N 1 2 3

ID 1N914 RG29D UF5402

Los Diodos Rd 1.5 M ohm 1.6 M ohm 1.7 M ohm

Ri 0 0 0

Vb 0.602 V 0.445 V 0.473 V

interruptor N 1 2 3 ID SPST SPDT DPDT

Roberto Meana M 8-863-2002

Edwin Urea 8-862-1300

FUNCIONAMIENTO DE UN DIODO Diodos semiconductores El diodo ideal es un dispositivo lineal con caractersticas de corriente contra tensin, como la mostrada en la figura 1.9(b). Esta caracterstica se conoce como lineal a segmentos, ya que la curva se construye con segmentos de rectas, si se intenta colocar una tensin positiva (o directa) a travs del diodo, no se tienen xito y la tensin se limita a cero. La pendiente de la curva est infinita. Por tanto, bajo esta condicin la resistencia es cero y el diodo se comporta como un cortocircuito. Si se colocan una tensin negativa (o inversa) a travs del diodo, la corriente es cero y la pendiente de la curva tambin es cero. Por tanto, del diodo se comporta ahora como una resistencia infinita, o circuito abierto. Figura 1.9 Construccin del diodo En la figura 1.10 se muestra un material de tipo p y otro de tipo n colocados juntos para formar una unin. Esto representa un modelo simplificado de construccin del diodo. El modelo ignora los cambios graduales en la concentracin de impurezas en el material. Los diodos prcticos se construyen como una sola pieza de material semiconductor, en la que un lado se contamina con material de tipo de y el otro con material de tipo n. Los materiales ms comunes utilizados en la construccin de diodos son tres; germanio, silicio y arsenurio de galio. En general, en silicio ha reemplazado al germanio en los diodos debido a su mayor barrera de energa que permiten la operacin a temperaturas ms altas, y los costos de material son mucho menores. El arsenurio de galio es particularmente til en aplicaciones de alta frecuencia y microondas. La distancia precisa en el que se produce el cambio de material de tipo p a tipo n en el cristal vara con la tcnica de fabricacin. La caracterstica esencial de la unin pn es que el cambio en la concentracin de impurezas se debe producir en una distancia relativamente corta. De otra manera, la unin no se comporta como un diodo. C abran una regin desrtica en la vecindad de la unin, como se muestra en la figura 1.11 (a). Este fenmeno se debe a la combinacn de huecos y electrones donde se unen los materiales. La regin desrtica tendr muy pocos portadores. Sin embargo, los dos componentes de la corriente constituida por el movimiento de huecos y electrones a travs de la unin se suman para formar la corriente de difusin, ID. La direccin de esta corriente es del lado p al lado n. Adems de la corriente de difusin existe otra corriente debido al desplazamiento de portadores minoritarios a travs de la unin, y se conoce como IS. Si ahora se aplica un potencial positivo al material p en relacin con el material n, como se muestra en la figura 1.11 (b), se dice que el diodo est polarizado en directo, por otra parte, si la tensin se aplican como en la figura 1.11 (c), el diodo se polariza en inverso.