CAPITULO 5 5.1) Cules son las propiedades clave de las memorias semiconductoras?

Presentan dos estados estables (o semiestables), que pueden emplearse para representar el 1 y el 0 binarios Puede escribirse en ellas (al menos una vez), para fijar su estado. Puede leerse para detectar su estado. 5.2) Cul de los dos significados se est empleando para el trmino memoria de acceso aleatorio? Las palabras individuales de la memoria son accedidas directamente mediante lgica de direccionamiento cableada interna, es posible tanto leer como escribir rpidamente datos nuevos en ellas, esto por seales elctricas y son de carcter voltil 5.3) Qu diferencia hay, en cuanto a aplicaciones, entre DRAM y SRAM? Las SRAM son ms rpidas se utiliza como cach & la DRAM como memoria principal. 5.4) Qu diferencia hay entre DRAM y SRAM en cuanto a caractersticas tales como velocidad, tamao y coste? Las DRAM son ms pequeas las celdas y mas econmicas que las SRAM. Tanto las RAM estticas como las dinmicas son voltiles. Una celda de memoria RAM dinmica es ms simple que una esttica y en consecuencia ms pequea. Por tanto las DRAM dinmicas son ms densas (celdas ms pequeas = mas celadas por unidad de superficie) y mas econmicas que las correspondientes SRAM. Por otra parte una DRAM requiere de circuitera para realizar el refresco. En memorias grandes el coste fijo de la circuitera de refresco se ve ms que compensado por el menor coste de las celdas DRAM. As pues las DRAM tienden a ser las preferidas para memorias grandes. Un ltimo detalle es que las SRAM son generalmente algo ms rpidas que las dinmicas. 5.5) Explique por qu uno de los tipos de RAM se considera analgico y el otro digital. Porque la DRAM aunque almacena 0 y 1, puede almacenar cualquier valor de carga dentro de un rango, y su comparacin con un valor umbral determina si esa carga se interpreta como uno o cero. La SRAM es digital porque se basan en los mismos elementos que se usan en el procesador, los valores binarios se almacenan utilizando configuraciones de puertas que forman biestables.

5.6) Indique algunas aplicaciones de las ROM. Las microcomputadoras personales y de empresas usan ROM para almacenar sus programas de sistema operativo y sus intrpretes de lenguaje (BASIC). Los productos que tienen una microcomputadora para controlar su operacin utilizan ROM para almacenar programas de control. Los programas de microcomputadora que se almacenan en ROM se conocen como programas firma(firmware) ya que no estn sujetos a cambios.

5.7) Qu diferencias hay entre las memorias EPROM, EEPROM y flash? EPROM.- Erasable PROM, memoria borrable. Est memoria fue de las ms usadas en la antigedad son las que traen una ventanita de vidrio a la mitad del encapsulado. Solo pueden programarse si se les borra antes exponindolas durante cierto tiempo a la luz ultravioleta. Esto introduce voltaje a las celdas para que despus puedan ser grabadas. EEPROM.- Electrical EPROM, memoria borrable electrnicamente. Esta memoria puede ser borrada por medios electrnicos a travs de una terminal conocida como Vpp. Los voltajes de borrado son de aprox. 13v. FLASH= Si la traducimos sera como rpida, y as lo es. Es igual que una EEPROM su diferencia radica en la velocidad de grabado de los datos, adems que el voltaje usado para borrar es de 5v o 3.3v dependiendo de la memoria. Es la ms usada actualmente y existe un sin nmero de variantes. Otra gran diferencia es la capacidad ya que las flash alcanzan ahora hasta los 80Gb y las usan como HDD en algunas PCs. Otra mejora notable es el ciclo de borrado/escritura que le permite a una memoria trabajar cierto tiempo. 5.8. Explique la funcin de cada uno de los terminales de la figura 4.5b? A0 - A1 = lneas de direccin. CAS = direccin de la columna seleccionar:. D1-D4 = lneas de datos. NC: = sin conectar. OE: habilitacin de salida. RAS = direccin de seleccin de fila. Vcc: = fuente de tensin. VSS: = tierra. WE: habilitacin de escritura.

5.9) Qu es un bit de paridad? Un bit de paridad es un dgito binario que indica si el nmero de bits con un valor de 1 en un conjunto de bits es par o impar. Los bits de paridad conforman el mtodo de deteccin de errores ms simple.

5.10) Cmo se interpreta el sndrome en el cdigo haming? Un sndrome es creado por el XOR del cdigo en una palabra con una versin calculada de ese cdigo. Cada bit del sndrome es 0 o 1 segn si hay o no una coincidencia en esa posicin de bit para las dos entradas. Si el sndrome contiene todos los 0, se detecta que no hay error. Si el sndrome contiene uno y slo un bit 1, entonces, ha ocurrido un error en uno de los 4bits de verificacin. No es necesaria una correccin. Si el sndrome contiene ms de un bit 1, entonces el valor numrico del sndrome indica la posicin del bit de datos en el error. Este bit de datos se invierte para su correccin. 5.11) Qu diferencia hay entre una SDRAM y una DRAM convencional? A diferencia de la DRAM tradicional, que es asincrnica, los intercambios de datos SDRAM con el procesador sincronizado a una seal de reloj externo y correr la velocidad mxima del bus del procesador/ memoria sin imponer estados de espera.

PROBLEMAS: 5.1) Sugiera razones por las que las RAM han sido tradicionalmente organizadas en solo un bit por chip mientras que las ROM estn normalmente organizadas en mltiples bits por chip. Debido a que las RAM son voltiles se pudo haber organizado en un solo bit ya que no necesitas refrescar su alimentacin elctrica continuamente; mientras que las ROM al no ser voltiles necesitan seales elctricas continuamente.

5.2) Considera una RAM dinmica a la que deba darse un ciclo de refresco de 64 veces por milisegundo. Cada operacin de refresco requiere 150 ns; un ciclo de memoria requiere 250 ns. Qu porcentaje del tiempo total de funcionamiento de la memoria debe dedicarse a los refrescos? Debe dedicarse un 40% de la memoria a los refrescos

CAPITULO 6: MEMORIAS EXTERNAS

6,1 Cules son las ventajas de usar un sustrato de cristal en un disco magntico? Mejora en la uniformidad de la superficie de la pelcula magntica para aumentar discofiabilidad. Una reduccin significativa en los defectos superficiales en general para ayudar a reducir lectura / escritura de errores. Capacidad para apoyar a alturas ms bajas de moscas (que se describe ms adelante).Mejor rigidez para reducir la dinmica de disco. Mayor capacidad para soportar golpes y dao 6,2 Cmo se escriben los datos en un disco magntico? El mecanismo de escritura se basa en el hecho de que la electricidad que fluye a travs de una bobina produce un campo magntico. Los pulsos se envan a la cabeza de escritura, y los patrones magnticos se registran en la superficie inferior, con diferentes patrones de positivo y negativo corrientes. Una corriente elctrica en el alambre induce un campo magntico a travs del hueco, que a su vez magnetiza un rea pequea del medio de grabacin. La inversin de la direccin de la corriente se invierte la direccin de la magnetizacin en el medio de grabacin. 6.3 Cmo se leen los datos en un disco magntico? La cabeza de lectura consiste en una parte protegida magneto resistencia (MR) del sensor. La Material de MR tiene una resistencia elctrica que depende de la direccin de la magnetizacin del medio de moverse por ella. Al pasar una corriente a travs del Sensor de MR, los cambios de resistencia son detectados como seales de voltaje.

6.4 Explicar la diferencia entre un sistema de grabacin CAV y de varias zonas. Para la velocidad angular constante (CAV) del sistema, el nmero de bits por pista es constante. Un aumento de la densidad se logra con la grabacin zona mltiple, en que la superficie se divide en un nmero de zonas, con zonas ms lejos del central que contiene ms bits que las zonas ms cercanas al centro.