3.1.

Diodos semiconductores:
Unin PN

V
Unin PN
Conceptos generales
V
V
I

P N
V

I

Es el dispositivo ms sencillo y bsico.
Consiste en un semiconductor con dos
zonas de distinta impurificacin: zonas de distinta impurificacin:
- Un lado dopado con impurezas aceptadoras (Tipo P).
- El otro con impurezas donadoras (Tipo N).
Tiene dos terminales externos (metales) para aplicar tensiones (diferencia de
tensin V entre el lado P y el N) y que fluya la corriente I (del lado P al N). y ) y q y ( )
Si la tensin aplicada entre terminales V=0 La unin est en equilibrio
Si la tensin aplicada entre terminales es diferente de cero Diodo polarizado
Si la tensin V>0 Polarizacin directa (I >0)
Si la tensin V<0 Polarizacin inversa (I <0) Si la tensin V<0 Polarizacin inversa (I <0)
w
w
w
.
.
c
o
m
F
i
s
i
c
a
A
Unin PN en equilibrio
N P
En el SC tipo P existen muchos huecos y
pocos electrones, y en el SC tipo N hay
h l t h muchos electrones y pocos huecos.
A temperatura ambiente, los huecos de
la zona P pasan por difusin hacia la
300 K
zona N y los electrones de la zona N
pasan a la zona P.
La difusin deja el lado P cargado
I
dn
I
ap
I
dp
I
an
negativamente y el lado N cargado
positivamente (en torno a la unin).
Debido a estas zonas cargadas aparece
V
0

E
un campo elctrico que origina
corrientes de arrastre que compensan
las de difusin Dando lugar a
corriente total nula.
X X
corriente total nula.
En equilibrio I = I
n
+ I
p
=0
X
p
X
n
w
w
w
.
.
c
o
m
F
i
s
i
c
a
A
p
p0 ~
N
A n
n0 ~
N
D
n
p0
p
n0
Perfil de las concentraciones de portadores de carga
X
p
X
n
Unin PN polarizada

P
N
Difusin
de huecos
Equilibrio: difusin = arrastre I = 0
de huecos

Difusin de
electrones
Carga
neta

Directa: V
PN
> 0: disminuye el campo de equilibrio
difusin > arrastre I | que crece con V
E

Arrastre
de electrones
Arrastre
de huecos
Inversa: V
PN
< 0: aumenta el campo de equilibrio
difusin < arrastre I ++ independiente de V
x
de electrones

p
w
w
w
.
.
c
o
m
F
i
s
i
c
a
A
En polarizacin Directa:
El potencial externo aplicado se opone al campo
elctrico que limita la difusin Disminuye el efecto
del arrastre y favorece la difusin de portadores
V > 0
I
del arrastre y favorece la difusin de portadores.
Electrones del lado N al P
Huecos del lado P al N
El resultado es una corriente neta elevada
P N
originada por el movimiento de los portadores
mayoritarios hacia donde son minoritarios, que
aumenta con la tensin aplicada
En polarizacin Inversa:
El potencial externo refuerza el campo elctrico de
arrastre. Las componentes de difusin son
P N
V < 0
p
prcticamente nulas. Dominan las componentes de
arrastre (trasladan los minoritarios al otro lado):
Electrones del lado P al N
H d l l d N l P
P N
I~0
x
Huecos del lado N al P
Son corrientes muy pequeas, que pueden
considerarse despreciables e independientes de la
tensin aplicada
w
w
w
.
.
c
o
m
F
i
s
i
c
a
A
Caracterstica I-V del diodo ideal
Se puede encontrar que la relacin entre la corriente I que circula por la unin PN y
la tensin externa V que se aplica es del tipo:
e
T k
V
B
T
=
V
T
(300 K) = 25.85 mV
k
B
(cte de Boltzmann) = 1.3810
-23
JK
-1
|
|

|
=
|
|

|
= 1 1
0 0
T K
eV
V
V
B T
e I e I I
V : denominado potencial trmico
|
.

\
|
.

\
1 1
0 0
e I e I I
I
0
: Corriente inversa de saturacin (pocos nA)
V
T
: denominado potencial trmico
En polarizacin directa: V>0 podemos
admitir que la exponencial es mucho mayor que 1
I
En polarizacin inversa: V<0 podemos
d i l i l f t l 1
V
I
0
despreciar la exponencial frente al 1
Caracterstica I-V del diodo ideal
0
I I =
Inversa Directa
w
w
w
.
.
c
o
m
F
i
s
i
c
a
A
Caracterstica I-V del diodo real
La caracterstica I-V de un diodo real es
ligeramente diferente: ligeramente diferente:
- En directa existe un voltaje umbral, V , que es
l l i i i h li
I
la polarizacin mnima que hay que aplicar para
que la unin conduzca Caracterstica
desplazada hacia la derecha.
V

V
R
- Para polarizaciones muy elevadas en inversa
(prximas a V
R
, tensin de ruptura, de
decenas de V) la corriente se hace muy
V
Inversa Directa
R
elevada.
Ruptura de la unin
Potencia disipada muy elevada (riesgo de que
l di iti )
Caracterstica I-V del diodo real
el dispositivo se queme)
w
w
w
.
.
c
o
m
F
i
s
i
c
a
A
Modelos para la caracterstica I-V del diodo
I I
) 0 con , cualquiera ( 0 0
) 0 con , cualquiera ( 0
~ ~ >
~ <
D D D
D D D
V I r V
I V R V
) con , cualquiera ( 0
) 0 con , cualquiera (

~ ~ >
~ <
V V I r V V
I V R V V
D D D
D D D
I
Tensin umbral
I
Ideal
+
-
V
D
V

V V
) / ( 0
) 0 con , cualquiera ( 0
D D D
V I V
I V R V ~ <
( )
D D D
I V V V V I V V
I V R V V ~ <

/ ) (
) 0 con , cualquiera (
I
I
) / ( 0
d D D d D
r V I r V = > ( )
d D D d D D d D
r I V V r V V I r V V + = = >

/ ) (
+
V
r
d
r
d
Tensin umbral y
resistencia directa
Resistencia directa
-
V
D V

r
d
V
V
w
w
w
.
.
c
o
m
F
i
s
i
c
a
A
Diodo Zener
Si la tensin de polarizacin inversa V
R
a
la que se produce el fenmeno de ruptura la que se produce el fenmeno de ruptura
es pequea (en mdulo) hablamos del
diodo Zener.
El diodo Zener puede trabajar en la
Tensin
Zener
I
El diodo Zener puede trabajar en la
regin de ruptura: para una tensin
inversa dada, llamada tensin Zener, V
Z
,
sta se mantiene constante aunque la
V
V
z
corriente vare.
Se utiliza como elemento protector o
como referencia de tensiones
V
En polarizacin directa funciona como un
diodo normal.
Su smbolo circuital:
Figura extrada de www.FFI-UPV.es
Su smbolo circuital:
w
w
w
.
.
c
o
m
F
i
s
i
c
a
A
3.2. Transistor bipolar
Semiconductor con tres regiones dopadas alternativamente en cada una de
Conceptos bsicos
Semiconductor con tres regiones dopadas alternativamente, en cada una de
las cuales se establece un contacto metlico. Existen dos tipos:
Emisor Colector Base
P P N
Emisor Colector Base
P N N
E
C
E
C
E C E C
I
E I
C
B
B
I > 0 si entra
I < 0 si sale
B B
C
I
B
0 = + +
B C E
I I I
E C CE
E B BE
V V V
V V V
=
=
Idea de funcionamiento: controlar la corriente de colector (emisor) Idea de funcionamiento: controlar la corriente de colector (emisor)
mediante una pequea corriente de base
w
w
w
.
.
c
o
m
F
i
s
i
c
a
A
Regiones de funcionamiento
Regin activa directa: unin BE en directa unin CB en inversa Regin activa directa: unin BE en directa, unin CB en inversa
Regin de corte: ambas uniones en inversa
Regin de saturacin: ambas uniones en directa Regin de saturacin: ambas uniones en directa
Regin activa directa
I
C
>0
+
NPN
I
C
<0
-
PNP
C
P
N
V
CE
>0
I
B
>0
+
B
C
V
CE
<0
I
B
<0
-
B
C
N
P
V
BE
>0
I
E
<0
-
E
V
BE
<0
I
E
>0
+
E
P
N
|
F
: factor de ganancia en corriente
B F C F B F C
I I I I | | | ~ + + =
0
) 1 (
Indica que la corriente de colector
|
F
: 150-200 en transistores comerciales
Indica que la corriente de colector
es proporcional a la de base
|
F
50 00 e t a s sto es co e c a es
w
w
w
.
.
c
o
m
F
i
s
i
c
a
A
Caractersticas de salida Transistor NPN
I
B
= 80 A
Regin de saturacin
Regin activa
I
C
(

m
A
)

I
B
= 60 A
Regin de corte
I
B
= 40 A
I = 20 A
I
B
= 0 A
I
B
= 20 A

Figura extrada de
www.FFI-UPV.es
V
CE
(V)

0
) 1 (
C F C
I I | + =
Regin de saturacin:
Uniones emisora y colectora en directa (V
BE
> 0, V
CB
< 0) 0 ~
CE
V
I I | I I
I
C
la determina el circuito en que est el transistor
max C B F
I I > |
max C C
I I =
Regin de corte:
Uniones emisora y colectora en inversa (V < 0 V > 0) 0 ~ I Uniones emisora y colectora en inversa (V
BE
< 0, V
CB
> 0)
V
CE
la determina el circuito en que est el transistor
0 ~
C
I
w
w
w
.
.
c
o
m
F
i
s
i
c
a
A
Punto de operacin estacionario del BJT en un circuito
Cuando un transistor opera dentro de un circuito se ha de establecer su punto de
operacin Se dice que el transistor se polariza
El conjunto de fuentes de tensin y resistencias utilizadas para fijar el punto de operacin
se denomina RED DE POLARIZACIN se denomina RED DE POLARIZACIN
Para determinar el punto de operacin (I
C
, I
B
, V
CE
, V
BE
), se deben cumplir:
Las caractersticas de salida del transistor
Las ecuaciones de las mallas del circuito en que se encuentre Las ecuaciones de las mallas del circuito en que se encuentre
V = V + I R
R 1 k
| = 100
V
BE
~ 0,7 V
V
BB
= V
BE
+ I
B
R
B
A 25 , 81
16000
7 , 0 2
=

=
B
BE BB
B
R
V V
I
R
C
=1 kO
R
B
=16 kO
I
V V + I R
I
c
= |I
B
= 8,125 mA
V
BE
V
CC
=10 V
V
BB
= 2 V
V
CE
I
C
I
B
Lnea de carga V
CC
=V
CE
+ I
C
R
C
BE
V
CC
10 V
B
V
CE
= V
CC
- I
C
R
C
=
10 - 8,125 = 1,875 V
Lnea de carga
Figura extrada de www.FFI-UPV.es
w
w
w
.
.
c
o
m
F
i
s
i
c
a
A
Transistor npn
12.5
10.0
I
C
(mA)
I
B
=50A
I
B
=60A
I
B
=70A

V
CC
=10V
p
5 0
10.0
7.5
I
B
=30A
I
B
=40A
B

R
C
=1KO
R
1
=475KO
I
C
B
C
5.0
2.5 I
B
=10A
I
B
=20A
I
B
E
V
BE
~ 0,5 V
V
CE
(V) 0 20 15 10 5
Recta de carga
10 1( ) ( ) ( )
CC C C CE
C CE
V R I V
V K I mA V V
= +
= O +
Cortes con los ejes:

= = =
= = =
V 10 0
mA 10 0
CC CE C
C
CC
C CE
V V I
R
V
I V
1 CC B BE
V R I V = +
Corriente de base
1
20
CC BE
B
V V
I A
R

= =
w
w
w
.
.
c
o
m
F
i
s
i
c
a
A

12.5
I
C
(mA)
I
B
=60A
I
B
=70A
10.0
7.5
I
B
=30A
I
B
=40A
I
B
=50A
5.0
2.5 I
B
=10A
I
B
=20A
Punto de operacin
estacionario
AI
C
V
CE
(V) 0 20 15 10 5
20
B
I A =
170 = = |
C
F
I
3.40
C
I mA =
6.6
CE
V V =
0.5
BE
V V =
|
B
F
I
w
w
w
.
.
c
o
m
F
i
s
i
c
a
A
) ( ) ( ); ( ) ( t i I t I t i I t I + = + =
Circuito equivalente de pequea seal y baja frecuencia
) ( ) ( ); ( ) (
0 0
t i I t I t i I t I
b B B c C C
+ = + =
) ( ) ( ); ( ) (
0 0
t v V t V t v V t V
be BE BE ce CE CE
+ = + =
El circuito equivalente establece relaciones entre las corrientes y tensiones variables en el
Operacin tpica del transistor:
Pequea seal: relaciones lineales
i
b
i
c B
C
El circuito equivalente establece relaciones entre las corrientes y tensiones variables en el
tiempo (i
c
, i
b
, v
ce
, v
be
) superpuestas al punto de operacin estacionario (I
C0
, I
B0
, V
CE0
, V
BE0
)
Pequea seal: relaciones lineales
h
ie
v
ce
v
be
h
fe
i
b
h
ie
r
t
impedancia de entrada ~ 200-400 O
E
b fe c b ie be
i h i i h v = = ;
ie t
p
h
fe
|
F
ganancia en corriente ~ 150-200
Dependen del punto de operacin estacionario
slo vlido en la regin activa
i
b
i
c B
C
slo vlido en la regin activa
(comportamiento lineal)
r
t
v
ce
v
be
|
F
ib
E
b F c b be
i i i r v | = =
t
;
w
w
w
.
.
c
o
m
F
i
s
i
c
a
A
BJT en aplicaciones analgicas: Amplificador
Cuando usemos el BJT en un circuito como amplificador sustituiremos su
smbolo por el circuito equivalente y analizaremos el circuito resultante smbolo por el circuito equivalente y analizaremos el circuito resultante
Circuito equivalente de pequea seal:
CC
V
) (t I
C
B
R
C
R
B
B
) (t v
i
B
R
C
R
c
i
+
be
v
b
i
C
C
+
BB
V
) (t v
i
) (t V
BE
) (t V
CE
) (t I
B

r

b F
i |
E
E
v
ce
BB
V
r
t
y |
F
(ganancia) son los parmetros del circuito
Figura extrada de Microelectronic Circuits, Sedra/Smith, Ed. Oxford University Press
w
w
w
.
.
c
o
m
F
i
s
i
c
a
A
3.3. Transistor MOSFET
(transistor de efecto de campo metal xido semiconductor) (transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor)
Conceptos bsicos
V
G
Unin metal-xido-semiconductor (MOS)
0 =
G
I
Metal
Oxido (aislante)
V
G
Acumulacin: mismo tipo de portadores que el sc
Vaciamiento: sin portadores libres
G
Segn la tensin V
G
:
Semiconductor
Vaciamiento: sin portadores libres
Inversin: portadores del tipo contrario a los del sc
La conductividad del semiconductor debajo del xido es modulada por la tensin de puerta V
G
w
w
w
.
.
c
o
m
F
i
s
i
c
a
A
D S G D S G
Metal
Tipos de MOSFET
D S G D S G
xido
S i d t
p n
Semiconductor
Metal
n
+
n
+
p
+
p
+
Metal
Canal N
(sustrato P)
Canal P
(sustrato N)
F d
Figura extrada de www.FFI-UPV.es
Formado por:
- Una placa de metal y un semiconductor separados por una zona de xido del
semiconductor (por ejemplo SiO
2
), que acta como aislante.
D i d d d ti t i l i d t f l b t t - Dos regiones muy dopadas de tipo contrario al semiconductor que forma el substrato.
- Electrodos:
- Puerta (G, Gate), que se conecta a la placa metlica. La corriente en la puerta es nula
Fuente (S Source) y drenador (D Drain) ambos simtricos conectados a las zonas muy dopadas - Fuente (S, Source) y drenador (D, Drain), ambos simtricos, conectados a las zonas muy dopadas
- A veces existe un cuarto electrodo de sustrato (B, suBstrate) en el metal inferior
Idea de funcionamiento: controlar la corriente que fluye entre fuente y drenador Idea de funcionamiento: controlar la corriente que fluye entre fuente y drenador
mediante la tensin aplicada a la puerta
(para que haya corriente entre fuente y drenador ha de haber capa de inversin bajo el xido)
w
w
w
.
.
c
o
m
F
i
s
i
c
a
A
Tensiones y corrientes
S D G
MOSFET canal N (sustrato P)
Puerta o rejilla
SiO
2

Drenador Fuente
N
+
N
+
0 >
DS
V
0 =
G
I
E
0 =
BS
V
Sustrato
Si tipo P
0 >
DS
V
0 >
D
I
E
B
MOSFET canal P (sustrato N)
Puerta o rejilla
SiO
2

S D G
P
+
P
+
0 = I
0 = V
Puerta o rejilla
Drenador Fuente
Sustrato
P P
0 <
DS
V
0 < I
0 =
G
I
E
0 =
BS
V
Sustrato
Si tipo N
B
0 <
D
I
w
w
w
.
.
c
o
m
F
i
s
i
c
a
A
Caractersticas de salida

I
D
(mA)
S i
No
V
GS
=1V
25
20
Saturacin
No
Saturacin
V
GS
=0.5V
V
GS
=0V 10
15
V
GS
=0.25V
V
GS
=-0.25V
V
GS
=-0.5V
5
V
DS
(V)
0 8 6 4 2
En saturacin:
GS D
V cte I de e dependient , ~
w
w
w
.
.
c
o
m
F
i
s
i
c
a
A
Tensin umbral
V : tensin de puerta a partir de la cual hay capa de inversin (el transistor conduce) V
T
: tensin de puerta a partir de la cual hay capa de inversin (el transistor conduce)
Canal N: conducen para
T GS
V V >
Canal P: conducen para
T GS
V V <
Existe un potencial de puerta mnimo que
Caracterstica de transferencia
Ejemplo: canal N
Existe un potencial de puerta mnimo que
debe superarse para que la corriente de
drenador sea distinta de cero:
Por debajo del valor umbral (V
GS
<V
T
) no hay
electrones en el canal no hay conduccin
no hay corriente. I
D
=0.
Para valores de V
GS
>V
T
aparece la capa de
inversin (electrones) es posible la
V
T
: valor para el que comienza a haber una
corriente de drenador no nula
conduccin entre fuente y drenador
corriente de drenador no nula
w
w
w
.
.
c
o
m
F
i
s
i
c
a
A
N h d i i ( 0 li 0) MOSFET d l
Clasificacin de MOSFETS y smbolos circuitales
0 =
GS
V
No hay capa de inversin (I
D
=0 aunque se aplique V
DS
0) MOSFET de realce
Hay capa de inversin (hay I
D
al aplicar V
DS
0) MOSFET de vaciamiento

Tipo Smbolos
Caractersticas
de salida
Caractersticas de
transferencia
Canal N
D
I
D

+
I
D D
Condicin
para conduccin
Potencial
umbral
Canal N
Enriquecimiento
Norm. OFF
Realce
G
S
B
V
DS
V
GS
+
-
+
V
GS

V
T

G
S
T GS
V V >
0 >
T
V
Canal N
Empobrecimiento
Norm. ON
Vaciamiento
G
D
S
B
V
V
GS
=0
I
D

+
+
+ -
I
D
V
GS

G
D
S

T GS
V V >
0 <
T
V
Canal P
Enriquecimiento
Norm. OFF
R l
G
D
B
V
DS +
-
V
GS

V
DS
+
-
I
D
V
GS

V
T

+
G
D

0 <
T
V
Realce
Canal P
Empobrecimiento
S
D
B
I
D

-
V
DS
V =0
-
+
-
I
D
V
S
D
T GS
V V <
T
Norm. ON
Vaciamiento
G
S
B
V
GS
=0
-
I
D
V
GS
G
S
0 >
T
V
w
w
w
.
.
c
o
m
F
i
s
i
c
a
A
Comparacin caractersticas de salida BJT / MOSFET
En la forma las caractersticas de los MOSFETs son anlogas a las de los BJTs.
Eje x
BJT: tensin entre emisor y colector (V
CE
)
Eje y
BJT: corriente de colector (I
C
) y (
CE
)
MOSFET: tensin entre fuente y drenador (V
DS
)
Sin embargo, la diferencia est en el tercer terminal o terminal de control:
(
C
)
MOSFET: corriente de drenador (I
D
)
BJT: controla la corriente de base I
B
MOSFET: controla la tensin de puerta V
GS
MOSFET
m
A
)

I
B
= 80 A
BJT
MOSFET
I
B
= 40 A
I
C
(

m
I
B
= 60 A
I
B
= 0 A
I
B
= 20 A

V
CE
(V)

Figura extrada de www.FFI-UPV.es

w
w
w
.
.
c
o
m
F
i
s
i
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Igual que ocurre con el BJT, debemos polarizar el MOSFET para tener entre sus terminales
Punto de operacin estacionario del MOSFET en un circuito
Igual que ocurre con el BJT, debemos polarizar el MOSFET para tener entre sus terminales
unas diferencias de potencial y unas corrientes determinadas
Para determinar el punto de operacin (I
D
, V
GS
, V
DS
), se deben cumplir:
Las caractersticas de salida
Las ecuaciones de las mallas del circuito en que se encuentre
8V
I
D
(mA)
V
DD
R
2
=
R
D
=400O
V 0 5V
V
GS
=1V
25
20
Saturacin
No
Saturacin
I
D
2
62KO
V
GS
=0.5V
V
GS
=0V 10
15
V
GS
=0.25V
I
D
G
S
D
R
1
=
2KO
V
DS
(V)
0
V
GS
=-0.25V
V
GS
=-0.5V
5
8 6 4 2
S
1
1 2
8
0.25
G GS
V
V V R V
R R
= = =
+
8 0.4( ) ( ) ( )
D D DS D DS
V R I V K I mA V V = + = O + recta de carga Cortes con los ejes:

= = = mA 20 0
D
DD
D DS
R
V
I V
tensin de puerta (divisor de tensin)
3.4
DS
V V =
11.5
D
I mA =

= = = V 8 0
DD DS D
V V I
w
w
w
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Circuito equivalente de pequea seal y baja frecuencia
) ( ) ( I I ) ( ) (
0
t i I t I
d D D
+ =
) ( ) ( ); ( ) (
0 0
t v V t V t v V t V
gs GS GS ds DS DS
+ = + =
Operacin tpica del transistor:
i i
El circuito equivalente establece relaciones entre las corrientes y tensiones variables en el
tiempo (i
d
, v
ds
, v
gs
) superpuestas al punto de operacin estacionario (I
D0
, V
DS0
, V
GS0
)
G D
i
d
i
g
g
m
v
gs
v
gs
v
ds
slo vlido
en la regin de saturacin
(comportamiento lineal)
S
( p )
0 = =
g gs m d
i v g i
g
m
transconductancia
Depende del punto de operacin estacionario
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w
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.
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MOSFET en aplicaciones analgicas: Amplificador
Cuando usemos el MOSFET en un circuito como amplificador sustituiremos
su smbolo por el circuito equivalente y analizaremos el circuito resultante su smbolo por el circuito equivalente y analizaremos el circuito resultante
Circuito equivalente de pequea seal:
D
R
R
DD
V
) (t I
D
G
D
d
i
+
gs
v
D
R
gs
v g
m G
D ) (t v
i
+
ds
v

GG
V
) (t v
i
) (t V
GS
) (t V
DS
S
S

Figura extrada de Microelectronic Circuits, Sedra/Smith, Ed. Oxford University Press
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3.4. Diodos emisores de luz y diodos lser
Su funcionamiento se basa en el fenmeno de la
V > 0
Diodo emisor de luz (LED). Conceptos bsicos
electroluminiscencia. En una unin PN, en
polarizacin directa:
Aumenta la difusin de portadores (desde donde son
mayoritarios hacia donde son minoritarios)
P N
mayoritarios hacia donde son minoritarios).
En torno a la unin aparecen unos excesos de
portadores que sern mayores cuanto ms polarizacin
directa se aplique.
Recombinacin emisin
El d t d d l
fotn
hv =Eg
electrn
-
BC
Eg
El exceso de portadores va a dar lugar a
PROCESOS DE RECOMBINACIN:
Tiene lugar una prdida de energa de los
electrones (al pasar de la BC a la BV) que
g
hueco
+
BV
electrones (al pasar de la BC a la BV) que
origina la emisin de radiacin: fotones de
energa: hu =GAP
El color de la luz del LED lo marca el
GAP d l i d t GAP del semiconductor.
Este proceso se denomina
electroluminiscencia
(los excesos de portadores los
origina un campo elctrico)
Figura extrada de
http://platea.pntic.mec.es/~lmarti2/opto1.htm
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Luego un LED es un dispositivo que consume
El LED se asemeja a un diodo normal, pero
Luego un LED es un dispositivo que consume
energa elctrica y nos devuelve radiacin
electromagntica
El LED se asemeja a un diodo normal, pero
con importantes diferencias:
- Un empaquetado transparente que permite
que la energa (luz en el espectro del visible
o el IR) pase a su travs
- rea de la unin PN muy grande
E t l t ti Espectro electromagntico
Figura extrada de www.stefanofenzo.com
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Color de la luz de un LED
Semiconductores habituales: Ge, Si, GaAs
(en el infrarrojo, con mltiples aplicaciones)
visible comunicaciones
(m)
0.4 0.7 1.6

c
f =
h ( V)
UV NIR MIR
f h

f
hv (eV)
3 1.6 0.8
f h = c
GaP SiC GaAs Si Ge
E
g
(eV)
GaN
E
g
(eV)
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Para poder crear dispositivos en el rango del visible ha sido necesario
fabricar semiconductores con gaps elevados fabricar semiconductores con gaps elevados.
LEDs blancos: - Mezclar luz de LEDs con diferentes colores (azul+verde+rojo)
- LED de InGaN (azul) + capa de fsforo (genera verde y rojo) LED de InGaN (azul) capa de fsforo (genera verde y rojo)
mucho menor consumo que bombillas convencionales, apenas se calientan, mayor duracin
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Aplicaciones de los LED
Los diodos infrarrojos (IRED) se emplean desde mediados del siglo XX en
mandos a distancia de televisores (hoy por hoy su uso se ha generalizado en
general para aplicaciones de control remoto).
Tambin como fuentes de luz para aplicaciones de comunicaciones en fibra
ptica
Los LEDs con luz en el visible se emplean con profusin como:
- Indicadores de estado (encendido/apagado)
- Dispositivos de sealizacin (de trnsito, de emergencia, etc.)
P l i f ti ( l d l d d l NASDAQ - Paneles informativos (el mayor del mundo, del NASDAQ,
36,6 metros de altura y est en Times Square, Manhattan).
Imgenes extradas de www.wikipedia.org
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- Retroiluminacin de pantallas de telfonos mviles y televisores (en lugar de la luz
fluorescente de los LCD) fluorescente de los LCD)
- Displays de calculadoras: displays de 7 segmentos
Figuras extradas de www.wikipedia.org
Diferentes formatos de displays LEDs para aplicaciones
numricas y alfanumricas (a): Aplicacin numrica de 7
barras, (b): matriz numrica, (c): alfanumrica de 14
barras; (d): matriz 5 7 alfanumrica barras; (d): matriz 5 7 alfanumrica
- Iluminacin: vehculos, linternas, viviendas, etc.
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Diodo lser semiconductor
(Light Amplification by Estimulated Emission of Radiation)
Se trata de nuevo de una unin PN polarizada en directa (tpicamente fabricada en una
heteroestructura semiconductora) que genera luz (por recombinacin de electrones de
(Light Amplification by Estimulated Emission of Radiation)
) q g (p
BC a BV) con caractersticas especiales:
- Monocromtica (todos los fotones de la misma frecuencia)
C h t (t d l f t l i f ) - Coherente (todos los fotones con la misma fase)
- De alta direccionalidad
- De amplitud fcilmente modulable
Imagen extrada de
www.wikipedia.org
La luz se genera en una cavidad con gran densidad de fotones que estimulan nuevos
d bi i i f ( f l i ) procesos de recombinacin que emiten ms fotones (en fase con los anteriores)
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Aplicaciones (ligadas a comunicaciones/informtica)
Un haz lser altamente coherente puede ser enfocado en unos pocos nanmetros.
Esta propiedad permite al lser ser utilizado en aplicaciones que requieran gran
resolucin espacial:
- Comunicaciones de datos por fibra ptica
- Lectores y grabadores de CDs, DVDs, Blu-rays
- Interconexiones pticas entre circuitos integrados p g
- Impresoras lser
- Escneres o digitalizadores
- Sensores Sensores
Imagen extrada de www.dtvgroup.com
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3.5. Dispositivos fotodetectores
Fotodetector bsico (b d l f t d ti id d) Fotodetector bsico (basado en la fotoconductividad)
Si tenemos el semiconductor sometido a un campo elctrico E
I I E A E A E A I
L
A + = o A + o = o =
0 0
permite detectar la iluminacin y su intensidad permite detectar la iluminacin y su intensidad
fotodetector (bsico)
Fotodispositivos
Dispositivos que aprovechan los cambios que tienen lugar en sus caractersticas p q p q g
corriente-tensin en presencia de la radiacin para detectar su intensidad
Existen: - Fotodiodos
Fototransistores bipolares - Fototransistores bipolares
- Fototransistores MOSFET
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Fotodiodos
Un fotodiodo pn es una unin pn en la que la corriente en inversa aumenta con el flujo de
fotones incidente
Los fotones pueden ser absorbidos en toda la estructura (fotoconductores)
En las proximidades de la unin pn existe un campo elctrico intenso
Este campo es capaz de separar los pares de portadores generados rpidamente, disminuyendo as la
probabilidad de que se produzcan recombinaciones que impidan la contribucin a la fotocorriente.
Interesa entonces que el flujo de fotones incida en la zona prxima a la unin (o zona de Interesa entonces que el flujo de fotones incida en la zona prxima a la unin (o zona de
transicin) para conseguir la mayor eficiencia. Pero esa zona tpicamente es muy
estrecha.
++
--
Smbolo circuital del fotodiodo
Esquema bsico de del funcionamiento de un fotodiodo pn
Figura extrada de http://www.info-ab.uclm.es/labelec/solar/otros/infrarrojos/fotodetectores.htm
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Se usan en el tercer cuadrante de las caractersticas I-V Se usan en el tercer cuadrante de las caractersticas I V
La construccin est orientada a lograr que la sensibilidad
a la luz sea mxima
Para mejorar las prestaciones del fotodiodo pn, la idea ms j p p
sencilla es aumentar el tamao (el rea) de la zona de
transicin.
El semiconductor est expuesto a la luz a travs de una
b t d i t l f d l t cobertura de cristal, a veces en forma de lente.
Por su diseo y construccin ser especialmente sensible a la
incidencia de la luz visible o infrarroja.
// / http://www.mecanicavirtual.org/can-most-bus.htm
Imagen extrada de http://www.centronic.co.uk
http://www.wikiciencia.org/electronica/semi/optoelectronica/index.php
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S ibl i t i
Caractersticas de los fotodiodos
Son pequeos, sensibles y requieren poca potencia.
Lo que define las propiedades de sensibilidad al espectro de un fotodiodo
es el material semiconductor que se emplea en su construccin.
Silicio, sensible a la luz visible (longitud de onda de hasta 1,1 m)
Germanio para luz infrarroja (longitud de onda hasta aproximadamente 1,7 m)
De otros materiales semiconductores.
Silicio: 1901100 nm
Germanio: 8001700 nm
Imagen extrada de
www wikipedia org
Arseniuro de Galio Indio (InGaAs): 8002600 nm
www.wikipedia.org
http://agaudi.wordpress.com
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Clulas solares (dispositivos fotovoltaicos)
Dispositivos que convierten radiacin ptica en energa elctrica
Principio de funcionamiento similar a los fotodiodos (unin PN sometida a
radiacin), pero trabajando en el 4 cuadrante de las caractersticas I-V.
Corriente + diferencia de potencial potencia
V
mp
V
OC
V
I
I
mp
I
L
Potencia de salida
negativa en el 4 cuadrante
http://www.wikiciencia.org/electronica/semi/optoelectronica/index.php
g
proporciona potencia
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