1

SEGUNDA SEMANA
Estructuras microscpicas y macroscpicas
Posicin y direccin en la celda unitaria, planos, direcciones
2
ESTRUCTURAS MICROSCOPICAS Y MACROSCOPICAS
OBJETIVO
Comprender la estructura atmica y la forma en que los enlaces atmicos producen
distintos arreglos atmicos o inicos en los materiales y sus propiedades mecnicas.
2.1 INTRODUCCION
La estructura electrnica del tomo determina la naturaleza de la unin
atmica, la cual imparte ciertas propiedades generales a los materiales
metlicos, cermicos y polimricos. Ms an, la estructura electrnica
desempea una funcin predominante en la determinacin de las
propiedades fsicas, tales como la conductividad elctrica, el comportamiento
magntico, as como las caractersticas pticas, trmicas y elsticas del
material.
La disposicin de los tomos en estructuras cristalinas o amorfas influye en
las propiedades fsicas, y en particular, en el comportamiento mecnico de los
materiales. Las imperfecciones en un arreglo atmico normal juegan un papel
decisivo para entender la deformacin y las propiedades fsicas y mecnicas
de los materiales.
La estructura influye en la manera en que estn ligados los tomos en los
materiales, lo que permite clasificarlos como materiales metlicos, cermicos
y polimricos, estableciendo algunas conclusiones generales respecto a las
propiedades mecnicas y al comportamiento fsico de estas tres clases de
materiales.
La mayora de los slidos tienen estructura cristalina. Esto quiere decir, que
poseen una ordenacin peridica de sus tomos o iones a lo largo de las tres
direcciones del espacio. Sin embargo, algunos slidos no presentan dicha
ordenacin peridica, son los denominados slidos amorfos.
El arreglo atmico juega un papel importante en la determinacin de la
microestructura en el comportamiento de un material slido. Por ejemplo, el
arreglo atmico en el aluminio proporciona buena ductilidad, en tanto que en
hierro es la causa de una buena resistencia. Los transductores cermicos
capaces de detectar tumores en el cuerpo humano se basan en un arreglo
atmico que produce un desplazamiento permanente de las cargas elctricas
dentro del material. Debido a distintos arreglos atmicos, se puede deformar
fcilmente el polietileno, se puede estirar elsticamente el hule, y la epxica
resulta fuerte y quebradiza.
3
2.2 ESTRUCTURA DEL ATOMO
Se sabe que un tomo est compuesto de un ncleo rodeado por electrones.
El ncleo contiene neutrones y protones; estos ltimos estn cargados
positivamente, por lo cual el ncleo tiene una carga elctrica neta positiva.
Los electrones cargados negativamente estn sujetos al ncleo mediante
atraccin electrosttica. Debido a que el nmero de electrones y protones en
el tomo es igual, el tomo en conjunto es elctricamente neutro. Debido a la
extrema pequeez de los tomos, su masa no puede ser determinada
mediante el uso de instrumento alguno, y para poder mensurarlas, se ide
una unidad acorde: la unidad de masa atmica o uma, que se define como
1
/
12
de la masa del tomo de 12C, y equivale a 1.67 x 10
-24
g.
2.2.1 EL NUCLEO
Es la parte central del tomo cargada positivamente: est compuesto
principalmente de las partculas fundamentales llamadas protones y
neutrones. Los electrones se mueven alrededor del ncleo. El ncleo
contiene la mayor parte de la masa. El radio de un ncleo atmico es
de 10
-13
a 10
-12
cm aproximadamente. Los radios de los tomos son
aproximadamente del orden de 10
-8
cm (1 ) (: Amstrong), esto es,
casi 100.000 veces mayores por lo cual el tomo debe tener una
estructura relativamente "vaca".
A Nmero atmico, Z
Indica el nmero de protones que tiene un tomo en el ncleo, el
cual es igual a la cantidad de electrones, ya que la materia es
elctricamente neutra. La cantidad de protones vara segn el
elemento.
Ejemplo: EL Magnesio (Mg) tiene Z = 12
B Nmero de masa, A
Es la suma del nmero de protones y neutrones contenidos en el
ncleo.
A = Z + n
Ejemplo: El Sodio (Na) tiene Z = 11 y A = 23, por lo tanto
contiene 11 protones, 11 electrones y 12 neutrones.
A
X
Z
2.2.2 ESTRUCTURA ELECTRONICA DEL ATOMO
Cada electrn de un tomo posee una energa en particular; en un
tomo no existen ms de dos electrones con una misma energa.
4
A Nmero cunticos
La situacin de los electrones, su nivel de energa y otras
caractersticas se expresan mediante los nmeros cunticos.
Los nmeros cunticos determinan la regin del espacio-energa
de mayor probabilidad para encontrar a un electrn.
Cada electrn dentro de un tomo viene identificado por 4
nmeros cunticos:
Nmero cuntico principal. Se representa por la letra n.
Significa nivel, orbita, capa o estado estacionado.
Proporciona el nivel y la distancia promedio relativa del
electrn al ncleo. Puede tomar los valores: n = 1, 2, 3,
4,... (K, L, M, N,...). Nos permite encontrar el tamao del
tomo.
Nmero cuntico secundario o azimutal. Se representa
por la letra l. Significa subnivel, determina la orientacin y
forma del orbital en el espacio. Cada orbital de un
subnivel dado es equivalente en energa, en ausencia de
un campo magntico. Puede tomar los valores:
l = 0, 1, 2, 3,... n-1 (s, p, d, f,...)
l = n 1
Es decir:
Para n = 1 l = 0 (s)
n = 2
l 0 (s)
l 1 (p)
=
=

n = 3
l 0 (s)
l 1 (p)
l = 2 (d)
=
=

n = 4
l 0 (s)
l 1 (p)
l = 2 (d)
l = 3 (f)
=
=

...
Nmero cuntico magntico. Se representa por la letra
m. Nos indica la orientacin que tiene el orbital al someter
el tomo a un campo magntico fuerte (efecto Zeeman).
Puede tomar los valores desde m hasta +1 pasando por
0. Puede tomar los valores:
m=-l,..., 0,...,+l
5
Para l = 0 m = 0
l = 1
m 1
m 0
m 1
=
=
= +

l = 2
m= -2
m 1
m 0
m 1
m= +2
=
=
= +

l = 3
m= -3
m= -2
m 1
m 0
m 1
m= +2
m= +3
=
=
= +

Cada valor de m es un orbital. En cada orbital caben

como mximo 2 electrones.
Nmero cuntico de spin. Se representa por la letra s.
Significa spin, determina el giro de los electrones en cada
orbital, s puede tomar los valores de +
1
/
2
o -
1
/
2
.
Al especificar sus cuatro nmeros, la "direccin" de un electrn
particular en un tomo dado se define completamente; es decir,
los cuatro nmeros cunticos sitan a cada electrn en el nivel
de energa (n), la subcapa (l), la sub-subcapa (m) y la direccin
de su spin (s).
B Orbital
Es la regin del espacio atmico donde probablemente podemos
encontrar una pareja de electrones. Para calcular la cantidad de
orbitales por cada subnivel se aplica la siguiente frmula:
O = 2*L + 1
Si n = 1, L = 0 S; entonces O = 1 2 electrones
Si n = 2, L = 1 P; entonces O = 3 6 electrones
Si n = 3, L = 2 D; entonces O = 5 10 electrones
Si n = 4, L = 3 F; entonces O = 7 14 electrones
6
Orbitales degenerados: Son aquellos que tienen energa
equivalente. Ejemplo: 1p es triplemente degenerado.
Orbtales no degenerados: Son aquellos que carecen de
energa equivalente. Ejemplo: 1s no es degenerado. La
aplicacin de un campo magntico a un orbital
degenerado elimina la degeneracin y el fenmeno que
se produce se le llama Efecto Zyman del Primer Orden.
C Configuracin electrnica
Es la representacin de la estructura electrnica de un tomo. La
configuracin electrnica se realiza en base de los niveles y
subniveles y su formula general es: N*L
n
(nivel N, subnivel l, y
nmero de electrones n). Para distribuir los electrones en los
distintos niveles de energa tenemos en cuenta los siguientes
principios y reglas:
Principio de relleno o Aufbau. Los electrones entran en
el tomo en los distintos orbitales de energa ocupando
primero los de menor energa. Para tener una idea muy
aproximada de la distribucin de los electrones en los
diferentes niveles y subniveles se utiliza el diagrama de
Mller. Este diagrama indica el orden de llenado de los
subniveles y niveles de energa de un tomo, de arriba
hacia abajo, siguiendo el sentido de las flechas, hasta
llegar al nmero de electrones que tiene dicho tomo.
7
Nivel Orbitales Electrones mximos por
nivel
1s 2s 2p 3s 3p 4s 3d 4p 5s 4d 5p 6s 4f 5d 6p 7s 5f 6d 7p 6f 7d 7f
O bien se sigue esta regla: Los orbitales menos
energticos son los de menor valor de n+l. Si los orbitales
tienen el mismo valor de n+l, tendr menos energa los de
menor valor de n. De acuerdo con estas reglas el orden
es el siguiente:
1s, 2s, 2p, 3s, 3p, 4s, 3d, 4p, 5s, 4d, 5p, 6s, 4f, 5d, 6p, 7s
Sin embargo, este orden terico presenta algunas
excepciones. Por ejemplo, en las configuraciones de los
lantnidos, aunque en teora los orbitales 4f son ms
energticos que los 5d, en realidad el tomo coloca
primero un electrn en el 5d que entonces se vuelve ms
energtico, y empieza a rellenar los 4f.
En cada orbital slo caben 2 electrones. Por tanto, la
capacidad de los distintos subniveles es:
Subnivel N de orbitales Electrones por
orbital
Nmero de
electrones
s
1
(l=0)
2 2
p
3
(l=-1,0,+1)
2 6
d
5
(l=-2,-1,0,1,2)
2 10
f
7
(l=-3,-2,-1,0,1,2,3)
2 14
8
Principio de exclusin de Pauli. En un tomo estable no
pueden existir no ms de dos electrones con sus 4
nmeros cunticos iguales. La consecuencia de esto es
que en un orbital slo puede haber 2 electrones con
spines diferentes. El nmero mximo de electrones por
nivel es 2*n
2
.
Este principio es fundamental ya que ayuda
considerablemente en la deduccin de la distribucin de
los electrones en los tomos de los diversos elementos.
Con la finalidad representar la estructura electrnica de un
tomo se utiliza una notacin abreviada que contiene el
valor del nmero cuntico principal, una letra que
representa el nmero cuntico acimutal y un superndice
que indica el nmero de electrones en cada orbital.
La notacin abreviada del fierro es: 1s
2
2s
2
2p
6
3s
2
3p
6
3d
6
4s
2
Nivel (n)
Nmero mximo de
electrones que se pueden
poner, 2*n
2
Subniveles que tiene
1 2*1
2
= 2 s
2 2*2
2
= 8
s
p
3 2*3
2
= 18
s
p
d
4 2*4
2
= 32
s
p
d
f
Principio de Hund o de mxima multiplicidad. Para
llenar cada orbital primero entrar los electrones con spin
positivo y despus los electrones con spin negativo. Los
que sobran son negativo. Se aplica la regla de Hund
cuando un orbital p, d, o f es ocupado por ms de un
electrn. Esta regla dice que los electrones permanecen
sin aparear con espines paralelos en orbitales de igual
energa, hasta que cada uno de estos orbitales tiene,
cuando menos un electrn. Por ejemplo, el diagrama
orbital para el fsforo:
9
Correcto Incorrecto
15
P
e
-
3s
3p
15
P
e
-
3s
3p
Ningn orbital p puede poseer dos electrones hasta que todos los orbitales p
tengan un electrn cada uno.
Principio de Incertidumbre de Heisenberg
Es imposible determinar simultneamente la posicin
exacta y el momento exacto del electrn.
Ejemplo:
Escriba la configuracin electrnica del Radio (Z = 88). Cules
son los electrones de inters en qumica?
Solucin: Configuracin electrnica del Ra: Z = 88 quiere decir
que tiene 88 e
-
La configuracin electrnica es:
1 s
2
2 s
2
p
6
3 s
2
p
6
d
10
4 s
2
p
6
d
10
f
14
5 s
2
p
6
d
10
6 s
2
p
6
7 s
2
Electrones de inters en qumica: 7 s
2
n=1
n=2
n=3
n=4
n=5
n=6
n=7
s
p
d
f
2
2
2
2
2
6
6
6
6
10
10
2
14
10
6
2
10
2.2.3 DESVIACIONES DE LAS ESTRUCTURAS ELECTRONICAS
Esto ocurre particularmente en elementos con un nmero atmico
grande en los que los niveles d y f se empiezan a llenar. Un ejemplo de
esto es el hierro, nmero atmico 26.
Su estructura esperada sera: 1s
2
2s
2
2p
6
3s
2
3p
6
3d
8
Pero su estructura real es: 1s
2
2s
2
2p
6
3s
2
3p
6
3d
6
4s
2
El nivel 3d sin llenar (con 6 electrones) es lo que causa el
comportamiento magntico del hierro.
La Valencia es la capacidad de un elemento para combinarse
qumicamente con otros elementos, y se determina por el nmero de
electrones en los niveles combinados sp ms externos.
Mg: 1s
2
2s
2
2p
6
3s
2
Valencia = 2
Al: 1s
2
2s
2
2p
6
3s
2
3p
1
Valencia = 3
Cl: 1s
2
2s
2
2p
6
3s
2
3p
5
Valencia = -1
La valencia tambin depende de la naturaleza de la reaccin qumica,
existiendo elementos con ms de una valencia. La estabilidad de los
elementos depende de la interaccin de los electrones de los ltimos
orbitales con tomos circundantes, por ejemplo el aluminio cede los
tres electrones del nivel 3sp para quedar en una configuracin estable,
mientras que el cloro acepta un electrn para completar su nivel 3sp.
Por ejemplo, el azufre forma sulfatos y sulfitos. En el primero la
valencia es de 6+ y en el segundo de 4+. Esto debido a la combinacin
de los orbitales s y p de la tercera capa.
Se dice que los elementos inertes tienen valencia cero (niveles
completos), por ejemplo el argn: 1s
2
2s
2
2p
6
3s
2
3p
6
2.3 ENLACES ATOMICOS
Cuando tomos con orbitales incompletos estn en un estado inestable e
interaccionan con otros tomos de manera controlada, tal que comparten o
intercambian electrones entre ellos para lograr un estado estable de los
orbitales incompletos, se forma as un enlace.
Existen 3 tipos principales de enlaces primarios interatmicos, que son inico,
covalente y metlico. Adems, existen enlaces secundarios ms dbiles,
basados en la atraccin electroesttica entre molculas polarizadas. Este tipo
de enlace secundario, conocido como enlace de Van der Waals, se da entre
los tomos de gases a muy bajas temperaturas.
11
2.3.1 ENLACE METALICO
Los tomos forman una estructura cristalina compacta, y los electrones
de la capa exterior, o de valencia, son compartidos por todos los
tomos del conjunto (los electrones formar un mar o nube de
electrones que rodea a los tomos), la resistencia de este enlace es
menor que la de un enlace covalente. Los enlaces metlicos son no
direccionales; los electrones que mantienen ligados a los tomos no
estn fijos en una posicin. Cuando se dobla un metal y los tomos
intentan cambiar su relacin entre ellos, la direccin del enlace
simplemente se desliza en lugar de romperse. Esto permite que los
metales sean conformados en configuraciones tiles.
La unin metlica permite tambin que los metales sean buenos
conductores elctricos, cada electrn no pertenece a ningn tomo en
particular, pero cada tomo tiene un nmero de tomos determinado.
Mientras ms puro el material mejor conductor, si son aleaciones se
forman diferentes fases que quitan rapidez al flujo de electrones.
FIGURA 2.1
ESQUEMA DE UN ENLACE METALICO
2.3.2 ENLACE COVALENTE
Este es un enlace basado en el compartimiento de electrones. Los
materiales ligados de esta forma comparten electrones entre dos o ms
tomos. Los tomos deben acomodarse de manera que los enlaces
tengan una relacin direccional fija entre ellos. Como las uniones
covalentes son muy fuertes, los materiales unidos de este modo tienen
12
poca ductilidad y escasa conductividad elctrica, para que un electrn
se mueva y forme una corriente elctrica, el enlace covalente debe
romperse por altas temperaturas o altos voltajes (con excepcin de los
polmeros que por estar formados por molculas orgnicas no soportan
tan altas temperaturas). Muchos materiales cermicos y polimricos
estn completa o parcialmente unidos por enlaces covalentes, lo que
explica porque el vidrio se rompe cuando es golpeado, y por que los
ladrillos son buenos aislantes del calor y la electricidad.
FIGURA 2.2
ESQUEMA DE UN ENLACE COVALENTE
2.3.3 ENLACE IONICO
Es un enlace basado en la transferencia de electrones. Los tomos que
tienen pocos electrones en su capa exterior pueden ionizarse al
perderlos, y as dejan al descubierto una capa saturada de electrones.
Por el contrario, los tomos cuyas capas exteriores se encuentren casi
saturadas pueden convertirse en iones con carga negativa al capturar
uno o ms electrones. Por ejemplo: Na Na
+
+ e
-
y Cl + e
-
Cl
-
Cuando en un material se encuentra presente ms de un tipo de
tomo, uno de ellos puede donar sus electrones a un tomo distinto, lo
que hace que se comporten como iones. El que dona sus electrones
queda con carga neta positiva y es llamado catin y el que acepta los
electrones queda con carga neta negativa y es el anin. Los iones
cargados opuestamente se atraen entre s produciendo la unin inica.
13
FIGURA 2.3
ESQUEMA DE UN ENLACE IONICO
El enlace entre los tomos en la sal comn (cloruro de sodio) es un
tpico enlace inico. En el enlace que se forma, el sodio se transforma
en catin (ion de carga positiva) entregando su electrn de valencia al
cloro, que se convierte en anin (ion de carga negativa). Este
intercambio de electrones se refleja en la diferencia de tamao entre
los tomos y iones. Atrados por fuerzas electrostticas, los iones se
organizan formando una red cristalina en la que cada uno es
fuertemente atrado hacia un grupo de vecinos prximos de carga
opuesta y, en menor medida, hacia todos los dems iones de carga
opuesta a travs de todo el cristal.
2.3.4 ENLACE DE VAN DER WAALS
Esta es una atraccin electrosttica dbil que ocurre entre tomos o
molculas que estn polarizadas, es decir, en los casos en que los
centros de las cargas positivas y negativas no coinciden, originndose
as un dipolo. Todos los tomos y molculas, aunque sean apolares,
forman pequeos dipolos debidos al giro de los electrones en torno al
ncleo. Por ejemplo molculas de agua estn permanentemente
polarizadas; algunas porciones de las molculas tienden a estar con
carga positiva, mientras otras porciones estn cargadas negativamente
atrayndose entre s.
La presencia de este dipolo hace que los tomos o molculas
contiguas tambin se polaricen, de tal manera que se producen
pequeas fuerzas de atraccin electrosttica entre los dipolos que
forman todos los tomos. A estas fuerzas de dispersin se opone la
repulsin electrosttica entre las capas electrnicas de dos tomos o
molculas contiguos.
Las fuerzas de Van der Waals conforman el tipo ms dbil de fuerza
intermolecular que puede darse en la naturaleza.
14
FIGURA 2.4
ESQUEMA DE UN ENLACE DE VAN DER WAALS
2.4 ESTRUCTURA CRISTALINA
La estructura fsica de los slidos es consecuencia de la disposicin de los
tomos, molculas e iones en el espacio, as como de las fuerzas de
interconexin entre los mismos. Si esta distribucin espacial se repite,
diremos del slido que tiene estructura cristalina. Los metales, aleaciones y
determinados materiales cermicos tienen estructura cristalina.
La ordenacin atmica en los slidos cristalinos puede representarse situando
los tomos en el origen de una red tridimensional, que se denomina retculo
espacial. En este tipo de redes cristalinas cada punto que puede ser
identificado por un tomo, tiene un entorno idntico.
Una estructura cristalina se puede definir como una repeticin en el espacio
de celdas unitarias. El volumen y orientacin espacial de cada celda unitaria
viene caracterizado por las siguientes constantes: tres vectores, a, b, c, que
convergen en un punto comn o vrtice y tres ngulos, , y .
La estructura ms desordenada es la del cbico simple porque deja ms
espacio desocupado, mientras ms desorden mas espacio desocupado. Los
materiales cada vez que se calientan se dilatan y si se enfran se contraen
cambiando el volumen por cambio de temperatura sin cambiar su estructura,
pero hay casos por ejemplo el hierro si se calienta sobre 906 C adems de
dilatarse cambia su estructura de BCC a FCC y se tendra una variacin de
volumen por temperatura (dilatacin) y por cambio de estructura (contraccin
ya que FCC es ms compacto que BCC), lo cual podra dar un V positivo,
negativo o igual acero.
Cualquier material con estructura FCC es ms dctil ya que como tiene mayor
volumen ocupado consta de planos de tomos ms compactos lo que ayuda
15
enormemente para la deformacin, es decir no tiene tantos espacios libres
que traben los tomos y no los dejen desplazarse.
Si se tiene un tomo A con determinada estructura y tenemos otra red con
tomos B y queremos formar una estructura nica, la que imponga su
estructura ser la que este en mayor cantidad (generalmente), pero hay casos
en que ninguno impone su red y as surge otra red nueva.
El factor ms importante que influye en esto es la difusin, que es el
movimiento que tienen los tomos y que se ve incrementada por la
temperatura.
2.4.1 ARREGLO ATOMICO
Todos los materiales estn integrados por tomos los que se organizan
de diferentes maneras, dependiendo del material que se trate y el
estado en el que se encuentra. Cuando un material se encuentra en
forma de gas, sus tomos estn ms dispersos o desordenados (a una
mayor distancia uno de otro) en comparacin con los tomos de ese
mismo material pero en estado lquido o slido. Existen materiales en
los que sus tomos siempre estn en desorden o desalineados an en
su estado slido, a estos materiales se les llama materiales amorfos,
un ejemplo es el vidrio, al que se considera como un lquido
solidificado.
El ordenamiento atmico juega un papel fundamental en el
compartimiento y propiedades que presentan los slidos. As por
ejemplo, la diferencia entre la buena ductibilidad del aluminio y la
buena resistencia del hierro radica en sus diferentes ordenamientos
microscpicos.
Sin considerar las imperfecciones en los materiales, existen tres niveles
de organizacin de los tomos:
A Desordenacin
En los gases y la mayora de los lquidos, los tomos y las
molculas carecen de un arreglo ordenado; los tomos se
distribuyen aleatoriamente donde se confina el gas.
B Ordenamiento particular (de corto alcance)
Un material muestra orden de corto alcance si el arreglo espacial
de los tomos se extiende slo a los vecinos ms cercanos de
dicho tomo. Cada molcula de agua en fase vapor tiene un
orden de corto alcance debido a los enlaces covalentes entre los
tomos de hidrgeno y oxgeno esto es, cada tomo de oxgeno
16
est unido a dos tomos de hidrgeno, formando un ngulo de
104.5entre los enlaces. Sin embargo, las molculas de agua no
tienen una organizacin especial entre s.
Los polmeros tambin despliegan arreglos atmicos de corto
alcance que se parecen mucho a la estructura del vidrio de
slice. Las cermicas y los polmeros que tienen slo este orden
de corto alcance son material amorfos. Los vidrios, que se
forman en sistemas tanto cermicos como polmeros, son
materiales amorfos y a menudo tienen propiedades fsicas
nicas. Unos cuantos materiales y semiconductores
especialmente preparados tambin poseen slo orden de corto
alcance.
C Ordenamiento general (de largo alcance)
En los metales, algunos cermicos y polmeros, presentan este
arreglo que se distribuye a travs de todo el material, la red tiene
un patrn general, que se distribuye uniformemente en todo el
material. La red cristalina difiere de un material a otro por
tamao de tomo y tipo de enlace.
En el caso de los metales, cuando estos estn en su estado
slido, sus tomos se alinean de manera regular en forma de
mallas tridimensionales. Estas mallas pueden ser identificadas
fcilmente por sus propiedades qumicas, fsicas o por medio de
los rayos X.
Cada tipo de malla en los metales da diferentes propiedades, no
obstante que se trata del mismo material, as por ejemplo en el
caso del hierro aleado con el carbono, se pueden encontrar tres
diferentes tipos de mallas: la malla cbica de cuerpo centrado, la
malla cbica de cara centrada y la malla hexagonal compacta.
Cada una de estas estructuras atmicas tiene diferentes
nmeros de tomos.
2.4.2 ESTRUCTURAS CRISTALINAS DE LOS METALES
El enlace atmico de este grupo de materiales es metlico y de
naturaleza no direccional. Por consiguiente, no hay restricciones en
cuanto al nmero y posicin de tomos vecinos ms prximos, lo cual
conduce, para la mayora de los metales, a estructuras cristalinas con
gran nmero de vecinos muy prximos y densamente empaquetados.
Utilizando el modelo de esferas rgidas en la descripcin de los metales,
cada esfera representa un catin en la estructura cristalina. La tabla 2.1
indica el radio atmico para algunos metales. La mayora de los
17
metales ms corrientes cristaliza en una de las tres estructuras
cristalinas siguientes: FCC, BCC y HC.
FIGURA 2.5
ESQUEMA QUE MUESTRA LAS DISPOSICIONES ATOMICAS
PRESENTES EN LOS MATERIALES
(a) gases inertes monoatmicos que no tienen ningn ordenamiento regular de tomos, (b y c)
Algunos materiales, incluyendo el vapor de agua, el nitrgeno el silicio de gas, amorfo y el cristal de
silicato tiene el ordenamiento de corto alcance. (d) Metales, aleaciones, mucha cermica y algunos
polmeros tienen el ordenamiento general de los tomos/iones que se extiende por el material.
TABLA 2.1
RADIOS ATOMICOS Y ESTRUCTURAS CRISTALINAS DE LOS METALES
18
2.4.3 NUMERO DE ATOMOS POR CELDA
Cada celda unitaria tiene asociada un nmero promedio de puntos de
red. Por ejemplo, en la celda unitaria cbica simple, cada punto de red
en los vrtices del cubo es compartido por 8 celdas diferentes. Esto es
equivalente a plantear que solamente 1/8 de cada punto de red
pertenece a una celda. Si hay ocho puntos de red (uno por vrtice),
entonces el nmero de tomos por celda para la estructura cbica
simple es: (1/8)*8 = 1. Siguiendo un razonamiento similar, se deduce
que la estructura BCC tiene dos tomos por celda unitaria, y la
estructura FCC tiene cuatro tomos por celda.
2.4.4 RELACION ENTRE EL RADIO ATOMICO VS PARAMETRO DE RED
Debido a la geometra de la celda unitaria, existe una relacin
matemtica entre el radio de los tomos que la componen y el
parmetro de red. Para los tomos que forman la estructura BCC, los
tomos se tocan entre s a lo largo de la diagonal principal del cubo, tal
como se ilustra.
ndice de coordinacin: i = 8
Nmero de tomos en la celda unitaria: n = 1 + 8 (1/8) = 2
Relacin entre la arista y el radio atmico:
Y el factor de empaquetamiento:
Para la estructura FCC, la relacin entre el parmetro de red y el radio
atmico es:
ndice de coordinacin: i = 12
Nmero de tomos en la celda unitaria: n = 8 (1/8) + 6(1/2) = 4
19
Relacin entre la arista y el radio atmico:
Y el factor de empaquetamiento:
Para la estructura cubica simple, CS, la relacin entre el parmetro de
red y el radio atmico es:
ndice de coordinacin: i = 6
Nmero de tomos en la celda unitaria: n = 8 (1/8) = 1
Relacin entre la arista y el radio atmico: a = 2*R
Y el factor de empaquetamiento: FPA = 52 %
La estructura hexagonal compacta, una forma especial de la red
hexagonal, la estructura hexagonal compacta (HC). La celda unitaria es
el prisma sesgado, que se muestra por separado. La estructura HC
tiene un punto de red por celda uno proveniente de cada una de las
ocho esquinas del prisma pero con cada punto de la red estn
asociados dos tomos. Un tomo est ubicado en una esquina, en
tanto que el otro est localizado dentro de la celda unitaria.
Volumen = a*c
0
*cos 30
FIGURA 2.6
LA ESTRUCTURA HEXAGONAL COMPACTA (HC) Y SU CELDA UNITARIA
20
ndice de coordinacin: i = 12
Nmero de tomos en la celda unitaria: n = [6*(1/6)*2 + 2*(1/2)] + 6*/1/2) = 6
TABLA 2.2
CARACTERISTICAS DE CRISTALES METALICOS COMUNES
Estructura
a, en
funcin de r
tomos
por celda
Numero de
coordinacin
Factor de
empaquetamiento
Metales tpicos
Cbica simple,
CS
a
0
= 2r 1 6 0.52 Ninguno
Cbica centrada
en el cuerpo,
BCC
3
r 4
a
0
=
2 8 0.68
Fe, Ti, W, Mo, Nb,
Ta, K, Na, V, Cr,
Zr
Cbica centrada
en las caras,
FCC
2
r 4
a
0
=
4 12 0.74
Fe, Cu, Al, Au, Ag,
Pb, Ni, Pt
Hexagonal
compacta, HC
a
0
= 2r
c
0
= 1.633a
0
6 12 0.74
Ti, Mg, Zn, Be, Co,
Cd
2.4.5 NUMERO DE COORDINACION
Es el nmero de tomos que estn en contacto con un tomo en
particular del material. El nmero de coordinacin puede interpretarse
como el nmero de vecinos prximos que tiene cada tomo del
material. Por ejemplo, para la estructura cbica centrada en el cuerpo
(BCC), el tomo ubicado en el centro del cubo est en contacto con los
ocho tomos de los vrtices. El nmero de coordinacin para esta
estructura es de 8.
2.4.6 FACTOR DE EMPAQUETAMIENTO
Es la fraccin del volumen de la celda unitaria que es ocupada por
tomos. El factor de empaquetamiento da una idea de que tan bien
apilados se encuentran los tomos en un material, y se calcula de la
siguiente manera:
| ) | )
| ) aria aceldaunit volumendel
natomo volumendeu * da omosporcel numerodeat
FEA =
2.4.7 DENSIDAD TEORICA
Es la masa que ocupa la unidad de volumen del material calculada a
partir de la estructura cristalina. La densidad terica puede calcularse
con la siguiente ecuacin:
21
2.4.8 SITIOS INTERSTICIALES
Son los huecos que existen entre los tomos que forman la estructura
cristalina y se originan debido a que los tomos son esfricos. Los
sitios intersticiales pueden estar vacos, o pueden contener tomos
ms pequeos.
2.5 ESTRUCTURAS DE LOS MATERIALES
2.5.1 METALES
Todos los metales son materiales cristalinos, es decir, sus tomos
estn ordenados siguiendo un patrn definido.
FIGURA 2.6
ESQUEMA DE LA ESTRUCTURA DE UN METAL
Poseen enlace metlico. En este enlace, los electrones de valencia de
los tomos se separan del ncleo, teniendo la facultad para moverse
libremente en todo el material razn por la cual se le llaman electrones
libres. Los electrones libres se comportan como si fueran una nube que
mantiene unidos a los iones positivos que quedan cuando los tomos
pierden sus electrones de valencia. La mejor analoga consiste en
imaginarse que los electrones son una masa de plastilina y los iones
positivos son chibolas. La masa de plastilina al mezclarse con las
chibolas evita que stas se separen, dando cohesin al material.
El enlace metlico es no-direccional. Esto hace que las dislocaciones
se puedan desplazar en los metales con facilidad. Por esa razn, los
metales son materiales dctiles. Adems, la no-direccionalidad de los
enlaces tambin facilita la difusin de los tomos en la estructura
cristalina. Por esa razn, los metales pueden cambiar sus propiedades
22
por medio de tratamientos trmicos. Un tratamiento trmico no es ms
que un proceso de calentamiento y enfriamiento controlado de modo
que se modifique la microestructura del metal.
Para aplicaciones de ingeniera, los metales normalmente se utilizan
aleados. Debido a esto, poseen varias fases en su estructura
microscpica.
2.5.2 CERAMICAS
La gran mayora de materiales cermicos son cristalinos. La estructura
cristalina de las cermicas suele ser bastante compleja.
Las cermicas poseen enlace inico. Este enlace consiste en que uno
de los tomos pierde uno o varios electrones cedindolo a otro tomo
diferente. El tomo que pierde el electrn queda con carga positiva
mientras que el tomo que lo gana adquiere carga negativa. La
cohesin del material resulta de la atraccin electrosttica que ejercen
las cargas elctricas de signo contrario. Los iones deben estar
colocados de manera ordenada en los puntos de red del material de
modo que ste sea elctricamente neutro.
En los materiales cermicos, el deslizamiento de las dislocaciones es
muy difcil debido a que debe mantenerse la neutralidad elctrica del
material. Esto hace que los materiales cermicos no posean ductilidad.
Adems, la difusin tambin es muy difcil por la misma razn, no
teniendo ningn sentido tratarlos trmicamente para cambiar su
microestructura.
FIGURA 2.7
ESQUEMA DE LA ESTRUCTURA DE UNA CERAMICA
2.5.3 POLIMEROS
Los polmeros son materiales formados por molculas muy largas.
23
FIGURA 2.8
ESQUEMA DE UNA MOLECULA DE POLIETILENO
Los tomos que forman la molcula estn unidos entre s por enlaces
covalentes. Estos enlaces son direccionales lo que hace que la
mayora de molculas tiendan a ser rizadas.
Los enlaces direccionales hacen que la molcula no sea recta, sino
que tienda a rizarse.
El material polmero est formado por una gran cantidad de molculas
de longitud diferente enredadas entre s.
Las molculas se enredan dndole cohesin al material
La cohesin y resistencia del material dependen de que tan
enredadas estn sus molculas. Generalmente entre ms largas son
las molculas, mejor se enredan y el material posee mayor resistencia.
Si las molculas son cortas, no pueden enredarse bien y el material se
deforma con facilidad.
Debido a que las molculas normalmente estn enredadas, es muy
difcil que los materiales polmeros formen estructuras cristalinas. La
mayora de polmeros son amorfos o a lo sumo semicristalinos.
2.5.4 MATERIALES COMPUESTOS
Estos materiales poseen mltiples fases. Sus propiedades dependen
proporcionalmente de las propiedades y la cantidad de las fases que lo
24
forman. Por esa razn, las fases se combinan en la cantidad adecuada
para obtener las propiedades que se deseen.
Un ejemplo de un material compuesto sera mezclar hilos metlicos con
un material polmero. Los hilos le proporcionan resistencia al material,
mientras que el polmero le proporciona un peso bajo. Combinando la
cantidad correcta de hilos y polmero, se puede obtener un material de
buena resistencia y bajo peso.
La mayora de materiales compuestos est formada por dos fases. Una
de ellas se llama la matriz. La matriz es la fase continua y
generalmente se encuentra en mayor cantidad en el material. La otra
fase se llama fase dispersa, y es rodeada por la matriz.
Las propiedades fsicas del material dependen de las propiedades de
cada fase, su cantidad relativa en el material y la geometra de la fase
dispersa.
2.5.5 SEMICONDUCTORES
Son materiales cuya conductividad elctrica es menor que la de los
metales, pero que sin embargo poseen caractersticas elctricas muy
particulares que los hacen muy tiles en aplicaciones electrnicas.
Las propiedades elctricas de los semiconductores dependen
significativamente de la presencia de pequeas cantidades de
impurezas. Controlando la cantidad y el tipo de impurezas, se pueden
controlar las propiedades elctricas.
El fenmeno de semiconductividad consiste en que el material puede
comportarse como conductor elctrico o como aislante dependiendo de
los estmulos externos que reciba. La semiconductividad puede ser de
dos tipos:
Intrnseca: cuando el comportamiento elctrico se basa en la
estructura electrnica propia del metal puro.
Extrnseca: cuando las propiedades elctricas estn definidas
por la presencia de impurezas.
En todos los materiales conductores, semiconductores y en muchos
materiales aislantes, la conduccin elctrica es causada por el flujo de
electrones que se da en el material cuando se aplica un campo
elctrico. La magnitud de la conductividad elctrica del material
depende significativamente del nmero de electrones disponibles para
participar en el proceso de conduccin. No todos los electrones que
posee un tomo son capaces de ser acelerados por la presencia de un
25
campo elctrico. El nmero de electrones disponible para la conduccin
elctrica en un material en particular se relaciona con el arreglo de los
electrones en estados o niveles de energa y con la manera como
dichos estados son ocupados por los electrones.
Las propiedades elctricas de un material slido son consecuencia de
la estructura de bandas que forman sus electrones, es decir, de la
forma como quedan arregladas las bandas exteriores y de la manera
como stas son ocupadas por los electrones. La banda que contiene
los electrones con la mayor energa o electrones de valencia se llama
banda de valencia. La banda de conduccin es la banda que le sigue y
que corresponde a niveles de energa mayores. En la mayora de
casos, la banda de conduccin se encuentra vaca.
2.6 POLIMORFISMO Y ALOTROPIA
Muchos compuestos y elementos existen en ms de una forma cristalina bajo
diferentes condiciones de temperatura y presin. Este fenmeno es
determinado como polimorfismo o alotropa. Muchos metales industrialmente
importantes como el hierro, titanio y cobalto experimentan transformaciones
alotrpicas a elevadas temperaturas manteniendo la presin atmosfrica. La
tabla 2.3 recoge algunos metales seleccionados que muestran
transformaciones alotrpicas y cambios de estructura.
El hierro existe en ambas estructuras cristalinas BCC y FCC, sobre un rango
de temperaturas que va desde la temperatura ambiente hasta su punto de
fusin a 1539C, como se muestra en la figura 2.9. El hierro ( ) existe desde
273 a 912C y tiene la estructura cristalina BCC. El hierro ( ) existe desde 912
hasta 1394C y tiene su estructura cristalina FCC. El hierro delta ( ) existe
desde 1394 hasta 1539C, que es el punto de fusin del hierro.
La estructura cristalina del hierro delta es tambin la BCC pero con una
constante de red mayor que la del hierro .
FIGURA 2.9
ESTADOS ALOTROPICOS DEL HIERRO
26
TABLA 2.3
FORMAS CRISTALINAS ALOTROPICAS DE ALGUNOS METALES
EJERCICIOS DESARROLLADOS
1 Calcule en cm el radio atmico de las siguientes estructuras:
a metal BCC con a
0
= 0.3294 nm y un tomo por punto de red.
b metal FCC con a
0
= 4.0862 y un tomo por punto de red.
Solucin:
a
3
r * 4
a
0
=
4
3 * a
r
0
=
cm 10 * 1.426
m 1
cm 100
*
nm 1
m 10
*
4
3 nm* 0.3294
r
8
9

= =
b
2
r * 4
a
0
=
4
2 * a
r
0
=
cm 10 * 1.4447
1
cm 10
*
4
2 * 4.0862
r
8
8

= =
2 Determine la estructura cristalina de un metal con a
0
= 4.9489 , r = 1.75 y
un tomo por punto de red.
Solucin:
CS: r * 2 a
0
= a
0
= 2*1.75 = 3.5
BCC:
3
r * 4
a
0
= 0414 . 4
3
75 . 1 * 4
a
0
= =
27
FCC:
2
r * 4
a
0
= 9497 . 4
2
75 . 1 * 4
a
0
= =
La estructura buscada es FCC
3 El plomo cristaliza en el sistema cbico centrado en las caras, tiene un radio
atmico de 174.9 pm y una densidad de 11340 kg/m
3
. Determine:
a Su constante reticular.
b Su masa atmica.
Solucin:
a
2
r * 4
a
0
= m 10 * 4.9469
pm 1
m 10
*
2
pm 174.9 * 4
a
10
12
0

= =
b
vogadro) (numerodeA * ria) celdaunita (volumende
ca) (masaatomi * eatomos) (cantidadd
=
)
mol
atomos
10 * (6.023 * m) 10 * (4.9469
ca) (masaatomi * atomos) (4
m
kg
11340
23 3 10
3

=
mol
g
206.712
mol
kg
0.206712 a masaatomic = =
4 La densidad del potasio que tiene estructura BCC y un atomo por punto de
red es 0.855 g/cm
3
. El peso atmico es 39.09 g/mol. Calcular
a El parmetro de red.
b El radio atmico del potasio.
Solucin:
a
vogadro) (numerodeA * ria) celdaunita (volumende
ca) (masaatomi * eatomos) (cantidadd
=
)
mol
atomos
10 * (6.023 * ) (a
)
mol
g
(39.09 * atomos) (2
cm
g
0.855
23 3
0
3
=
a
0
= 5.3346*10
-8
cm = 5.3355
b
3
r * 4
a
0
=
4
3 * a
r
0
=
3103 . 2
4
3 * 3355 . 5
r = =
28
5 Un metal tiene estructura cubica, su densidad es 2.6 g/cm
3
, su peso atmico
es 87.62 g/mol y su parmetro de red es 6.0849 . Un tomo se asocia con
cada punto de red. Determine la estructura cristalina del metal.
Solucin:
vogadro) (numerodeA * ria) celdaunita (volumende
ca) (masaatomi * eatomos) (cantidadd
=
)
mol
atomos
10 * (6.023 * ) 10 * (6.084
)
mol
g
(87.62 * elda) atomosporc . (cant
cm
g
2.6
23 3 8
3

=
Cantidad de tomos por celda = 4.03 4 tomos por celda, estructura FCC
6 El indio tiene una estructura tetragonal con a
0
= 0.32517 nm y c
0
= 0.49459
nm. La densidad es 7.286 g/cm
3
y el peso atmico es 114.82 g/mol. Tiene
estructura tetragonal simple o centrada en el cuerpo?
Solucin:
V = a
0
2
*c
0
V = (0.32517*10
-7
cm)
2
*(0.49459*10
-7
cm)
V = 5.2296*10
-23
cm
3
vogadro) (numerodeA * ria) celdaunita (volumende
ca) (masaatomi * eatomos) (cantidadd
=
)
mol
atomos
10 * (6.023 * ) 10 * 2296 . 5 (
)
mol
g
82 . 114 ( * elda) atomosporc . (cant
cm
g
286 . 7
23 23
3

=
Cantidad de tomos por celda = 1.9987 2 tomos por celda, estructura BCT
7 El galio tiene una estructura ortorrmbica con a
0
= 0.45258 nm, b
0
= 0.45186
nm y c
0
= 0.76570 nm, su radio atmico es 0.1218 nm, su densidad es 5.904
g/cm
3
y su peso atmico es 69.72 g/mol. Determine la cantidad de tomos en
cada celda unitaria y el factor de empaquetamiento.
Solucin:
V = a
0
* b
0
*c
0
V = (0.45258*10
-7
cm)*(0.45186*10
-7
cm)* (0.7657*10
-7
cm)
V = 0.1566*10
-21
cm
3
vogadro) (numerodeA * ria) celdaunita (volumende
ca) (masaatomi * eatomos) (cantidadd
=
29
)
mol
atomos
10 * (6.023 * ) 10 * 1566 . 0 (
)
mol
g
72 . 69 ( * elda) atomosporc . (cant
cm
g
904 . 5
23 21
3

=
Cantidad de tomos por celda = 7.99 8 tomos por celda
ria) celdaunita (volumende
atomos) (Volumende * eatomos) (cantidadd
FE=
| )
) cm 10 * (0.1566
cm 10 * 0.1218 * *
3
4
* 8
FE
3 21
3
7

=
El factor de empaquetamiento es 0.387
PROBLEMAS PROPUESTOS
1 Calcule la cantidad de tomos en 100 g de plata.
2 Los cientficos estn considerando el uso de nano partculas de materiales
magnticos tales como el hierro platino como medio de almacenamiento de
datos con densidades ultra altas. Si esos cientficos quisieran usar partculas
de hierro de 3 nm de dimetro, cul sera la cantidad de tomos en una de
esas partculas.
3 El papel de aluminio que se usa para almacenar alimentos pesa unos 0.3
g/pulg
2
. Cuantos tomos de aluminio contiene una pulg
2
de ese papel.
4 Para niquelar una parte de acero con 200 pulg
2
de superficie, con una capa
de 0.02 pulg
2
de espesor de nquel, cuantos tomos de nquel se requieren.
5 Un alambre de cobre tiene 0.4 mm de dimetro y 12 cm de longitud, cuantos
tomos tiene. Densidad Cu: 8.92 g/cm
3
6 Calcule la cantidad de electrones capaces de conducir la carga elctrica en 10
cm
3
de plata.
7 Calcule la fuerza de atraccin entre el par de iones Na
+
y F
-
que acaban de
tocarse. Suponga que el radio inico del Na
+
es 0.095 nm y el de F
-
es 0.136
nm.
8 La slice tiene enlaces inicos y covalentes. Que fraccin de los enlaces es
covalente.
9 El fosfuro de aluminio, AlP, es un semiconductor compuesto que tiene enlaces
inicos y covalentes mezclados. Calcule la fraccin de enlace que es inico.
30
10 El hierro a 20 C presenta estructura BCC con tomos de radio atmico 0.124
nm. Calcular la constante de red a para el lado del cubo de la celda unitaria
del hierro.
11 El elemento paladio, Pd, tiene como parmetro de red a = 3.89 A y una
densidad igual a 12.02 g/cm
3
. Calcular y determinar si el paladio es FCC,
BCC o CS.
12 El molbdeno presenta una estructura cubica centrada en las caras y el valor
de su arista es a = 3.14 A y su densidad es igual a 10.28 g/cm
3
(peso atmico
= 95.94 g/mol) Calcular el volumen de la celda unitaria y el factor de
empaquetamiento.
31
POSICION Y DIRECCION EN LA CELDA UNITARIA
OBJETIVO
Determinar las direcciones y los planos de una celda unitaria.
Determinar los ndices de Miller en una estructura cristalogrfica.
2.1 INTRODUCCION
En el interior de un slido cristalino existe una estructura cristalina formada
por una red espacial, en cada punto de la cual se sitan grupos de tomos
idnticos en composicin y orientacin (base).
La geometra de la red espacial debe permitir que se llene todo el espacio de
tomos sin dejar huecos, caracterstica que hace que slo existan 14 tipos de
redes posibles (redes de Bravais), caracterizadas por una celda unitaria cada
una, que, a su vez viene definida por una serie de parmetros (a, b, c y , ,
).
Para identificar los diferentes planos y direcciones en un cristal se usan los
ndices de Miller (para planos (hkl), para direcciones [hkl]).
La orientacin de una superficie de un cristal plano se puede definir
considerando como el plano corta a los ejes cristalogrficos principales del
slido.
2.2 INDICES DE MILLER
La aplicacin de un conjunto de reglas conduce a la asignacin de los ndices
de Miller (hkl); un conjunto de nmeros que cuantifican los cortes y que slo
puede usarse para identificar un plano o una superficie. El siguiente
procedimiento que permite asignar ndices de Miller est simplificado y slo
sirve para el sistema cbico (con celda unitaria de dimensiones a*a*a).
Para ilustrar el procedimiento, consideremos la siguiente superficie /plano:
32
Paso 1: identificar las intersecciones con los ejes x, y,z.
En este caso la interseccin con el eje x tiene lugar en x=a y la superficie es
paralela a los ejes y, z (consideramos que los corta en ). Los cortes son a,
, .
Paso 2: especificar los cortes en coordenadas fraccionarias.
Las coordenadas se convierten en fraccionarias dividindolas por la
dimensin de la celda unidad. Por ejemplo un punto (x,y,z) en una celda
unidad de dimensiones a x b x c, tiene las coordenadas fraccionarias (x/a, y/b,
z/c). En nuestro caso (celda cbica), las coordenadas fraccionarias sern:
a/a, /a, /a, es decir 1, , .
Paso 3: obtener los recprocos de las coordenadas fraccionarias.
Este paso final genera los ndices de Miller que, por convencin, han de
especificarse sin estar separados por comas. Los ndices se encierran entre
parntesis () cuando se especifica una nica superficie como en este ejemplo.
Los recprocos de 1 y , son 1 y 0, respectivamente, lo que nos conduce a
(100). Por tanto el plano del dibujo es el (100) del cristal cbico.
Otros ejemplos:
1- La superficie (110)
cortes: a,a, ; cortes fraccionarios: 1,1, ; ndices de Miller: (1,1,0)
33
2- La superficie (111)
cortes: a,a,a ; cortes fraccionarios: 1,1,1 ; ndices de Miller: (1,1,1)
Las superficies consideradas hasta ahora (100), (110) y (111) son las
llamadas superfcies de ndice bajo de un cristal cbico (el termino bajo hace
referencia a que los ndices son 0 o 1). Estas superficies tienen especial
importancia, pero hay un nmero infinito de otros planos que pueden definirse
usando los ndices de Miller.
3- Las superficies (210)
cortes: a/2, a, ; cortes fraccionarios: 1/2, 1, ; ndices de Miller: (210)
Notas adicionales:
(i) en algunos casos los ndices de Miller se multiplican o dividen por
algn factor comn para simplificarlos. Esta operacin simplemente
genera un plano paralelo que est a distancia diferente del origen de la
celda particular considerada (ejemplo: (200) se transforma en (100) al
dividir por dos)
(ii) si algunos cortes tienen valores negativos sobre los ejes, el signo
negativo debe aparecer en el ndice de Miller (ejemplo (00-1) se
escribe (001)
34
(iii) en los cristales hexagonales compactos hay cuatro ejes principales, por
tanto deben usarse cuatro ndices de Miller (ejemplo (0001))
En el dibujo las tres superficies estn relacionadas por los elementos de
simetra del cristal cbico y son totalmente equivalentes. De hecho hay un
total de 6 caras relacionadas por elementos de simetra y equivalentes a la
superficie (100), cualquier superficie que pertenezca a este conjunto de
superficies de simetra equivalente puede ser descrita por la notacin {100},
en la que los ndices de Miller de una de las superficies estn representados
entre llaves.
En el sistema cbico el plano (hkl) y el vector [hkl], definido con respecto al
origen, son perpendiculares. Esta caracterstica es nica del sistema cbico y
no se puede aplicar a sistemas de simetra inferior.
La distancia entre planos en el sistema cbico viene dada por:
Ejemplo
Determinar los valores de la interseccin con los ejes x, y, z de un plano cuyos
ndices de Miller son (362). Suponiendo que dicho plano pertenezca a una estructura
cristalina cbica de parmetro de red igual a 3.5 A, calcular la distancia interplanar.
Solucin
A partir de los ndices de Miller (362) se obtienen los cortes fraccionarios 1/3, 1/6,
1/2 y se reducen a fracciones equivalentes con los nmeros enteros menores
posibles (aplicando el mcm= 6), obtenindose 1/2, 1, 1/3. Los cortes con los ejes
sern, por tanto x=2, y=1, z=3.
La distancia entre estos planos se obtiene a partir de:
35
BIBLIOGRAFIA
1. Askeland, Donald R., Ciencia e ingeniera de los materiales, Madrid
Paraninfo/Thomson Learning cop. 2004.
2. Shackelford, James F., Introduccin a la ciencia de materiales para
ingenieros, Madrid, Prentice Hall, D. L. 1998.
3. Callister, William D., Introduccin a la ciencia e ingeniera de materiales,
Barcelona, reverte, 1996.
36
Los cristales son slidos con formas regulares y caras planas
y brillantes. Desde la antigedad ha llamado la atencin la
regularidad de su apariencia externa, sus diferentes formas y
colores, a los cuales se les atribuan diferentes tipos de
propiedades mgicas y/o curativas. El avance del conocimiento
de las propiedades de este tipo de sustancias vino dado de
manera consecutiva por etapas que involucraron la descripcin
de las propiedades generales y de sus diferentes simetras
y etapas posteriores de desarrollo de diferentes teoras junto a
la determinacin de las estructuras cristalinas gracias al
empleo de la difraccin de rayos X.[1] Dentro de los aspectos
ms relevantes a considerar y en el contexto de las
propiedades de las redes cristalinas, se encuentran la descripcin
de las catorce redes espaciales que se repartieron entre
los siete sistemas de simetra cristalina: cbico, hexagonal,
tetragonal, rmbico, trigonal, monoclnico y triclnico. Esta
descripcin junto a los estudios de difraccin de rayos X, trajo
aparejado el establecimiento definitivo de la existencia de una
distribucin regular para los tomos, molculas o iones que
conforman el cristal.[1,2] De esa manera se gener la idea de
la existencia de las "celdas unitarias".
Las celdas unitarias de una red tridimensional constituyen
los bloques bsicos para la construccin de un cristal, estas se
conocen como los siete sistemas cristalinos y presentan requisitos
mnimos de simetra. As por ejemplo, el sistema
cbico al cual pertenece el NaCl, presenta los siguientes
parmetros para su celda unidad: (===90 y a=b=c.
Cualquier otra sustancia cristalina cuyos parmetros sean
idnticos pertenecer tambin al sistema cbico.
Sobre esta idea se trabaja especialmente con los alumnos
cuando se intenta introducir los conceptos que permiten la
descripcin de lo que es un cristal. Surge entonces la necesidad
de trabajar sobre nociones de lo tridimensional, lo que
denominamos celda unitaria, la definicin y clasificacin de
estructuras, posiciones y tamaos de los tomos, molculas o
iones dentro de ellas, de sus propiedades en general y de los
diferentes tipos de enlace en particular. Si bien para generar e
introducir estos conocimientos la mayora de los docentes nos
apoyamos en la utilizacin de modelos que nos permitan
explicar y hacer entender estos diferentes aspectos, es relevante
la utilizacin de un trabajo experimental que soporte y
aporte al aspecto visual y conceptual, as como lo que estamos
tratando de mostrar, ensear y/o analizar.
Sobre esa base se enmarca este trabajo prctico que se fundamenta
principalmente en la preparacin y seguimiento del
crecimiento de un cristal, para lo cual se hace necesaria tanto
la aplicacin de conceptos previos relacionados a la solubilidad
as como la adquisicin de una tcnica comn de laboratorio
para la cristalizacin de sustancias.
Por otra parte se espera que la observacin del aspecto
externo del cristal, d lugar a la discusin respecto a la disposicin
interna de tomos, iones o molculas, que en definitiva
determinan la forma externa as como del resto de las
propiedades de un cristal. El ejemplo seleccionado para el trabajo
prctico es el cloruro de sodio, la sal de mesa comn, la
cual pertenece al sistema cbico compacto, su celda unidad se
conforma por iones cloruro formando el empaquetamiento
compacto y los iones sodio ocupando todos los huecos octa-
dricos ubicados en el centro del cuerpo y en mitad de las aristas
en una disposicin como se muestra en la Figura 1.
Se har hincapi en que lo llamativo y sorprendente es que
se necesitan 1017 bloques como ste para formar un solo
grano de sal de forma cbica con 1 mm de arista (1 mm3 de
37
sal). Esto es 100.000.000.000.000.000 bloques; es decir, cien
mil billones de bloques.[3]
Se procede adems a la aplicacin de conceptos de la fsica,
como lo es el principio de Arqumedes para la determinacin
de una de las propiedades ms comn para un slido
como su densidad. Y finalmente, la utilizacin de conceptos
nuevos como el del sistema cristalino, que permitirn a partir
del dato experimentalmente obtenido la obtencin de otros
datos y parmetros para otras sustancias qumicas por medio
de una va indirecta.
Figura 1. Disposicin interna de los iones en el NaCl
Bibliografa
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Objetivos
- Visualizacin de estructuras de slidos mediante el uso de modelos
- Estudio de redes cristalinas basadas en ordenamientos de esferas de igual tamao
- Identificacin de celdas unitarias y estudio de sus principales caractersticas
Introduccin
Los slidos se pueden dividir en dos categoras: cristalinos y amorfos. En un slido cristalino, sus
tomos, iones o molculas ocupan posiciones especficas, con un ordenamiento regular bien
definido y repetitivo de largo alcance. Gracias a la distribucin regular de estas partculas en el
slido, se consigue que las fuerzas netas de atraccin entre las mismas sean mximas. En cambio,
un slido amorfo como el vidrio, carece de un ordenamiento bien definido y de un orden
molecular de largo alcance.
Las fuerzas responsables de la estabilidad de un cristal pueden ser inicas (como en el NaCl),
covalentes (como en el grafito o los cristales metlicos), de van der Waals (en el iodo), de enlaces
de hidrgeno (hielo) o una combinacin de ellas.
El estudio de la disposicin de los componentes en los slidos cristalinos forma parte esencial de
un curso de Qumica Inorgnica estructural. Esta tarea puede resultar muy rida si no se la aborda
con algn criterio de sistematizacin. Afortunadamente, se ha encontrado que los tipos de
estructuras observadas para la gran mayora de las sustancias inorgnicas son limitadas, y en estos
casos, la estructura de un compuesto dado generalmente puede derivarse a partir de una estructura
comn, llamada estructura tpica.
Las estructuras cristalinas se determinan por lo regular mediante la tcnica de difraccin
de rayos X. Esta tcnica se basa en el hecho de que los espaciados atmicos en los cristales son
del mismo orden de magnitud que la longitud de onda de los rayos X (del orden de 1 o 100 pm)
y por lo tanto un cristal acta como una rejilla de difraccin ante el haz de radiacin. El patrn de
dispersin que se obtiene ser caracterstico de cada cristal y a partir de l se puede deducir el
arreglo de las partculas en el retculo slido.
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