cmputo. INTERNET EN EL AULA Multimedia. Materiales y reactivos para la demostracin. Computadora. INTERNET EN EL AULA. Proyector MM Retroproyector, multimedia, pizarra electrnica Laboratorio DE QUIMICA, materiales y reactivos CENTRO DE COMPUTO. PROGRAMA HIBRISIST Proyector multimedia. Retroproyector. VHS Computadora. INTERNET EN EL AULA. Proyector MM Computadora. INTERNET EN EL AULA. Proyector MM. Reactivos para la demostracin Computadora. INTERNET EN EL AULA. Proyector MM. Reactivos para la demostracin Proyector multimedia. Computadora. INTERNET EN EL AULA. Proyector MM Materiales y reactivos. LABORATRORIO, MATERIALES Y REACTIVOS MATERIALES, MULTIMEDIA

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11/5/2006 12/5/2006

DISCUSION DE PROYETCOS EXAMEN FINAL EN LA MAQUINA

CENTRO DE COMPUTO

SISTEMA DE EVALUACION DE LA MATERIA DE FISICO QUIMICA


PREGUNTAS ORALES Y ESCRITAS SEMINARIO PROYECTO LABORATORIOS EXAMEN FINAL DIGITAL TOTAL 5 x n /n 5X 1 20 X 1 10 x 2 50 X 1 5 5 20 20 50 100

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INDICADORES DE EVALUACION DE LOS PROYECTOS DE LA MATERIA DE FISICOQUIMICA. SISTEMA FUNCIONANDO DOCUMENTO QUE ACOMPAA AL SISTEMA PRSENTACION DEL PROYECTO 15 10 5

SISTEMA FUNCIONADO: 1. 2. 3. 4. 5. Lgica de la programacin colores adecuados. imgenes y animaciones. ayuda del sistema consistencia.

DOCUMENTO: 1. utepsa. 2. materia 3. integrantes del equipo. 4. objetivos del proyecto. 5. fundamento terico. 6. herramientas informticas utilizadas. 7. explicacin del funcionamiento del sistema. 8. bibliografa. PRESENTACION 1. explicacin clara. 2. respuesta a preguntas.. 3. demostracin del funcionamiento.

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CARRERA: Ingeniera Electrnica y Sistemas SIGLA: EXT-200 ASIGNATURA: Fsico-Qumica

HORAS ACADMICAS: 80 horas SEMESTRE: Cuarto Semestre


1. OBJETIVOS Identificar la estructura de las sustancia y propiedades derivadas de ellas Conocer los fundamentos de los procesos que involucran las transformaciones de las sustancias. Desarrollar habilidades en el resolucin de problemas que involucren clculos cuantitativos en las reacciones qumicas. Explicar los fundamentos de los procesos que involucran en paso de la corriente elctrica en las disoluciones electrolticas Explicar la estructura de los metales y materiales semiconductores.

2.- CONTENIDOS Unidad 1: Estructura atmica y tabla peridica El tomo, partculas subatmicas Niveles de energa, Teora de Bohr Ley peridica, Tabla peridica, Propiedades peridicas

Unidad 2: Estructura atmica de los metales. Enlace inico y enlace covalente Teora de Enlace de Valencia Teora de Orbitales Moleculares Hibridacin de orbitales Enlace metlico Propiedades derivadas del tipo de enlace. N Unidad 3: Estudio de los materiales semiconductores. Carbono y silicio. Estructura. Impurificacin y dopado de semiconductores. Conduccin elctrica en semiconductores. Funcin de las impurezas Semiconductores de tipo n y p Unidad 4. Procesos de Oxidacin Reduccin. Pilas y Electrolisis Concepto de oxidacin, Reduccin Potencial de electrodo Acoplamiento de electrodos, Pilas Electrolisis Corrosin, Mtodos de proteccin contra la corrosin.

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3. BIBLIOGRAFA. BROWN, T , qumica, la ciencia central , Editorial Prentice may, Mxico 1993 FIGUEROA R., Qumica General e Inorgnica , Editorial Vlacabo, Lima, 1997 CHOPPIN G. Qumica, Publicaciones Cultural, Mxico 1997

PULIDO ARENAS, Helena. Conferencias de Qumica I. "El Estado Slido y Propiedades de los Materiales"
Mxico, 1994.

PAGINAS DE INTERNET
HTTP://TEACHERWEB.COM/BO/UTEPSA/FISICOQUIMICA/
ESTRUCTURA ATOMICA Y REGLA DE AUFBAU http://www.monografias.com/trabajos/estruatomica/estruatomica.shtml ESTRUCTURA ATOMICA http://www.fortunecity.com/campus/dawson/196/atomo.htm ESTRUCTURA ATOMICA http://es.encarta.msn.com/encyclopedia_761567432/%C3%81tomo.html TABLA PERIODICA http://www.lenntech.com/espanol/tabla-periodica.htm TABLA PERIODICA http://www.angelfire.com/cantina/semiconductores/ TABLA PERIODICA http://www.geocities.com/erkflores/TP.html ENLACES QUIMICOS http://www.visionlearning.com/library/module_viewer.php?c3=&mid=55&l=s ENLACES QUIMICOS http://www.salonhogar.com/ciencias/quimica/moleculas/comose_forman.htm SEMICONDUCTORES http://www.noticias3d.com/articulos/200202/semiconductores/1.asp SEMICONDUCTORES http://www.monografias.com/trabajos11/semi/semi.shtml SEMICONDUCTORES http://www.elprisma.com/apuntes/apuntes.asp?page=33&categoria=603# SEMICONDUCTORES http://www.angelfire.com/cantina/semiconductores/ ELECTROQUIMICA http://www.fisicanet.com.ar/quimica/qu_1_electrolisis.html

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9 ELECTROQUIMICA http://eureka.ya.com/elektron/Quimica.htm#oxidacion

TEMA I. ESTRUCTURA ATMICA Y TABLA PERIODICA


PAGINAS DE INTERNET 1) http://www.maloka.org/f2000/periodic_table/atomic_structure.html 2) http://omega.ilce.edu.mx:3000/sites/ciencia/volumen2/ciencia3/094/htm/sec_4.ht m 3) http://www.adi.uam.es/docencia/elementos/spv21/sinmarcos/elementos/uso.html 4) http://www.monografias.com/Quimica/more4.shtml Introduccin El tomo est constituido por un ncleo de unos 10-15metros de radio, que contiene prcticamente toda la masa del tomo y se encuentra cargado positivamente, y la corteza, formada por cierto nmero de electrones, cuya carga total es igual y de signo contrario a la del ncleo, si el tomo est en estado neutro.

Ncleo La corteza electrnica

Nuestra imagen del tomo recuerda la de un sistema planetario en el que el ncleo est en el centro y los electrones giran a su alrededor, aunque de hecho no puede decirse, a diferencia de nuestro Sistema Solar, exactamente dnde se encuentra cada electrn en cada instante, como se ilustra en la figura 1.

Figura 1. Nuestra imagen del tomo. Los tomos normalmente son elctricamente neutros, pues el nmero de electrones orbitales es igual al nmero de protones en el ncleo. A este nmero
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se le denomina nmero atmico (Z) y distingue a los elementos qumicos. Ahora bien, los electrones orbitales se encuentran colocados en capas. La capa ms cercana al ncleo es la capa K; le siguen la capa L, la M, la N, etc. Una clasificacin de los elementos la constituye la tabla peridica, en que a cada elemento se le asocia su correspondiente z (vase la figura 2). En el cuadro 1 se dan ejemplos de algunos elementos ligeros, incluyendo el nmero de electrones que corresponde a cada capa; la capa K se llena con 2 electrones, la L con 8, etc. Se conocen ms de 100 elementos. Ntese que nombrar el elemento equivale a establecer su nmero atmico.

CUADRO 1. Configuracin electrnica de los elementos ligeros. Elemento Z Nmero de electrones en la capa K H (hidrgeno) He (helio) Li (litio) Be (berilio) B (boro) C (carbono) N (nitrgeno) O (oxgeno) F (flor) Ne (nen) Na (sodio) Mg (magnesio) Al (alumino) etctera 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 1 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 L M

1 2 3 4 5 6 7 8 8 8 8

1 2 3

Figura 2. La tabla peridica de los elementos. . La llamada agua pesada est formada por deuterio en lugar de hidrgeno comn. Por otro lado, el tritio, que es radiactivo, slo se encuentra en nfima cantidad; lo produce la radiacin csmica. La figura 4 muestra los istopos del hidrgeno.

El nmero de masa A de los ncleos es igual al nmero total de nucleones (as se llama genricamente a los neutrones y protones). En otras palabras, A = N + Z, con lo cual se define totalmente de qu ncleo se trata. Hay ms de 2 000

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istopos conocidos de todos los elementos. En el cuadro 2 se dan ejemplos de algunos istopos de los elementos ms ligeros. CUADRO 2. Algunos istopos de los elementos ligeros. Elemento H H H He He Li Li Be B B C C C N N O O O Z 1 1 1 2 2 3 3 4 5 5 6 6 6 7 7 8 8 8 N 0 1 2 1 2 3 4 5 5 6 6 7 8 7 8 8 9 10 A = N+Z 1 2 3 3 4 6 7 9 10 11 12 13 14 14 15 16 17 18

Para identificar sin ambigedad a los ncleos, se usa la siguiente notacin: donde X representa el smbolo qumico (H, He, Li, etc.). Al indicar A y Z, queda definido N = A Z. Ntese, adems, que se puede prescindir de escribir Z, pues ya se tiene el smbolo qumico, que es equivalente. En esta notacin, los istopos del hidrgeno son 1H, 2H y 3H. Los del oxgeno sern 16 O, 17 O y 18 O. La llamada Tabla de los Nclidos clasifica a todos los ncleos conocidos. En ella se asignan casilleros a los nclidos, teniendo en el eje horizontal el nmero N y en el vertical Z, como lo muestra la figura 5 para los elementos ms ligeros. LOS MODELOS ATOMICOS QUE SE HAN ELABORADO 1. Modelo cientfico 2. Evolucin de los modelos atmicos -Modelo de Thompson -Modelo de Rutherford -Modelo de Bhr -Modelo mecano-cuntico 3. Estructura del tomo -Estructura del ncleo -Estructura de la corteza Modelo atmico de Bohr.-

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Para salvar los inconvenientes del modelo anterior, N Bohr estableci una serie de postulados (basados en la teora de Planck y los datos experimentales de los espectros) que constituyen el modelo atmico de Bohr: Admiti que hay ciertas rbitas estables en las cuales los electrones pueden girar alrededor del ncleo sin radiar energa. Deduce que slo son posibles aquellas rbitas en las que el momento angular del electrn es mltiplo entero. Introduce un nmero n, llamado nmero cuntico principal, que da nombre a las distintas rbitas del tomo. El electrn, cuando emite energa cae de una rbita a otra ms prxima al ncleo. Lo contrario ocurre si capta energa.

NMEROS CUNTICOS Los nmeros cunticos son cuatro: Nmero cuntico principal, n: Se relaciona con la distancia promedio que va del electrn al ncleo de un orbital en particular. Toma valores de los nmeros enteros positivos y representa los niveles de energa de loa electrones de un tomo. Nmero cuntico secundario, azimutal o de momento regular, 1: Esta relacionado con la forma del orbital y depende del valor del nmero cuntico principal. Los subniveles se designan con letras.

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Nmero cuntico magntico, m: Esta relacionado con la orientacin espacial del orbital y depende del nmero cuntico de momento angular. Un orbital puede albergar como mximo dos electrones. Nmero cuntico de spin electrnico, s: Determnale spin del electrn, es decir, el sentido en que gira el electrn sobre su propio eje. El principio de exclusin de Pauli indica que en un mismo tomo no pueden existir dos electrones que tengan los cuatro nmeros cunticos iguales, es decir que al menos un nmero cuntico debe ser distinto. Cada electrn dentro de un tomo viene identificado por 4 nmeros cunticos: Nmero cuntico principal. Se representa por la letra n. Nos da idea del nivel de energa y el volumen real del orbital. Puede tomar los valores: n=1, 2, 3, 4, ... (K, L, M, N,...) Nmero cuntico secundario o azimutal. Se representa por la letra l. Determina la forma del orbital. Puede tomar los valores: l=0, 1, 2, 3, ...,n-1 (s, p, d, f,...) O sea, Para n=1 l=0 (s) n=2 n=3 n=4 ... Nmero cuntico magntico. Se representa por la letra m. Nos indica la orientacin que tiene el orbital al someter el tomo a un campo magntico fuerte (efecto Zeeman). Puede tomar los valores:

m=-l,...,0,...,+l O sea, Para l=0 m=0 l=1 l=2 l=3 Cada valor de m es un orbital. En cada orbital caben como mximo 2 electrones. Aspectos espaciales de los orbitales atmicos. Los orbitales s (l=0) son esfricos. Su volumen depende del valor de n. Los orbitales p son 3, tienen forma de 2 lbulos unidos por los extremos y orientados en la direccin de los 3 ejes del espacio. Los orbitales d son 5, cuya disposicin y orientacin dependen de los valores de m.

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CONFIGURACIN ELECTRNICA Principio de relleno o Aufbau. Los electrones entran en el tomo en los distintos orbitales de energa ocupando primero los de menor energa. Para saber el orden de energa de los orbitales se usa el diagrama de Mouller. O Bien se sigue esta regla: "Los orbitales menos energticos son los de menor valor de n+l. Si los orbitales tienen el mismo valor de n+l, tendr menos energa los de menor valor de n". De acuerdo con estas reglas el orden es el siguiente: 1s, 2s, 2p, 3s, 3p, 4s, 3d, 4p, 5s, 4d, 5p, 6s, 4f, 5d, 6p, 7s Sin embargo, este orden terico presenta algunas excepciones. Por ejemplo, en las configuraciones de los lantnidos, aunque en teora los orbitales 4f son ms energticos que los 5d, en realidad el tomo coloca primero un electrn en el 5d que entonces se vuelve ms energtico, y empieza a rellenar los 4f. En cada orbital slo caben 2 electrones. Por tanto, la capacidad de los distintos subniveles son: Subnivel s p d f N de orbitales 1 (l=0) 3 (l=-1,0,+1) 5 (l=-2+1,0,1,2) 7 (l=-3,-2,-1,0,1,2,3) * * * * Electrones orbital 2 2 2 2 por Nmero electrones 2 6 10 14 de

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El nmero de electrones que caben en cada subnivel se puede tambin fcilmente mediante la frmula 2(2l+1) y el de cada nivel mediante la frmula 2n2.

Principio de exclusin de Pauli. No pueden existir dentro de un tomo dos electrones con sus 4 nmeros cunticos iguales. La consecuencia de esto es que en un orbital slo puede haber 2 electrones con spines diferentes. Principio de Hund o de mxima multiplicidad. Un segundo electrn no entra en un orbital que est ocupado por otro mientras que haya otro orbital desocupado de la misma energa (o sea, igual los valores de n y l)

PREGUNTAS 1. Cules son los aspectos esenciales de la teora atmico-molecular? 2. Cules son las propiedades de los rayos catdicos? 3. Describa brevemente el experimento de Millikan. Por que es importante el experimento de Millikan? 4. A qu conclusiones llego Rutherford de acuerdo con los resultados de su experimento? 5. En el tomo neutro, a que es igual la carga nuclear?
6. 7. 8. 9. 10.

Qu el espectro de emisin de una sustancia? A qu llamo Borh estados estacionarios? Cules son los aspectos positivos de la teora de Borh? Qu se entiende por orbital atmico? A que se denominan nmeros cuanticos?

TABLA PERIODICA DE LOS ELEMENTOS


PAGINAS DE TABLAS PERIODICAS: 1. http://site.ifrance.com/okapi/quimica.htm 2. http://www.lenntech.com/espanol/tabla-periodica.htm 3. http://www.geocities.com/erkflores/Tabla.htm 4. http://www.mcgraw-hill.es/bcv/tabla_periodica/mc.html 5. http://www.mcgraw-hill.es/bcv/tabla_periodica/mc.html 6. http://personal1.iddeo.es/romeroa/latabla/ ( CON PROPIEDADES PERIODICAS ) 7. http://www.prodigyweb.net.mx/degcorp/Quimica/Tabla_Periodica.htm 8. http://adigital.pntic.mec.es/upe.de.soria/materias/quimica/tabla.htm 9. http://galilei.iespana.es/galilei/qui/tablaperiodica0.htm 10. http://www.educaplus.org/sp2002/index_sp.php
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11. 12. 13. 14. 15. 16. 17.

http://www.element-collection.com/html/installations.html http://www.avantel.net/~arbolag/tablper.htm http://www.maloka.org/f2000/periodic_table/ http://www.etsimo.uniovi.es/dptos/ener/actinidos/fig1.html http://www.fortunecity.com/campus/dawson/196/tabla.htm http://www.jergym.hiedu.cz/~canovm/vyhledav/varianty/spain.gif http://www.jergym.hiedu.cz/~canovm/vyhledav/varianty/spanels2.html (25 TABLAS EN ESTA MISMA PAGINA)

Tabla Peridica Los primeros trabajos de Mendeleiev datan de 1860 y sus conclusiones fueron ledas 1869 en la sociedad Qumica Rusa. El mismo resumi su trabajo en los siguientes postulados: 1. Si se ordenan los elementos segn sus pesos atmicos, muestran una evidente periodicidad. 2. Los elementos semejantes en sus propiedades qumicas poseen pesos atmicos semejantes (K, Rb, Cs). 3. La colocacin de los elementos en orden a sus pesos atmicos corresponde a su valencia. 4. Los elementos ms difundidos en la Naturaleza son los de peso atmico pequeo. Estos elementos poseen propiedades bien definidas. Son elementos tpicos. 5. El valor del peso atmico caracteriza un elemento y permite predecir sus propiedades. 6. Se puede esperar el descubrimiento de elementos an desconocidos. 7. En determinados elementos puede corregirse el peso atmico si se conoce el de los elementos adyacentes. He aqu una sntesis clara y muy completa no solo de la construccin de la tabla, sino tambin de su importancia qumica. La tabla peridica moderna consta de siete perodos y ocho grupos. Perodos: Cada franja horizontal. Grupo Cada franja vertical. Familia: Grupo de elementos que tienen propiedades semejantes. Ventajas del sistema de Mendeleiev 1. Corrigi los pesos atmicos y las valencias de algunos elementos por no tener sitio en su tabla de la forma en que eran considerado hasta entonces. 2. Seal las propiedades de algunos elementos desconocidos, entre ellos, tres a los que llam eka-boro, eka-aluminio, y eka-silicio. 3. En 1894 Ramsy descubri un gas el que denomin argn. Es monoatmico, no presenta reacciones qumicas y careca de un lugar en la tabla. Inmediatamente supuso que deban existir otros gases de propiedades similares y que todos juntos formaran un grupo. En efecto, poco despus se descubrieron los otros gases nobles y se les asign el grupo cero.

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4. Todos los huecos que dej en blanco se fueron llenando al descubrirse los elementos correspondientes. Estos presentaban propiedades similares a las asignadas por Mendeleiev. Defectos de la tabla de Mendeleiev 1. No tiene un lugar fijo para el hidrgeno. 2. Destaca una sola valencia. 3. El conjunto de elementos con el nombre de tierras raras o escasas (lantnidos) no tiene ubicacin en la tabla o es necesario ponerlos todos juntos en un mismo lugar, como si fueran un solo elemento, lo cual no es cierto. 4. No haba explicacin posible al hecho de que unos perodos contarn de 8 elementos: otros de 18, otros de 32, etc. 5. La distribucin de los elementos no est siempre en orden creciente de sus pesos atmicos. Cmo se estructura la tabla peridica? En la tabla peridica, los elementos se distribuyen en filas, o perodos, y en columnas, o grupos. La estructura bsica de la tabla peridica es el apoyo mas firme del modelo mecnico-cuntico, utilizado para predecir las configuraciones electrnicas. Los tomos de los elementos que pertenecen a un grupo tienen la misma configuracin electrnica externa ( CEE ). Por el contrario, al analizar la configuracin electrnica de los tomos de los elementos situados en el mismo perodo, se comprueba que tienen el mismo nmero de niveles de energa (n). Segn esta estructura en grupos y perodos, la tabla queda dividida en cuatro bloques fundamentales: s, p, d y f. Los bloques s y p corresponden a los elementos representativos y comprenden a los metales y los no metales. Los elementos del bloque d se denominan elementos de transicin y son todos metlicos. El bloque f est integrado por los elementos de transicin interna, que son tambin metales, la mayora obtenidos por sntesis artificial. Cules son los grupos ms destacados? Metales Alcalinos: Todos los miembros de este grupo se comportan como reductores fuertes (es decir que se oxidan o pierden electrones con facilidad para cederlos a otra especie qumica): Tienen una gran tendencia a desprenderse del ltimo electrn para dar cationes monovalentes ( iones con una carga positiva).

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Halgenos: Los halgenos forman compuestos inicos como los aniones monovalentes y tambin compuestos de carcter covalente. Metales alcalinotrreos: Las energas de primera y segunda ionizacin ( energas necesarias para que se forme el in) son relativamente bajas, por lo que dan cationes divalentes con facilidad. Familia del Carbono: El carbono es un no metal, forma compuestos covalentes, y su posibilidad de combinacin es tan alta, que el 94% de los casi 4 millones de compuestos conocidos contienen tomos de carbono en sus molculas. Carga nuclear efectiva: los electrones que se encuentran ms cercanos al ncleo ejercen un efecto de apantallamiento de la carga positiva del ncleo; por esta causa, los electrones ms externos son atrados por el ncleo con una fuerza menor, la carga neta que afecta a un electrn se denomina carga nuclear efectiva o Z. Qu es la afinidad electrnica? La afinidad electrnica o AE es la energa intercambiada cuando un tomo neutro, gaseoso, y en su estado fundamental, capta un electrn y se convierte en un in mononegativo. En general la AE, en valor absoluto, se incrementa de izquierda a derecha en un perodo. Tabla peridica moderna En el presente siglo se descubri que las propiedades de los elementos no son funcin peridica de los pesos atmicos, sino que varan peridicamente con sus nmeros atmicos o carga nuclear. He aqu la verdadera Ley peridica moderna por la cual se rige el nuevo sistema: "Las propiedades de los elementos son funcin peridica de sus nmeros atmicos" Modernamente, el sistema peridico se representa alargndolo en sentido horizontal lo suficiente para que los perodos de 18 elementos formen una sola serie. Con ello desaparecen las perturbaciones producidas por los grupos secundarios. El sistema peridico largo es el ms aceptado; la clasificacin de Werner, permite apreciar con ms facilidad la periodicidad de las propiedades de los elementos. Propiedades peridicas y no peridicas de los elementos qumicos Cules son las propiedades peridicas? As como la configuracin electrnica puede deducirse de la posicin que ocupa un elemento en la tabla peridica, existen otras propiedades que tambin varan de manera sistemtica, denominadas propiedades peridicas. Entre ellas podemos mencionar: Son propiedades peridicas de los elementos qumicos las que desprenden de los electrones de cadena de valencia o electrones del piso ms exterior as como la mayor parte de las propiedades fsicas y qumicas.

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Radio atmico Es la distancia de los electrones ms externos al ncleo. Esta distancia se mide en Angstrm (A=10-8), dentro de un grupo Sistema peridico, a medida que aumenta el nmero atmico de los miembros de una familia aumenta la densidad, ya que la masa atmica crece mas que el volumen atmico, el color F (gas amarillo verdoso), Cl (gas verde), Br (lquido rojo), I slido (negro prpura), el lumen y el radio atmico, el carcter metlico, el radio inico, aunque el radio inico de los elementos metlicos es menor que su radio atmico. Radios inicos: cuando los tomos neutros pierden o ganan electrones, se transforman en iones: son cationes si pierden electrones y quedan con carga neta positiva, o aniones, si ganan electrones y quedan con carga negativa. En la tabla peridica, los radios inicos aumentan de arriba hacia abajo en un grupo; la variacin en un perodo es difcil de analizar, ya que depende de la cantidad de cargas de los iones. Energa de ionizacin: la energa de ionizacin ( EI ) es la energa necesaria para "arrancar" un electrn de un tomo neutro, gaseoso y en su estado fundamental. El tomo se convierte en un ion monopositivo. Afinidad electrnica La electroafinidad, energa desprendida por un ion gaseoso que recibe un electrn y pasa a tomos gaseosos, es igual el valor al potencial de ionizacin y disminuye al aumentar el nmero atmico de los miembros de una familia. La electronegatividad es la tendencia de un tomo a captar electrones. En una familia disminuye con el nmero atmico y en un perodo aumenta con el nmero atmico. La electronegatividad ( EN ) de un tomo de un elemento se define como la capacidad relativa de ese tomo de atraer hacia s los electrones de un enlace qumico con otro tomo. En la tabla peridica, la electronegatividad aumenta de izquierda a derecha en un perodo y de abajo hacia en un grupo. Los elementos ms electronegativos son el fluor y el oxgeno, mientras que el menos electronegativo es el cesio.

PREGUNTAS 1. Que criterio utilizo Mendeleiev para ordenar los elementos en la tabla peridica que lleva su nombre? 2. Explique por que Mendeleiev considero que las masas atmicas de algunos elementos deban determinarse de nuevo. 3. Por que es importante la ley peridica?

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4. Por que se puede afirmar que la masa atmica no es una propiedad caracterstica de cada clase de tomo? 5. En que consisti la experiencia de Moseley? 6. Explique lo que se entiende por periodos y grupos en la tabla peridica? 7. Que configuracin electrnica tienen en su ultimo nivel cuantico los tomos de los gases nobles? Que caracterstica qumica fundamental tienen todos los gases nobles? 8. Por que las propiedades de los elementos representativos, de un mismo grupo de la tabla peridica, son parecidas? 9. Por que las propiedades de los elementos de transicin se mantienen muy semejantes a lo largo del periodo? 10. Cuales son los tres elementos de mayor electronegatividad de la tabla peridica?

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TEMA II. ENLACE QUIMICO


PAGINAS DE INTERNET 1) http://www.cneq.unam.mx/paidoteca/enlaces/enlace_metalico.htm 2) http://platea.pntic.mec.es/~jrodri5/antecedentes.htm 3) http://www.grupocerpa.com/gcficheros/quimica/Q1501.htm 4) http://www.netcom.es/pilar_mu/enlace.htm Tipos de enlace En la unin o enlace de los tomos pueden presentarse los siguientes casos: 1. Enlace inico, si hay atraccin electrosttica. 2. Enlace covalente, si comparten los electrones. 3. Enlace covalente coordinado, cuando el par de electrones es aportado solamente por uno de ellos. 4. Enlace metlico, so los electrones de valencia pertenece en comn a todos los tomos. Enlace inico o electrovalente Fue propuesto por W Kossel en 1916 y se basa en la transferencia de electrones de un tomo a otro. La definicin es la siguiente: "Electrovalencia es la capacidad que tienen los tomos para ceder o captar electrones hasta adquirir una configuracin estable, formndose as combinaciones donde aparecen dos iones opuestos". Exceptuando solamente los gases nobles todos los elementos al combinarse tienden a adquirir la misma estructura electrnica que el gas noble ms cercano. El tomo que cede electrones se transforma en ion positivo (catin), en tanto que el que los gana origina el ion negativo (anin). Propiedades generales de los compuestos inicos En general, los compuestos con enlace inico presentan puntos de ebullicin y fusin muy altos, pues para separarlos en molculas hay que deshacer todo el edificio cristalino, el cual presenta una elevada energa reticular. Enlace covalente normal Se define de la siguiente manera: "Es el fenmeno qumico mediante el cual dos tomos se unen compartiendo una o varias parejas de electrones; por lo tanto, no pierden ni ganan electrones, sino que los comparten". Un tomo puede completar su capa externa compartiendo electrones con otro tomo. Cada par de electrones comunes a dos tomos se llama doblete electrnico. Esta clase de enlace qumico se llama covalente, y se encuentra en todas las molculas constituidas por elementos no metlicos, combinaciones binarias que estos elementos forman entre s, tales como hidruros gaseosos y en la mayora de compuestos de carbono. Cada doblete de electrones (representado por el signo :) Intercalado entre los smbolos de los tomos, indica un enlace covalente sencillo y equivale al guin de las frmulas de estructura.

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En enlace covalente puede ser: sencillo, doble o triple, segn se compartan uno, dos o tres pares de electrones. Enlace covalente coordinado Se define de la siguiente forma: "Es el enlace que se produce cuando dos tomos comparten una pareja de electrones, pero dicha pareja procede solamente de uno de los tomos combinados. En este caso el enlace se llama covalente dativo o coordinado. El tomo que aporta la pareja de electrones recibe el nombre de donante, y el que los recibe, aceptor. Cuando queremos simplificar la formula electrnica se pone una flecha que va del donante al aceptor. Metales y enlace metlico Metales, grupo de elementos qumicos que presentan todas o gran parte de las siguientes propiedades fsicas: estado slido a temperatura normal, excepto el mercurio que es lquido; opacidad, excepto en capas muy finas; buenos conductores elctricos y trmicos; brillantes, una vez pulidos, y estructura cristalina en estado slido. Metales y no metales se encuentran separados en el sistema peridico por una lnea diagonal de elementos. Los elementos a la izquierda de esta diagonal son los metales, y los elementos a la derecha son los no metales. Los elementos que integran esta diagonal boro, silicio, germanio, arsnico, antimonio, teluro, polonio y astato tienen propiedades tanto metlicas como no metlicas. Los elementos metlicos ms comunes son los siguientes: aluminio, bario, berilio, bismuto, cadmio, calcio, cerio, cromo, cobalto, cobre, oro, iridio, hierro, plomo, litio, magnesio, manganeso, mercurio, molibdeno, nquel, osmio, paladio, platino, potasio, radio, rodio, plata, sodio, tantalio, talio, torio, estao, titanio, volframio, uranio, vanadio y cinc. Los elementos metlicos se pueden combinar unos con otros y tambin con otros elementos formando compuestos, disoluciones y mezclas. Una mezcla de dos o ms metales o de un metal y ciertos no metales como el carbono se denomina aleacin. Las aleaciones de mercurio con otros elementos metlicos son conocidas como amalgamas. Los metales muestran un amplio margen en sus propiedades fsicas. La mayora de ellos son de color grisceo, pero algunos presentan colores distintos; el bismuto es rosceo, el cobre rojizo y el oro amarillo. En otros metales aparece ms de un color, y este fenmeno se denomina pleocroismo. El punto de fusin de los metales vara entre los -39 C del mercurio, a los 3.410 C del tungsteno. El iridio, con una densidad relativa de 22,4, es el ms denso de los metales. Por el contrario, el litio es el menos denso, con una densidad relativa de 0,53. La mayora de los metales cristalizan en el sistema cbico, aunque algunos lo hacen en el hexagonal y en el tetragonal (vase Cristal). La ms baja conductividad elctrica la tiene el bismuto, y la ms alta a temperatura ordinaria la plata. (Para conductividad a baja temperatura vase Criogenia; Superconductividad). La conductividad en los metales puede reducirse mediante aleaciones. Todos los metales se expanden con el calor y se contraen al enfriarse. Ciertas aleaciones, como las de platino e iridio, tienen un coeficiente de dilatacin extremadamente bajo.
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Propiedades fsicas Los metales suelen ser duros y resistentes. Aunque existen ciertas variaciones de uno a otro, en general los metales tienen las siguientes propiedades: dureza o resistencia a ser rayados; resistencia longitudinal o resistencia a la rotura; elasticidad o capacidad de volver a su forma original despus de sufrir deformacin; maleabilidad o posibilidad de cambiar de forma por la accin del martillo; resistencia a la fatiga o capacidad de soportar una fuerza o presin continuadas y ductilidad o posibilidad de deformarse sin sufrir roturas. (Vase Ciencia y tecnologa de los materiales). Propiedades qumicas Es caracterstico de los metales tener valencias positivas en la mayora de sus compuestos. Esto significa que tienden a ceder electrones a los tomos con los que se enlazan. Tambin tienden a formar xidos bsicos. Por el contrario, elementos no metlicos como el nitrgeno, azufre y cloro tienen valencias negativas en la mayora de sus compuestos, y tienden a adquirir electrones y a formar xidos cidos (vase cidos y bases; Reaccin qumica). Los metales tienen energa de ionizacin baja: reaccionan con facilidad perdiendo electrones para formar iones positivos o cationes. De este modo, los metales forman sales como cloruros, sulfuros y carbonatos, actuando como agentes reductores (donantes de electrones). Estructura electrnica En sus primeros esfuerzos para explicar la estructura electrnica de los metales, los cientficos esgrimieron las propiedades de su buena conductividad trmica y elctrica para apoyar la teora de que los metales se componen de tomos ionizados, cuyos electrones libres forman un 'mar' homogneo de carga negativa. La atraccin electrosttica entre los iones positivos del metal y los electrones libres, se consider la responsable del enlace entre los tomos del metal. As, se pensaba que el libre movimiento de los electrones era la causa de su alta conductividad elctrica y trmica. La principal objecin a esta teora es que en tal caso los metales deban tener un calor especfico superior al que realmente tienen. En 1928, el fsico alemn Arnold Sommerfeld sugiri que los electrones en los metales se encuentran en una disposicin cuntica en la que los niveles de baja energa disponibles para los electrones se hallan casi completamente ocupados (vase tomo; Teora cuntica). En el mismo ao, el fsico suizo estadounidense Felix Bloch, y ms tarde el fsico francs Louis Brillouin, aplicaron esta idea en la hoy aceptada 'teora de la banda' para los enlaces en los slidos metlicos. De acuerdo con dicha teora, todo tomo de metal tiene nicamente un nmero limitado de electrones de valencia con los que unirse a los tomos vecinos. Por ello se requiere un amplio reparto de electrones entre los tomos individuales. El reparto de electrones se consigue por la superposicin de orbitales atmicos de energa equivalente con los tomos adyacentes. Esta superposicin va recorriendo toda la muestra del metal, formando amplios

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orbitales que se extienden por todo el slido, en vez de pertenecer a tomos concretos. Cada uno de estos orbitales tiene un nivel de energa distinto debido a que los orbitales atmicos de los que proceden, tenan a su vez diferentes niveles de energa. Los orbitales, cuyo nmero es el mismo que el de los orbitales atmicos, tienen dos electrones cada uno y se van llenando en orden de menor a mayor energa hasta agotar el nmero de electrones disponibles. En esta teora se dice que los grupos de electrones residen en bandas, que constituyen conjuntos de orbitales. Cada banda tiene un margen de valores de energa, valores que deberan poseer los electrones para poder ser parte de esa banda. En algunos metales se dan interrupciones de energa entre las bandas, pues los electrones no poseen ciertas energas. La banda con mayor energa en un metal no est llena de electrones, dado que una caracterstica de los metales es que no poseen suficientes electrones para llenarla. La elevada conductividad elctrica y trmica de los metales se explica as por el paso de electrones a estas bandas con defecto de electrones, provocado por la absorcin de energa trmica. Metales alcalinos, serie de seis elementos qumicos en el grupo 1 (o IA) del sistema peridico. Comparados con otros metales son blandos, tienen puntos de fusin bajos, y son tan reactivos que nunca se encuentran en la naturaleza si no es combinados con otros elementos. Son poderosos agentes reductores, o sea, pierden fcilmente un electrn, y reaccionan violentamente con agua para formar hidrgeno gas e hidrxidos del metal, que son bases fuertes. Los metales alcalinos son, por orden de nmero atmico creciente: litio, sodio, potasio, rubidio, cesio y francio. Del francio existen solamente istopos radiactivos.1

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Enlaces qumicos en los metales alcalinos El enlace inico es una forma de unin qumica de los tomos en la que se transfieren electrones de un tomo a otro de manera que los tomos tengan al final capas electrnicas totalmente llenas. Los metales alcalinos, como el potasio (arriba), tienen un nico electrn en la capa externa del tomo. Es muy fcil que este electrn sea cedido a tomos de halgenos, como el cloro, que necesitan un nico electrn para completar su capa externa. Cuando el electrn, que tiene carga elctrica negativa, ha sido transferido, el tomo del metal alcalino se convierte en un ion positivo, mientras que el tomo del halgeno pasa a ser un ion negativo. Los dos iones se mantienen fuertemente unidos por atraccin electrosttica. . PREGUNTAS 1. Como varia la energa de un sistema atmico, si entre los tomos se produce un enlace qumico?
2.

Cuales son los tipos principales de enlace que se conocen?

3. Se puede formar un enlace inico entre un tomo del grupo I A y un tomo del grupo II-A de la tabla peridica? Explique. 4. En que grupos de la tabla peridica se encuentran, con mas probabilidad los tomos que forman enlaces covalentes? 5. En que consiste la regla de octeto? 6. Que tipo de enlace existe, probablemente, entre el manganeso y el fluor? Represente la formula del compuesto correspondiente. 7. Que relacin existe entre el valor de la energa reticular y la estabilidad del slido inico? 8. Explique teniendo en cuenta la polarizacin mutua de iones, el por que todo enlace inico tiene cierto carcter covalente? 9. Que nombres reciben los orbitales moleculares formados? 10. Que es un orbital molecular?

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TEMA III. ESTUDIO DE LOS SEMICONDUCTORES


PAGINAS DE INTERNET 1) http://www.geocities.com/CapeCanaveral/Hall/2575/ 2) http://www.noticias3d.com/articulos/200202/semiconductores/1.asp 3) http://www.cpi.uc.edu.ve/electronica/capitulo1/default.htm 4) http://es.geocities.com/desing_electronic/page13.html SEMICONDUCTORES Los semiconductores son materiales slidos o lquidos capaces de conducir la electricidad mejor que un aislante, pero peor que un metal. La conductividad elctrica, que es la capacidad de conducir la corriente elctrica cuando se aplica una diferencia de potencial, es una de las propiedades fsicas ms importantes. Ciertos metales, como el cobre, la plata y el aluminio son excelentes conductores. Por otro lado, ciertos aislantes como el diamante o el vidrio son muy malos conductores. A temperaturas muy bajas, los semiconductores puros se comportan como aislantes. Sometidos a altas temperaturas, mezclados con impurezas o en presencia de luz, la conductividad de los semiconductores puede aumentar de forma espectacular y llegar a alcanzar niveles cercanos a los de los metales. Las propiedades de los semiconductores se estudian en la fsica del estado slido. Electrones de conduccin y huecos Entre los semiconductores comunes se encuentran elementos qumicos y compuestos, como el silicio, el germanio, el selenio, el arseniuro de galio, el seleniuro de cinc y el teluro de plomo. El incremento de la conductividad provocado por los cambios de temperatura, la luz o las impurezas se debe al aumento del nmero de electrones conductores que transportan la corriente elctrica. En un semiconductor caracterstico o puro como el silicio, los electrones de valencia (o electrones exteriores) de un tomo estn emparejados y son compartidos por otros tomos para formar un enlace covalente que mantiene al cristal unido. Estos electrones de valencia no estn libres para transportar corriente elctrica. Para producir electrones de conduccin, se utiliza la luz o la temperatura, que excita los electrones de valencia y provoca su liberacin de los enlaces, de manera que pueden transmitir la corriente. Las deficiencias o huecos que quedan contribuyen al flujo de la electricidad (se dice que estos huecos transportan carga positiva). ste es el origen fsico del incremento de la conductividad elctrica de los semiconductores a causa de la temperatura. Dopar Otro mtodo para obtener electrones para el transporte de electricidad consiste en aadir impurezas al semiconductor o doparlo. La diferencia del nmero de electrones de valencia entre el material dopante (tanto si acepta como si confiere electrones) y el material receptor hace que crezca el nmero de electrones de conduccin negativos (tipo n) o positivos (tipo p). Este concepto

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se ilustra en el diagrama adjunto, que muestra un cristal de silicio dopado. Cada tomo de silicio tiene cuatro electrones de valencia (representados mediante puntos). Se requieren dos para formar el enlace covalente. En el silicio tipo n, un tomo como el del fsforo (P), con cinco electrones de valencia, reemplaza al silicio y proporciona electrones adicionales. En el silicio tipo p, los tomos de tres electrones de valencia como el aluminio (Al) provocan una deficiencia de electrones o huecos que se comportan como electrones positivos. Los electrones o los huecos pueden conducir la electricidad.

Cuando ciertas capas de semiconductores tipo p y tipo n son adyacentes, forman un diodo de semiconductor, y la regin de contacto se llama unin pn. Un diodo es un dispositivo de dos terminales que tiene una gran resistencia al paso de la corriente elctrica en una direccin y una baja resistencia en la otra. Las propiedades de conductividad de la unin pn dependen de la direccin del voltaje, que puede a su vez utilizarse para controlar la naturaleza elctrica del dispositivo. Algunas series de estas uniones se usan para hacer transistores y otros dispositivos semiconductores como clulas solares, lseres de unin pn y rectificadores. Los dispositivos semiconductores tienen muchas aplicaciones en la ingeniera elctrica. Los ltimos avances de la ingeniera han producido pequeos chips semiconductores que contienen cientos de miles de transistores. Estos chips han hecho posible un enorme grado de miniaturizacin en los dispositivos electrnicos. La aplicacin ms eficiente de este tipo de chips es la fabricacin de circuitos de semiconductores de metal-xido complementario o CMOS, que estn formados por parejas de transistores de canal p y n controladas por un solo circuito. Adems, se estn fabricando dispositivos extremadamente pequeos utilizando la tcnica epitaxial de haz molecular. Estructura atmica de los semiconductores Las propiedades elctricas de un material semiconductor vienen determinadas por su estructura atmica. En un cristal puro de germanio o de silicio, los tomos estn unidos entre s en disposicin peridica, formando una rejilla cbica tipo diamante perfectamente regular. Cada tomo del cristal tiene cuatro electrones de valencia, cada uno de los cuales interacta con el electrn del tomo vecino formando un enlace covalente. Al no tener los electrones libertad

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de movimiento, a bajas temperaturas y en estado cristalino puro, el material acta como un aislante. Funcin de las impurezas Los cristales de germanio o de silicio contienen pequeas cantidades de impurezas que conducen la electricidad, incluso a bajas temperaturas. Las impurezas tienen dos efectos dentro del cristal. Las impurezas de fsforo, antimonio o arsnico se denominan impurezas donantes porque aportan un exceso de electrones. Este grupo de elementos tiene cinco electrones de valencia, de los cuales slo cuatro establecen enlaces con los tomos de germanio o silicio. Por lo tanto, cuando se aplica un campo elctrico, los electrones restantes de las impurezas donantes quedan libres para desplazarse a travs del material cristalino. Por el contrario, las impurezas de galio y de indio disponen de slo tres electrones de valencia, es decir, les falta uno para completar la estructura de enlaces interatmicos con el cristal. Estas impurezas se conocen como impurezas receptoras, porque aceptan electrones de tomos vecinos. A su vez, las deficiencias resultantes, o huecos, en la estructura de los tomos vecinos se rellenan con otros electrones y as sucesivamente. Estos huecos se comportan como cargas positivas, como si se movieran en direccin opuesta a la de los electrones cuando se les aplica un voltaje. Semiconductores de tipos n y p Un cristal de germanio o de silicio que contenga tomos de impurezas donantes se llama semiconductor negativo, o tipo n, para indicar la presencia de un exceso de electrones cargados negativamente. El uso de una impureza receptora producir un semiconductor positivo, o tipo p, llamado as por la presencia de huecos cargados positivamente. Un cristal sencillo que contenga dos regiones, una tipo n y otra tipo p, se puede preparar introduciendo las impurezas donantes y receptoras en germanio o silicio fundido en un crisol en diferentes fases de formacin del cristal. El cristal resultante presentar dos regiones diferenciadas de materiales tipo n y tipo p. La franja de contacto entre ambas reas se conoce como unin pn. Tal unin se puede producir tambin colocando una porcin de material de impureza donante en la superficie de un cristal tipo p o bien una porcin de material de impureza receptora sobre un cristal tipo n, y aplicando calor para difundir los tomos de impurezas a travs de la capa exterior. Al aplicar un voltaje desde el exterior, la unin pn acta como un rectificador, permitiendo que la corriente fluya en un solo sentido. Si la regin tipo p se encuentra conectada al terminal positivo de una batera y la regin tipo n al terminal negativo, fluir una corriente intensa a travs del material a lo largo de la unin. Si la batera se conecta al revs, no fluir la corriente. Funcionamiento del transistor En un transistor se pueden combinar dos uniones para obtener amplificacin. Un tipo, llamado transistor de unin npn, consiste en una capa muy fina de material tipo p entre dos secciones de material tipo n, formando un circuito

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como el mostrado en la figura. El material tipo n a la izquierda del diagrama representa el elemento emisor del transistor, que constituye la fuente de electrones. Para permitir el avance de la corriente a lo largo de la unin np, el emisor tiene un pequeo voltaje negativo con respecto a la capa tipo p, o componente base, que controla el flujo de electrones. El material tipo n en el circuito de salida sirve como elemento colector y tiene un voltaje positivo alto con respecto a la base, para evitar la inversin del flujo de corriente. Los electrones que salen del emisor entran en la base, son atrados hacia el colector cargado positivamente y fluyen a travs del circuito de salida. La impedancia de entrada (la resistencia al paso de corriente) entre el emisor y la base es reducida, mientras que la impedancia de salida entre el colector y la base es elevada. Por lo tanto, pequeos cambios en el voltaje de la base provocan grandes cambios en la cada de voltaje a lo largo de la resistencia del colector, convirtiendo a este tipo de transistor en un eficaz amplificador. Similar al tipo npn en cuanto a su funcionamiento, el transistor de unin pnp dispone tambin de dos uniones y es equivalente al tubo de vaco denominado triodo. Otros tipos con tres uniones, tales como el transistor de unin npnp, proporcionan mayor amplificacin que los transistores de dos uniones.

Desarrollos posteriores A finales de la dcada de 1960 una nueva tcnica electrnica, el circuito integrado, comenz a sustituir al transistor en los equipamientos electrnicos complejos. Aunque en trminos generales su tamao era parecido al de un transistor, el circuito integrado realizaba la funcin de quince a veinte transistores. Un desarrollo natural del circuito integrado durante la dcada de 1970 fue la produccin de circuitos con niveles de integracin medio, alto y muy alto, que permitieron la fabricacin de computadoras compactas. El microprocesador, que comenz a utilizarse a mediados de la dcada de 1970, es un refinamiento de la tcnica de alta integracin. Como resultado de una miniaturizacin an ms avanzada, un nico microprocesador puede incorporar las funciones de varias placas de circuito impreso y desarrollar la misma potencia de clculo que la unidad central de proceso de una computadora mucho mayor, pero en una microcomputadora alimentada por bateras que adems cabe en la palma de la mano. MATERIALES SEMICONDUCTORES -ESTRUCTURA DE SILICIO. La mayor parte de los dispositivos electrnicos modernos estn fabricados a partir de semiconductores. Para comprender el funcionamiento de estos dispositivos cuando se insertan en un circuito elctrico, es necesario conocer el comportamiento de los componentes desde un punto de vista fsico. Por ello, en este tema se presentan las propiedades y caractersticas fundamentales de este tipo de materiales.

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Si los conductores son materiales que disponen de electrones libres y los aislantes carecen de ellos, los semiconductores se encuentran en una situacin intermedia: a la temperatura de 0 K se comportan como aislantes, pero mediante una aportacin de energa puede modificarse esta situacin, adquiriendo un comportamiento ms cercano al de los conductores. Los materiales semiconductores de uso comn en la tecnologa microelectrnica son el silicio, el germanio y el arseniuro de galio. Se trata de elementos del grupo IV de la tabla peridica, o bien combinaciones de elementos de los grupos III y V. De todos ellos, el ms empleado actualmente es el silicio, por lo que la discusin en este tema va a estar centrada en dicho elemento. No obstante la gran mayora de lo aqu expuesto puede aplicarse a cualquier semiconductor. ESTRUCTURA DEL SILICIO El silicio es un elemento con una gran cantidad de aplicaciones. Es el segundo elemento ms abundante en la corteza terrestre (despus del oxgeno) con un porcentaje en peso del 25,7%. Est presente en multitud de materiales, tan diversos como la arena, la arcilla, el vidrio o el hueso. El silicio puro no se encuentra en la naturaleza, pero bajo las condiciones adecuadas pueden obtenerse en forma de estructuras monocristalinas. En stas los tomos se disponen segn una red tipo diamante con simetra cbica, en donde cada tomo forma enlaces covalentes con otros cuatro adyacentes. As todos los tomos tienen la ltima rbita completa con ocho electrones (Figura 4.1).

Estructura cristalina del silicio puro

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En la figura se aprecia que todos los electrones de valencia estn asociados a un enlace covalente. Por tanto, al no existir portadores libres, el silicio puro y monocristalino a 0 K se comporta como un material aislante. PORTADORES DE CARGA. EL ELECTRN Y EL HUECO En los materiales conductores la circulacin de corriente es posible gracias a la existencia de electrones libres. En los semiconductores tambin son los electrones los responsables de la corriente. Sin embargo, puesto que en este caso provienen de un enlace covalente y no de una nube electrnica, el fenmeno es ms complejo, y para su explicacin se introduce un nuevo portador de carga ficticio: el hueco. GENERACIN TRMICA DE PORTADORES. EL ELECTRN Y EL HUECO Si se eleva la temperatura del monocristal de silicio por encima de 0 K, parte de la energa trmica permite liberar alguno de los electrones. Ello produce dos efectos: 1. Aparece un electrn libre capaz de moverse a travs de la red en presencia de un campo elctrico. 2. En el tomo al que se asociaba el electrn aparece un defecto de carga negativa, es decir, una carga positiva, que se denomina hueco. Globalmente, el cristal mantiene la neutralidad elctrica, ya que no ha ganado ni perdido cargas. Cuando se producen electrones libres en un semiconductor nicamente por agitacin trmica, existen huecos y electrones en nmeros iguales, porque cada electrn trmicamente excitado deja detrs de s un hueco. Un semiconductor con un nmero igual de huecos y electrones se denomina intrnseco. Recapitulando, los semiconductores se diferencian:

de los aislantes: La energa para liberar un electrn es menor en el semiconductor que en el aislante. As a temperatura ambiente el primero dispone ya de portadores libres. de los conductores: Los semiconductores poseen dos tipos de portadores de carga: el electrn y el hueco.

En el caso del silicio puro monocristalino, el nmero de portadores libres a temperatura ambiente es lo suficientemente bajo como para asegurar una alta resistividad. RECOMBINACIN DE PARES ELECTRN-HUECO Tal y como se acaba de explicar, el hueco es un enlace covalente "no satisfecho". Si un electrn atraviesa la zona en la que se encuentra el hueco puede quedar atrapado en l. A este

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fenmeno se le denomina recombinacin, y supone la desaparicin de un electrn y de un hueco. Sin embargo, como en el caso anterior, el material mantiene su neutralidad elctrica. IMPURIFICACIN O DOPADO DE LOS SEMICONDUCTORES En un semiconductor intrnseco las concentraciones de huecos y de electrones pueden alterarse mediante la adicin de pequeas cantidades de elementos llamados impurezas o dopantes, a la composicin cristalina. Como veremos a lo largo de este curso, es esta caracterstica de los semiconductores la que permite la existencia de circuitos electrnicos integrados. La cuestin es: Qu sucede si adems de elevar la temperatura por encima de 0 K consideramos la presencia de impurezas en el silicio?. Supongamos que sustituimos un tomo de silicio (que pertenece al grupo IV) por otro de fsforo (grupo V), pentavalente. Como slo hay la posibilidad de establecer cuatro enlaces covalentes con los tomos de silicio adyacentes, un electrn quedar libre. Teniendo en cuenta esto, es fcil deducir que es lo que ocurrir si se sustituye un tomo de silicio por otro de un elemento perteneciente al grupo III, el boro por ejemplo: evidentemente se introducir un hueco, ya que el boro solo aporta tres electrones de valencia. Las dos situaciones se clarifican en la Figura 4.2.

Introduccin de impurezas en el silicio Si la introduccin de impurezas se realiza de manera controlada pueden modificarse las propiedades elctricas en zonas determinadas del material. As, se habla de dopado tipo P N (en su caso, de silicio P N) segn se introduzcan huecos o electrones respectivamente.

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Centrmonos ahora en el silicio tipo P. En la prctica, a temperatura mayor que cero este material estar formado por: Huecos procedentes del dopado. Huecos procedentes de la generacin trmica de pares e-/h+. o Electrones procedentes de la generacin trmica de pares e-/h+. o Electrones y huecos procedentes de impurezas no deseadas.
o o

Habitualmente, a temperatura ambiente, el nivel de dopado es tal que los huecos procedentes de l superan en varios rdenes de magnitud al resto de portadores. Ello confiere el carcter global P del material. Sin embargo, ha de tenerse en cuenta que existen electrones. En este caso, los huecos son los portadores mayoritarios, y los electrones los minoritarios. Si se trata de un material de tipo N, los portadores mayoritarios sern los electrones, y los minoritarios los huecos. Con la tabla siguiente se pretende rematar estos conceptos. Material Silicio Puro Silicio tipo P Silicio tipo N Portadores mayoritarios Huecos Electrones Portadores minoritarios Electrones Huecos

Hay que resaltar nuevamente que el dopado no altera la neutralidad elctrica global del material. INFLUENCIA DE LA TEMPERATURA SOBRE LOS SEMICONDUCTORES Al presentar el concepto de portadores mayoritarios y minoritarios se ha asumido una hiptesis de trabajo: que a temperatura ambiente (25C) la concentracin de portadores provocada por generacin trmica es mucho menor que la causada por los dopados. Pues bien, si se eleva la temperatura sobre la de ambiente se aumentar la tasa de pares electrn/hueco generados. Llegar un momento en el que, si la temperatura es lo suficientemente elevada, la cantidad de pares generados enmascare a los portadores presentes debidos a la impurificacin. En ese momento se dice que el semiconductor es degenerado, y a partir de ah no se puede distinguir si un material es de tipo N P: es la temperatura a la cual los dispositivos electrnicos dejan de operar correctamente. En el caso del silicio, esta temperatura es de 125 C. CONDUCCIN ELCTRICA EN SEMICONDUCTORES Dada la especial estructura de los semiconductores, en su interior pueden darse dos tipos de corrientes:

Corrientes por arrastre de campo


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Corrientes por difusin En los siguientes subapartados se explica cada unos de estos tipos de conduccin. CORRIENTE POR ARRASTRE DE CAMPO Supongamos que disponemos de un semiconductor con un cierto nmero de electrones y de huecos, y que aplicamos en su interior un campo elctrico. Veamos que sucede con los portadores de carga:

Electrones libres: Obviamente, la fuerza que el campo elctrico ejerce sobre los electrones provocar el movimiento de estos, en sentido opuesto al del campo elctrico. De este modo se originar una corriente elctrica. La densidad de la corriente elctrica (nmero de cargas que atraviesan la unidad de superficie en la unidad de tiempo) depender de la fuerza que acta (qE), del nmero de portadores existentes y de la "facilidad" con que estos se mueven por la red, es decir: Je = en(qE) en donde:

e

Je = Densidad de corriente de electrones

= Movilidad de los electrones en el material n = Concentracin de electrones q = Carga elctrica E = Campo elctrico aplicado

La movilidad e es caracterstica del material, y est relacionada con la capacidad de movimiento del electrn a travs de la red cristalina. Huecos: El campo elctrico aplicado ejerce tambin una fuerza sobre los electrones asociados a los enlaces covalentes. Esa fuerza puede provocar que un electrn perteneciente a un enlace cercano a la posicin del hueco salte a ese espacio. As, el hueco se desplaza una posicin en el sentido del campo elctrico. Si este fenmeno se repite, el hueco continuar desplazndose. Aunque este movimiento se produce por los saltos de electrones, podemos suponer que es el hueco el que se est moviendo por los enlaces. Este ltimo prrafo se entiende a la perfeccin con Figura 4.3.

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Movimiento de los huecos debido al movimiento de los electrones La carga neta del hueco vacante es positiva y por lo tanto, se puede pensar en el hueco como una carga positiva movindose en la direccin del campo elctrico. Obsrvese que los electrones individuales de enlace que se involucran en el llenado de los espacios vacantes por la propagacin del hueco, no muestran movimiento continuo a gran escala. Cada uno de estos electrones se mueve nicamente una vez durante el proceso migratorio. En contraste, un electrn libre se mueve de forma continua en la direccin opuesta al campo elctrico. Anlogamente al caso de los electrones libres, la densidad de corriente de huecos viene dada por: Jh = hp(qE) en donde:

Jh = Densidad de corriente de huecos = Movilidad de los huecos en el material p = Concentracin de huecos q = Carga elctrica del hueco: igual y de signo opuesto a la
h

del electrn

E = Campo elctrico aplicado

La movilidad h es caracterstica del material, y est relacionada con la capacidad de movimiento del hueco a travs de los enlaces de la red cristalina. La "facilidad" de desplazamiento de los huecos es inferior a la de los electrones. Consideremos ahora el caso de un semiconductor que disponga de huecos y electrones, al que sometemos a la accin de un campo elctrico. Hemos visto cmo los electrones se movern en el sentido opuesta a la del campo elctrico, mientras que los huecos lo harn en segn el campo. El resultado es un flujo neto de cargas positivas en el sentido indicado por el campo, o bien un flujo neto de cargas negativas en sentido contrario. En definitiva, se mire por donde se mire, la densidad de corriente global es la suma de las densidades de corriente de electrones y de huecos: J = Jh + Je = hp(qE) + en(qE)

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CONDUCCION POR DIFUSION DE PORTADORES Antes de entrar en el fenmeno de conduccin por difusin vamos a explicar el concepto de difusin. Imaginad (el que no tenga mucha imaginacin que mire la Figura 4. 4) que tenemos una caja con dos compartimentos separados por una pared comn. En un compartimiento introducimos un gas A, y en el otro un gas B.

Silicio El material semiconductor ms ampliamente utilizado es el silicio. Un tomo aislado de silicio tiene 14 protones y 14 electrones. Como puede apreciarse en la figura de la izquierda, la primera rbita contiene 2 electrones, y la segunda contiene 8. Los cuatro electrones restantes se hallan en la rbita exterior. En la misma figura, el ncleo y las dos primeras rbitas constituyen la parte interna del tomo de silicio. Esta parte tiene una carga resultante de +4 debido a los 14 protones en el ncleo y los 10 electrones de las dos primeras rbitas. Obsrvese que hay 4 electrones en la rbita exterior o de valencia; por este motivo, el silicio es un semiconductor. 3. Semiconductores intrnsecos Un semiconductor intrnseco es un semiconductor puro. Un cristal de silicio es un semiconductor intrnseco si cada tomo del cristal es un tomo de silicio. A temperatura ambiente, un cristal de silicio se comporta ms o menos como un aislante, ya que tiene solamente unos cuantos electrones libres y sus huecos producidos por excitacin trmica. Flujo de electrones libres La figura anexa muestra parte un cristal de silicio entre dos placas metlicas cargadas. Supngase que la energa trmica ha producido un electrn libre y un hueco. El electrn libre se halla en una rbita grande en el extremo derecho del cristal. Debido a la placa cargada negativamente, el electrn libre es repelido hacia la izquierda. Este electrn puede pasar de una rbita grande a la siguiente hasta alcanzar la placa positiva.
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Flujo de huecos Obsrvese el hueco a la izquierda de la figura anterior. Este hueco atrae el electrn de valencia del punto A, lo que provoca que el electrn de valencia se mueva hacia el hueco. Esta accin no es la misma que la recombinacin, en la cual un electrn libre cae en un hueco. En vez de un electrn libre, se tiene un electrn de valencia movindose hacia un hueco. Cuando el electrn de valencia en el punto A se mueve hacia la izquierda, crea un nuevo hueco en el punto A. El efecto es el mismo que si el hueco original se desplazara hacia la derecha. El nuevo hueco en el punto A puede atraer y capturar otro electrn de valencia. De esta forma, los electrones de valencia pueden desplazarse a lo largo de la trayectoria indicada por las flechas. Esto quiere decir que el hueco se puede mover en el sentido opuesto a lo largo de la trayectoria A-B-C-D-E-F. 4. Semiconductores extrnsecos Una forma de aumentar la conductividad de un semiconductor es mediante el dopado. El dopado supone que deliberadamente se aaden tomos de impurezas a un cristal intrnseco para modificar su conductividad elctrica. Un semiconductor dopado se llama semiconductor extrnseco. Existen dos materiales extrnsecos de gran importancia para la fabricacin de dispositivos semiconductores: el tipo n y el tipo p. Material tipo n Tanto los materiales tipo n como los p se forman agregando un nmero predeterminado de tomos de impurezas a una base de germanio o silicio. El tipo n se crea aadiendo todos aquellos elementos de impurezas que tengan cinco electrones de valencia (pentavalentes), tal como el antimonio, arsnico y fsforo. El efecto de tales elementos de impurezas se indica en la figura de junto (usando antimonio como la impureza en una base de silicio). Note que los cuatro enlaces covalentes todava estn presentes. Hay sin embargo, un quinto elemento adicional debido al tomo de impureza, que est desasociado con cualquier enlace covalente particular. Este electrn sobrante, enlazado dbilmente a su tomo padre (antimonio), es relativamente libre de moverse dentro del material nuevamente formando de material tipo n. Puesto que tomo de impureza insertado ha donado un electrn relativamente "libre" a la estructura, a las impurezas con cinco electrones de valencia se les denomina tomos donadores. En el material tipo n, a los electrones se les conoce como portadores mayoritarios, mientras que a los huecos se les denomina portadores minoritarios. Material tipo p El silicio que ha sido dopado con impurezas trivalentes se llama semiconductor tipo p, donde p hace referencia a positivo. Los elementos ms frecuentemente

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utilizados para este fin son boro, galio e indio. El efecto de uno de estos elementos, boro, en una base de silicio se indica en la figura de la izquierda. Hay que notar que ahora hay un nmero insuficiente de electrones para completar los enlaces covalentes del nuevo enrejado formado. La vacante resultante se le denomina hueco y se representa por un pequeo circulo o un signo positivo debido a la ausencia de una carga negativa. Puesto que la vacante resultante aceptar rpidamente un electrn "libre", las impurezas agregadas es denominada tomo aceptor. En este tipo de material a los huecos se les conoce como portadores mayoritarios y los electrones libres son denominados portadores minoritarios. Fabricacin de semiconductores Para que un fabricante pueda adoptar un semiconductor, debe producirlo inicialmente como un cristal absolutamente puro. Controlando posteriormente la cantidad de impurezas, puede determinar con precisin las propiedades del semiconductor. Inicialmente resultaba ms fcil producir cristales puros de germanio que de silicio. Por esta razn los primeros dispositivos semiconductores estaban hechos de germanio. Despus mejoraron las tcnicas de fabricacin y se pueden obtener cristales puros de silicio. Por las ventajas que tiene, el silicio se ha erigido como el material semiconductor ms popular y til. Tcnicas de fabricacin El primer paso en la fabricacin de un dispositivo semiconductor es obtener materiales semiconductores, como germanio y silicio, del nivel de impurezas deseado. Los niveles de impurezas de menos de una parte en mil millones (1 en 1.000.000.000) se requiere para la mayor parte de la fabricacin de semiconductores de hoy da. La materia prima se somete primero a una serie de reacciones qumicas y a un proceso de refinacin de zona para formar un cristal policristalino del nivel deseado de pureza. Los tomos del cristal policristalino se acomodan al azar, mientras que en el cristal deseado los tomos se acomodan en forma simtrica, uniforme, con estructura geomtrica en enrejado. El aparato de refinamiento de zona se muestra en la figura de la derecha. Consta de un bote de grafito o cuarzo para contaminacin mnima, un recipiente de cuarzo y un conjunto de bobinas de induccin de RF (radiofrecuencia). Las bobinas o el bote se deben mover a lo largo del recipiente de cuarzo. El mismo resultado se debe obtener en cualquier caso, aunque el de las bobinas mviles es el ms popular. El interior del recipiente de cuarzo se le llena con un gas inerte (poca o no mayor reaccin qumica), o se le hace el vaco, para reducir la posibilidad de contaminacin. En el proceso de refinamiento de zona, se coloca una barra de germanio en el bote con las bobinas en un extremo de la barra como se muestra en la figura. La seal de radio frecuencia se aplica entonces a la bobina, para inducir un flujo de carga (corrientes de eddy) en el lingote de germanio. La magnitud de estas corrientes se incrementa hasta que se desarrolle suficiente calor para fundir la regin del

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material semiconductor. Las impurezas del lingote entrarn en un estado ms lquido que los alrededores del material semiconductor. Si las bobinas de induccin de la figura se mueven ligeramente a la derecha al inducir la fundicin en la regin vecina, las impurezas "ms fluidas" "seguirn" la regin derretida. El resultado neto es que un gran porcentaje de las impurezas aparecer en el extremo derecho del lingote cuando las bobinas de induccin hayan llegado a este extremo. Este trozo extremo de impurezas puede cortarse y el proceso completo se puede repetir hasta alcanzar el nivel de impurezas deseado. La operacin final antes de que la fabricacin del semiconductor se lleve a cabo es la formacin de un solo cristal de germanio o silicio. Esto se puede lograr usando la tcnica de Czochralski o la de zona flotante, la ltima es la que se ha diseado recientemente. El aparato empleado en la tcnica de Czochralski se muestra en la pgina siguiente de esta memoria. El material policristalino se transforma primero a su estado derretido por medio de las bobinas de induccin de RF. La "semilla" de un solo cristal del nivel de impureza deseado se sumerge en el germanio derretido y se retira gradualmente mientras que el eje que sostiene la semilla se voltea lentamente. Cuando la "semilla" es retirada, un solo cristal de germanio con estructura en enrejado crecer sobre la "semilla" como se muestra en la figura. Los lingotes de un solo cristal tienen tpicamente entre 6 y 36 pulgadas de longitud y entre 1 y 5 pulgadas de dimetro. Han sido desarrollados lingotes que tienen 48 pulgadas de longitud y 3 pulgadas de dimetro. El peso de una estructura como sta es de alrededor de 28.5 lb. La tcnica de zona flotante elimina la necesidad de tener simultneamente un proceso de zona de refinamiento y de formacin de un solo cristal. Ambos pueden lograrse al mismo tiempo utilizando esta tcnica. Una segunda ventaja de este mtodo es la ausencia del grafito o del cristal de cuarzo, que a menudo introduce impurezas en el germanio o en el lingote de silicio. Dos soportes sostienen la barra de germanio o silicio en la posicin vertical dentro de un conjunto de bobinas de induccin mviles de RF como se muestra en la figura de la derecha. Una "semilla" de un pequeo cristal del nivel de impureza deseado se deposita en el extremo inferior de la barra y se calienta con la barra de germanio hasta alcanzar el estado derretido. Las bobinas de induccin se mueven lentamente hacia arriba del lingote de germanio o silicio mientras que la barra se rota lentamente. Como antes, las impurezas siguen al estado derretido, produciendo por debajo de la zona un solo cristal enrejado de germanio con un nivel de impureza mejorado. Por medio de un control adecuado del proceso, siempre habr suficiente tensin de superficie en el material semiconductor para garantizar que el lingote no se rompe en la zona derretida. La estructura del cristal simple producida puede cortarse en obleas algunas 1/5 del espesor de este veces tan delgadas como 1/1000 ( 0.001) de pulgada ( papel).Este proceso de corte puede lograrse usando el sistema de la figura de la izquierda. En la figura, los alambres de tungsteno (0.001 pulgadas de

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dimetro) con superficies de depsitos abrasivo se conectan a bloques de soporte con espaciamiento adecuado y el sistema completo se mueve para adelante y para atrs como una sierra. El efecto Hall En esencia, el efecto Hall dice que cuando un conductor que lleva corriente se coloca en un campo magntico, se genera un voltaje en la direccin perpendicular tanto a la corriente como al campo magntico. Esta observacin proviene de la desviacin de los portadores de carga hacia uno de los lados del conductor como resultado de la fuerza magntica experimentada por los portadores de carga. El efecto tambin da lugar a una tcnica para medir los campos magnticos. Para observa el efecto Hall, un campo magntico se aplica se aplica a un conductor que lleve corriente. Cuando I est en la direccin de x y B en la direccin de y como se muestra en la imagen, tanto los portadores de carga positivos como negativos son desviados hacia arriba en el campo magntico. El voltaje Hall es medido entre los puntos a y c. La cantidad 1/nq se conoce como coeficiente Hall, RH. La ecuacin indica que puede utilizarse una muestra apropiadamente calibrada para medir la intensidad de un campo magntico desconocido. Ya que no pueden medirse todas las cantidades que aparecen en la ecuacin, excepto nq, se obtiene con facilidad un valor para el coeficiente Hall. El signo y magnitud de RH proporciona el signo de los portadores de carga y su densidad. Hay que hacer notar que para semiconductores como el silicio y el germanio la frmula no es del todo vlida ya que slo pueden ser explicadas las discrepancias si se aplica un modelo basado en la naturaleza cuntica de los slidos. Nivel de Fermi Los nmeros de portadores libres (electrones y huecos) en cualquier parte macroscpica de semiconductor son relativamente grandes, lo suficientemente grandes como para aplicar las leyes de la mecnica estadstica con el fin de determinar las propiedades fsicas. Una propiedad importante de los electrones en los cristales es su distribucin, en el equilibrio trmico, entre los estados permitidos de energa. Las consideraciones bsicas de las maneras de poblar los estados permitidos de energa, con partculas sujetas al principio de exclusin de Pauli, conduce a una funcin de distribucin para los electrones en la energa, que se llama funcin de distribucin de Fermi-Dirac. Esta funcin se denota por D (E) y tiene la forma: Donde EF es una energa de referencia llamada energa de Fermi o nivel Fermi. A partir de la ecuacin se ve que D (EF) siempre es igual a . La funcin de distribucin de Fermi-Dirac, a menudo conocida simplemente como funcin de Fermi, describe la probabilidad de que un estado en la energa, E, se llene por medio de un electrn. Como se muestra en la figura, en a), la funcin de Fermi tiende a la unidad, a energas mucho menores que EF, indicando que, principalmente, los estados inferiores se llenan de energa. La funcin es muy

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pequea a energas superiores, indicando que, en el equilibrio trmico pocos electrones se encuentren en estados de alta energa, lo que es congruente con la intuicin fsica. A la temperatura del cero absoluto, todos los estados permitidos por debajo de EF, estn llenas y todos los estados por encima de l estn vacos. A temperaturas finitas, la funcin de Fermi no cambia tan abruptamente; se tiene una probabilidad pequea de que algunos estados, por encima del nivel de Fermi, estn ocupados y algunos estados por debajo de l estn vacos. La funcin de Fermi slo representa una probabilidad de ocupacin y no contiene informacin alguna acerca de los estados disponibles para ser ocupados y, por lo tanto, no puede, por s misma, especificar la poblacin de electrones de una energa dada. Una aplicacin de la fsica cuntica a un sistema revelar la informacin acerca de la densidad de estados disponibles. 5. Tecnologa de los semiconductores Difusin El proceso de difusin generalmente comprende dos pasos. Primero, los tomos contaminantes se colocan sobre o cerca de la superficie de la oblea, mediante un paso de depsito gaseoso, o bien, cubriendo la oblea con una capa que contenga la impureza contaminante deseada. Despus le sigue una difusin de introduccin, la cual mueve a los tomos contaminantes ms hacia la oblea. La forma de la distribucin del contaminante queda determinada principalmente por la manera en que se coloca el contaminante cerca de la superficie, mientras que la profundidad de la difusin depende principalmente de la temperatura y del tiempo de la difusin de introduccin. Dado que las caractersticas de los dispositivos semiconductores dependen de la naturaleza del perfil del contaminante, resulta til analizar un poco ms el proceso de difusin. Cuando los tomos contaminantes se colocan sobre un trozo de silicio y la oblea se calienta hasta una temperatura lo suficientemente alta, los tomos contaminantes emigran en el cristal. Este movimiento ocurre debido al gradiente de concentracin de los tomos contaminantes, con los tomos movindose desde la regin de alta concentracin, cercana a la superficie, hacia las regiones de concentracin ms baja, hacia adentro de la oblea. La difusin de los tomos contaminantes surge de la misma manera que la corriente de difusin de los portadores libres. La principal diferencia entre los dos casos es la temperatura necesaria, antes de que ocurra la migracin. Comnmente, los tomos contaminantes deben hacer su camino a travs de la red, encontrando lugares vacantes dejados por el silicio, mientras que los portadores libres en la banda de valencia o de conduccin pueden moverse sin que esto se lleve a efecto. Se requieren temperaturas del orden de los 1000 C para suministrar la energa necesaria para que se presente una difusin apreciable de los tomos contaminantes tpicos. Implantacin inica A veces se utiliza sta tcnica como una alternativa a la difusin, con el fin de

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introducir tomos contaminantes en regiones seleccionadas de un dispositivo semiconductor. Primero se ioniza el tomo contaminante deseado y, a continuacin, se acelera mediante un campo elctrico, hasta una energa alta (tpicamente, de 20 a 200 KeV). Un haz de estos iones de alta energa choca contra la superficie del conductor y penetra en las regiones expuestas de la oblea. Tpicamente, la penetracin es de menos de una micra hacia debajo de la superficie y, durante una implantacin, se hace un dao considerable al cristal. Como consecuencia, se requiere un tratamiento subsiguiente de recocido, para restaurar la calidad de la red cristalina y asegurar que los tomos contaminantes implantados estn localizados en posiciones de sustitucin en donde actuarn como donadores o aceptores. Si se desea, despus de que se han implantado los iones, pueden redistribuirse a travs de una difusin subsiguiente. Pueden usarse varios materiales, tales como fotorresistencias o metales, para evitar que los iones entren a regiones seleccionadas de la oblea, precisamente como se usa el xido para evitar que las impurezas contaminantes entre a porciones de una oblea, durante un depsito gaseoso. Sin embargo, a diferencia de la difusin, la implantacin de iones permite un control preciso del nmero de tomos contaminantes que entra a la oblea, como iones elctricamente cargados, durante la implantacin, es posible contar las cargas por medio de un aparato relativamente sencillo, y puede darse por terminada la implantacin, cuando se ha implantado la cantidad deseada. Adems del control del nmero total de tomos contaminantes, la implantacin de iones ofrece tambin una pureza ms alta de las especies contaminantes que la que se obtiene con la difusin gaseosa Bibliografa 1. Ander, Paul. Principios de Qumica.Editorial Limusa, Mxico, 1977. 2. Daniels y Alberti. Fisicoqumica. Editorial Pueblo y Educacin, La Habana, 1977. 3. Gastella, G. W.Fisicoqumica. Addison-Wesley Iberoamericana, Mxico, 1981

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UNIDAD IV. EL ESTADO GASESEOSO.


http://www.educaplus.org/gases/gasideal.html http://es.wikipedia.org/wiki/Ley_de_los_gases_ideales#Ley_de_Boyle-Mariotte http://www.mitecnologico.com/Main/LeyesDeLosGasesIdeales

Ley de Boyle-Mariotte
Tambin llamado proceso isotrmico. Afirma que, a temperatura y cantidad de materia constante, el volumen de un gas es inversamente proporcional a su presin:

Leyes de Charles y Gay-Lussac


En 1802, Louis Gay Lussac publica los resultados de sus experimentos, basados en los que Jacques Charles hizo en el 1787. Se considera as al proceso isobrico para la Ley de Charles, y al isocoro (o isostrico) para la ley de Gay Lussac.

Proceso isobaro (de Charles)

Proceso isocoro (de Gay Lussac)

Ley de Avogadro
La Ley de Avogadro fue expuesta por Amedeo Avogadro en 1811 y complementaba a las de Boyle, Charles y Gay-Lussac. Asegura que en un proceso a presin y temperatura constante (isobaro e isotermo), el volumen de cualquier gas es proporcional al nmero de moles presente, de tal modo que:

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Esta ecuacin es vlida incluso para gases ideales distintos. Una forma alternativa de enunciar esta ley es:

El volumen que ocupa un mol de cualquier gas ideal a una temperatura y presin dadas siempre es el mismo.

Un mol de cualquier gas ideal a una temperatura de 0 C (273,15 K) y una presin de 1013,25 hPa ocupa un volumen de 22,4140 litros.

La ecuacin de estado
La ecuacin que describe normalmente la relacin entre la presin, el volumen, la temperatura y la cantidad (en moles) de un gas ideal es:

Donde:
= Presin = Volumen = Moles de Gas. = Constante universal de los gases ideales . = Temperatura absoluta

La ecuacin de estado para gases reales


Haciendo una correccin a la ecuacin de estado de un gas ideal, es decir, tomando en cuenta las fuerzas intermoleculares y volmenes intermoleculares finitos, se obtiene la ecuacin para gases reales, tambin llamada ecuacin de Van der Waals:

Donde:
= Presin del gas = Volumen del gas

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= Moles de gas. = Constante universal de los gases ideales = Temperatura. y son constantes determinadas por la naturaleza del gas con el fin de que haya la mayor congruencia posible entre la ecuacin de los gases reales y el comportamiento observado experimentalmente.

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TEMA V. PROCESOS DE OXIDACION REDUCCION. PILAS Y ELECTROLISIS


PAGINAS DE INTERNET
1) 2) 3) 4) http://html.rincondelvago.com/definiciones-quimicas.html http://ciencias.huascaran.edu.pe/modulos/m_pilas/glosario.htm http://www.erpt.net/tienda/c189.html http://www.librys.com/piladaniell/

Objetivos: Conocer las definiciones de oxidacin y reduccin desde las perspectivas de la qumica. Explicar el equilibrio que se produce en las sustancias electrolticas. Diferenciar electrolitos fuertes de electrolitos dbiles. Representar mediante ecuaciones los procesos de equilibrio inico. Explicar la esencia de las ecuaciones matemticas que modelan los procesos inicos. Diferencias los conceptos de pilas y electrolisis. Desarrollar habilidades en la realizacin de problemas de clculo que involucren procesos de ionizacin, equilibrio inico y determinacin de la Fuerza Electromotriz. OXIDACION REDUCCION La oxidacin qumica es un proceso de perdida de electrones, mientras que la reduccin es un proceso de ganancia de electrones. Una especie qumica se caracteriza su grado de oxidacin que aumenta o disminuye segn esta especie ceda electrones o gane electrones: Oxidacin: Na0 -1e Na+ Ca0 2e Ca2+ Al0 -3e Al3+ Reduccin: O0+2eO2S0+2eS2-

Los procesos de oxidacin y reduccin se producen simultneamente, es decir, cuando se produce una oxidacin por algn lado del sistema qumico necesariamente ah de producirse una reduccin.Este proceso se pone de manifiesto en la formacin de la sustancia NaCl a partir del sodio metlico y el gas cloro. 2Na(s) + Cl2(g) 2 NaCl Los procesos de oxidacin y reduccin se pueden representar por medias ecuaciones o semiecuaciones de oxidacin y reduccin respectivamente: Oxidacin : 2 Na0-2e2Na+ Reduccin: Cl2 + 2e 2Cl-

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Total 2 Na0+ Cl22NaCl POTENCIALES DE ELECTRODOS.

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Los procesos de oxidacin reduccin transcurren con cambios en los potenciales de las especies qumicas que estn involucradas. Los potenciales se les conocen como potenciales de electrodos y todos son potenciales de reduccin. Estos potenciales han sido calculados experimentalmente y ellos expresan la facilidad de las especies qumicas de pasar de formas oxidadas a formas reducidas. Los potenciales de la tabla se conocen como potenciales normales y el trmino normal se refiere a las condiciones especiales en las cuales se encontraban las especies qumicas cuando fueron calculados los potenciales: estas condiciones son fundamentalmente: Las concentraciones de las especies inicas son de 1 mol/L. Las presiones de los gases involucrados en el proceso debe ser de 101,3 kPa ( 1 atmsfera). ACOPLAMIENTO DE ELECTRODOS EN UNA PILA GALVANICA Cuando dos electrodos se unen por medio de un conductor metlico y se establece un contacto entre las disoluciones por medio de un puente salino, se constituye un sistema que produce una corriente directa de manera espontnea y que se llama PILA GALVANICA. Ejemplo: Pila de zinc y cobre. Concentraciones de las disoluciones : 1 mol/L . Electrodos de Cobre y Zinc. nodo (oxidacin): Zn2+ + 2e Ctodo (reduccin): Cu2+ + 2e Zn0 Cu0 E0 = -0,76 v E0 = 0,36 v

Como el proceso de oxidacin es lo inverso de la reduccin, la semiecuacion de oxidacin debe ser invertida: nodo (oxidacin): Zn0 Zn2+ + 2e E0 = -0,76 v Ctodo (reduccin): Cu2+ + 2e Cu0 E0 = 0,36 v TOTAL Zn0 + Cu2+ Zn2+ + Cu0 ET = Ecatodo-Eanodo = 0,36-(-0,76) = 1,1 v La pila anterior es un sistema de redox que funciona espontneamente produciendo una fuerza electromotriz que se emplea para producir trabajo elctrico. Las pilas tienen ua representacin termodinmica: Electrodo nodo/ iones del nodo// puente salino // iones del ctodo/ electrodo ctodo. La pila Zn Cu se puede representar como: Zn 0 Zn 2 + (1 mol / L Cu 2 + (1 mol / L) Cu 0 Las pilas son procesos espontneos. Por eso cuando calculamos la FEM esta es positiva. Tambin existe una expresin matemtica que permite el clculo de la Energa libre en una pila. ET = EC EA >0

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G = nFE F: Numero de Faraday =96 500 coulombs En la pila anterior, considerando las disoluciones electrolticas concentraciones 1 mol/L, las reacciones andicas y catdicas serian: nodo: Zn0- 2e Ctodo: 2Ag+ + 2e TOTAL Zn0 + 2Ag+ Zn2+ 2Ag0 Zn2+ +2Ag0 E0 = - 0,76 v E0 = 0,80 v ET = 1,56 v

de

G = nFE = -2* 96 500 C * 1,56 v = - 310,08 kJ


.

PILA Zn - Cu.

ELECTROLISIS Las electrolisis son procesos provocados. Suceden cuando a travs de una disolucin electroltica o a travs de una sal fundida pasa corriente elctrica. El paso de una corriente de electrones provoca cambios en los electrodos pues se produce la descarga de los iones de la sal fundida o del os iones que se encuentran en disolucin acuosa. Las electrolisis son procesos contrarios a las pilas, pues mientras que las primeras son procesos espontneos, las electrlisis son procesos no espontneos Las ecuaciones de las electrolisis son las mismas que las ecuaciones de las pilas, solo que son invertidas pues son procesos no espontneos. En una electrolisis el

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cambio en la energa libre en de valor positivo lo cual indica que no ocurre por si solo. G 0 > 0

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EL PROCESO ELECTROQUMICO DE LA CORROSIN METLICA Sin entrar en detalles demasiado complejos intentaremos, de una forma sencilla, explicar cual es el mecanismo por el cual se origina la corrosin metlica debida a procesos electroqumicos. Para que se produzca corrosin electroqumica deben cumplirse una serie de requisitos, siendo su origen bsicamente el mismo: un flujo de electricidad entre dos metales diferentes en contacto, o entre ciertas partes de una misma superficie metlica, a travs de una solucin capaz de conducir una corriente elctrica. A estos dos metales, o diferentes partes de uno mismo, las llamaremos ELECTRODOS, mientras que a la solucin la llamaremos ELECTROLITO. Para que exista una corriente elctrica debe existir una DIFERENCIA DE POTENCIAL entre los electrodos; diferencia de potencial que puede ser generada externamente o, lo que resulta mas comn generada por el propio sistema. Adems los electrodos deben estar conectados por un conductor de primera especie, es decir aquellos que permiten el pasaje de electrones libres a travs de su masa (metales, carbono). Antes de seguir con el proceso conviene recordar algunos conceptos. En primer lugar recordemos que un slido sumergido en un lquido se disuelve y que este proceso que comienza en forma rpida se va haciendo ms lento hasta el momento en que cesa, es decir hasta que el lquido se satura. Los metales a los que calificamos como insolubles, tambin pierden molculas en estas circunstancias, lo que sucede es que frente a un metal el liquido se satura rpidamente. Recordemos tambin que para que el proceso contine resulta necesario retirar de la solucin parte de estas molculas disueltas, o variar las condiciones de disolucin por ejemplo modificando la temperatura. Conviene recordar tambin que un ION es un tomo, molcula o partcula con su carga elctrica desequilibrada, y que cuando predominan las cargas elctricas positivas recibe el nombre de catin y, cuando por el contrario predominan las cargas negativas recibe el nombre de anin. Si en el seno de un lquido tenemos cierta cantidad de iones y estos se desplazan, tendremos una corriente elctrica con movimiento de materia, y a este liquido que contiene iones y puede conducir electricidad se le llama ELECTROLITO. En ciertas condiciones el agua puede convertirse en electrolito y si est en contacto con la atmsfera, tiene adems la propiedad de disolver el oxigeno del aire. Con estas aclaraciones estamos en condiciones de comenzar con la explicacin del proceso de corrosin Supongamos que se tienen dos electrodos metlicos (uno de estos de hierro) en contacto metlico sumergidos en un electrolito. Como dijimos anteriormente este electrodo de hierro comenzara a perder electrones que se desplazarn hacia las zonas menos cargadas elctricamente obtenindose de esta forma una diferencia de potencial entre ambos electrodos. An si los dos electrodos son del mismo material el proceso de disolucin puede ser diferente obtenindose tambin una pequea diferencia de potencial.
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Si los electrodos son de diferente material, con propiedades de disolucin diferentes, esta diferencia es an mayor. Como el agua tiene una capacidad de disolucin muy limitada frente a los metales esta rpidamente se satura y el proceso se interrumpe. Esto es as si en el agua no existieran iones oxidrilo (OH) negativos, que combinados con los iones de hierro positivos forman oxido ferroso (de color pardo verdoso), neutralizando sus cargas. Posteriormente y si hay suficiente oxigeno se convierte en hidrxido frrico de color amarillo que se adhiere al metal o se precipita al fondo del recipiente. Pero como dijimos anteriormente este proceso no es indefinido y a medida que estas reacciones qumicas dejan de producirse el proceso se interrumpe. El mecanismo que sigue y donde cobra intervencin el hidrogeno y el oxigeno (y que no explicaremos por el alcance de esta nota) permiten que este proceso contine y por lo tanto tambin la corrosin. Si se interrumpe cualquier paso de este proceso la corrosin se detiene. En efecto, si por ejemplo interrumpimos la conexin elctrica, no resulta posible la circulacin de electrones, lo mismo ocurre si retiramos el electrolito o impedimos la formacin de iones.

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PREGUNTA ESCRITA # 1 DE FISICOQUIMICA DE METALES Y SEMICONDUCTORES


TEMARIO B

NOMBRE Y APELLIDOS:

FECHA:

1. Se tienen tres elementos qumicos, A, B y C cuyos nmeros atmicos son: A, z= 6 B, z=15 C, z= 27 a)Haga la distribucin electrnica por orbitales atmicos de cada uno de ellos b)Diga cules de ellos son REPRESENTATIVOS y cuales de TRANSICION. c)En caso de ser REPRESENTATIVO diga el GRUPO Y EL PERIODO de la tabla a que pertenece cada elemento. 2. Diga cuales de las siguientes proposiciones son verdaderas(V) y cuales son falsas(F) Los electrones estn en el ncleo del tomo......................................... Los protones son de carga negativa.......................................................... Los orbitales P y d existen en todos los niveles de energa................... Los orbitales son zonas donde se puede hallar el electrn con mayor probabilidad............................................................................................ Los tomo son slidos e indivisibles.....................................................

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PREGUNTA ESCRITA # 1 DE FISICOQUIMICA DE METALES Y SEMICONDUCTORES


TEMARIO A

NOMBRE Y APELLIDOS:

FECHA:

1. Se tienen tres elementos qumicos, A, B y C cuyos nmeros atmicos son: A, z= 16 B, z=5 C, z= 22 a)Haga la distribucin electrnica por orbitales atmicos de cada uno de ellos b)Diga cules de ellos son REPRESENTATIVOS y cuales de TRANSICION. c)En caso de ser REPRESENTATIVO diga el GRUPO Y EL PERIODO de la tabla a que pertenece cada elemento. 2. Diga cuales de las siguientes proposiciones son verdaderas(V) y cuales son falsas(F) Los gases nobles son muy reactivos.................................................... Los tomos son elctricamente neutros...................................................... El orbitales S existe en todos los niveles de energa............................ La masa del tomo est concentrada en la envoltura................................................................................................ El radio atmico aumenta en un periodo....................................................

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PREGUNTA ESCRITA # 2 DE FISICOQUIMICA


TEMARIO B

NOTA =

NOMBRE :

FECHA: Mayo 14, 2004

3. Se tienen tres elementos qumicos, A, B y C cuyos nmeros atmicos son: A, z = 6 B, z =15 C, z = 27 a)Haga la distribucin electrnica por orbitales atmicos de cada uno de ellos b)Diga cules de ellos son REPRESENTATIVOS y cuales de TRANSICION. c)En caso de ser REPRESENTATIVO diga el GRUPO Y EL PERIODO de la tabla a que pertenece cada elemento. 4. Diga cuales de las siguientes proposiciones son verdaderas(V) y cuales son falsas(F) Los electrones estn en el ncleo del tomo......................................... Los protones son de carga negativa.......................................................... Los orbitales P y d existen en todos los niveles de energa................... Los orbitales son zonas donde se puede hallar el electrn con mayor probabilidad............................................................................................ Los tomos son slidos e indivisibles.....................................................

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PREGUNTA ESCRITA # 2 DE FISICOQUIMICA


TEMARIO A

NOTA =

NOMBRE :
2004

FECHA: Marzo 11,

3. Se tienen tres elementos qumicos, A, B y C cuyos nmeros atmicos son: A, z = 16 B, z =5 C, z = 22 a)Haga la distribucin electrnica por orbitales atmicos de cada uno de ellos b)Diga cules de ellos son REPRESENTATIVOS y cuales de TRANSICION. c)En caso de ser REPRESENTATIVO diga el GRUPO Y EL PERIODO de la tabla a que pertenece cada elemento. 4. Diga cuales de las siguientes proposiciones son verdaderas(V) y cuales son falsas(F) Los gases nobles son muy reactivos.................................................... Los tomos son elctricamente neutros...................................................... El orbitales S existe en todos los niveles de energa............................ La masa del tomo est concentrada en la envoltura................................................................................................ En un orbital p caben slo tres electrones....................................................

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57 PRIMER PARCIAL DE FISICOQUIMICA DE METALES Y SEMICONDUCTORES

TEMARIO A NOMBRE:

FECHA:

1. Dado los siguientes elementos qumicos y sus nmeros atmicos: a) b) c) d) Ca, z=20 S, z=16 Na, z=11 F, z=9

1.1 Desarrolle la distribucin electrnica por orbitales atmicos de los tomos de cada uno 1.2 Ubique los smbolos de los elementos en las posiciones que les corresponden en la sesin de tabla que aparece ms abajo 1.3 Qu enlace se produce con mayor probabilidad entre los tomos de los elementos Na y F? Por qu? I 1 2 3 4 Las propiedades de la sustancia CCl4 se explican a partir de la teora de la hibridacin de orbitales: a) Desarrolle el modelo de hibridacin del tomo central para esta molcula. Diga el tipo de hibridacin que la caracteriza. b) Diga forma espacial de la molcula. c) Diga si los enlaces carbono cloro son polares a apolares y por qu d) Explique si la molcula ser o no soluble en agua. Datos: C, z=6 Cl: z=17 3. Explique el mecanismo por el cual una sustancia de enlace inico como el NaCl capaz es capaz de disolverse en el agua.. 4. Por qu los metales son buenos conductores de la corriente elctrica? Por qu el diamante no es buen conductor? II III IV V VI VII VIII

2.

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PRIMER PARCIAL DE DE FISICOQUIMICA DE METALES Y SEMICONDUCTORES

TEMARIO B NOMBRE: 1. Dado los siguientes elementos qumicos: I II III IV V VI VII

FECHA:

VIII

1 2 M W 3 E 4 R K 5 T a) Haga la distribucin electrnica de cada uno de los elementos b) Clasifquelos en metales y no metales. c) Escriba la frmula de la sustancia formada por tomos de M y K. d) Qu tipo de enlace formarn los tomos de los elementos T entre ellos mismos? e) Qu tipo de enlace formarn los tomos del elemento E con los tomos del elemento T? f) Escriba en la tabla el smbolo D que corresponde a un elemento de estructura de ltimo nivel 3s23P3. g) Qu tipo de enlace es caracterstico entre los tomos del elemento W y los tomos del elemento R?Por qu? 2. Las propiedades de la sustancia NH3 se explican a partir de la teora de la hibridacin de orbitales: e) Desarrolle el modelo de hibridacin del tomo central para esta molcula. Diga el tipo de hibridacin que la caracteriza. f) Diga forma espacial de la molcula. g) Diga si los enlaces carbono cloro son polares a apolares y por qu h) Explique si la molcula ser o no soluble en agua. Datos: N, z=7 H: z=1 3. Escriba utilizando la notacin de Lewis la formacin del enlace inio en la sal Li2S. Li, z = 3 S, z = 16
4. Por qu el grafito es buen conductor de la corriente elctrica?

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PREGUNTAS PARA EL EXAMEN EN MAQUINA DE FISICOQUIMICA


PREGUNTAS DE ESTRUCTURA ATOMICA 1. En el tomo: a. Los protones estn en la envoltura del tomo b. Los electrones giran en orbitas fijas. c. La masa est concentrada en la nube electrnica d. La cantidad de protones es menor que la cantidad de electrones. 2. Los orbitales atmicos: a. Son todos iguales. b. Admiten la misma cantidad de electrones para todos los casos c. Son todos en forma circular d. Son zonas donde con mayor probabilidad se puede encontrar el electrn. 3. Los orbtales S a. Admiten hasta cuatro electrones b. Admiten hasta seis electrones c. Admiten hasta catorce electrones d. Ninguna de las propuestas anteriores 4. Los orbitales P a. Son de forma esfrica b. Admiten hasta seis electrones c. Estn en todos los niveles de energa d. Admiten hasta 10 electrones 5. Los orbitales d: a. Admiten hasta 10 electrones. b. Existen solamente en el primer y segundo niveles c. Tienen forma cilndrica d. Admiten hasta catorce electrones. 6. Los orbitales f : a. Son de forma circular b. Admiten cinco electrones c. Admiten dos electrones. d. Ninguna de las anteriores. 7. Los tomos : a. Son slidos e indivisibles b. Se Mueven bajo las leyes de la fsica clsica. c. Contienen partculas subatmicas cargadas. d. No contienen energa. 8. En un orbital atmico el nmero mximo posible son: a. Siete electrones b. Nueve electrones c. Dos electrones d. Ninguna de las anteriores. 9. Los orbitales son: a. Las zonas donde se puede hallar el electrn con mayor probabilidad. b. Los espacios libres en que ese encuentra los protones. c. Las zonas donde se concentra la masa del tomo. d. Las posiciones que admiten cualquier cantidad de electrones en los tomos. 10. Los gases nobles: a. Son reactivos e inflamables. b. Se combinan entre ellos mismos formando molculas diatmicas. c. Tienen todos sus orbitales completos. d. Tienen el ltimo nivel incompleto. 11. La posicin y el movimiento de los electrones en la envoltura se define por: a. Cuatro nmeros cunticos. b. Tres nmeros cunticos. c. Dos nmeros cunticos. d. Un solo nmero cuntico. 12. En los tomos:

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60 a. Los electrones estn junto a los protones. b. Los protones estn junto a los neutrones. c. Los neutrones estn junto a los electrones. d. Ninguna de las anteriores. 13. Un in: a. Es un tomo sin carga. b. Es un tomo con dos cargas positiva y negativa. c. Es un tomo cargado negativo o positivo d. es un tomo con media carga negativa y media carga positiva 14. Los electrones : a. Carecen de movimiento. b. Se mueven a la velocidad de la luz c. Se mueven a la velocidad de 10000 Km x s d. Se mueven a la velocidad de 100 Km x s PREGUNTAS DE LA TABLA PERIODICA La Ley peridica fue descubierta por D. I. Mendeleiev Thompson Niels 1. Bohr Ernest Rutherderford En un grupo de la tabla peridica: El tamao de los tomos aumenta de arriba hacia abajo. El tamao de los tomos disminuye de arriba hacia abajo. El tamao de los tomos se mantiene constante. Ninguna de las anteriores En un periodo de la tabla peridica: El carcter metlico aumenta de izquierda a derecha El carcter metlico se mantiene constante de izquierda a derecha. El carcter metlico disminuye de izquierda a derecha. Ninguna de las anteriores 4. En un grupo de la tabla peridica la energa de ionizacin: a. Aumenta de arriba hacia abajo. b. Se mantiene constante c. Disminuye de arriba hacia abajo. d. Ninguna de las anteriores. 5. En un periodo de la tabla, la electronegatividad e. Disminuye de izquierda a derecha. f. Aumenta de izquierda a derecha. g. Se mantiene constante de de izquierda a derecha. h. Ninguna de las anteriores. 6. Los elementos del grupo I en la tabla son a. Gases nobles b. Halgenos. c. No metales. d. Metales 7. Los gases nobles a. No reaccionan b. Reaccionan solo entre ellos mismos c. Reaccionan con los metales d. Reaccionan con otros no metales 8. Los elementos de transicin. a. Tienen el electrn diferenciante en el antepenltimo nivel. b. Tienen el electrn diferenciante en el ltimo nivel. c. Tienen el electrn diferenciante en el penltimo nivel.

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61 d. Ninguna de las anteriores.

9. Los elementos no metlicos por lo regular estn. a. En los grupos V, VI y VII de la tabla. b. En los grupos I, II y III de la tabla. c. En el grupo VII de la tabla. d. Ninguna de las anteriores. 10. En la tabla peridica: a. Los metales estn el los grupos I, II y III. b. Los no metales estn la serie de transicin. c. Los gases nobles estn en el grupo IV. d. Los no metales estn en el grupo I. 11. Los elementos representativos: a. Tienen el electrn diferenciante en el ltimo nivel b. Tienen el electrn diferenciante en cualquier nivel. c. Tienen el electrn diferenciante en el penltimo nivel. d. Tienen el electrn diferenciante en el antepenltimo nivel. 12. Los elementos de transicin : a. Tienen el electrn diferenciante en el ltimo nivel b. Tienen el electrn diferenciante en cualquier nivel. c. Tienen el electrn diferenciante en el penltimo nivel. d. Tienen el electrn diferenciante en el antepenltimo nivel. 13. Los elementos de transicin interna: a. Tienen el electrn diferenciante en el ltimo nivel b. Tienen el electrn diferenciante en cualquier nivel. c. Tienen el electrn diferenciante en el penltimo nivel. d. Tienen el electrn diferenciante en el antepenltimo nivel PREGUNTAS DEL TEMA DE ENLACE: 1. El enlace inico se produce por : a. Unin de electrones de todos los tomos. b. Por compartimiento de electrones entre los tomos. c. Por transferencia de electrones entre los tomos. d. Por la perdida de electrones de todos los tomos que participan en el enlace. 2. El enlace covalente se produce por: a. Compartimiento de electrones. b. Transferencia de de electrones. c. Unin de electrones. d. Ninguna de las anteriores. 3. Un enlace es inico si la diferencia de electronegatividad entre los tomos es: a. Igual a 6 b. Igual o mayor que 1,7 c. Igual a cero d. Menor que 1,7 4. Un enlace es inico si la diferencia de electronegatividad entre los tomos es: a. Igual a 6 b. Igual o mayor que 1,7 c. Igual a cero d. Menor que 1,7 5. Un enlace covalente polar si la diferencia de electronegatividad entre los tomos es a. Igual a 6 b. Igual o mayor que 1,7 c. Igual a cero d. Menor que 1,7. 6. Un enlace covalente apolar si la diferencia de electronegatividad entre los tomos es a. Igual a 6 b. Igual o mayor que 1,7

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62 c. d. Igual a cero Menor que 1,7.

7. Las sustancias de enlace inico forman: a. Iones positivos y negativos. b. Molculas bipolares. c. Molculas apolares. d. Ninguna de las anteriores. 8. Las sustancias apolares: a. Son muy solubles en agua. b. Son poco algo solubles en agua. c. Son prcticamente insolubles en agua. d. Ninguna de las anteriores. 9. Las sustancias de enlace inico: a. Conducen la corriente en estado slido b. Se funden a muy bajas temperaturas. c. Conducen la corriente cuando estn disueltas en agua. d. Son gases incoloros. 10. En el enlace metlico: a. Los electrones estn deslocalizados. b. Los electrones estn fijos en los enlaces. c. Los electrones se distribuyen uniformemente para cada tomo. d. Ninguna de las anteriores. 11. En el Metano, CH4, la hibridacin del tomo central es a. SP2 b. SP c. SP3d d. SP3 12. En el amonaco, NH3, la forma espacial de la molcula es: a. Pirmide de base triangular. b. Lineal. c. Bipirmide cuadrada. d. Trigonal plana. 13. La forma de la molcula de tricloruro de Boro, BCl3, es: a. Lineal. b. Plana cuadrada, c. Trigonal plana. d. Lineal. 14. El oxgeno en el agua, H2O, tiene hibridacin: a. SP2 b. SP c. SP3d d. SP3 15. El Be en el BI2, tiene hibridacin: a. SP2 b. SP c. SP3d d. SP3 SILICIO, GERMANIO Y SEMICONDUCTORES

1. El silicio puro es: a. Tan buen conductor como los metales. b. Es un aislante natural.

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c. Un buen conductor a bajas temperaturas. d. Un mal conductor a altas temperaturas. 2. Los semiconductores extrnsecos : a. Son conductores cuando se dopan con otras sustancias. b. Son conductores cuando se mojan en agua. c. Nunca pueden conducir. d. Son conductores cuando se les eleva la temperatura. 3. Un semiconductor de tipo N se logra cuando al material base se dopa con a. Un elemento trivalente. b. Un elemento pentavalente. c. Un elemento univalente. d. Un elemento tetravalente 4. Un semiconductor de tipo P se logra cuando al material base se dopa con a. Un elemento trivalente. b. Un elemento pentavalente. c. Un elemento univalente. d. Un elemento tetravalente 5. En los semiconductores de tipo N se mueven: a. Las cargas negativas. b. Los huecos positivos. c. Ambas cargas, positivas y negativas. d. Ninguna de las anteriores 6. Un semiconductor intrnseco: a. Tiene propiedades conductoras a bajas temperaturas. b. Tiene propiedades conductoras a altas temperaturas. c. No conduce la corriente aunque se le cambie la temperatura d. Siempre conduce la corriente. 7. Los semiconductores se fabrican: a. En cualquier ambiente de temperatura y humedad. b. En lugares hmedos pero de bajas temperaturas. c. En locales abiertos. d. En espacios cerrados, secos y con sistemas de ventilacin especiales. 8. Las personas que laboran en la fabricacin de semiconductores: a. Trabajan con ropas normales. b. Trabajan slo usando mscaras. c. Utilizan trajes cerrados, aislantes con mscaras e intercomunicadores. d. Emplean solamente guantes y mscaras. 9. Un material utilizado para el dopado de los semiconductores es: a. El agua. b. El magnesio. c. El boro. d. El helio 10. Los elementos bsicos ms importantes para fabricar semiconductores son: a. Germanio y silicio. b. Platino y nquel. c. Yodo y astato.

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d. Francio y estroncio.
11. El silicio puro, z = 14, tiene: a. Estructura de hibridacin SP3 b. Siete electrones en el ltimo nivel. c. Conductividad elctrica alta. d. Alta solubilidad en el agua. 12. El germanio puro: a. Es un metal buen conductor de la corriente b. Hay que doparlo para hacerlo semiconductor. c. En soluble en agua. d. Reacciona con los gases nobles. PILAS 1. El voltaje la pila normal de Li-F es: a. 2.33 v b. 7.41 v c. 5.92 v d. 0,05 v 2. Para la pila

Al( s ) Al 3+ 1mol Ag + 1mol Ag ( s ) el voltaje de la pila es: l l

a. 9,90 v b. 2,46 v c. 0,99 v d. 1,55 v 3. En la pila normal Pb-Br el potencial total es: a. 0.11 v b. 8.76v c. 1.2 v d. 6,00 v 4. En la pila a. b. c. d. normal de Mg-Au el potencial total de la pila es: 6,99 v 3,87 v 11,01 v 0,72 v

5. En la pila normal Co-Li a. El nodo es el Co b. El nodo es el Li c. El potencial el de 0,33v. d. El potencial es de 9,21 v. 6. En la pila normal Pb- K. a. El voltaje es de 3,06 v b. El voltaje es de 2,8 v. c. El ctodo es el potasio. d. El nodo es el plomo. 7. En la pila normal de Zn-Cl : a. El voltaje total es de 2,12 v b. El voltaje total es de 2,12 v c. El voltaje total es de 0,212 v d. El voltaje total es de 21,2 v. 8. Para la pila a. b.

Al( s ) Al 3+ 0 , 01mol Ag + 100 mol Ag ( s ) el voltaje de la pila es: l l

0,33v 1,22v

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65 c. d. 2,46 v Un valor mayor a 2,46 v

9. Para la pila a. b. c. d.

Cr( s ) Cr 3+ 1mol F 1mol F2 ( g ) ,C( grafito ) el voltaje de la pila es: l l

2,34 v 6,72 v 3,61 v 0,11 v

10. Para la pila a. b. c. d.

Fe( s ) Fe 2+ 0 , 001mol Ag + 10 mol Ag ( s ) el voltaje de la pila es: l l

1,24 v menor que 1,24 v mayor que 1,24 v cero.

11. Para la pila a. b. c. d. 12. En la pila a. b. c. d.

Mn( s ) Mn 2+ 1mol Cd 2+ 1mol Cd ( s ) el voltaje de la pila es: l l

1,58 v 0,78 v 6,71 v 0,5 v

Cr( s ) Cr 3+ 1mol F 1mol F2 ( g ) ,C( grafito ) el voltaje de la pila es: l l


3,03 v -3,03 v 0,75 v 2, 75 v

13. Para la pila a. b. c. d. 14. En la pila a. b. c. d.

Cd ( s ) Cd 2+ 1mol Br 1mol , Br2 ( l ) C( grafito ) el voltaje de la pila es: l l

3,33 v 1,21 v 0,92 v -0,92 v

Ca( s ) Ca 2+ 0 , 001mol H + ( pH =1) H 2 ( g ) , Pt( s ) el voltaje de la pila es: l


2,87 v menor que 2,87 v mayor que 2,87 v cero.

PREGUNTAS DEL TEMA DE ELECTROLISIS 1. En la electrlisis de una sal fundida de NaF el potencial mnimo necesario es: a. 0,16 v b. 5,58 v c. 3,33v d. 1 v 2. Para hacerla electrlisis de la sal fundida de CoCl2, se necesita una fuente que produzca: a. 5 v b. 1,08 v c. 0,8 v d. 1,64 v 3. En la electrlisis de una sal fundida de FeI2, el potencial mnimo necesario es: a. 0,97 v

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66 b. 0,09 v c. 0,5 v d. 0,4 v 4. En la electrolisis de la disolucin de NaCl de concentracin normal, a pH = 7 y con electrodos inertes de grafito: a. en el nodo se obtiene el cloro b. en el nodo se obtiene el sodio c. en el nodo se obtiene el hidrgeno. d. En el nodo se obtiene el oxgeno. 5. En la electrolisis de la disolucin de AgI de concentracin normal, a pH = 4 y con electrodos inertes de grafito: a. En el ctodo se obtiene el yodo b. En el ctodo se obtiene el hidrgeno. c. En el ctodo se obtiene la plata. d. En el ctodo se obtiene el oxigeno. 6. En la electrolisis de la disolucin de NiBr2 de concentracin 10 mol l-, a pH = 7 y con electrodos inertes de grafito: a. En el nodo se obtiene el hidrgeno b. El en nodo se obtiene el nquel. c. En el nodo se obtiene el oxgeno. d. En el nodo se obtiene el bromo. 7. En la electrolisis de la disolucin de CuI2 de concentracin normal, a pH = 6 y con electrodos inertes de grafito: a. En el ctodo se obtiene hidrgeno b. En el ctodo se obtiene el Cobre slido c. En el ctodo se obtiene oxgeno gaseoso d. En el ctodo se obtiene el yodo. 8. En la electrlisis de una disolucin de PbCl2 de concentracin 10 mol l-1, a pH = 7 y con electrodos inertes de grafito: a. En el nodo se obtiene el hidrgeno gaseoso. b. En el nodo se obtiene el oxgeno gaseoso. c. El en nodo se obtiene el plomo slido. d. En el nodo se obtiene el cloro gaseoso. 9. En la electrolisis de la disolucin de FeCl2 de concentracin normal, a pH = 2 y con electrodos inertes de grafito: a. En el ctodo se obtiene el oxgeno. b. En el ctodo se obtiene el hidrgeno. c. En el ctodo se obtiene el cloro. d. En el ctodo se obtiene el hierro slido. 10. En la electrolisis de la disolucin de AgBr de concentracin 0,001 mol L-1, a pH = 7 y con electrodos inertes de grafito: a. En el ctodo se obtiene el oxgeno. b. En el ctodo se obtiene el hidrgeno. c. En el ctodo se obtiene el bromo. d. En el ctodo se obtiene la plata slida

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PRACTICA DE LABORATORIO #1

ABRIL 26, 2006

ESTRUCTURA Y PROPIEDADES DE LAS SUSTANCIAS NOMBRE:


MATERIALES: Gradilla, 6 tubos de ensayos, pinza para tubos de ensayos, vaso precipitado, cucharilla, quemador bunsen o de alcohol, frasco lavador, lmpara de prueba, vidrio reloj, vaso precipitado. REACTIVOS: Agua destilada, gasolina, alcohol etlico. TECNICA OPERATORIA. 1. Al llegar al laboratorio verifique que en su puesto de trabajo se encuentren todos los materiales necesarios para el desarrollo de la prctica de laboratorio. 2. Coloque una muestra de la sustancia A en un tubo de ensayos. Para tomar la muestra de sustancia utilice la cucharilla esptula. Caliente la muestra del tubo de ensayos y observe si es alto o bajo el punto de fusin de la sustancia. 3. Repita la misma operacin del paso 2 con cada una de las restantes sustancias B,C,D,F, 4. Coloque una porcin de la sustancia E en un vaso precipitado. Cubra el vaso precipitado con un vidrio reloj. Caliente el contenido con un quemador. Observe y anote. 5. Coloque una muestra de sustancia A en un vaso precipitado y compruebe la conductividad del slido. Para comprobar la conductividad utilice la lmpara de pruebas. Tome las precauciones necesarias para evitar un accidente. 6. Agregue al vaso precipitado agua destilada que est contenida en el frasco lavador. Agite y anote su observacin en la tabla de resultados. Verifique si el slido se ha disuelto en el agua. En caso que s se disuelva compruebe la conductividad elctrica de la disolucin con la lmpara de prueba. Anote el resultado. 7. Repita la misma operacin del paso 5 con cada una de las restantes sustancias B,C,D,E,,F. 8. Coloque una muestra de la sustancia A en un tubo de ensayos. Para tomar la muestra de sustancia utilice la cucharilla esptula. Agregue al tubo de gasolina que est contenida en el frasco lavador.. Agite el tubo de ensayos y anote su observacin en la tabla de resultados. 9. Repita la misma operacin del paso 7 con cada una de las restantes sustancias B,C,D,E,,F. 10. Anote los resultados en la tabla.. Estado de agregacin A B C D E F Punto de fusin Solubilidad en agua Conductividad elctrica en slido Conductividad en disolucin Solubilidad en Gasolina

CONCLUSIONES: TIPO DE ENLACE A B C D E F TIPO DE SLIDO INTERACCIONES ENTRE PARTICULAS

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68 PRACTICA DE LABORATORIO 2 PILAS Y ELECTROLISIS NOMBRE: FECHA: MAYO 6 2006 Objetivos: 1) Desarrollar habilidades en el uso de los reactivos y equipos de laboratorio. 2) Comprobar el desarrollo de diferentes reacciones de REDOX. 3) Poner a punto la pila Zn- Cu 4) Poner a punto la electrlisis de una disolucin concentrada de KI EQUIPOS Y REACTIVOS: Tster, fuente de corriente, cables con pinza caimn, Gradilla, tubos de ensayos, vasos precipitado, frasco lavador, pipeta, papel de filtro, cobre slido, zinc metlico, hierro metlico, aluminio metlico, grafito, Disolucin de Sulfato de cobre(II), Disolucin de Sulfato de zinc, Disolucin concentrada de Yoduro de Potasio, Disolucin de cloruro de sodio, cido clorhdrico, Fenolftalena incolora TECNICA OPERATORIA: Reacciones de REDOX 1) En sendos tubos de ensayos coloque disoluciones de Sulfato de cobre II, sulfato de zinc, cido clorhdrico cloruro de sodio y cido ntrico. 2) Introduzca en cada tubo una granalla de Zinc. Observe y anote lo que sucede. 3) Escriba las reacciones del proceso teniendo en cuenta los potenciales de electrodo 4) Repita las operaciones anteriores utilizando cobre, aluminio y hierro. Pila Zn- Cu 1) prepare 200 ml de disoluciones de Sulfato de Cobre (II) y Sulfato de Zinc en sendos vasos precipitados. 2) Preparar una pila montando el sistema como se representa en la grfica. 3) Mida la Fem. de la pila con el Tster. 4) Escriba las ecuaciones del proceso. Electrlisis del KI 1) Vierta en un tubo en U una disolucin concentrada de KI. Introduzca tres gotas de Fenolftalena incolora en cada electrodo. 2) Prepare el sistema electroltico segn el esquema de la figura. 3) Escriba las ecuaciones andica, catdica y total del proceso. 4) Calcule la Fem. mnima que se necesita para producir la electrlisis. 5) Entregue el informe al ayudante de su equipo.

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