Materia: Maquinas elctricas Profesora: M.C. Abril F. Garca Ramrez Alumno: Jonathan Prez Escamilla No.

De control: 09160503

JUNIO 2012

PRACTICA No. 1. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

OBJETIVO GENERAL: Describir el funcionamiento de un diodo semiconductor e interpretar su curva caracterstica.

OBJETIVOS PARTICULARES: Analizar las variaciones de voltaje y corriente en el diodo aplicando polarizacin directa e inversa Identificar las distintas regiones de operacin del diodo Observar la curva caracterstica (real) de los diodos semiconductores.

MATERIAL 4 Diodo de seal de Silicio IN4001 o IN4004. 2 Diodos de Germanio 0A90. Resistores de 220 a 1/2 W. Resistores de 1 K a 1/2 W. 1 Resistor variable de 10K. Tablilla de experimentacin (protoboard). Multmetros; Analgico y Digital. Fuente de voltaje variable de 0 a 30 V. Generador de seales. Osciloscopio. Tres puntas para osciloscopio. Juego de alambres para conexin.

INTRODUCCION TEORICA Un diodo semiconductor es una estructura P-N que, dentro de sus lmites de tensin y corriente, permite la circulacin de corriente en un nico sentido. Detalles de funcionamiento, generalmente despreciados para los diodos de seal, pueden ser significativos para componentes de mayor potencia, caracterizados por un rea mayor (para permitir mayores corrientes) y mayor longitud (para soportar tensiones inversas ms elevadas). Dependiendo de las aplicaciones, existen varios tipos de diodos: 1. Diodos Schottky. Se utilizan cuando se necesita una cada de tensin directa muy pequea (0.3 V tpicos) para circuitos con tensiones de salida pequeas. Tienen limitada su capacidad de bloquear tensin a 50 - 100 V. 2. Diodos de Recuperacin rpida. Son adecuados en circuitos de frecuencia elevada en combinacin de conmutadores controlables, donde se necesitan tiempos de recuperacin pequeos. Para unos niveles de potencia de varios cientos de voltios y varios cientos de amperios, estos diodos poseen un trr de pocos microsegundos. 3. Diodos de frecuencia de Lnea. La tensin en el estado de ON de estos diodos es la ms pequea posible, y como consecuencia tienen un trr grande, el cual es nicamente aceptable en aplicaciones de la frecuencia de lnea. Estos diodos son capaces de bloquear varios kilovoltios y conducir varios kiloamperios. Pudindose conectar en serie y/o paralelo para satisfacer cualquier rango de tensin o de corriente. EL DIODO Las propiedades de los materiales semiconductores se conocan en 1874, cuando se observ la conduccin en un sentido en cristales de sulfuro, 25 aos ms tarde se emple el rectificador de cristales de galena para la deteccin de ondas. Durante la Segunda Guerra Mundial se desarroll el primer dispositivo con las propiedades que hoy conocemos, el diodo de Germanio. POLARIZACIN DIRECTA el nodo se conecta al positivo de la batera y el ctodo al negativo. CIRCUITO CARACTERSTICAS El diodo conduce con una cada de tensin de 0,6 a 0,7V. El valor de la resistencia interna seria muy bajo. Se comporta como un interruptor cerrado El diodo no conduce y toda la tensin de la pila cae sobre el. Puede existir una corriente de fuga del orden de A. El valor de la resistencia interna sera muy alto Se comporta como un interruptor abierto.

INVERSA el nodo se conecta negativo y el ctodo positivo de la batera al al

SIMBOLOGA

Diodo rectificador

Diodo Schottky

Diodo Zener

Diodo varicap

Diodo Pin

Diodo tnel

Diodo Led

Fotodiodo

Puente rectificador

CARACTERSTICAS TCNICAS Como todos los componentes electrnicos, los diodos poseen propiedades que les diferencia de los dems semiconductores. Es necesario conocer estas, pues los libros de caractersticas y las necesidades de diseo as lo requieren. En estos apuntes aparecern las ms importantes desde el punto de vista prctico. Valores nominales de tensin: VF = Tensin directa en los extremos del diodo en conduccin. VR = Tensin inversa en los extremos del diodo en polarizacin inversa. VRSM = Tensin repetitiva. inversa de pico no

VRRM = Tensin inversa de pico repetitiva. VRWM = Tensin inversa de cresta de funcionamiento. Valores nominales de corriente:

IF = Corriente directa. IR = Corriente inversa. IFAV = Valor medio de la forma de onda de la corriente durante un periodo. IFRMS = Corriente eficaz en estado de conduccin. Es la mxima corriente eficaz que el diodo es capaz de soportar. IFSM = Corriente directa de pico (inicial) no repetitiva. AV= Average(promedio) RMS= Root Mean Square (raz de la media cuadrtica) Valores nominales de temperatura Tstg = Indica los valores mximos y mnimos de la temperatura de almacenamiento. Tj = Valor mximo de la temperatura que soporta la unin de los semiconductores.

Curva caracterstica de un Diodo

DIODOS METAL-SEMICONDUCTOR Los ms antiguos son los de Germanio con punta de tungsteno o de oro. Su aplicacin ms importante se encuentra en HF, VHF y UHF. Tambin se utilizan como detectores en los receptores de modulacin de frecuencia. Por el tipo de unin que tiene posee una capacidad muy baja, as como una resistencia interna en conduccin que produce una tensin mxima de 0,2 a 0,3v. El diodo Schottky es un tipo de diodo cuya construccin se basa en la unin metal conductor con algunas diferencias respecto del anterior. Fue desarrollado por la Hewlett-Packard en USA, a principios de la dcada de los 70. La conexin se establece entre un metal y un material semiconductor con gran concentracin de impurezas, de forma que solo existir un movimiento de electrones, ya que son los nicos portadores mayoritarios en ambos materiales. Al igual que el de germanio, y por la misma razn, la tensin de umbral cuando alcanza la conduccin es de 0,2 a 0,3v. Igualmente tienen una respuesta notable a altas frecuencias, encontrando en este campo sus aplicaciones ms frecuentes. Un inconveniente de esto tipo de diodos se refiere a la poca intensidad que es capaz de soportar entre sus extremos. El encapsulado de estos diodos es en forma de cilindro, de plstico o de vidrio. De configuracin axial. Sobre el cuerpo se marca el ctodo, mediante un anillo serigrafiado.

DIODOS RECTIFICADORES Su construccin est basada en la unin PN siendo su principal aplicacin como rectificadores. Este tipo de diodos (normalmente de silicio) soportan elevadas temperaturas (hasta 200C en la unin), siendo su resistencia muy baja y la corriente en tensin inversa muy pequea. Gracias a esto se pueden construir diodos de pequeas dimensiones para potencias relativamente grandes, desbancando as a los diodos termoinicos desde hace tiempo. Sus aplicaciones van desde elemento indispensable en fuentes de alimentacin como en televisin, aparatos de rayos X y microscopios electrnicos, donde deben rectificar tensiones altsimas. En fuentes de alimentacin se utilizan los diodos formando configuracin en puente (con cuatro diodos en sistemas monofsicos), o utilizando los puentes integrados que a tal efecto se fabrican y que simplifican en gran medida el proceso de diseo de una placa de circuito impreso. Los distintos encapsulados de estos diodos dependen del nivel de potencia que tengan que disipar. Hasta 1w se emplean encapsulados de plstico. Por encima de este valor el encapsulado es metlico y en potencias ms elevadas es necesario que el encapsulado tenga previsto una rosca para fijar este a un radiador y as ayudar al diodo a disipar el calor producido por esas altas corrientes. Igual le pasa a los puentes de diodos integrados. DIODO RECTIFICADOR COMO ELEMENTO DE PROTECCIN La desactivacin de un rel provoca una corriente de descarga de la bobina en sentido inverso que pone en peligro el elemento electrnico utilizado para su activacin. Un diodo polarizado inversamente cortocircuita dicha corriente y elimina el problema. El inconveniente que presenta es que la descarga de la bobina es ms lenta, as que la frecuencia a la que puede ser activado el rel es ms baja. Se le llama comnmente diodo volante. DIODO RECTIFICADOR COMO ELEMENTO DE PROTECCIN DE UN DIODO LED EN ALTERNA. El diodo Led cuando se polariza en c.a. directamente conduce y la tensin cae sobre la resistencia limitadora, sin embargo, cuando se polariza inversamente, toda la tensin se encuentra en los extremos del diodo, lo que puede destruirlo. DIODOS ZENER. Se emplean para producir entre sus extremos una tensin constante e independiente de la corriente que las atraviesa segn sus especificaciones. Para conseguir esto se aprovecha la propiedad que tiene la unin PN cuando se polariza inversamente al llegar a la tensin de ruptura (tensin de Zener), pues, la intensidad inversa del diodo sufre un aumento brusco. Para evitar la destruccin del diodo por la avalancha producida por el aumento de la intensidad se le pone en serie una resistencia que limita dicha corriente. Se producen desde 3,3v y con una potencia mnima de 250mW. Los encapsulados pueden ser de plstico o metlico segn la potencia que tenga que disipar.

Curva caracterstica de un diodo Zener DIODOS LED ( Light Emitting Diode) Es un diodo que presenta un comportamiento parecido al de un diodo rectificador sin embargo, su tensin de umbral, se encuentra entre 1,3 y 4v dependiendo del color del diodo. Color Infrarrojo Rojo Naranja Amarillo Verde Azul Tensin en directo 1,3v 1,7v 2,0v 2,5v 2,5v 4,0v

El conocimiento de esta tensin es fundamental para el diseo del circuito en el que sea necesaria su presencia, pues, normalmente se le coloca en serie una resistencia que limita la intensidad que circular por el. Cuando se polariza directamente se comporta como una lamparita que emite una luz cuyo color depende de los materiales con los que se fabrica. Cuando se polariza inversamente no se enciende y adems no deja circular la corriente. La intensidad mnima para que un diodo Led emita luz visible es de 4mA y, por precaucin como mximo debe aplicarse 50mA.

Para identificar los terminales del diodo Led observaremos como el ctodo ser el terminal ms corto, siendo el ms largo el nodo. Adems en el encapsulado, normalmente de plstico, se observa un chafln en el lado en el que se encuentra el ctodo. Se utilizan como seal visual y en el caso de los infrarrojos en los mandos a distancia. Se fabrican algunos LEDs especiales: Led bicolor.- Estn formados por dos diodos conectados en paralelo e inverso. Se suele utilizar en la deteccin de polaridad. Led tricolor.- Formado por dos diodos Led (verde y rojo) montado con el ctodo comn. El terminal ms corto es el nodo rojo, el del centro, es el ctodo comn y el tercero es el nodo verde. Display.- Es una combinacin de diodos Led que permiten visualizar letras y nmeros. Se denominan comnmente displays de 7 segmentos. Se fabrican en dos configuraciones: nodo comn y ctodo comn. FOTODIODO Son dispositivos semiconductores construidos con una unin PN, sensible a la incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se polarizarn inversamente, con lo que producirn una cierta circulacin de corriente cuando sean excitados por la luz. Debido a su construccin se comportan como clulas fotovoltaicas, es decir, en ausencia de tensin exterior, generan una tensin muy pequea con el positivo en el nodo y el negativo en el ctodo. Tienen una velocidad de respuesta a los cambios bruscos de luminosidad mayores a las clulas fotoelctricas. Actualmente, y en muchos circuitos ests ltimas se estn sustituyendo por ellos, debido a la ventaja anteriormente citada. DIODO DE CAPACIDAD VARIABLE (VARICAP) Son diodos que basan su funcionamiento en el principio que hace que la anchura de la barrera de potencial en una unin PN varia en funcin de la tensin inversa aplicada entre sus extremos. Al aumentar dicha tensin, aumenta la anchura de esa barrera, disminuyendo as la capacidad del diodo. De este modo se obtiene un condensador variable controlado por tensin. Los valores de capacidad obtenidos van desde 1 a 500pF. La tensin inversa mnima tiene que ser de 1v. La aplicacin de estos diodos se encuentra en la sintona de TV, modulacin de frecuencia en transmisiones de FM y radio, sobre todo.

DESARROLLO EXPERIMENTAL EXPERIMENTO 1. MEDICIN DE TENSIN Y CORRIENTE EN POLARIZACIN DIRECTA E INVERSA DE UN DIODO. a) Arme el circuito que se muestra en la figura 1, utilizando un diodo de Silicio, verificando que los instrumentos se conecten en la polaridad indicada.

Figura 1. b) Partiendo de cero volts, aumente gradualmente la tensin de la fuente V1 en incrementos de 0.1 volts hasta que el diodo alcance su voltaje de conduccin, anote los valores de VD e ID, en la tabla 1. TABLA 1 ID VD
0 0 194.289nA 100mV 1.49uA 200mV 10.49uA 300mV 72.942uA 400mV 504.15uA 500mV 3.476ma 600mV 23.628mA 700mV 147.391mA 800mV 663.999mA 900mV 1.796A 1V

c) Invierta la polaridad del diodo y repita el inciso anterior. TABLA 2 ID VD

0 0 41.633nA 100mV 1.49uA 200mV 0A 300mV 111.022nA 400mV 55.511nA 500mV 0A 600mV 111.022nA 700mV 111.022nA 800mV 111.022nA 900mV 111.022nA 1V

d) Realice el procedimiento del inciso b, con una de carga RL de 1 K, como se muestra en la figura 2, mida el voltaje del diodo VD, la corriente ID, registre sus datos en la tabla 2.

Figura 2.

TABLA 3 ID VD
0 0 180.411nA 99.812mV 1.471uA 198.546mV 8.937uA 291.135V 30.304uA 696.79mV 89.484nA 410.547mV 159.65uA 440.468mV 238.698uA 461.311mV 323.186uA 476.985mV 410.56uA 489.378mV 500.489uA 499.609mv

e) Construya las grficas de la curva caracterstica de los diodos en polarizacin directa con los valores obtenidos de las tablas anteriores.

f) Arme el circuito de la figura 3, utilizando un diodo de Germanio o Silicio.

g) Ajuste el valor de la fuente de alimentacin a 8 Volts y utilizando la resistencia variable de 10K, ajuste esta resistencia desde su valor mximo hasta un valor en el que se puedan obtener valores de corriente ID.

TABLA 4
POT. 10k ID VD 0.01 1k 2k 3k 4k 5k 6k 7k 8k 9k 10 K k

680 uA 515 mV

747 uA 520 mV

830 uA 525 mV

933 uA 531mV

1mA 538mV

1.2mA 546mV

1.4 mA 556mV

1.8mA 567mV

2.4 mA 582mV

3.6mA 603mV

7.36mA 638 mV

A Volts

Al 16% del potencimetro podemos obtener el valor de ID

h) Obtenga los diferentes valores de voltaje en las terminales del diodo al variar la resistencia, hasta obtener valores de la tensin de conduccin, registre los valores. En las terminales del diodo el voltaje solo varia de los 515.57mV a los 638.97mV no podemos alcanzar la tensin de conduccin.

EXPERIMENTO 2. CURVA CARACTERISTICA DE UN DIODO SEMICONDUCTOR. a) Arme el circuito que se muestra en la figura 4, utilizando un diodo de Silicio, verificando que los instrumentos se conecten en la polaridad indicada.

Figura 4. b) Partiendo de cero volts, aumente gradualmente la tensin de la fuente V1 en incrementos de 0.1 volts hasta que el diodo alcance su voltaje de conduccin. c) Ahora conecte como se muestra en el diagrama fsico de la figura 5 y compare con el diagrama elctrico de la figura 4, observe la curva caracterstica del diodo en el osciloscopio.

Figura 5. d) Anote los valores observados en la curva de ID, VD, IR, VR. e) Compare y analice los valores medidos manualmente con los incrementos en el voltaje y corriente y la curva obtenida a partir de la tabla 2 en el experimento 1 con los valores obtenidos en la curva observada en el osciloscopio.

Aqu vemos como se conecto el osciloscopio en el circuito para que la curva se mostrara la pantalla.

Anlisis experimental: Pude observar como si puede verse la curva caracterstica del diodo q aunque das pasados a realizar la prctica haba hecho la simulacin y no me sala, por lo cual crea que no se poda ver en el osciloscopio. Conclusin: Al realizar este tipo de experimentos podemos comprender mejor el funcionamiento del diodo como dispositivo semiconductor, mismo que utilizamos cotidianamente en el laboratorio para la realizacin de algunos proyectos como fuentes, inversores, reguladores de voltaje, y practicas en general. Todo lo que necesite una rectificacin de seal o una limitacin de sentido, tambin el poder comprender el uso de los semiconductores junto con otros tipos de componentes. Bibliografa: PDF que nos proporciono la profesora. Presentacin en diapositivas que proporciono la profesora. http://www.electronicafacil.net/tutoriales/Funcionamiento-del-diodo.php