Anlise trmica e microestrutural dos efeitos do estrncio na liga de alumnio-silcio 226D Silva N.1, a, Silva P.

1,b
1

Alunos do 3. ano do Mestrado Integrado em Engenharia Metalrgica e de Materiais da Faculdade de Engenharia da Universidade do Porto
a

emt08034@fe.up.pt, bemt08026@fe.up.pt

Palavras-Chave: Modificao do Si euttico, Liga alumnio-silcio 226D, Anlise Trmica, Metalografia.

Resumo. Este trabalho consiste na investigao da influncia de diferentes teores de estrncio nas propriedades de uma liga de alumnio-silcio. A avaliao desta modificao vai ser feita atravs de anlise trmica e metalogrfica. O efeito do estrncio foi verificado quer na modificao do Si eutctico, quer nas temperaturas caratersticas da liga. O teor timo da adio de estrncio de 0.015%. 1.Introduo A produo de ligas fundidas de alumnio tem aumentado consideravelmente nas ltimas dcadas. Ligas de alumnio fundidas devem conter, alm de elementos endurecedores (Mg, Cu), quantidades suficientes de elementos formadores de euttico (usualmente o silcio), visando obter uma maior fluidez. Ligas do sistema Alumnio-Silcio so as mais importantes entre as ligas fundidas de alumnio, principalmente por sua alta fluidez, baixa contrao nos fundidos, elevada resistncia corroso, boa soldabilidade, fcil brasagem e seu baixo coeficiente de expanso trmica. As ligas de alumnio com 5-20% de Si (percentagem em peso) so as mais comuns e as mais usadas na indstria. A caracterstica marcante destas ligas que elas consistem de uma fase primria, de alumnio ou de silcio, e de uma estrutura euttica composta por esses 2 elementos. A fundio em areia verde um processo simples e verstil e de menor custo do que outros processos de fundio. A microestrutura final de uma liga fundida muito importante, pois influencia as suas propriedades mecnicas. Grandes gros colunares so indesejveis e o refino e a modificao de gro tm por objectivo suprimir a formao destes gros [1]. O tratamento de modificao causa o desaparecimento dos cristais de silcio primrio, com a formao nos extremos de silcio euttico fino e globular em vez de uma estrutura em forma de agulhas. Este tipo de liga pode apresentar um volume de euttico entre 50 a 90%. Como o silcio um no-metal, solidifica de maneira facetada, isto , forma um cristal limitado por planos cristalogrficos bem definidos e crescendo segundo uma direo preferencial. A Fig. 1a) apresenta esquematicamente esse crescimento onde os tomos de silcio so adicionados em planos. Este cristal pode crescer facilmente na direco <112>, e depois de formada a estrutura do cristal, a face maior encontra-se no plano <111>, como demonstrado na Fig. 1b).

Figura 1 - a) Representao esquemtica do crescimento do silcio em planos; b) crescimento de um cristal de silcio a partir do lquido segundo a direo <112>[2].

Deste modo, torna-se evidente que uma possvel estrutura fibrosa deve crescer de maneira diferente, sendo fcil e livre a ramificao. A diferena encontrada reside na quantidade de planos de maclao encontrados entre os cristais de silcio no modificados e modificados. As fibras de silcio modificado possuem uma quantidade muito superior de planos de maclao, em relao s placas de silcio no modificado. Como consequncia disto, a superfcie das fibras microfacetada e rugosa, pois h uma interao da grande quantidade de planos de maclao. Para que haja alteraes na quantidade de planos de maclao adicionam-se agentes modificadores. A explicao para este mecanismo resulta dos tomos do agente modificador serem absorvidos no plano durante o crescimento da interface lquido-slido [2]. 1.2 Caractersticas do modificador Uma melhoria nas propriedades mecnicas est associada estrutura modificada, particularmente no caso das ligas eutticas de alumnio-silcio que adquirem um grau de plasticidade elevado. No entanto existem algumas limitaes do estrncio como modificador, na medida em que o estrncio deve ser adicionado de acordo com critrios especficos para que os resultados sejam satisfatrios, como mostramos na Tabela 1. O tema geral deste trabalho foi com o intuito de realizar uma pesquisa mais profunda dos efeitos do estrncio na estrutura e nas propriedades das ligas de alumnio-silcio eutticas num plano mais detalhado. Isto particularmente importante antes da aplicao industrial da liga, uma vez que ainda existem vrias questes sem resposta [3].
Tabela 1 - Caractersticas do modificador, estrncio. [2]

Estrncio (Sr) Tempo de contato Fading (desvanecimento) Ambiente Sobre-modificao Poder de modificao Adio Manuseamento 10 a 20 minutos Lento (> 2horas) Limpo e livre de fumos Possvel. Consequncia direta na perda das propriedades mecnicas, particularmente na ductilidade. Bom 250 ppm No sensvel humidade para Sr < 20 %

2.Materiais e Procedimento Experimental 2.1 Liga utilizada A liga que utilizada neste trabalho foi uma liga de Al-Si (226, tambm conhecida por AK 93 lc.).
Tabela 2 - Composio qumica das amostras da liga 226 utilizada neste trabalho e da liga de modificador.

Si % Liga 226* 8-11 10,12 9,99 10,04 10,33 10,09 10,12 9,91 -

Fe % 1,2 0,80 0,75 0,77 0,76 0,76 0,76 0,80 -

Cu % 2-3,5 2,01 2,24 2,42 1,95 2,08 2,04 2,07 -

Mn % 0,10,5 0,22 0,18 0,19 0,20 0,20 0,21 0,21 -

Liga 226

Mg % 0,10,5 0,07 0,04 0,04 0,05 0,07 0,07 0,07 -

Ni % 0,3 0,07 0,04 0,04 0,03 0,04 0,03 0.04 -

Pb % 0,2 0,11 0,13 0,13 0,11 0,11 0,11 0,11 -

Sn % 0,1 0,02 0,02 0,02 0,02 0,02 0,02 0,02 -

Ti % 0,15 0,02 0,02 0,02 0,02 0,02 0,02 0,02 -

Zn % 1,2 0,59 0,59 0,63 0,58 0,60 0,59 0,59 -

Al % Restan te 85,97 85,97 85,65 85,93 85,96 85,98 86,12 95

Sr % 0 0,01 0,015 0,02 0,031 0,031 0,031 5

Liga AlSr5

*valores retirados do site http://www.limatherm.com. 1 Amostras com o mesmo teor de estrncio, mas ao fim de 10, 15 e 23 minutos respectivamente. 2.2 Procedimento experimental 2.2.1 Fuso e anlise trmica Procedeu-se fuso da liga de alumnio-silcio utilizada e quando todo o metal do forno estava no estado lquido vazou-se, e com um termopar recolheu-se o comportamento da liga durante o arrefecimento. Adicionou-se uma barra de AlSr5 de modo a que a adio de estrncio fosse de 0,03% em relao ao metal fundido. Retirou-se uma amostra ao fim de 10, 15 e 23 minutos de modo a controlar o tempo de incubao do estrncio. Passados 30 minutos vazou-se novamente, contendo este vazamento um teor de 0,03% de estrncio com o tempo de incubao mximo. Acrescentou-se metal ao forno de modo a que o teor em estrncio baixa-se de 0,03% para 0,02%, de 0,02% para 0,015%, de 0,015% para 0,01% e entre cada adio de metal vazaram-se 4 provetes e uma amostra para estudar o arrefecimento. Para o estudo do arrefecimento utilizou-se o programa AT Genrica, onde se identificou todas as fases, temperaturas de incio e fim de transformao e tempos. 2.2.2 Anlise qumica e microestrutura Cortaram-se amostras para anlise qumica atravs do mtodo de espectroscopia de emisso atmica, para determinar os teores exatos de todos os elementos da liga. Retiraram-se amostras para a anlise da microestrutura, para posteriormente se proceder comparao do silcio modificado e quantificao do Al-. A srie de lixas utilizadas para o desbaste foi 320, 600, 1000 mesh, e para o acabamento foi 6, 1 e 0,5m.

3.Resultados e Discusso 3.1Anlise Trmica Em relao anlise trmica da nossa liga, comeamos por ilustrar na Fig. 2, a curva de arrefecimento e a sua derivada, de modo a ser possvel identificar os pontos caratersticos da nossa liga, principalmente prximo do ponto eutctico, pois a modificao do Si euttico que vamos considerar como objeto fulcral, desta anlise.
2 1 0 -1 -2 -3 dT/dt (oC/s) -4 600 Temperatura (oC)
4 5 6

700

650

-5
-6 -7 -8 -9 -10 -11 -12 -13 0 25 50 75 100 Tempo (s) 125 150 175 200

550

500

450

400

Figura 2 Curva de arrefecimento e sua derivada, relativas amostra com 0% Sr.

De seguida vamos apresentar na Tabela 3 os pontos importantes da modificao do Si euttico, com os nmeros associados e respectivas designaes. Estes pontos so especficos de cada liga e para cada adio de estrncio. A influncia da adio de diferentes quantidades de estrncio na curva de arrefecimento da liga mostrada na Fig. 3. Os parmetros importantes da solidificao, tais como, a temperatura de nucleao (TN), a temperatura mnima (Tmin) que retirada do mximo da primeira derivada, a temperatura de crescimento do Al-Si euttico (TG) que se obtm quando a curva da primeira derivada interseta o ponto 0 a seguir ao mximo, e os tempos de comeo destas transformaes esto sumarizados na Tabela 4.
Tabela 3 Temperaturas e tempos caractersticos da liga de Al-Si estudada (simbolo e descrio) [4].

4 5 6

TN tN Tmin tmin TG tG TE,G TRecalescncia

Temperatura de nucleao do Al-Si euttico Tempo de nucleao do Al-Si euttico Temperatura mnima do Al-Si euttico Tempo correspondente temperatura mnima do Al-Si euttico Temperatura de crescimento do Al-Si euttico Tempo de crescimento do Al-Si euttico Somatrio da diferena de temperaturas de crescimento do Al-Si euttico Diferena entre a temperatura de crescimento e a temperatura mnima do Al-Si euttico

584 582 580 578 576 574 572 570 568 566 564 562 560 558 556 554 552 550 0

Temperatura (oC)

0,03%
50 100 150

0%
200 Tempo (s) 250

0,015%
300 350

0,02% 0,01%
400

Figura 3 Curvas de arrefecimento da lida de Al-Si para diferentes adies de estrncio. Tabela 4 Temperaturas e tempos caratersticos das diferentes adies de estrncio para a liga de Al-Si.

Sr (%) 0 0,01 0,015 0,02 0,03

TN 573,5 582,6 568,9 567,8 565

tN 69 88 212 291 142,8

Tmin tmin TG tG TE,G TRecalescncia 573,8 101 573,9 103 0 0,1 573,4 142 573,7 167 0,2 0,3 562,1 322 562,8 420 10,7 0,7 561,6 400 561,7 412 11,8 0,1 561,2 196,8 561,3 204,8 12,2 0,1

585 580 Temperatura (oC) 575 TN, Eut. (C)

570
565 560 0 0,01 0,02 % Sr 0,03 0,04

Tmin, Eut. (C) TG, Eut. (C)

Figura 4 Mudanas da temperatura de nucleao, da temperatura mnima e da temperatura de nucleao vs. Adio de Sr.

A temperatura de nucleao (TN) do euttico tem um mnimo de 565 C para adies de estrncio de 0.03% e obtm um mximo de 582.6C para 0.01%. A razo para este mnimo explicada pela absoro do estrncio na interface entre o silcio e o alumnio lquido. O estrncio

tem um efeito de envenenamento sobre o crescimento do silicio, o que o impede de crescer gradualmente. Ao diminuir a temperatura de nucleao numa taxa de crescimento equivalente, suprime o crescimento do silcio na solificao do Al-Si euttico, e por outro lado, a geminao induzida das partculas de silcio oferece um crescimento continuo segundo uma direo. O estrncio reduz ainda a tenso superficial do alumnio e modifica a energia de superficie da interface Al-Si [4]. Em relao temperatura mnima (Tmin), esta determinada usando a primeira derivada da curva de arrefecimento, ou seja, ela indica o ponto onde os cristais de silcio comeam a crescer juntamento com o alumnio. Tmin diminui desde 573.8C (para 0% Sr) at 561.2C (para 0.03% Sr), que nos d a indicao que tivemos uma reduo de 12.7C da tenmperatura mnima do crescimento do euttico. A temperatura de crescimento do Al-Si euttico uma caraterstica importante da temperatura de solificao das ligas de Al-Si [4]. Baseado nos resultados presentes na Tabela 4, vimos que a temperatura diminui de 573,9C (para 0% Sr) para 561.3C (para 0.03% Sr), sendo esta diminuio pouco relativa a partir do ponto de 0,01% at 0,03% de adio de estrncio.
14 12

10
TE,G (oC) 8 6 4 2 0 0 0,005 0,01 0,015 % Sr Figura 5 - Mudanas do crescimento do silicio euttico em funo do teor de estrncio 0,8 0,7 0,02 0,025 0,03 0,035

0,6
Trecalescncia 0,5 0,4 0,3 0,2 0,1 0 0 0,005 0,01 0,015 % Sr Figura 6 - Efeito do estrncio na recalescncia da reaco euttica, respetivamente. 0,02 0,025 0,03 0,035

So apresentadas na Fig. 5 alteraes do crescimento do silcio euttico em funo do teor de estrncio. Estes valores so apresentados como a diferena entre a temperatura de crescimento euttico (TG) de uma liga no-modificada e de uma liga modificada com diferentes teores de estrncio. A diferena apresenta valores desde 0 at 12,2C, desde teores de estrncio de 0% at 0.03%. Quanto maior a adio de estrncio, menor a alterao provocada na microestrututa, mas a temperatura euttica sofre um aumento [4]. A recalescncia e determinada pela diferena entre a temperatura de crescimento do euttico (TG) e a temperatura mnima (Tmin) da liga estudada (TRecalescncia = TG- Tmin). O efeito da recalescncia est descrito na Fig. 6. Para se poder determinar a adio tima de estroncio, temos de verificar uma diminuio da temperatura de crescimento euttico, um aumento do TE,G, comparado com a liga nao modificada. Temos ainda um aumento da recalescncia durante toda a modificao [4]. Com isto, podemos afirmar que a adio tima de estrncio de 0,015%, pois o ponto que cumpre todos estes parmetros.

3.2 Anlise Microestrutural A evoluo das microestruturas para as diferentes adies de estrncio permite-nos a visualizao da modificao do silcio euttico para os diferentes teores de estrncio adicionados liga Al-Si.

Figura 7 e 8 - Microestrutura de uma liga AlSi com 0% e 0,015% de Sr, respetivamente.

De acordo com as microestruturas obtidas, possvel verificar que na Fig. 7, com 0% Sr, o silcio euttico apresenta-se sobre a forma de agulhas. Na Fig. 8, a microestrutura apresentada teoricamente com 0,015% Sr adicionado, verifica-se desde logo, todo o silcio euttico j se encontra modificado, distribudo de forma menos compacta por toda a matriz de Al-, com geometria arredondada. A influncia da adio de estrncio, no s visvel na modificao do silcio euttico, pode-se ainda quantificar, com recurso ao ImageJ, a percentagem de Al- presente ao longo da adio do modificador.

Figura 9 e 10 - Microestrutura de uma liga Al-Si, com 0% de Sr e respectiva imagem da microestrutura tratada, atravs do programa ImageJ, de modo a quantificar a Al- que se encontra a negro.

Devido compactabilidade do silico euttico sobre a forma de agulhas, possvel verificar que existe uma grande rea a preto na Fig. 10, referente ao Al-. As adies do modificador iram influenciar a quantidade de Al- como possvel verificar na Fig. 11.
60 58 56 54 52 50 48 46 44 42 40 0 0,005 0,01 0,015 0,02 0,025 0,03 0,035 % de Sr Figura 11 - Quantificao da fase Al- para diferentes adies de Sr.

O teor da fase Al- directamente influenciada com adio de estrncio. Para uma liga Al-Si no modificada, o silico euttico apresenta-se compactado sobre a forma de agulhas, Fig. 7. Com adio de diferentes teores de estrncio o silcio euttico vai sendo modificado, apresentando-se menos compactado com uma geometria arredondada sobre uma matriz Al-, visvel na Fig. 8. De acordo com o que foi referido era esperado verificar um aumento do Al- desde Al-Si com 0% a 0,03% Sr, no entando isto no visvel na Fig. 11, uma vez que o procedimento foi realizado fazendo uma diluio do teor de estrncio e no uma adio deste elemento modificador de modo a aumentar o seu teor no banho. 4. Concluses Sendo assim, podemos tirar as concluses do nosso trabalho, de modo a reportar todos os aspetos relativos s temperaturas de transformao do eutctico e modificao da microestrutura, provocadas pela adio de estrncio. Os resultados esto sumarizados seguidamente. a) As temperaturas de nucleao (TN), mnimas (Tmin) e crescimento (TG) diminuem 4,4, 11,7 e 11,1C respetivamente em relao quantidade tima de adio de estrncio (0.015%). O

% de Al-

TE,G aumenta 10,7C em relao mesma quantidade de estrncio adicionado. A recalescncia sofre um aumento desde 0 at 0.015%. b) Relativamente modificao do Si eutctico, atravs da anlise das microestruturas observase uma mudana de forma de acicular para arredondada com o aumento do teor de estrncio. c) Quanto quantificao da fase Al-, os resultados obtidos foram os esperados, ou seja, houve um aumento da quantidade medida que se aumentou o teor em estrncio, com a exceo da diminuio dos valores de 0% para 0.01%, que pode ser explicada pelo desconhecimento do tempo ideal de incubao do estrncio. d) Como no foi possvel na anlise qumica recolher os dados relativos aos teores reais de estrncio presente nas amostras, todos os valores usados so os valores calculados no incio do trabalho, ou seja, os valores tericos.

5.Agradecimentos Os autores agradecem ao CINFU pela disponibilidade, materiais, equipamento e instalaes, e ao Engenheiro Bruno Fragoso pela sua disponibilidade, prontido e orientao no desenvolvimento do trabalho realizado. 6.Bibliografia [1] G. F. C. Almeida, A. A. Couto, B. P. Severino, A. Cabral Neto, J. Vatavuk, K. B. S. C. Machado, Estudo de ligas Al-Si fundidas em molde de areia verde: Efeito da adio de refinador e de modificadores de gro nas propriedades mecnicas, (2008). [2] H. Puga, J. Barbosa, C. S. Ribeiro, Afinao de gro e modificao do silcio eutctico da liga 356 por ultra-sons, revista Fundio 258. (2010) 16-17. [3] M. M. Haque, Effects of strontium on the strcture and properties of aluminium-silicon alloys, Journal of Materials Processing Technology 55 (1995) 193-198. [4] S. G. Shabestari, S. Ghodrat, Assessment of modification and formation of intermetallic compounds in aluminium alloy using termal analysis, Materials Science and Engineering A 467 (2007) 150-158.