Introduccin

Los transistores de efecto de campo (FET) son dispositivos

semiconductores donde el control de la corriente se realiza mediante un campo elctrico, en su funcionamiento slo intervienen los portadores mayoritarios. Existen 2 tipos de JFET: de "canal N" y "de canal P".En el caso de los JFET, al ser transistores de efecto de campo elctrico, estos valores de entrada son las tensiones elctricas, en concreto la tensin entre los terminales S (fuente) y G (puerta), VGS. Segn este valor, la salida del transistor presentar una curva caracterstica que se simplifica definiendo en ella tres zonas con ecuaciones definidas: corte, hmica y saturacin. Fsicamente, un JFET de los denominados "canal P" est formado por una pastilla de semiconductor tipo P en cuyos extremos se sitan dos patillas de salida (drenador y fuente) flanqueada por dos regiones con dopaje de tipo N en las que se conectan dos terminales conectados entre s (puerta). Al aplicar una tensin positiva VGS entre puerta y fuente, las zonas N crean a su alrededor sendas zonas en las que el paso de electrones (corriente ID) queda cortado, llamadas zonas de exclusin. Cuando esta VGS sobrepasa un valor determinado, las zonas de exclusin se extienden hasta tal punto que el paso de electrones I D entre fuente y drenador queda completamente cortado. A ese valor de VGS se le denomina Vp. Para un JFET "canal N" las zonas p y n se invierten, y las V GS y Vp son negativas, cortndose la corriente para tensiones menores que Vp. Los transistores ms conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados as porque la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su impedancia de entrada bastante baja.

El Transistor de Efecto Campo El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en ingls) es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo elctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial. La mayora de los FET estn hechos usando las tcnicas de procesado de semiconductores habituales, empleando la oblea monocristalina semiconductora como la regin activa o canal. La regin activa de los TFT (thin-film transistor, o transistores de pelcula fina) es una pelcula que se deposita sobre un sustrato (usualmente vidrio puesto que la principal aplicacin de los TFT es como pantallas de cristal lquido o LCD). Los transistores de efecto de campo o FET ms conocidos son los JFET (Junction Field Effect Transistor), MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET) y MISFET (Metal-Insulator-Semiconductor FET). Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La puerta es la terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensin, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente. El funcionamiento del transistor de efecto de campo es distinto al del BJT. En los MOSFET, la puerta no absorbe corriente en absoluto, frente a los BJT, donde la corriente que atraviesa la base, pese a ser pequea en comparacin con la que circula por las otras terminales, no siempre puede ser despreciada. Los MOSFET, adems, presentan un comportamiento capacitivo muy acusado que hay que tener en cuenta para el anlisis y diseo de circuitos As como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o FET son tambin de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicacin de una tensin positiva en la puerta pone al transistor en estado de

conduccin o no conduccin, respectivamente. Los transistores de efecto de campo MOS son usados extenssimamente en electrnica digital, y son el componente fundamental de los circuitos integrados o chips digitales.

Tipos de Transistores de Efecto de Campo Comparativa de las grficas de funcionamiento (curva de entrada o caracterstica I-V y curva de salida) de los diferentes tipos de transistores de efecto de campo. El canal de un FET es dopado para producir tanto un semiconductor tipo N o uno tipo P. El drenador y la fuente deben estar dopados de manera contraria al canal en el caso de FETs de modo mejorado, o dopados de manera similar al canal en el caso de FETs en modo agotamiento. Los transistores de efecto de campo tambin son distinguidos por el mtodo de aislamiento entre el canal y la puerta. Podemos clasificar los transistores de efecto campo segn el mtodo de aislamiento entre el canal y la puerta: El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) usa un aislante (normalmente SiO2). El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una unin p-n El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) substituye la unin PN del JFET con una barrera Schottky. En el HEMT (High Electron Mobility Transistor), tambin denominado HFET (heterostructure FET), la banda de material dopada con "huecos" forma el aislante entre la puerta y el cuerpo del transistor. Los MODFET (Modulation-Doped Field Effect Transistor) Los IGBT (Insulated-gate bipolar transistor) es un dispositivo para control de potencia. Son comunmente usados cuando el rango de voltaje drenajefuente est entre los 200 a 3000V. Aun as los Power MOSFET todava son

los dispositivos ms utilizados en el rango de tensiones drenaje-fuente de 1 a 200V. Los FREDFET es un FET especializado diseado para otorgar una recuperacin ultra rpida del transistor. Los DNAFET es un tipo especializado de FET que acta como biosensor, usando una puerta fabricada de molculas de ADN de una cadena para detectar cadenas de ADN iguales La caracterstica de los TFT que los distingue, es que hacen uso del silicio amorfo o del silicio poli cristalino.

Simbologa

TRANSISTORES DE UNIN

Transistor comn PNP

Transistor comn NPN

Transistor NPN con unin en Transistor multiemisor

la cpsula

FOTOTRANSISTORES

NPN con conexin a base

NPN sin conexin a base

TRANSISTORES FET

Canal N

Canal P

TRANSISTORES DE UNIN FET (JFET) (Joint Field Effect Transistor - Transistor de Unin de Efecto de Campo )

Canal N

Canal P

TRANSISTORES

MOSFET

Con tres terminales o patillas y sustrato unido a la fuente "S"

Tipo Empobrecimiento N

Tipo Empobrecimiento P

Tipo Enriquecimiento N

Tipo Enriquecimiento P

Con cuatro terminales o patillas

Tipo N

Tipo P

De doble puerta

DARLINGTON

NPN

NPN

PNP

SCHOTTKY

PNP

NPN

Otras variantes de MOSFET Transistor NPN de avalancha

Transistor de tnel NPN

Transistor UJT* de doble base, Canal N Transistor CUJT** de doble base, Canal P

Definicin y Principio de Funcionamiento El JFET es un dispositivo unipolar, ya que en su funcionamiento slo intervienen los portadores mayoritarios. Existen 2 tipos de JFET: de "canal N" y "de canal P". En ambos tipos de JFET, la corriente ID de salida se controla por medio de un voltaje entre la compuerta y el surtidor.

Por lo que, un FET ( Field-effect transistor ), es un dispositivo amplificador en el cual los portadores de corriente(electrones) son inyectados a un terminal( surtidor, source ) y pasan a otro( drenaje ) a travs de un canal semiconductor cuya resistividad depende de una regin de estrangulamiento(depletion region) motivada por la accin repelente del campo elctrico conectado al terminal de control(Compuerta, gate). La region de estrangulamiento(campo de fuerza de los portadores minoritarios) se produce al rodear el canal con un material semiconductor de conductividad opuesta y polarizando inversamente la juntura PN resultante mediante el terminal gate. La profundidad de la regin de estrangulamiento depende de la magnitud de la polarizacin inversa. Como en la polarizacin inversa es mnima la corriente circulante por la juntura, el dispositivo se comporta como una vlvula al vaco.

Un FET se parece en varias cosas a una vlvula amplificadora. La vlvula (Ya no se usan en equipos electrnicos), tiene alta impedancia de

entrada(necesita seales con muy poca corriente), similar a la de un FET. los transistores bipolares tienen baja impedancia de entrada(la seal de control opera

en base a su corriente, sin importar mayormente sus variaciones de tensin). La ganancia de las vlvulas se mide en micromhos(Gm). La ganancia de un transistor se mide en beta, y la de un FET en micromhos, tal como en las vlvulas.

Zonas de Funcionamiento del Transistor de Efecto de Campo (FET) ZONA HMICA o LINEAL: En esta zona el transistor se comporta como una resistencia variable dependiente del valor de VGS. Un parmetro que aporta el fabricante es la resistencia que presenta el dispositivo para VDS=0 (rds on), y distintos valores de VGS.

ZONA DE SATURACIN: En esta zona es donde el transistor amplifica y se comporta como una fuente de corriente gobernada por VGS.

ZONA DE CORTE: La intensidad de drenador es nula (ID=0).

A diferencia del transistor BJT, los terminales drenador y surtidor del FET pueden intercambiar sus papeles sin que se altere apreciablemente la caracterstica V-I (se trata de un dispositivo simtrico).

La operacin de un FET de CANAL P es complementaria a la de un FET de CANAL N, lo que sigmifica que todos los voltajes y corrientes son de sentido contrario.

Aplicaciones de los FET Los FETs, bsicamente son de dos tipos: El transistor de efecto de campo de Juntura o JFET. El transistor de efecto de campo con compuerta aislada o IGFET, tambin conocido como semiconductor de xido de metal, MOS, o simplemente MOSFET. EL JFET

El JFET est constituido por una barra de silicio tipo N o canal N, introducido en una barra o anillo de silicio tipo P tal como se muestra en la Fig. A Los terminales del canal N son denominados SURTIDOR (SOURCE) y DRENADOR (DRAIN). El anillo forma el tercer terminal del JFET llamado COMPUERTA (GATE). Inicialmente circula una corriente por la compuerta, pero posteriormente la corriente circula nicamente desde el surtidor al Drenador sin cruzar la juntura PN.

El control de esta corriente se efecta por medio de la aplicacin de un voltaje de polarizacin inverso, aplicado entre la compuerta y el surtidor (VGS), formando un campo elctrico el cual limita el paso de la corriente a travs del canal N. Al aumentar el voltaje inverso, aplicado a la compuerta, aumenta el campo elctrico, y la corriente de Surtidor a Drenador disminuye. Tambin se construyen JFETs con barra de silicio tipo P y anillos de silicio tipo N, denominndose JFET canal P. El voltaje aplicado entre el Drenador y el Surtidor (VDS), no debe sobrepasar el voltaje de ruptura (tpicamente 50V) porque destruira el dispositivo. Si se aplica polarizacin directa a la compuerta, circular una alta corriente por la compuerta que puede destruir el JFET si no est limitada por una resistencia en serie con la compuerta.

Estructura y caractersticas de los FET Estructura: Barra semiconductora con contactos hmicos en los extremos. Puerta o elemento de control muy impurificado con portadores distintos a los de la barra.

 Elementos: Fuente o surtidor (S), Drenador (D), Puerta (G), y Canal (regin situada entre las dos Difusiones de puerta. La tensin puerta surtidor (VGS) polariza inversamente las uniones.

Caractersticas:

Tiene una resistencia de entrada extremadamente alta (casi 100M). No tiene un voltaje de unin cuando se utiliza como conmutador (interruptor). Hasta cierto punto es inmune a la radiacin. Es menos ruidoso. Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad trmica.

Zonas de Funcionamiento del JFET

Los JFET, al ser transistores de efecto de campo elctrico, sus valores de entrada son las tensiones elctricas, en concreto la tensin entre los terminales S (fuente) y G (puerta), VGS. Segn este valor, la salida del transistor presentar una curva caracterstica que se simplifica definiendo en ella tres zonas con ecuaciones definidas: corte, hmica y saturacin. Fsicamente, un JFET de los denominados "canal P" est formado por una pastilla de semiconductor tipo P en cuyos extremos se sitan dos patillas de salida

(drenador y fuente) flanqueada por dos regiones con dopaje de tipo N en las que se conectan dos terminales conectados entre s (puerta). Al aplicar una tensin positiva VGS entre puerta y fuente, las zonas N crean a su alrededor sendas zonas en las que el paso de electrones (corriente ID) queda cortado, llamadas zonas de exclusin. Cuando esta VGS sobrepasa un valor determinado, las zonas de exclusin se extienden hasta tal punto que el paso de electrones I D entre fuente y drenador queda completamente cortado. A ese valor de VGS se le denomina Vp. Para un JFET "canal N" las zonas p y n se invierten, y las V GS y Vp son negativas, cortndose la corriente para tensiones menores que Vp. As, segn el valor de VGS se definen dos primeras zonas; una activa para tensiones negativas mayores que Vp (puesto que Vp es tambin negativa) y una zona de corte para tensiones menores que Vp. Los distintos valores de la ID en funcin de la VGS vienen dados por una grfica o ecuacin denominada ecuacin de entrada. En la zona activa, al permitirse el paso de corriente, el transistor dar una salida en el circuito que viene definida por la propia I D y la tensin entre el drenador y la fuente VDS. A la grfica o ecuacin que relaciona ests dos variables se le denomina ecuacin de salida, y en ella es donde se distinguen las dos zonas de funcionamiento de activa: hmica y saturacin.

Anlisis de la Polarizacin del JFET

Existen diversas formas de polarizacin para el FET, dos de las que ms se emplean son:

1.- La Auto polarizacin 2.- La polarizacin por divisor de voltaje

Ambas formas de polarizacin se obtienen al resolver simultneamente la ecuacin del circuito compuerta-fuente con la ecuacin de Shockley que rige al JFET y a los MOSFET decrementales. En el circuito de la figura se muestra una auto polarizacin, en ella se puede observar que con el simple hecho de conectar un resistor entre compuerta y tierra, el potencial de la compuerta adquiere la tensin de 0 Volts, de tal forma que al circular una corriente ID a travs de la resistencia RS obligara a que la tensin existente entre compuerta y fuente sea de signo negativo esto es V GS < 0 Volts con lo cual se estar en condiciones de empobrecer el canal como lo requiere la polarizacin de los JFET. Ademas dicha resistencia RGG facilita el acoplamiento de impedancia entre la fuente de seal y la entrada de circuito con JFET. Auto polarizacin

El desarrollo analtico de lo anteriormente mencionado se detalla en los siguientes prrafos

La cual representa una recta cuya pendiente es el negativo del reciproco del Resistor de fuente RS. La interseccin de esta recta con la curva de

transconductancia que representa la ecuacin de Shockley

Determina el punto de operacin esttico en que trabaja el JFET como lo muestra la Figura

Obteniendo el circuito equivalente de Thevenin en la compuerta del JFET se tiene

Aplicando la Ley de Voltajes de Kirchoff al circuito compuerta fuente de la figura

La cual al igualarse con la ecuacion de Shockley proporciona dos valores de V GS debindose utilizar aquel que cumpla con V GS<VGSOFFpuesto que la parbola que representa la curva de transconductancia del JFET abre hacia los dos lados del vrtice VGSOFF siendo la primer rama la que resuelve el funcionamiento del dispositivo.

Fig

En cualquiera de las dos tcnicas de polarizacion mencionadas el mejor compromiso entre la estabilidad del punto de operacin y la obtencin de un adecuado valor de transconductancia se encuentra cuando se cumple que el valor de la IDQ = IDSS/2 , lo cual implica que VGSQ = -0.3 VDSS y gm = 1.414VDSS/IDSS embargo al establecer una comparacin entre la estabilidad del punto Q entre una autopolarizacion fija y una por divisor de tensin polarizacion se puede observar en la figura siguiente que la polarizacion por divisor de voltaje ofrece un menor margen de variacin en el valor de la IDQ debido a que la recta de carga al cruzar por el punto Q lo puede hacer con una menor pendiente de manera aun cuando el JFET pueda presentar un amplio margen de variabilidad en sus caractersticas como lo representan las dos curvas de transconductancia mostradas el margen de error es menor para la polarizacion por divisor de tensin que para la autopolarizacion.

Figura Margen de error de estabilidad de IDQ para la polarizacion por divisor de voltaje y la autopolarizacion

Conclusiones

Los smbolos ilustrados se refieren al transistor de efecto de campo de juntura. Los TEC a y b han sido indicados como tipos N y P de acuerdo al empleo de los materiales tipo N y P en la fabricacin de estos dispositivos.

Son dispositivos sensibles a la tensin con alta impedancia de entrada (del orden de 107 W ). Como esta impedancia de entrada es considerablemente mayor que la de los BJT, se prefieren los FET a los BJT para la etapa de entrada de un amplificador multietapa.

Los FET se comportan como resistores variables controlados por tensin para valores pequeos de tensin de drenaje a fuente.

La alta impedancia de entrada de los FET les permite almacenar carga el tiempo suficiente para permitir su utilizacin como elementos de almacenamiento.

Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes.

Bibliografa

Jos M. Gonzlez Transistores FET Disponible en: http://www.itescam.edu.mx/principal/sylabus/fpdb/recursos/r64991.PDF Consultado el: 23-02-12

Sin Autor JFETs Disponible en: http://proton.ucting.udg.mx/materias/vega/Informacion/Jfet.htm Consultado el: 23-02-12

Sin Autor Transistor de efecto de campo Disponible en: http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_efecto_campo Consultado el: 23-02-12