Introduccin

Electrnica Digital: los circuitos trabajan con seales que slo toman dos valores: 0 1.
Los dispositivos electrnicos van a trabajar entre dos estados, que correspondern a os d spos os e ec cos a a abaja e t e dos estados, que co espo de a
cada uno de esos valores. Hemos de especificar qu estados de funcionamiento
representan al 0 y al 1 en cada uno de los dispositivos.
Tpicamente los valores lgicos se representan por tensiones, asignando un cierto
rango de tensiones al valor lgico 0 y otro rango bien diferenciado al valor lgico 1.
Lo habitual es que si un circuito digital se alimenta entre 0 y V
CC
V
DD
, esos rangos de
tensiones sean:
V
CC
o V
DD
V
1
T bi ibl t l l l i di t t it d f i
0 V
0
Tambin es posible representar los valores lgicos mediante otras magnitudes fsicas,
como la corriente, o la frecuencia o la fase de una seal.
w
w
w
.
.
c
o
m
F
i
s
i
c
a
A
4.1. Conmutacin de diodos y transistores
Los dispositivos trabajan entre dos estados (puntos de funcionamiento) muy
alejados entre s, uno correspondiente al 0 y otro correspondiente al 1. Son
l t d d t (OFF) d i (ON)
Estados de corte y conduccin en una unin PN
los estados de corte (OFF) y conduccin (ON).
Estados de corte y conduccin en una unin PN
- Estado de conduccin (ON): directa
I
Estado de conduccin (ON): directa

>V V
PN
(tensin baja)
P N
V > V

I elevada I elevada
- Estado de corte (OFF): inversa
V < V

( )

<V V
PN
(tensin negativa alta)
I nula
P N

I 0
x
I nula
I~0
w
w
w
.
.
c
o
m
F
i
s
i
c
a
A
Estados de corte y conduccin en un transistor bipolar
Transistor bipolar p-n-p:
Estado de conduccin (ON):
0 V < 0 I < 0
CE
V < , 0
C
I <

0 < <

V V
BE
y si es suficientemente negativo, el
transistor estar en saturacin.
V
CE

Estado de corte (OFF):
0
CE
V < , 0
C
I =
V V
V
BE



V V
BE
>
Transistor bipolar n-p-n:
Estado de conduccin (ON): Estado de conduccin (ON):
0
CE
V > , 0
C
I >

0 > >

V V
BE
y si es suficientemente positivo, el
V
CE
transistor estar en saturacin.
Estado de corte (OFF):
CE
V
BE

0
CE
V > , 0
C
I =

BE
V V

<
w
w
w
.
.
c
o
m
F
i
s
i
c
a
A
Estados de corte y conduccin en un MOSFET
MOSFET canal N (de realce):

Estado de conduccin (ON):
0
DS
V > , 0
D
I >
0
GS T
V V > > , ( 0
T
V > )
Estado de corte (OFF):
V
DS
( )
0
DS
V > , 0
D
I =

GS T
V V < , ( 0
T
V > )
V
GS
MOSFET canal N (de vaciamiento):
Estado de conduccin (ON):
0
DS
V > , 0
D
I >
V V > ( 0 V < )
GS T
V V > ( 0
T
V < )
Estado de corte (OFF):
0
DS
V > , 0
D
I =
V
DS

GS T
V V < , ( 0
T
V < )

V
GS
w
w
w
.
.
c
o
m
F
i
s
i
c
a
A
MOSFET canal P (de realce):
Estado de conduccin (ON):
0
DS
V < , 0
D
I <
0
GS T
V V < < , ( 0
T
V < ) 0
GS T
V V < < , ( 0
T
V < )
Estado de corte (OFF):
0
DS
V < , 0
D
I =
V V > ( 0 V < )
V
DS

GS T
V V > , ( 0
T
V < )
V
GS
MOSFET canal P (de vaciamiento):
Estado de conduccin (ON): ( )
0
DS
V < , 0
D
I <

GS T
V V < ( 0
T
V > )
Estado de corte (OFF):
V
DS
Estado de corte (OFF):
0
DS
V < , 0
D
I =

GS T
V V > , ( 0
T
V > )
VV
GS
w
w
w
.
.
c
o
m
F
i
s
i
c
a
A
Se dice que un dispositivo trabaja en conmutacin cuando partiendo de un punto de funcionamiento
Conmutacin
q p j p p
esttico es desplazado bruscamente hacia otro punto de funcionamiento esttico, este ltimo
suficientemente alejado del primero como para que no sea vlido un anlisis lineal. Este desplazamiento es
tpicamente entre los estados de corte (OFF) y saturacin (ON) en transistores bipolares y corte (OFF) y
regin lineal (ON) en los de efecto de campo.

I
D
(mA)
N
Regin de conducci n
(estado ON)

I
C

I
B4
> I
B3
Regin de saturacin
(estado ON)
g ( ) p
V
GS
=0.5V
V
GS
=1V
25
15
20
Saturacin
No
Saturacin
I
B3
> I
B2

B4 B3
V
GS
=-0.25V
V
GS
=0V
5
10
15
V
GS
=0.25V
I
B1
>0
I
B2
> I
B1

Regin activa
V
DS
(V)
0
GS
V
GS
=-0.5V
8 6 4 2
Regin de corte
(estado OFF) V
CE
I
CO
(1+|
F
) I
B
=0
Regin de corte
Caractersticas de salida del MOSFET
(estado OFF) V
CE
Caractersticas de salida de un transistor n-p-n
g
(estado OFF)
La salida de los circuitos digitales con transistores es tpicamente la
tensin V
CE
en un BJT V
DS
en un MOSFET
w
w
w
.
.
c
o
m
F
i
s
i
c
a
A
4.2. Etapas inversoras fundamentales
1 V
CC
0 0
Inversor con transistor bipolar
V
CC
R
C
V
0
V
entrada 0 salida 1
entrada 1 salida 0
R
B
V
0
C
V
CC
C
B
caracterstica inversora
Q
I
B
V
I
V
I
V

V
CC
E
B

V V
I
<
transistor en corte
0 , = =
C CC o
I V V
CC I
V V ~
transistor saturado
C
CC
C o
R
V
I V = ~ , 0
V
V V
Consumo elevado
en R
C
cuando el
transistor est
saturado
C
CC
B
CC
F C B F
R
V
R
V V
I I >

>

| |
max
w
w
w
.
.
c
o
m
F
i
s
i
c
a
A
Tiempos de retardo
El transistor bipolar no cambia de estado (conmuta) en tiempo nulo. Requiere un tiempo para readaptar las
V
I
V
CC
p ( ) p q p p p
cargas en su interior, de modo que la salida cambia de estado con un cierto retardo respecto a la entrada.
V
0
CC
t
0
V
CC
t
I
C
V
CC
/ R
C
t
t
ON
t
OFF
t
ON
t
OFF
t
t
ON
tiempo de paso a conduccin
t tiempo de paso a corte t
OFF
tiempo de paso a corte
(interesa que el transistor en el estado ON est al borde de saturacin: |
F
I
B
~ I
Cmax
)
w
w
w
.
.
c
o
m
F
i
s
i
c
a
A
Los tiempos de retardo limitan la frecuencia mxima de funcionamiento de los
circ itos digitales circuitos digitales.
Al menos ha de cumplirse que T > t
ON
+ t
OFF
f < 1 / (t
ON
+ t
OFF
)
V
I
V
CC
V
0
t
V
CC
t
Ej l d l f i i t i l T < t + t Ejemplo de mal funcionamiento como inversor al ser T < t
ON
+ t
OFF
w
w
w
.
.
c
o
m
F
i
s
i
c
a
A
Inversor con transistor MOSFET
DS D D DD
V I R V + =
recta de carga
V
DD
1 V
DD
0 0
No saturacin Saturacin
V
GS
= V
DD

I
D
(mA)
3
V
o
V
DD
Transistor cortado
Transistor saturado
V
DS D D DD
R
D
ON
V
DD
/R
D
1
2
V
GS
=4V
V
GS
=3V
Recta de carga
Transistor
no saturado
V
Transistor saturado
V
o
I
D
V
Q
G
D
ON

V
DS
(V)
0
2 4 6 8
V
GS
=2V
GS
V
GS
=V
T

V
DD
V
I
V
T
V
I
DS o
GS I
V V
V V
=
=
S
OFF V
DD
caracterstica inversora
T I T GS
V V V V > > > 0 Q conduce para
Consumo elevado
T I
V V < transistor en corte
0 , = =
D DD o
I V V
Consumo elevado
en R
D
cuando el
transistor est en
el estado ON
DD I
V V ~
transistor no saturado
D
DD
D o
R
V
I V ~ ~ , 0
w
w
w
.
.
c
o
m
F
i
s
i
c
a
A
V
0
V
1 V
SS
0 0
Inversor CMOS
caracterstica
inversora

V
SS

Q
P
V
SS
0 0
S
2
G
2
(ms prxima a la ideal)
V
0

V
I
G
2
D
2
D
1
Q
N
V
I
V
TN
V
SS
V
SS
-|V
TP
|
S
1
1
G
1
TP SS I TP SS I TP GS
TN I TN GS
V V V V V V V V
V V V V
< < < <
> > >
0
0
2
1
TP SS TN
V V V <
Q
N
conduce para
Q
P
conduce para
Se disea con
V
I
Q
N
Q
P
V
o
I
TP SS I TP SS I TP GS 2
No hay
0<V
I
<V
TN
Cortado Conduce V
SS
0
V
TN
<V
I
<V
SS
-|V
TP
| Conduce Conduce intermedia =0
No hay
consumo en
ninguno de los
dos estados
de la salida
V
SS
-|V
TP
|<V
I
<V
SS
Conduce Cortado 0 0
de la salida
(s en la
transicin)
w
w
w
.
.
c
o
m
F
i
s
i
c
a
A
4.3. Implementacin de circuitos digitales bsicos
Aadiendo a los inversores algunos elementos adicionales (otros dispositivos u
otros inversores) para tener ms entradas, es posible disear circuitos que
realicen diversas operaciones lgicas
Ejemplo 1: Aadir diodos como entradas al inversor con transistor bipolar
1 V
0 0
V
R
D
1

V
1
" 1 " = = = = V V V V V V
o 3 2 1
todos los diodos en corte
D
2

D
3

V
2

V
3

V
0

" 0 " = =

V V V V V
o
0
3 2 1
al menos un diodo conduce
o dos de ellas o las tres
Operacin AND
Puerta AND de diodos Puerta AND de diodos
w
w
w
.
.
c
o
m
F
i
s
i
c
a
A
Colocamos el circuito anterior como entrada de un inversor con transistor bipolar

V
CC
V
CC
R
R
L

D
1

D
01
D
02

V
1

V
0

R
C

D
01
y D
02
aseguran que el
transistor est en corte
cuando una entrada es 0
D
2
D
3

V
2

V
3

Q
I
B

A
" 0 " saturado) r (transisto ~ | = = = 0
3 2 1 o B CC
V I V V V V
Operacin NAND
todos los diodos en corte
" 1 " corte en transistor cortada BE unin ~ = =
CC o A
V V V V V V V

0
3 2 1
o dos de ellas o las tres (al menos un diodo conduce)
p
o dos de ellas o las tres (al menos un diodo conduce)
Puerta NAND DTL Puerta NAND DTL
w
w
w
.
.
c
o
m
F
i
s
i
c
a
A
1 V
Ejemplo 2: Unir varios inversores con transistor bipolar

V
CC

1 V
CC
0 0
Se aaden inversores en paralelo (o en serie)
V
1
R
C

R
B

p ( )
al inversor convencional con transistor bipolar
para tener ms entradas
V
2
V
0
Transistores en paralelo:
- basta que uno conduzca para que la rama inferior conduzca
- slo cuando todos estn cortados la rama inferior est en corte
V
m
R
B

Operacin NOR
" 1 " cortados es transistor los todos ~ = = = =
CC o m
V V V V V 0 ...
2 1 CC o m 2 1
" 0 " saturado transistor un menos al ~ = 0 ...
2 1 o CC m
V V V V V
o varias o varias
Puerta NOR RTL
w
w
w
.
.
c
o
m
F
i
s
i
c
a
A