Amplicador de emisor comn Despus que un transistor se haya polarizado con un punto Q cerca de la mitad de la linea de carga de cc,

se puede acoplar muna pequea seal de ca en la base. Esto produce alternancias o fluctuaciones de igual forma y frecuencia en la corriente de colector. Por ejemplom si la entrada es una onda senoidal con una frecuencia de 1 Khz, la salida sera una onda senoidal amplificada con una frecuencia de 1 Khz. El amplificador se llama lineal (o de alta fidelidad) sin no cambia la forma de la seal. Si la amplitud de la seal es pequea, el transistor solo usara una pequea parte de la linea de carga y la operacin sea lineal. Por otra parte, si la seal de entrada es demasiado grande, las fuluctuaciones en la linea de carga excitaran al transistor a saturacin y corte. Esto cortara los picos de una onda senoidal y el amplificador ya no sera lineal. Si se escucha con mucha atenciaon una salida con un altavoz, se oira un sonido terrible porque la seal se distorsiona grandemente. Un capacitor de acoplamiento permite el paso de una seal de ca de un punto a otro. En un amplificador transistorizado, la fuente de cc proporciona corrientes y voltajes fijos. La fuente de ca produce fluctuaciones en estas corrientes y voltajes. La forma mas simple para analizar el circuito es la divisin del anlisis en dos partes: un alalisis de cc y un alalisis de ca. En otras palabras, puede usarse el teorema de la superposicin cuando se analicen amplificadores transistorizados. Circuitos equivalentes de Ca y CC En seguida se enumeran algunos pasos para la aplicacin del teorema de la superposicin de circuitos transistorizados: 1.- Reduzcase la fuente de ca a cero; esto significa poner en corto una fuente de voltaje o abrir una fuente de corriente. Abranse todos los capacitores. Al circuito restante se le llama circuito equivalente de cc. Con este circuito se pueden calcular los voltajes y corrintes en cc que se deseen. 2.- Reduzcase la fuente de cc a cero; esto equivale a poner en corto una fuente de voltaje o abrir una fuente de corriente. Pongase en corto todos los capacitores de paso y de acoplamiento. Al circuito restante se le llama circuito equivalente de ca. Este es el circuito que se utiliza para el calculo de voltajes y corrientes de ca. 3.- La corriente total en cualquier rama del circuito es la suma de las corrientes de cc y ca que se encuentran presentes en esta rama; el voltaje total aplicado en cualquier rama es la suma de los voltajes de ca y cc que se encuentran aplicados a esa rama. Esta es la forma como se aplica el teorema de superposicin al amplificador de la figura.

Figura A Primero, se reducen todas las fuentes de ca a cero, se abren todos los capacitores y lo que quedas es el cuircuito que se tiene en la figura siguiente:

Figura B Este el circuito equivalente de cc. Esto es lo que realmente interesa en lo que respecta a voltajes y corrientes de cc. Con este circuito se pueden calcular los voltajes y corrientes fijos. Seguidamente se pone en corto la fuente de voltaje y tambien los capacitores de acoplamiento y de paso; lo restante es el circuito equivalente en ca que se muestra en la figura:

Figura C Debe notarse que el emisor esta a tierra de ca, debido a que el capacitor de paso esta en paralelo con RE. Asi mismo, cuando la fuente de alimentacin de cc esta en corto, pone a tierra un extremo de R1 y de Rc; dicho de otra manera, el punto de alimentacin de cc es una tierra de ca porque tienen una impedancia interna que se aproxima a cero. Con el circuito equivalente de ca que se indico en la figura puede calcularse cualquier voltaje y corriente de ca que se desee. El amplificador de Emisor a Tierra La figura A muestra un amplificador de emisor comn (EC). Como el emosor esta acoplado a tierra por medio de un capacitor, a este amokificador algunas veces se le llama amplificador con emisor a tierra; esto significa que el emisor esta a tierra de ca, pero na a tierra de cc. Tiene acoplada a al base una pequea onda senoidal, lo cual produce variaciones en la corriente de base. La corriente de colector es una forma de onda senoidal amplificada de la misma frecuencia, debida a . Esta corriente senoidal de colector, fluye por la resistencia de colector y produce un voltaje amplificado de salida. Equivalencias de un transistor

(a) (b) (c) a: Transistor b: Modelo Eber-Moll de cc c: Modelo Eber-Moll de ca. Ganancia de voltaje La ganancia de voltaje de un amplificador es la relacion del voltaje de ca de salida al voltaje de ca de entrada. Simblicamente, Cuando se trata de localizacin de fallas, es muy util tener una idea sobre cual sera la ganancia de voltaje. Una manera de deducir una formula simple para la ganancia de voltaje de la figura A, es substituir el circuito por el circuito equivalente de ca; esto significa poner en corto a tierra el voltaje de alimentacion y poner en corto todos los capacitores porque para la corriente alterna actuan como cortocircuitos en un amplificador bien diseado. En la figura C muestra el circuito equivalente de ca. La resistencia Rc de colector va hacia teierra porque el punto de voltaje de alimentacion actua como un cortocircuito para ca. De la misma forma, el resistor R1 esta a tierra, por lo que aparece en paralelo con R2 y el diodo emisor. Debido al circuito en paralelo en el lado de entrada, Vent aparece directamente en paralelo con el diodo emisor. Por lo tanto, se puede visualizar el circuito equivalente de ca como se muestra en la figura:

Figura D En cualquier circuito, el voltaje aplicado a re es igual a Vent. Esta idea debe afianzarse antes de seguir adelante. La ley de Ohm indica que la corriente de ca de emisor es: Como la corriente ded colector es aprocimadamtne igual a la corriente de emisor:

El signo menos se usa para indicar la inversin de fase. En otras palabras, en el semiciclo positivo del voltaje de entrada aumenta la corriente de colector, produciendo el semiciclo negativo del voltaje de salida. Como Ie=Vent/re, se presenta entonces la siguiente ecuacin Reacomodando los terminos anteriores se obtiene la ganancia de voltaje: El modelo de CA de una etapa de emisor comn El problema principia caundoi se colocan etapas amplificadoras en serie; asi se pueden obtener ganancias totales del orden de los miles. Pero antes de analizar amplificadores de multietapas, es necesario un circuito equivalente simple de ca para una etapa individual. Para obrener este modelo, debe conocerse la impedancia de entrada y salida. Impedancia de entrada La fuente de ca que excita un amplificador proporciona corriente alterna a esta. Normalmente, cuanto enos corriente consuma el amplificador de la fuente, sera mejor. La impedancia de entrada de un amplificador determina la cantidad de corriente que toma el amplificadcor de la fuente de ca. En la banda de frecuencia normal de un amplificador, en donde los capacitores de paso y acoplamiento aparentan ser cortocircuitos en ca y en donde cualquier otra reactancia es despreciable; la impedancia de entrada de ca se define como:

Figura E En el amplificador de emisor a tierra, la fuente de ca ve los resistores de polarizacion en paralelo con el diodo emisor, como se muestra en la figura E. La corriente convencional I1 fluye de R1, I2 hacia R2, e Ib hacia la base (si se usa el flujo de electrones, deberan invertirse las flechas). La impedancia que se observa directamente hacia la base se simboliza como Zent(base), y esta dada por Segn la ley de Ohm se sabe que Debido a que Ie " Ic = Entonces Zent(base) fcilmente se simplifica a: En sntesis, el amplificador emisor a tierra, tiene una impedancia de entrada de Esta es una impedancia total de entrada porque incluye los resitores de polarizacion y la impedancia de la base del transistor. Impedancia de salida *Ib, esto se reduce a:

Ahora vease algo interesante en el lado de salida del amplificador, para lo cual este debe thevenizarse. El voltaje Thevenin que aparece en la salida es: La impedancia de Thevenin es la combinacin en paralele de Rc y la impedancia interna de la fuente de corriente de colector. En el modelo Ebers-Moll la fuente de corriente de colector es ideal; por lo tanto, tiene una impedancia interna infinita. Esta es una aproximacin, pero es satisfactoria para el trabajo preliminar. Asi que la impedancia Thevenin es: Etapas en cascada Si se ha entendido todo hasta este punto, no debe haber problema con las etapas de emisor comn en cascada. La idea aqu es utilizar la salida amplificada de una etapa asi como la entrada de otra etapa. En esta forma se puede construir un amplificador de multietapas con una ganancia muy grande de voltaje.

Figura F La figura F, muestra un amplificador de dos etapas utilizando circuitos CE en cascada. Una fuente de ca con una resitencia de fuentes Rs, amplifica la seal, la cual se acopla a la siguiente etapa de CE. Entonces la seal es amplificada otra vez, para obtener la salida final considerablemente mayor que la seal de la fuente.

Figura G La figura G muestra el modelo de ca para un amplificador de dos etapas. Cada etapa tiene una impedancia de entrada dada por la combinacin en paralelo de R1,R2 y re. Igualmente, cada etapa tiene una ganancia de voltyaje sin carga de -Rc/re y una impedancia de salida de Rc. Por lo tanto, se efectua el calculo de Zent, A y Zsal para cada etapa; entonces, analizando los efectos de la fuente y de la carga, se puede trabajar el voltaje de salida final. El mismo procedimiento se puede aplicar a cualquier numero de etapas, algunas de las cuales pueden ser amplificadores minimizados.

Transistor

Entramado de transistores representando 0xA o 10 en decimal.

El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino "transistor" es la contraccin en ingls de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente se los encuentra prcticamente en todos los aparatos domsticos de uso diario: radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y video, hornos de microondas, lavadoras, automviles, equipos de refrigeracin, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lmparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomgrafos, ecgrafos, reproductores mp3, telfonos mviles, etc.

Historia
Artculo principal:

Historia del transistor

El transistor bipolar fue inventado en los Laboratorios Bell de EE. UU. en diciembre de 1947 por John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley, quienes fueron galardonados con el Premio Nobel de Fsica en 1956. Fue el sustituto de la vlvula termoinica de tres electrodos, otriodo. El transistor de efecto de campo fue descubierto antes que el transistor (1930), pero no se encontr una aplicacin til ni se dispona de la tecnologa necesaria para fabricarlos masivamente. Es por ello que al principio se usaron transistores bipolares y luego los denominados transistores de efecto de campo (FET). En los ltimos, la corrienteentre el surtidor o fuente (source) y el drenaje (drain) se controla mediante el campo elctrico establecido en el canal. Por ltimo, apareci el MOSFET (transistor FET de tipo Metal-xido-Semiconductor). Los MOSFET permitieron un diseo

extremadamente compacto, necesario para los circuitos altamente integrados (CI). Hoy la mayora de los circuitos se construyen con tecnologa CMOS. La tecnologa CMOS (Complementary MOS MOS Complementario) es un diseo con dos diferentes MOSFET (MOSFET de canal n y p), que se complementan mutuamente y consumen muy poca corriente en un funcionamiento sin carga. El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con materiales especficos en cantidades especficas) que forman dos uniones bipolares, elemisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que est intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las vlvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el diseo de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo, a diferencia de losresistores, capacitores e inductores que son elementos pasivos. Su funcionamiento slo puede explicarse mediante mecnica cuntica. De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin amplificada de la que se inyecta en el "emisor", pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", segn el tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificacin o ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del transistor. Otros parmetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base, Potencia Mxima, disipacin de calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas donde se grafican los distintos parmetros tales como corriente de base, tensin Colector Emisor, tensin Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de esquemas(configuraciones) bsicos para utilizacin analgica de los transistores son emisor comn, colector comn y base comn.

Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores FET, MOSFET, JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utilizan la corriente que se inyecta en el terminal de "base" para modular la corriente de emisor o colector, sino la tensin presente en el terminal de puerta o reja de control (graduador) y grada la conductancia del canal entre los terminales de Fuente y Drenaje. Cuando la conductancia es nula y el canal se encuentra estrangulado, por efecto de la tensin aplicada entre Compuerta y Fuente, es el campo elctrico presente en el canal el responsable de impulsar los electrones desde la fuente al drenaje. De este modo, la corriente de salida en la carga conectada al Drenaje (D) ser funcin amplificada de la Tensin presente entre la Compuerta (Gate) y Fuente (Source). Su funcionamiento es anlogo al del triodo, con la salvedad que en el triodo los equivalentes a Compuerta, Drenador y Fuente son Reja (o Grilla Control), Placa y Ctodo. Los transistores de efecto de campo, son los que han permitido la integracin a gran escala disponible hoy en da, para tener una idea aproximada pueden fabricarse varios cientos de miles de transistores interconectados, por centmetro cuadrado y en varias capas superpuestas.
[editar]Tipos

de transistor
de contacto puntual

[editar]Transistor

Llamado tambin transistor de punta de contacto, fue el primer transistor capaz de obtener ganancia, inventado en 1947 por J. Bardeen y W. Brattain. Consta de una base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la combinacin cobre-xido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metlicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se "ve" en el colector, de ah el nombre de "transfer resistor". Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su da. Es difcil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frgil (un golpe poda desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivi con el transistor de

unin (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido.
[editar]Transistor

de unin bipolar

El transistor de unin bipolar, o BJT por sus siglas en ingls, se fabrica bsicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP. La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o "huecos" (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In),Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsnico (As) o Fsforo (P). La configuracin de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la caracterstica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminacin entre ellas (por lo general, el emisor est mucho ms contaminado que el colector). El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor depender de dichas contaminaciones, de la geometra asociada y del tipo de tecnologa de contaminacin (difusin gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuntico de la unin.
[editar]Transistor

de unin unipolar o de efecto de campo

El transistor de unin unipolar, tambin llamado de efecto de campo de unin (JFET), fue el primer transistor de efecto de campo en la prctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto hmico, tenemos as un transistor de efecto de campo tipo N de la forma ms bsica. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente entre s, se producir una

puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando tensin positiva entre el drenador y el surtidor y conectando a puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con polarizacin cero. Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensin de estrangulamiento, cesa la conduccin en el canal. El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en ingls, que controla la corriente en funcin de una tensin; tienen alta impedancia de entrada.

Transistor de efecto de campo de unin, JFET, construido mediante una unin PN. Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta se asla del canal mediante un dielctrico. Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-xido-Semiconductor, en este caso la compuerta es metlica y est separada del canal semiconductor por una capa dexido.

[editar]Fototransistor

Los fototransistores son sensibles a la radiacin electromagntica en frecuencias cercanas a la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la luz incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, slo que puede trabajar de 2 maneras diferentes: - Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo comn). - Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. (IP) (modo de iluminacin).
[editar]Transistores

y electrnica de potencia

Con el desarrollo tecnolgico y evolucin de la electrnica, la capacidad de los dispositivos semiconductores para soportar cada vez mayores niveles de tensin y corriente ha permitido su uso en aplicaciones de potencia. Es as como actualmente los transistores son empleados en conversores estticos de potencia, controles para

motores y llaves de alta potencia (principalmente inversores), aunque su principal uso est basado en la amplificacin de corriente dentro de un circuito cerrado.
[editar]El

transistor bipolar como amplificador

El comportamiento del transistor se puede ver como dos diodos (Modelo de Ebers-Moll), uno entre base y emisor, polarizado en directo y otro diodo entre base y colector, polarizado en inverso. Esto quiere decir que entre base y emisor tendremos una tensin igual a la tensin directa de un diodo, es decir 0,6 a 0,8 V para un transistor de silicio y unos 0,4 para el germanio. Lo interesante del dispositivo es que en el colector tendremos una corriente proporcional a la corriente de base: IC = IB, es decir, ganancia de corriente cuando >1. Para transistores normales de seal, vara entre 100 y 300. Entonces, existen tres configuraciones para el amplificador:
[editar]Emisor

comn

Emisor comn.

La seal se aplica a la base del transistor y se extrae por el colector. El emisor se conecta a las masas tanto de la seal de entrada como a la de salida. En esta configuracin se tiene ganancia tanto de tensin como de corriente y alta impedancia de entrada. En caso de tener resistencia de emisor, RE > 50 , y para frecuencias bajas, la ganancia en tensin se aproxima bastante bien por la siguiente expresin: ; y la impedancia de salida, por RC

Como la base est conectada al emisor por un diodo en directo, entre ellos podemos suponer una tensin constante, Vg. Tambin supondremos que es constante. Entonces tenemos que la tensin de emisor es: VE = VB Vg Y la corriente de emisor: .

La corriente de emisor es igual a la de colector ms la de base: Despejando La tensin de salida, que es la de colector se calcula como: Como >> 1, se puede aproximar: entonces, Que podemos escribir como Vemos que la parte es constante (no depende de la y, .

seal de entrada), y la parte nos da la seal de salida. El signo negativo indica que la seal de salida est desfasada 180 respecto a la de entrada. Finalmente, la ganancia queda: La corriente de entrada, por . , que aproximamos

Suponiendo que VB>>Vg, podemos escribir: y la impedancia de entrada: Para tener en cuenta la influencia de frecuencia se deben utilizar modelos de transistor ms elaborados. Es muy frecuente usar el modelo en pi.
[editar]Base

comn

Base comn.

La seal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el colector. la base se conecta a las masas tanto de la seal de entrada como a la de salida. En esta configuracin se tiene ganancia slo de tensin. La impedancia de entrada es baja y la ganancia de corriente algo menor que uno, debido a que parte de la corriente de emisor sale por la base. Si aadimos una resistencia de emisor, que puede ser la propia impedancia de salida de la fuente de seal, un anlisis similar al realizado en el caso de emisor comn, nos da la ganancia aproximada siguiente: .

La base comn se suele utilizar para adaptar fuentes de seal de baja impedancia de salida como, por ejemplo, micrfonos dinmicos.
[editar]Colector

comn

Colector comn.

La seal se aplica a la base del transistor y se extrae por el emisor. El colector se conecta a las masas tanto de la seal de entrada como a la de salida. En esta configuracin se tiene ganancia de corriente, pero no de tensin que es ligeramente inferior a la unidad. Esta configuracin multiplica la impedancia de salida por .
[editar]El

transistor bipolar frente a la vlvula termoinica Vlvula termoinica y Transistor bipolar

Vanse tambin:

Antes de la aparicin del transistor los ingenieros utilizaban elementos activos llamados vlvulas termoinicas. Las vlvulas tienen caractersticas elctricas similares a la de los transistores de efecto de campo (FET): la corriente que los atraviesa depende de la tensin en el borne de comando, llamado rejilla. Las razones por las que el transistor reemplaz a la vlvula termoinica son varias:

Las vlvulas necesitan tensiones muy altas, del orden de las centenas de voltios, que son letales para el ser humano. Las vlvulas consumen mucha energa, lo que las vuelve particularmente poco tiles para el uso con bateras. Probablemente, uno de los problemas ms importantes haya sido el peso. El chasis necesario para alojar las vlvulas y los transformadores requeridos para su funcionamiento sumaban un peso importante, que iba desde algunos kilos a decenas de kilos.

El tiempo medio entre fallas de las vlvulas termoinicas es muy corto comparado con el de los transistores, sobre todo a causa del calor generado. Las vlvulas presentan una cierta demora en comenzar a funcionar, ya que necesitan estar calientes para establecer la conduccin. El transistor es intrnsecamente insensible al efecto microfnico, muy frecuente en las vlvulas. Los transistores son ms pequeos que las vlvulas, incluso que los nuvistores. Aunque existe unanimidad sobre este punto, conviene hacer una salvedad: en el caso de dispositivos de potencia, estos deben llevar un disipador, de modo que el tamao que se ha de considerar es el del dispositivo (vlvula o transistor) ms el del disipador. Como las vlvulas pueden funcionar a temperaturas ms elevadas, la eficiencia del disipador es mayor en ellas que en los transistores, con lo que basta un disipador mucho ms pequeo. Los transistores trabajan con impedancias bajas, o sea con tensiones reducidas y corrientes altas; mientras que las vlvulas presentan impedancias elevadas y por lo tanto trabajan con altas tensiones pequeas corrientes. Finalmente, el costo de los transistores no solamente era muy inferior, sino que contaba con la promesa de que continuara bajando (como de hecho ocurri) con suficiente investigacin y desarrollo.

Como ejemplo de todos estos inconvenientes se puede citar a la primera computadora digital, llamada ENIAC. Era un equipo que pesaba ms de treinta toneladas y consuma 200 kilovatios, suficientes para alimentar una pequea ciudad. Tena alrededor de 18.000 vlvulas, de las cuales algunas se quemaban cada da, necesitando una logstica y una organizacin importantes. Cuando el transistor bipolar fue inventado en 1947, fue considerado una revolucin. Pequeo, rpido, fiable, poco costoso, sobrio en sus necesidades de energa, reemplaz progresivamente a la vlvula termoinica durante la dcada de 1950, pero no del todo. En efecto,

durante los aos 1960, algunos fabricantes siguieron utilizando vlvulas termoinicas en equipos de radio de gama alta, como Collins y Drake; luego el transistor desplaz a la vlvula de los transmisores pero no del todo de los amplificadores de radiofrecuencia. Otros fabricantes, de equipo de audio esta vez, como Fender, siguieron utilizando vlvulas en amplificadores de audio para guitarras. Las razones de la supervivencia de las vlvulas termoinicas son varias:

El transistor no tiene las caractersticas de linealidad a alta potencia de la vlvula termoinica, por lo que no pudo reemplazarla en los amplificadores de transmisin de radio profesionales y de radioaficionados.[cita requerida] Los armnicos introducidos por la no-linealidad de las vlvulas resultan agradables al odo humano (vase psicoacstica), por lo que son preferidos por los audifilos El transistor es muy sensible a los efectos electromagnticos de las explosiones nucleares, por lo que se siguieron utilizando vlvulas termoinicas en algunos sistemas de control-comando de cazas de fabricacin sovitica. Las vlvulas son capaces de manejar muy grandes potencias, impensables en transistores. Por ejemplo, en un gran concierto la amplificacin de audio hacia los altavoces.

[editar]

Transistor, en electrnica, denominacin comn para un grupo de componentes electrnicos utilizados como amplificadores u osciladores en sistemas de comunicaciones, control y computacin (vaseElectrnica). Hasta la aparicin del transistor en 1948, todos los desarrollos en el campo de la electrnica dependieron del uso de tubos de vaco termoinicos, amplificadores magnticos, maquinaria rotativa especializada y condensadores especiales, como los amplificadores. El transistor, que es capaz de

realizar muchas de las funciones del tubo de vaco en los circuitos electrnicos, es un dispositivo de estado slido consistente en una pequea pieza de material semiconductor, generalmente germanio o silicio, en el que se practican tres o ms conexiones elctricas. Los componentes bsicos del transistor son comparables a los de un tubo de vaco triodo e incluyen el emisor, que corresponde al ctodo caliente de un triodo como fuente de electrones. El transistor fue desarrollado por los fsicos estadounidenses Walter Houser Brattain, John Bardeen y William Bradford Shockley de los Bell Laboratories. Este logro les hizo merecedores del Premio Nobel de Fsica en 1956. Shockley pasa por ser el impulsor y director del programa de investigacin de materiales semiconductores que llev al descubrimiento de este grupo de dispositivos. Sus asociados, Brattain y Bardeen, inventaron un importante tipo de transistor. ESTRUCTURA ATMICA DE LOS SEMICONDUCTORES Las propiedades elctricas de un material semiconductor vienen determinadas por su estructura atmica. En un cristal puro de germanio o de silicio, los tomos estn unidos entre s en disposicin peridica, formando una rejilla cbica tipo diamante perfectamente regular. Cada tomo del cristal tiene cuatro electrones de valencia, cada uno de los cuales interacta con el electrn del tomo vecino formando un enlace covalente. Al no tener los

electrones libertad de movimiento, a bajas temperaturas y en estado cristalino puro, el material acta como un aislante. FUNCIN DE LAS IMPUREZAS Los cristales de germanio o de silicio contienen pequeas cantidades de impurezas que conducen la electricidad, incluso a bajas temperaturas. Las impurezas tienen dos efectos dentro del cristal. Las impurezas de fsforo, antimonio o arsnico se denominan impurezas donantes porque aportan un exceso de electrones. Este grupo de elementos tiene cinco electrones de valencia, de los cuales slo cuatro establecen enlaces con los tomos de germanio o silicio. Por lo tanto, cuando se aplica un campo elctrico, los electrones restantes de las impurezas donantes quedan libres para desplazarse a travs del material cristalino. Por el contrario, las impurezas de galio y de indio disponen de slo tres electrones de valencia, es decir, les falta uno para completar la estructura de enlaces interatmicos con el cristal. Estas impurezas se conocen como impurezas receptoras, porque aceptan electrones de tomos vecinos. A su vez, las deficiencias resultantes, o huecos, en la estructura de los tomos vecinos se rellenan con otros electrones y as sucesivamente. Estos huecos se

comportan como cargas positivas, como si se movieran en direccin opuesta a la de los electrones cuando se les aplica un voltaje. SEMICONDUCTORES DE TIPOS N Y P Un cristal de germanio o de silicio que contenga tomos de impurezas donantes se llama semiconductor negativo, o tipon, para indicar la presencia de un exceso de electrones cargados negativamente. El uso de una impureza receptora producir un semiconductor positivo, o tipo p, llamado as por la presencia de huecos cargados positivamente. Un cristal sencillo que contenga dos regiones, una tipo n y otra tipo p, se puede preparar introduciendo las impurezas donantes y receptoras en germanio o silicio fundido en un crisol en diferentes fases de formacin del cristal. El cristal resultante presentar dos regiones diferenciadas de materiales tipo n y tipo p. La franja de contacto entre ambas reas se conoce como unin pn. Tal unin se puede producir tambin colocando una porcin de material de impureza donante en la superficie de un cristal tipo p o bien una porcin de material de impureza receptora sobre un cristal tipo n, y aplicando calor para difundir los tomos de impurezas a travs de la capa exterior. Al aplicar un voltaje desde el exterior, la unin pn acta como un

rectificador, permitiendo que la corriente fluya en un solo sentido (vase Rectificacin). Si la regin tipo p se encuentra conectada al terminal positivo de una batera y la regin tipo nal terminal negativo, fluir una corriente intensa a travs del material a lo largo de la unin. Si la batera se conecta al revs, no fluir la corriente. FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR En un transistor se pueden combinar dos uniones para obtener amplificacin. Un tipo, llamado transistor de unin npn,consiste en una capa muy fina de material tipo p entre dos secciones de material tipo n, formando un circuito como el mostrado en la figura 2. El material tipo n a la izquierda del diagrama representa el elemento emisor del transistor, que constituye la fuente de electrones. Para permitir el avance de la corriente a lo largo de la unin np, el emisor tiene un pequeo voltaje negativo con respecto a la capa tipo p, o componente base, que controla el flujo de electrones. El material tipo n en el circuito de salida sirve como elemento colector y tiene un voltaje positivo alto con respecto a la base, para evitar la inversin del flujo de corriente. Los electrones que salen del emisor entran en la base, son atrados hacia el colector cargado

positivamente y fluyen a travs del circuito de salida. La impedancia de entrada (la resistencia al paso de corriente) entre el emisor y la base es reducida, mientras que la impedancia de salida entre el colector y la base es elevada. Por lo tanto, pequeos cambios en el voltaje de la base provocan grandes cambios en la cada de voltaje a lo largo de la resistencia del colector, convirtiendo a este tipo de transistor en un eficaz amplificador. Similar al tipo npn en cuanto a su funcionamiento, el transistor de unin pnp dispone tambin de dos uniones y es equivalente al tubo de vaco denominado triodo. Otros tipos con tres uniones, tales como el transistor de unin npnp, proporcionan mayor amplificacin que los transistores de dos uniones. DESARROLLOS POSTERIORES A finales de la dcada de 1960 una nueva tcnica electrnica, el circuito integrado, comenz a sustituir al transistor en los equipamientos electrnicos complejos. Aunque en trminos generales su tamao era parecido al de un transistor, el circuito integrado realizaba la funcin de quince a veinte transistores. Un desarrollo natural del circuito integrado durante la dcada de 1970 fue la produccin de circuitos con niveles de

integracin medio, alto y muy alto, que permitieron la fabricacin de computadoras compactas. El microprocesador, que se comenz a utilizar a mediados de la dcada de 1970, es un refinamiento de la tcnica de alta integracin. Como resultado de una miniaturizacin an ms avanzada, un nico microprocesador puede incorporar las funciones de varias placas de circuito impreso y desarrollar la misma potencia de clculo que la unidad central de proceso de una computadora mucho mayor, en una microcomputadora alimentada por bateras que adems cabe en la palma de la mano.