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TEMA - 4
INTRODUCCIN A LAS FAMILIAS LGICAS.
En los ltimos captulos se han visto aplicaciones digitales basadas en el uso de puertas lgicas. En este tema se ofrecer una visin general de la variedad de tecnologas y dispositivos digitales que se pueden emplear para llevar a la prctica estas aplicaciones. Y se resumirn sus ventajas e inconvenientes, lo que nos permitir establecer unos criterios de seleccin.
1.- Introduccin.
La era de la electrnica con semiconductores comienza con la invencin del transistor en 1948 y a partir de ah la evolucin de la tecnologa electrnica inicia una rpida carrera. En 1952, se sustituye el empleo de germanio por el silicio y en 1958 se fabric el primer JFET (transistor de unin de efecto campo), lo que condujo a la aparicin del transistor metal-xidosemiconductor de efecto campo (MOSFET). Las continuas mejoras en el diseo y fabricacin de los sistemas de computacin, han hecho de los MOSFET los dispositivos ms universalmente empleados. Para mejorar las conexiones de diferentes componentes electrnicos se propuso la fabricacin de todos los componentes del circuito, junto con su interconexionado, sobre una misma oblea de silicio. A esta solucin se la denomin circuito integrado monoltico, y en 1959 la empresa Texas Instruments desarrolla el primer circuito integrado con tecnologa RTL (lgica resistencia-transistor bipolar). La Figura 4-1 muestra una seccin de un circuito integrado, donde se ve el chip del circuito dentro del encapsulado. Los terminales del chip se conectan a los pines del encapsulado para permitir las conexiones con las entradas y salidas del mundo exterior. Todas las funciones lgicas que se han descrito en temas anteriores (y muchas ms) estn disponibles como circuitos integrados. Los sistemas digitales actuales utilizan casi exclusivamente circuitos integrados en su diseo debido a su reducido tamao, alta fiabilidad, bajo coste y reducido consumo de potencia. La evolucin experimentada en el campo de los circuitos integrados ha sido extraordinaria, pasndose por crecientes escalas de integracin. Hoy es posible colocar millones de componentes tanto activos como pasivos dentro de un solo chip, lo que permite construir computadoras
Figura 4-1. Seccin de un circuito integrado.
sobre un rea de silicio de slo unos pocos milmetros cuadrados. A comienzos de los sesenta es cuando empiezan a aparecer los primeros circuitos integrados SSI (tabla 4-1), con menos de 100 componentes y no ms de 30 puertas por chip. En 1966 surgen los circuito integrados MSI, que permiten hasta 1000 componentes, lo que supone entre 30 y 300 puertas por chip. Tres aos ms tarde fue posible fabricar circuitos LSI, lo que permiti los primeros microprocesadores. El incremento en la escala de integracin hasta los circuitos integrados VLSI, en 1975, facilita que aparezcan microprocesadores mayores y memorias RAM de 16Kb. El trmino ULSI es de reciente aparicin y llega hasta el lmite de la tecnologa actual, es decir, hasta los centenares de millones de dispositivos por chip.
Tabla 4-1. Niveles de integracin para dispositivos digitales.
Nivel de integracin Pequea escala de integracin (SSI) Media escala de integracin (MSI) Gran escala de integracin (LSI)
Aplicaciones Puertas bsicas y flip-flops. Contadores, registros, memorias pequeas. Memorias y microprocesadores sencillos. Memorias grandes, microprocesadores.
Muy alta escala de integracin (VLSI) 10.000 1,000.000 Escala de integracin ultra (ULSI) >1,000.000
Aunque los modernos componentes electrnicos digitales son el resultado de aos de desarrollo y evolucin, no hay un conjunto ideal de circuitos que satisfaga todos los requerimientos. Por tanto existen varias familias lgicas, cada una de las cuales ofrece ventajas particulares. La velocidad, consumo de potencia y densidad de componentes son cuestiones a tener en cuenta. Algunas familias trabajan a velocidades muy altas, mientras que otras poseen bajo consumo. Parte de la funcin del diseador consiste en seleccionar una familia lgica apropiada para una aplicacin dada. La primera familia lgica fue la RTL. De estas primeras celdas lgicas se deriv la lgica TTL (transistor-transistor) cuyo principal caracterstica es el empleo de transistores bipolares con mltiples emisores. Motorola introdujo en 1962 una lnea bipolar de alta velocidad conocida como lgica ECL (de emisores acoplados). La utilizacin de MOSFET resultaba interesante debido a que permite mayores densidades de componentes (dispositivos de menor tamao y mucho menor consumo que los bipolares). Originalmente se fabricaron PMOS (MOSFET de canal p), pero la mejora en los procesos de fabricacin condujo a los NMOS (MOSFET de canal n) por presentar mayor velocidad. Las configuraciones MOS de simetra complementaria (CMOS), que emplean ambos tipos de dispositivos (PMOS y NMOS) se han situado a la cabeza de las tecnologas digitales en la actualidad.
Tambin definimos valores para las tensiones de salida: Margen de cero: El rango de variacin de la tensin de salida de la puerta que es reconocido como nivel lgico bajo por la misma. MARGEN DE CERO (VOL) = VOLmx - VOLmn Margen de uno: Margen de variacin de la tensin de salida (VO) dentro del cual sta es reconocida como nivel alto por la puerta. MARGEN DE UNO (VOH) = VOHmx - VOHmn Puntos de transicin: Delimitan los valores crticos de la tensin de salida. VOLmx : Voltaje mximo que se puede obtener a la salida de una puerta cuando sta se encuentra a nivel bajo 0. VOHmn : Voltaje mnimo que se puede obtener a la salida de una puerta cuando sta se encuentra a nivel alto 1. VIH(mx) VIH
1 ALTO
VOH(mx) VOH
1 ALTO
VIH(mn)
No predecible No predecible
VOH(mn)
VIL
0 BAJO
0 BAJO
VOL(mx) VOL(mn)
VILmx 0 VIL
Figura 4-3. Efecto del ruido.
VOL
Para evitar la presencia de errores provocados por el ruido, los fabricantes establecen un margen de seguridad conocido como MARGEN DE RUIDO para no sobrepasar los valores crticos de tensin. En la Figura 4-4 tenemos los valores crticos de las tensiones de entrada y salida de una puerta lgica y los mrgenes de ruido a nivel alto y bajo.
Salida de la puerta 1
Entrada de la puerta 2
Si la tensin de entrada mnima a nivel alto de una puerta tiene como valor VIHmn, la tensin mnima de salida a nivel alto debe ser igual o superior a VIHmn. Pero para evitar la influencia de ruidos que afecten a la siguiente puerta, no se permitir una tensin de salida inferior a VIHmn ms el margen de ruido a nivel alto (VNIH): VOHmn = VIHmn + VNIH
Para determinar el valor de VOLmx aplicamos el mismo criterio pero utilizando el margen de ruido a nivel bajo (VNIL): VOLmx = VILmx - VNIL
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Margen de ruido a nivel bajo (VNIL): VNIL = VILmx - VOLmx
2.1.3.- Corrientes.
El fabricante nos da los valores de las corrientes de entrada: IILmx Intensidad mxima de la entrada de una puerta cuando est en estado bajo (el signo negativo indica que esta corriente fluye hacia el exterior del dispositivo). IIHmx Intensidad mxima de entrada de una puerta cuando est en estado alto.
0 IIL
+5V IIH 1
Figura 4-5. Corrientes de entrada
Y de salida: IOLmx Capacidad que tiene la puerta para absorber una intensidad cuando la salida se encuentra a nivel bajo. La puerta acta como sumidero de corriente. IOHmx Intensidad que puede suministrar la puerta cuando la salida est a nivel alto. En este caso la puerta entrega corriente (fuente) a las entradas de las puertas de carga.
IIH IOH 0 1
Figura 4-6. Corrientes de salida
IIH
2.1.4.- Fan-out.
Cuando la salida de una puerta lgica se conecta a una o ms entradas de otras puertas se genera una carga en la puerta excitadora. Existe un lmite para el nmero de entradas que una cierta puerta puede excitar. Este lmite se denomina fan-out o cargabilidad de la puerta. Al conectar ms puertas de carga a una puerta excitadora, la corriente de fuente aumenta y con ello la cada de tensin interna de la puerta excitadora haciendo que la tensin de salida VOH disminuya. Si se conecta un nmero excesivo de puertas de carga, la tensin VOH (Figura 4-7) puede caer por debajo de su valor mnimo VOH mn, lo que supone un fallo en el funcionamiento del circuito. Adems al aumentar la corriente de fuente, aumenta la disipacin de potencia de la puerta excitadora.
IOH (fuente)
0 1
IOL
IIL(1)
(absorbida)
+ 5V
IIL(2) + 5V
IIL(n)
La corriente total de sumidero (absorbida) tambin aumenta con cada entrada que se aade, como muestra la Figura 4-8. Al aumentar esta corriente, la cada de tensin interna de la puerta excitadora aumenta haciendo que VOL aumente. Si se aade un nmero demasiado grande de puertas, VOL se har mayor que VOLmx producindose un dato errneo en la salida. A de cumplirse: IOL IIL 2etapa IOH IIH 2 etapa El fan-out puede venir expresado de dos formas distintas: a) Respecto a la misma familia lgica. Se obtienen dos valores de fan-out uno a nivel alto y otro a nivel bajo, que nos indicarn el mximo nmero de puertas que puede gobernar otra puerta de la misma familia lgica. Fan out (L) = I OLmx IIL Fan out (H) = I OHmx IIH
b) Respecto a la unidad de carga (TTL estndar). Se obtienen dos valores de fan-out (uno a nivel alto y otro a nivel bajo) referidos a la unidad de carga utilizada por el fabricante (U.L. = 1,6 mA, U.H = 40 A), que nos indicarn el mximo nmero de puertas TTL estndar que puede gobernar una puerta de una familia concreta. Fan out (L) = IOLmx (U .L.) 1,6mA Fan out (H) = I OHmx (U .H .) 40 A
Los valores dados por el fabricante de 1,6 mA como U.L.(unidad de carga a nivel bajo) y de 40 A como U.H.(unidad de carga a nivel alto) son los correspondientes a las corrientes IIL y IIH de una puerta TTL estndar (como se ver ms adelante).
PDmedia =
t pD =
t pLH + t pHL 2
En la Figura 4-9 se pueden apreciar estos tiempos para una puerta no inversora. H VI 50% L 50% H
VO L
50%
50% L
tpLH
tpHL
El retardo de propagacin de una puerta limita la frecuencia a la que puede trabajar. Cuanto mayor es el retardo de propagacin, menor es la frecuencia mxima. Luego, un circuito de muy alta velocidad ser aquel que tenga un retardo de propagacin muy pequeo.
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Si
Dentro de los circuitos integrados basados en este material semiconductor se definieron dos categoras, la tecnologa bipolar y la unipolar. Los dispositivos de tecnologa bipolar se caracterizan porque presentan unas altas velocidades de operacin gracias a los transistores de unin (BJTs), pero tambin son elevados los consumos de potencia. Pertenecen a esta categora las familias lgicas TTL y ECL (lgica de emisores acoplados). Por lo que respecta a los dispositivos unipolares, los ms importantes son los que se basan en los dispositivos de efecto campo MOS. Dentro de esta tecnologa se incluyen la MOS de canal n (NMOS), la de canal P (PMOS, que ha quedado obsoleta) y la tecnologa MOS de simetra complementaria (CMOS), en la que se integran los dos tipos de canales. La ms empleada es la tecnologa CMOS por consumo de potencia y velocidad de operacin. Entra ambos tipos de tecnologas, unipolares y bipolares, se encuentra otra reciente denominada BiCMOS, que permite disponer en un mismo circuito integrado dispositivos bipolares (para las entradas y las salidas) y estructuras CMOS. El coste es superior al de la tecnologa CMOS, pero proporciona mejores corrientes de salida y mayor velocidad.
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(a)
Vcc
Vcc
(b)
Vcc
RC IB VI =+V ON
RC
RC
RC
VI =0V
OFF
Figura 4-11. Conmutacin ideal del BJT. (a) Transistor saturado. (b) Transistor en corte.
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T4
T1
T2
D2
T1 T2
D2
Salida 5V (1)
T3
0V
Figura 4-12. Inversor TTL. (a) Entrada a nivel alto. (b) Entrada a nivel bajo.
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Corrientes de entrada y fan-out (NAND 7400) IIH = 40 A IOH = 400 A IIL = 1,6 mA IOL = 16 mA Fan out L = Fan out H = IOH 400 = = 10 IIH 40 IOL 16 = = 10 IIL 1,6
4K
1.6K
130
T4
A B
T1
D3 T2 X T3
D1
D2
1K 0V
A 0 0 1 1
B 0 1 0 1
X 1 1 1 0
ON T4 D3 X OFF T3 Y
OFF T4 D3
A B X C D
ON T3
0V
0V
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2. OpenColector: La salida se toma del colector del transistor T3 (Figura 4-15). Para que el circuito funcione se debe conectar una resistencia de pull-up externa entre la salida y la fuente de alimentacin. Cuando T3 no conduce la salida es llevada a Vcc a travs de la resistencia externa. Cuando T3 se satura, la salida se lleva a un potencial prximo a tierra a travs del transistor saturado. La eleccin del valor de la resistencia es un compromiso entre la disipacin de potencia y la velocidad. Las resistencias de valor alto reducen la corriente de colector, y por tanto la potencia, pero tambin limitan la velocidad. An con valores de resistencia bajos el circuito en colector abierto no es tan rpido como el totem-pole.
Vcc= +5V
4K
1.6K
A B
T1
T2 X T3 0V
D1
D2
1K
Una de las ventajas de las puertas de colector abierto es que sus salidas se pueden conectar en paralelo para formar una configuracin AND cableada. La funcin AND cableada resulta de particular inters cuando se deben combinar muchas entradas, pues se elimina la necesidad de disponer de puertas de muchas entradas. En todos los circuitos de AND cableada se requiere una resistencia externa (Figura 4-16).
Vcc
A B C D E F G H
oc oc oc
V X Y Z
X X = VXYZ
A B C D E F G H
V X
X = VXYZ
X Y Z
oc
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(a)
Vcc
(b)
Vcc
Rp
Rp
T1
ON
T1
OFF
T2
OFF
T2
OFF
T3
OFF
T3
OFF
Figura 4-17. AND cableada. (a) Una o ms salidas a 0 .(b) Todas las salidas a 1.
3. Tri-estado. Las puertas lgicas convencionales tienen dos estados de salida posibles: 0 y 1. En algunas circunstancias resulta conveniente contar con un tercer estado que corresponde a una condicin de alta impedancia, en la que se permite que la salida flote. El voltaje de salida estar determinado por el circuito exterior que se conecte. La salida de la puerta se habilita o se deshabilita mediante una seal de control (Figura 4-18). Los dispositivos de tres estados se usan en la creacin de buses en los que las salidas de varios dispositivos estn conectadas entre s. Cada dispositivo puede entonces colocar datos sobre la lnea siempre y cuando se habilite la salida de un solo dispositivo a la vez. Las salidas deshabilitadas no afectarn a la seal del bus. La salida de la puerta se habilita o deshabilita mediante una entrada de control C. La Figura 4-18 muestra una puerta con una entrada de control C activa a nivel bajo, es decir, la salida se habilita si C =0 A B C
C 0 0 0 0 1 A 0 0 1 1 X B 0 1 0 1 X X 1 1 1 0 Z
X X
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Familia Estndar Bajo consumo Schottky Schottky bajo consumo Schottky avanzada Schottky bajo avanzada consumo
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+ 5V
+ 5V
D
+ 5V
RON
(pequea)
0V
G S
ROFF
(grande)
+ 5V (b)
S
+ 5V
+ 5V
+ 5V
0V
RON
G D
(pequea)
+ 5V
G D
ROFF
(grande)
Figura 4-20. Conmutacin del transistor MOSFET. (a) Canal n. (b) Canal p.
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Los tres terminales de un MOSFET como se puede ver en la Figura 4-20 son: puerta, drenador y fuente. Cuando la tensin de puerta de un MOSFET de canal n es ms positiva que la fuente, el MOSFET conduce (ON) y la resistencia entre drenador y fuente es pequea. Cuando la tensin puerta-fuente es cero, el MOSFET no conduce. Los MOSFET de canal p funcionan con polaridades de tensin opuestas.
T1
G
T1
D D
Entrada
G
Salida T2
Salida
T2
S
0V
0V
Figura 4-21. Inversor lgico CMOS. (a) Arquitectura interna. (b) Circuito equivalente.
Cuando el voltaje de entrada est cerca de 0 V, no conduce (OFF) el dispositivo de canal n T2 pero conduce (ON) el dispositivo de canal p T1. Cuando el voltaje de entrada est prximo al voltaje de alimentacin, la conduccin se invierte y T1 no conduce y T2 s. El circuito de la Figura 4-21 se puede representar mediante el esquema de la derecha (b). Con el conmutador T1 cerrado y T2 abierto, la salida est a nivel alto y con T2 cerrado y T1 abierto, la salida est a nivel bajo.
Fan-out. Si no se requiere un funcionamiento de alta velocidad, se pueden conectar hasta 50 puertas a una misma salida.
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Retardo de propagacin. Las primeras puertas CMOS de las serie 4000 son por lo general ms lentas que las puertas de las familias TTL. En aos recientes ha aumentado considerablemente la velocidad de funcionamiento. Las familias avanzadas 74ACXX y 74ACTXX tienen tiempos de retardo del orden de 7 ns y las familias recientes que trabajan con tensin de alimentacin inferiores (LVT, ALVC, ALVT) del orden de 2.5 ns. Disipacin de potencia. Uno de los principales motivos del empleo de la lgica CMOS es su muy bajo consumo de potencia. El consumo en reposo es muy bajo, aumentando conforme aumenta la velocidad de conmutacin. Entradas CMOS. Son muy sensibles a la electricidad esttica y no pueden dejarse sin conectar. Todas las entradas no utilizadas deben conectarse a nivel alto o bajo.
El inversor sencillo de la Figura 4-21 se puede modificar para proporcionar otras funciones lgicas. En la Figura 4-22 se muestra una puerta NAND de dos entradas. VDD
B A Salida
0V
Puerta CMOS
20
(a)
5V
Puertas 74LSXX
15V
(b) 5V 15V 5V
TTL
Puerta CMOS
CMOS
Buffer
Figura 4-24. Conexin de puertas CMOS-TTL. (a) Mediante una puerta 74LSXX. (b) Mediante un buffer.
En la Figura 4-25 se muestran los niveles lgicos de distintas tecnologas, incluyendo las que trabajan con las recientes tensiones de alimentacin de 3.3V y 2.5V. En la grfica se puede observar la compatibilidad en lo que respecta a tensiones.
CMOS 5V
Vcc 5V 4.5V VOH VIH
CMOS 2.5V
TTL 5V
Vcc 5V
TTL 3.3V
3.5V
Vcc 3.3V Vcc 2.5V 2.3V VOH VIH 2.4V 2V VOH VIH 2.4V 2V VOH VIH
1.5V
VIL
1.7V
0.5V 0V
VIL VOL
0.8V 0.4V
VIL VOL
0.8V 0.4V
VIL VOL
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7. Tendencias.
Entre las tendencias que se prevn para un futuro cercano podemos destacar: Disminucin de los tamaos de los dispositivos. En la actualidad el rea de los circuitos integrados se reduce en una proporcin de 0,5 cada tres aos. Transicin a tensiones de alimentacin ms bajas. La tensin de alimentacin de +5V est dando paso a la de 3.3V, no slo en circuitos de muy alta escala de integracin, sino en las funciones digitales estndar ms sencillas. La razn de esta cambio es la reduccin de potencia disipada. Desarrollo de microsistemas. Fabricacin de circuitos integrados que incorporen microsensores y proporcionen sistemas completos. Evolucin en la tecnologa de fabricacin de circuitos integrados. Aunque la tecnologa CMOS sigue siendo la absoluta dominante, se observa un incremento en tecnologas tales como la basada en GaAs y BiCMOS. En la Figura 4-26 podemos observar el grado de madurez de las diferentes tecnologas. Se distinguen cinco pocas, que van desde la introduccin hasta la obsolescencia (desaparicin). La tendencia es que las tecnologas bipolares pierden terreno, mientras que el mercado de CMOS y BiCMOS crece a un ritmo constante.
HC ALS F AS LS S
TTL
Madurez
Declive
Obsolescencia
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Ejemplo 4-1: Dado el circuito de la figura calcular el tiempo de propagacin ms desfavorable y razonar si el circuito puede funcionar correctamente.
Caracterstica IIH (A) IIL (mA) Fan-outH (U.H.) Fan-outL (U.L.) tpD (ns)
74XX 40 1,6 10 10 10
74HXX 50 2 25 12,5 6
74SXX 50 2 25 12,5 3
7404
74LSXX 20 0,4 10 5 10
74S02 L
74L04
74H00
74L04
74LS00
Resolucin a) Tras denominar a las distintas puertas con letras desde la A a la L, se estudia el tiempo de propagacin en el recorrido A L o I L , porque a primera vista parece el ms desfavorable. El tiempo de propagacin desde que la seal entra en la puerta A o I hasta que se produce la salida correspondiente a esta entrada en la puerta L, se calcula como suma de los tiempos de propagacin de cada una de las puertas desde A a L: tpD(I L) = tpD I + tpD H + tpD J + tpD K + tpD L = 10 + 10 + 6 + 10 + 3 = 39 ns Sin embargo analizando el tipo de puertas empleado en el circuito se aprecia que el recorrido A C o el recorrido AB poseen mayor tiempo de retardo: tpD(A B) = tpD A + tpD B = 10 + 33 = 43 ns tpD = 43 ns
b) Para asegurar el correcto funcionamiento del circuito ha de cumplirse que la corriente de salida de cada puerta sea igual o superior a la suma de las corrientes de entrada de las puertas de la etapa siguiente, es decir, IOL IIL y IOH IIH.
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La primera puerta que a de ser objeto de estudio es la puerta A porque su salida est conectada a ocho entradas de otras puertas (B, C, D las dos entradas de esta puerta provienen de A, E, F , G y H). Las corrientes de salida se calculan a partir de: Fan out (L) = I OLmx I (U .L.) y Fan out (H) = OHmx (U .H .) 1.6mA 40 A
Al despejar y sustituir los valores de fan-out para la puerta A perteneciente a la familia 74LSXX, se obtiene: I OLmx = Fan out (L) 1.6mA = 5 1.6mA = 8 mA I OHmn = Fan out (H) 40 A = 10 40 A = 400 A La suma de las corrientes de entrada a nivel bajo ser: IIL = IILB + IILC + 2 xIILD + IILE + IILF + IILG + IILH IIL = 0,4 + 0,4 + 2 x 2 + 2 + 2 + 0,4 + 0,4 = 9,6 mA. Como IIL = 9,6 mA < IOLmx = 8 mA