Caracterizacin de Capacitores de Oxido Delgado Ren Valderrama Bernardino Estudiante de Maestra en Electrnica, Instituto Nacional de Astrofsica, ptica y Electrnica

(INAOE). Puebla, Mxico.

Introduccin La estructura MOS (metal-oxido-semiconductor) es la parte ms importante en los dispositivos de estado slido pues conforma a los transistores MOSFET los cuales son la base de la electrnica digital actualmente, adems de otros dispositivos de suma importancia en el desarrollo tecnolgico que hoy vivimos. Es por ello que conocer las caractersticas de esta estructura es fundamental para entender el comportamiento del dispositivo como tal, una de las herramientas ms eficientes para hacerlo son las mediciones Capacitancia-Voltaje las cuales nos dan informacin del comportamiento de las cargas dentro del oxido a su vez podemos extraer parmetros importantes como el voltaje de banda plana (Vfb), el espesor del oxido equivalente (EOT), el voltaje de umbral (Vth), entre otros. Otra tcnica necesaria en la caracterizacin de estructuras MOS son las mediciones I-V las cuales nos dan informacin, como el voltaje de rompimiento (Vbd) y la corriente de fuga Jg de los cuales podemos conocer los mecanismos de conduccin de carga en el oxido, los cuales son muy importantes sobre todo cuando se habla de una densidad muy alta de dispositivos. Desarrollo Experimental Esta etapa se realizo en tres obleas con capacitores MOS de diferentes caractersticas, en las cuales se utilizo la mascarilla del CIRPRU-2, la cual tiene un valor de rea de los capacitores de 13.44cm2. Oblea M: sustrato nSi<100>, t0x60nm. Oblea I: sustrato pSi<100>, t0x20nm. Oblea A: sustrato pSi<111>, t0x20nm. Las mediciones de capacitancia se realizaron en la condicin de alta frecuencia (1kHz) con un barrido de voltaje de -5 a 5 volts (segn el caso), para cada oblea se realizaron 10 mediciones (10 dados) tratando de abarcar toda la superficie. Las mediciones I-V se realizaron en el mismo nmero de dados, para este caso se realizaron barridos de voltaje desde 0 volts incrementando el intervalo final en 5 volts hasta llegar al valor donde comenzaba la ruptura del capacitor. Resultados y discusin En la figura 1 se muestran los resultados de las mediciones C-V para la oblea M en cada uno de los dados, donde el Voltaje de Banda Plana es -0.5V y la Capacitancia de Banda Plana es 36.37pF estos son los valores promedio de las mediciones. El espesor del oxido equivalente (EOT) es 62.01nm, fue determinado a partir de la capacitancia en acumulacin.

Fig. 1. Curvas Capacitancia-Voltaje en HF, oblea M.

Las curvas C-V en la figura 2 corresponden a los capacitores MOS de sustrato pSi <100>, en este caso el Voltaje de Banda Plana es -0.7V, la Capacitancia de Banda Plana es 54.48pF y el Espesor de Oxido Equivalente es 22.30 nm. En la figura 3 podemos observar las curvas correspondientes a la oblea con capacitores MOS con sustrato pSi<111>, en este caso el Voltaje de Banda Plana es -1.6V, la Capacitancia de Banda Plana es 43pF y el EOT es 28.11nm.

derivada de (1/Chf)2 vs Vg, ya que este mtodo es muy exacto segn la teora. Los dados en donde se realizaron las mediciones C-V, los cuales presentaron un buen comportamiento fueron sometidos a mediciones I-V para encontrar el campo elctrico de rompimiento y la forma de la corriente de fuga a travs del oxido. Las curvas obtenidas se muestran a continuacin.

Fig. 2. Curvas Capacitancia-Voltaje en HF, Muestra M1

Fig. 4. Grafica oblea M. Jg vs E.

Fig. 3. Curvas Capacitancia-Voltaje en HF, Muestra M2

Podemos notar que en los dos primeros casos las curvas C-V presentan un comportamiento parecido al ideal, sin embargo en el tercer caso el comportamiento es parecido al de un capacitor bajo estrs trmico, esto puede ser justificado debido a la orientacin cristalina, ya que en este caso podra presentarse un alta densidad de estados en la interfaz, donde los portadores podran responder a la condicin de alta frecuencia. El Vfb se obtuvo del pico abrupto de la grafica de la segunda

Fig. 5. Grafica oblea M. Ln (Jg) vs E.

En la figura 4 se presentan las curvas de densidad de corriente con respecto al campo elctrico, en la cual podemos notar el comportamiento de la corriente para cada caso. En la figura 5 se muestra el logaritmo natural de la corriente con respecto al campo elctrico, en esta forma podemos observar en un rango ms amplio el comportamiento de la corriente, vemos que la densidad de corriente comienza a aumentar exponencialmente a 6.5 MV/cm lo que terminara con la ruptura del capacitor. En la figura 6 se presentan las curvas correspondientes a la oblea pSi<100>, en este caso el barrido de voltaje fue negativo ya que de esta forma el capacitor se encuentra en la fase de acumulacin, en esta el estrs recae solamente sobre el oxido. Podemos notar que hay dos curvas que salen de la tendencia general, lo que pudiera traducirse como un mecanismo de conduccin diferente a travs del dielctrico para estos casos, al final todas las curvas recaen sobre un voltaje donde comienza a aumentar la corriente de forma exponencial como se aprecia en la figura 7, esta figura nos permite apreciar de forma ms amplia el comportamiento de la corriente. Los resultados obtenidos para la oblea pSi<111> se muestran en la figura 8, donde podemos apreciar que todas las curvas tienen diferente comportamiento, en esta parte solo aparecen 5 de los 7 dados medidos, ya que el resto sala del rango elegido. Cabe mencionar que en este caso solo se realizaron 7 mediciones ya que algunos capacitores no presentaban un comportamiento adecuado y se busco daar la menor cantidad posible.

Fig. 7. Grafica oblea I. Ln (Jg) vs E.

Fig. 8. Grafica oblea A. Jg vs E.

Fig. 6. Grafica oblea I. Jg vs E.

En la figura 9 se presentan las curvas para la oblea A, podemos ver que cada una tiene una tendencia diferente y de esto podemos asumir que presentan un mecanismo de conduccin distinto tambin, esto podra ser atribuido al tipo de orientacin cristalina, donde los portadores toman un camino de conduccin diferente debido a que en cada medicin las condiciones de la red podran hacer que los portadores encontraran obstculos diferentes.

En la figura anterior podemos apreciar dos graficas una inmersa en la otra, la exterior muestra el momento en que se genera la ruptura del capacitor, claramente se muestra el escaln abrupto de la corriente que va desde cero hasta el valor de compliance del equipo que es de 1mA, en la grafica interior se muestra un zoom del escaln de corriente y con ayuda del software Origin se determino el valor del rango de tiempo que le toma al pulso alcanzar el valor mximo, el valor es de 0.020s 20 ms convertidos en valor de frecuencia son 50Hz. Una vez determinado este parmetro el siguiente paso fue hacer un anlisis de la respuesta en frecuencia del circuito con el cual se pretende detectar el campo, este se compone de una bobina, una resistencia limitadora y una fuente. En la figura 11 se muestra el circuito en el cual se presenta una bobina de 1.8mH con una resistencia en serie de 15 ohms.
Fig. 9. Grafica oblea A. Ln (Jg) vs E.

La segunda parte de este proceso de caracterizacin de los capacitores MOS es censar el campo magntico generado al llevar a los capacitores a la ruptura produciendo un incremento abrupto en la corriente, para poder llevar a cabo este proceso de manera eficiente es necesario conocer las caractersticas del sistema encargado de censar la seal, por ello como primera tarea se determino la respuesta en el tiempo del pulso de corriente al generarse la ruptura, el resultado se muestra en la figura 10.

Fig. 11. Configuracin 1 - Vs=10mV, R=15 y L=1.8mH. La respuesta en frecuencia a -3db se muestra en la figura 12 donde podemos observar que el valor correspondiente de frecuencia es de Ln(3.125Hz)=22.75 Hz. En la figura 13 se presenta el comportamiento de la fase con respecto a la frecuencia notamos que el valor de grados de desfase del voltaje con respecto a la corriente decae a medida que la frecuencia aumenta como era de esperar. Por lo que con base al parmetro de respuesta en el tiempo del escaln de la corriente de ruptura del capacitor que es de 50Hz, el cual supera la frecuencia de corte del circuito pasa alto que presentamos, podemos asegurar que el pulso de corriente podr ser censado sin problema por el circuito.
Fig. 10. Intervalo de tiempo del pulso de corriente de ruptura.

Fig. 12. Anlisis AC de magnitud configuracin 1. Fig. 14. Configuracin 2 Vs=1mV, R=340 y L=2H.

Fig. 13. Anlisis AC de fase configuracin 1. Fig. 15. Anlisis AC de magnitud configuracin 2. En la figura 14 se muestra la otra configuracin utilizada, en este caso se utiliza una bobina con una inductancia mucho mayor, al igual que el valor de la resistencia en serie. En las figuras 15 y 16 se muestra el comportamiento del circuito en magnitud a -3db y en fase respectivamente. Podemos ver que para este caso la frecuencia de corte tiene un valor de Ln(1.425Hz)=4.15Hz, de igual forma que en el caso anterior este valor es ms pequeo que el valor del escaln de la corriente de ruptura. De igual forma los grados de desfase disminuyen al aumentar la frecuencia.

Conclusiones Por medio de las mediciones C-V e I-V podemos concluir que los capacitores que presentaron mejores caractersticas fueron los de la oblea I (sustrato pSi<100>) y que sera interesante analizar ms a fondo las propiedades de los capacitores sustrato pSi<111> ya que notamos que ocurren efectos que modifican las condiciones sobre todo elctricas de la estructura MOS. Con respecto a la parte de censado del campo magntico pudimos notar que la configuracin que mejores condiciones presenta es la que se conforma con la bobina de L=2H, sin embargo esta bobina tiene un tamao que

complicara las mediciones a nivel de oblea, por lo que se requiere una bobina con las mismas propiedades pero con dimensiones mucho ms pequeas.

Fig. 16. Anlisis AC de fase configuracin 2.

Referencias - Semiconductor Material and Device Characterization; Dieter K. Schroder; Arizona State University Tempe, AZ. -Introduction to Electrodynamics; David J. Griffiths; Prentice Hall. - Determination of Deep Ultrathin Equivalent Oxide Thickness (EOT) From Measuring Flat-Band Curve; C. H. Chen i.a.; Ieee Transactions On Electron Devices, Vol. 49, No. 4, April 2002. -Magneto-modulation of gate leakage current in 65 nm nMOS transistors: Experimental, modeling, and simulation results; E.A. Gutierrez; National Institute for Astrophysics, Optics and Electronics (INAOE), Department of Electronics. -Users Guide; 4155C Semiconductor Parameter Analyzer; Agilent Technologies. -Users Guide; HP 33120A Function Generator / Arbitrary Waveform Generator.