EL TIRISTOR Y EL TRIAC

Jos Luis Giordano Septiembre 19, 2006 (ltima revisin: Septiembre 19, 2006)

1-QU ES Un SCR o TIRISTOR es un componente electrnico de estado slido (sin partes mviles) de 3 terminales: nodo (A), ctodo (K) y un electrodo de control denominado puerta (G, gate), desarrollado por la General Electric (U.S.A.) en 1957 (10 aos despus de la invencin del transistor). Es un dispositivo unidireccional (es decir, que deja circular la corriente elctrica en un solo sentido: desde A hacia K como un diodo rectificador semiconductor), pero adems del estado ON (conduciendo) del diodo comn, tiene un segundo estado estable: OFF (cortado, sin conducir). Si el voltaje VGK entre G y K es el adecuado, conduce desde A hacia K. Su nombre SCR (silicon controlled rectifier) proviene de ser como un rectificador de silicio, pero controlado a travs de G. Es la versin en estado slido de los antiguos tubos tiratrones, y de ah su nombre: thyristor, thyratron y transistor. Mientras que el tiristor es un diodo controlado y por lo tanto, en general se utiliza en circuitos de control de corriente continua (DC, direct current), el TRIAC es como un tiristor bidireccional, para utilizar en circuitos de corriente alterna (AC, altern current). Sus terminales en vez de K y A se denominan Terminal Principal 1 (MT1) y Terminal Principal 2 (MT2). El electrodo de control se denomina puerta, G, como en el tiristor. Si el voltaje VG1 entre G y MT1 es suficientemente positivo, en el primer semiciclo AC conduce desde MT2 hacia MT1 (como lo hara un tiristor). Pero en el otro semiciclo, si el voltaje VG1 es suficientemente negativo, conduce desde MT1 hacia MT2. En la Figura siguiente se muestra el smbolo del SCR y del triac, en circuitos bsicos donde una fuente DC y otra AC alimentan una "carga" (que puede ser un motor, calefactor, etc.) a travs del respectivo dispositivo de conmutacin. En la parte inferior derecha se muestran dos tiristores conectados en "anti-paralelo" (o "back-to-back"), indicando que la funcin del triac puede ser implementada con dos SCRs de ese modo.

2-PARA QU SIRVE El tiristor y el triac sirven como dispositivos de conmutacin de estado slido en DC y en AC respectivamente. Es decir, son como interruptores (switches) pero rpidos, silenciosos, sin partes mviles, sin contactos electromecnicos y que pueden controlarse electrnicamente. Estos componentes se utilizan en circuitos como por ejemplo controles de velocidad de motores o de intensidad de iluminacin de ampolletas (dimmers), para activar sistemas de proteccin, o en convertidores de voltaje para viajes, cargadores de bateras, magnetizadores de imanes, relays de estado slido (SSR), controles de temperatura de hornos, etc. 3-DE QU EST HECHO Como los diodos semiconductores de silicio, los SCR y los triacs se construyen uniendo materiales semiconductores tipo-p, de silicio (Si) dopado con elementos del Grupo III-A como el aluminio (Al), galio (Ga) o indio (In), y semiconductores tipo-n, de Si dopado con elementos del Grupo VA como fsforo (P), arsnico (As) o antimonio (Sb). Mientras que un diodo rectificador np est formado por una unin de 2 capas, una tipo-n (el K) y otra tipo-p (el A), el SCR est hecho de 4 capas pnpn de semiconductores: tipo-p (el A), tipo-n, tipo-p (la G) y tipo-n (el K). A la izquierda de la siguiente Figura se puede ver el smbolo del SCR y un diagrama esquemtico de su estructura. Tres capas forman un sandwhich: tipo-p (el A), tipo-n y tipo-p. Finalmente, el K se construye difundiendo material tipo-n sobre la ltima capa tipo-p, y G se conecta muy cerca de K, sobre la misma capa de material tipo-p.

El triac est hecho de forma anloga a dos tiristores puestos en antiparalelo, como si fuese un dispositivo de 5 capas npnpn de semiconductores. Su estructura central es un sandwhich: tipo-p, tipo-n y tipo-p, como el tiristor. Pero el material tipo-n se difunde sobre ambas capas tipo-p, para que funcionen como ctodos K en cada uno de los sentidos de conduccin. El MT2 se conecta a una capa tipo-p y a la tipo-n difundida sobre ella. En el otro extremo, se hace lo mismo con el MT1. Y el G tambin est en contacto con la capa tipo-p y una porcin de tipo-n difundida sobre ella. El tamao de un SCR o de un TRIAC puede ser relativamente pequeo o grande, ya que como en el caso de los transistores, el encapsulado (que es lo que vemos desde fuera) vara segn la potencia que deben disipar y la corriente mxima de trabajo. Hay algunos enormes, para ms de 1500 A, de dimetros entre 5 y 10 cm y con ctodos y nodos del grosor de un dedo. Estos pueden costar unos USD 1000 o ms! Otros en cambio son pequeos (menos de 1 cm3), baratos (menos de USD 1), y operan con menos de 1 A. El BT 136-600 que se muestra en la Figura siguiente sobre la esquina superior derecha de la pgina de un libro, cuesta unos USD 2, tiene menos de 3 cm de largo, y conduce hasta 6 A, en circuitos AC de 380Vrms.

4-CMO FUNCIONA El funcionamiento del tiristor se puede entender como un circuito simple formado por dos transistores bipolares: (a) Cuando a un transistor bipolar pnp de silicio se le aplica un voltaje VBE suficientemente negativo de base (B) a emisor (E) (menor que -0.6 V), o cuando a un transistor bipolar npn de Si se le aplica un voltaje VBE suficientemente positivo de B a E (mayor que 0.6 V), el transistor conmuta de OFF a ON, es decir, se satura (conduce toda la corriente que el circuito y l mismo permitan, desde E hacia el colector C en el pnp, o desde C hacia E en el npn). (b) Un transistor bipolar amplifica la corriente de base IB aproximadamente en un parmetro B ("beta del transistor"), es decir, la corriente de colector es aproximadamente IC = B IB. Pero el parmetro beta depende de la corriente IC. Ahora bien, considrese primero un TIRISTOR al que solo se le aplica un voltaje VAK > 0 V. Si se considera al tiristor como un transistor Tr1 npn de ganancia B1 conectado con un transistor Tr2 pnp de ganancia B2 como se esquematiza a la derecha de la Figura siguiente, se observa que:

(1) Inicialmente no hay conduccin (IA = 0 A, tiristor abierto, OFF). (2) Cuando se aplica un voltaje VGK de G a K suficientemente positivo, una corriente de puerta IG dispara al tiristor, comenzando la conduccin desde A hacia K (conmuta de OFF a ON, tiristor cerrado). (3) Despus del disparo, cuando IG = 0 A, la corriente de nodo IA del tiristor visto como 2 transistores, resulta aproximadamente igual a IA = B1 (B2+1) IB1. Del anlisis del circuito, se ve que durante la conduccin las corrientes se ajustan para que B1 B2 = 1. (4) Mientras haya voltaje VAK desde A hacia K suficientemente positivo, seguir existiendo corriente IA (aunque IG = 0 A), ya que la corriente de colector del Tr2 mantiene alimentada la base del Tr1. Esta es la clave del funcionamiento de un SCR, que comienza a conducir desde A hacia K, por la seal que hubo en G. El funcionamiento del TRIAC en cada semiciclo AC, est basado en el funcionamiento del tiristor en DC. El triac puede estudiarse como dos tiristores conectados en anti-paralelo, pero con un solo electrodo de control G. De hecho, circuitos de potencia para corrientes AC superiores a 700 A, suelen implementarse con dos tiristores.

En la Figura anterior se muestran las correspondientes curvas caractersticas: IA vs. VAK: corriente de nodo versus voltaje nodo-ctodo para el SCR, y I2 vs. V21: corriente en el MT2 versus voltaje entre MT2 y MT1, para el triac, que resumen el comportamiento de estos componentes de conmutacin. La zona de corte y saturacin (OFF-ON), se encuentra en el cuadrante I para el dispositivo unidireccional (SCR) y en los cuadrantes I y III para el bidireccional (triac). Se observa que el voltaje principal debe llegar a un cierto valor para producir el disparo. Este valor cambia segn las condiciones en la puerta. Una vez disparado, el voltaje entre A y K (o entre MT2 y MT1) disminuye al valor de conduccin, VON, que es de unos pocos volt (lo que sera 0 V en un interruptor perfecto). Este voltaje residual multiplicado por la corriente principal (IA o I2) determinan la potencia que el encapsulado del componente debe disipar. En la curva caracterstica del SCR tambin se ve en el cuadrante III, una corriente inversa de fuga, y para un valor alto de voltaje inverso, la zona de ruptura, donde se destruira el dispositivo. Comentario acerca de los mecanismos de disparo El disparo por corriente en G, se denomina cebado por puerta. Pero este disparo puede producirse por corrientes inyectadas accidentalmente o intencionalmente. Los casos ms importantes son: (1) Cuando el tiristor est OFF y el voltaje entre A y K cambia con un ritmo VAK/ t, se produce una corriente iT debida a la capacidad CT de transicin, entre las cargas q a un lado y al otro de la unin:

iT = q/ t = ( q/ VAK) x ( VAK/ t) = CT ( VAK/ t)

O sea, aparece una capacidad equivalente CT = Por lo tanto, un valor muy grande de q/ VAK. VAK/ t puede producir accidentalmente el disparo.

(2) Cuando una unin semiconductora est polarizada inversamente, hay una fuga de corriente inversa, que depende del material y de la temperatura. Si el voltaje VAK es muy grande, la corriente

inversa es mayor, y tambin podra dispararse accidentalmente el tiristor. (3) La corriente inversa aumenta al doble cada 14C aproximadamente. Por lo tanto, un aumento en la temperatura, tambin podra producir un disparo accidental. Estos casos deben tenerse en cuenta en el diseo de circuitos con conmutadores de estado slido. (4) Los tiristores diseados con ventanas transparentes permiten la creacin electrn-agujero a partir de los fotones absorbidos por la unin semiconductora polarizada inversamente. Por lo tanto, mediante la luz tambin pueden dispararse tiristores. Este es el fundamento de los fototiristores o LASCR (light activated SCR). Comentario acerca de los componentes de disparo Finalmente hay que mencionar que as como el tiristor y el triac son componentes DC y AC de conmutacin (switching devices), existen componentes DC y AC de disparo ( triggering devices), utilizados para disparar tiristores y a triacs. Dependiendo del circuito y de la aplicacin, un tiristor se puede disparar con un conmutador unilateral de silicio (SUS, silicon unilateral switch), que dispara a un voltaje fijo entre 6 a 10 V. Otra opcin es dispararlos con un transistor uniunin (UJT, unijunction transistor), que dispara a diferentes voltajes, o un transistor uniunin programable (PUT, programmable unijunction transistor). Otro componente utilizado es el diodo de 4 capas o diodo Shockley. Tambin pueden dispararse con otro tiristor, ampolleta de nen, transistores, relays y a travs de un transformador. En un circuito AC el triggering device debe ser tambin bidireccional. Los triacs se pueden disparar con un elemento simtrico denominado DIAC (diode altern current), que posee un voltaje de disparo de aproximadamente + y - 32 V. En algunos casos se utiliza un disparador asimtrico, y como en los tiristores, un triac puede dispararse con otro triac, relays o a travs de un transformador. Tanto tiristores como triacs tpicos, una vez disparados siguen conduciendo mientras haya voltage y corriente. Pero cuando el voltaje entre los electrodos principales cruza por cero y/o desaparece la corriente, conmutan a OFF y hay que volver a dispararlos. REFERENCIAS (1) Lilen H 1973 Thiristors et Triacs; Seconde dition (Paris: Radio) Traduccin al Castellano: 1976 Tiristores y Triacs (Barcelona: Marcombo) (2) Motorola Inc. 1989 Thyristor Device Data; Serie C, 3rd Printing DL 137 REV 3 (USA: Motorola) (3) Encyclopdia Britannica (Consultado en Julio 30, 2006) semiconductor device (pgina 13 de 15) (4) Wikipedia (Consultado en Julio 30, 2006) Thyristor

Otros artculos de J. L. Giordano

LABORATORIO DE ELECTRNICA
XV

PRCTICA XV CONMUTACIN CON DIAC Y TRIAC

1. EL RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO (SCR)

En esta prctica se van a estudiar dos dispositivos de potencia: el TRIAC, como ejemplo de dispositivo de control y el DIAC, como ejemplo de dispositivo de disparo. No obstante, para entender mejor estos dispositivos resulta interesante introducir previamente el rectificador controlado de silicio (SCR, Silicon Controlled Rectifier). El SCR es un dispositivo de tres terminales (nodo, ctodo y puerta) y cuatro capas (pnpn), cuya estructura se muestra en la figura 1, junto con su smbolo circuital.

A (nodo)
p+ p n p n+ n+

A JA JC JK G K

K (ctodo)

G (puerta)

Figura 1. Estructura y smbolo circuital del SCR.

Al aplicar al SCR una tensin VAK positiva, las uniones JA y JK quedan polarizadas en directa, mientras que la unin JC (control) se polariza en inversa, de modo que la corriente es prcticamente nula y toda la tensin VAK cae en la unin JC. Si la tensin VAK supera el valor de ruptura de la unin JC (VB0); o lo que es lo mismo, si la corriente del nodo IA supera el valor de enclavamiento IL, se produce un brusco aumento de la corriente; es decir, se produce el disparo del SCR. Una vez que se ha producido el disparo, disminuye la resistividad de las capas, especialmente de la capa n, con lo que la tensin VAK necesaria para mantener la conduccin disminuye considerablemente. Adems, el SCR no limita la corriente por lo que ser necesario limitarla externamente. Para que el SCR vuelva a su estado de corte es necesario que la corriente del nodo disminuya por debajo del valor de mantenimiento IH.

La tensin a la que se produce el disparo puede controlarse mediante la corriente de puerta IG. A medida que IG aumenta, el disparo se produce para un valor de VAK menor. Si VAK es negativa el SCR se comporta como un diodo, con una corriente negativa muy pequea, salvo que se supere una determinada tensin de ruptura VB. La figura 2 muestra las caractersticas de un SCR, en las que se han identificado los estados de conduccin, bloqueo directo y bloqueo inverso.

IA

conduccin
IG2 > IG1 > 0 IL IH IG2 IG1 IG = 0

VB

VB0

destruccin bloqueo inverso bloqueo directo

VAK

Figura 2. Caractersticas estticas del SCR.

2. EL TRIAC
La estructura y el smbolo circuital del TRIAC se muestran en la figura 3. El TRIAC es un dispositivo de 3 terminales y 5 capas, que puede entenderse, en primera aproximacin, como dos SCR conectados en antiparalelo. Su comportamiento es similar al del SCR, con la diferencia de que puede dispararse tanto para tensiones positivas como para tensiones negativas. Por esta razn, no se distingue entre nodo y ctodo, sino que sus terminales se designan por A1, A2 (nodos) y G (puerta). La principal aplicacin del TRIAC es el control de seales de baja potencia en circuitos de corriente alterna.

A1
p1 n1

A1

A1

I Prescindiendo + Las caractersticas estticas del TRIAC se muestran en la figura 4. A1

del estado de bloqueo, en el que la corriente del TRIAC es prcticamente nula, se n2 VA1A2 distinguen 4 modos de funcionamiento dependiendo de los signos deG diferencias de las p2 G 3 tensinnV y V n4. El valor de la corriente de puerta mnima de disparoIdepende de en
A1A2 GA2

A2 qu modo de operacin trabaje el TRIAC. Un estudio detallado de estos modos de A2 A2 G operacin puede encontrarse en la referencia 1.
Figura 3. Estructura del TRIAC, circuito equivalente como dos SCR y smbolo circuital.

3. EL DIAC
IA1 conduccin
IG2 > IG1 > 0

bloqueo inverso
VB0 IL + I H+ I H IL IG = 0 IG1 IG2 IG2 IG1 IG = 0

VB0

VA1A2

bloqueo directo

conduccin

Figura 4. Caractersticas estticas del TRIAC.

El DIAC es un dispositivo de disparo que puede utilizarse para generar el impulso de corriente de puerta necesario para disparar un elemento de control, como un SCR o un TRIAC. EL DIAC es un elemento de dos terminales y 5 capas (figura 5) diseado para dispararse cuando la tensin entre sus terminales supera la tensin de ruptura de la unin pn central. Una vez disparado, la tensin entre sus extremos disminuye, aunque mantiene la conduccin. Al igual que el TRIAC, el DIAC permite la conduccin en ambos sentidos por lo que no tiene sentido distinguir entre ctodo y nodo.

En el apndice A se muestra la curva caracterstica esttica del DIAC DB3, que se utilizar en esta prctica.

IA2 A2
n n p n p

A2 IA2

A1

A1

Figura 5. Estructura y smbolo circuital del DIAC.

4. EJEMPLOS DE APLICACIN 4.1. OSCILADOR DE RELAJACIN CON DIAC

El circuito de la figura 6 se comporta como un oscilador de relajacin que R aprovecha los cambios de estado del DIAC. Supongamos en principio que el
+ condensador se encuentra descargado y el DIAC, por lo tanto, est en su estado de VS

bloqueo. Al conectar la fuente, el condensador se cargar con una constante de tiempo = RC. El proceso de carga durar hasta que la diferencia de potencial en los extremos del condensador iguale la tensin de disparo VB0 del DIAC. EN este momento, el DIAC
Figura 6. Oscilador de relajacin con se disparar, con lo que la corriente en el DIAC aumentar y la tensin entre sus DIAC.

VC

extremos ser aproximadamente VF. Esta situacin permanecer hasta que la corriente en el DIAC disminuya de tal forma que vuelva a su estado de bloqueo; es decir, hasta que el condensador se descargue. Puesto que la descarga del condensador se produce a travs del DIAC en estado de conduccin, la descarga es prcticamente instantnea. Obsrvese que en el estado estacionario el condensador inicia el proceso de carga partiendo de una tensin aproximadamente igual a VF. Durante la carga, suponiendo en el instante inicial que el condensador se encuentra a potencial VF, la tensin del condensador viene dada por:

 t VC (t ) = VS + (VF VS ) exp RC (1) El periodo de la oscilacin corresponder al tiempo necesario para que VC (t) alcance el valor de la tensin de disparo VB0.

4.2. CONTROL DE POTENCIA EN UNA CARGA CON TRIAC

Considere el circuito de la figura 7. La seal Vin es una seal de alterna (por ejemplo, la propia tensin de la red o la salida de un transformador): Vin(t) = VAsen t. Vin Consideremos que en principio el DIAC y el TRIAC se encuentran en su estado de bloqueo. Si suponemos que RL << R, se cumplir que V1 Vin. El condensador se RL cargar a travs de R sometido a una tensin tipo senoidal. El proceso de carga del V1 condensador durar hasta que la tensin VC(t) iguale la tensin de disparo VB0 del DIAC. R En ese momento, el condensador se descargar a travs del DIAC generando un pulso de corriente que disparar al TRIAC. El TRIAC pasar a su estado de conduccin, con VC lo que prcticamente toda la tensin de entrada Vin caer en la carga RL. En el momento en que la tensin Vin se haga lo bastante pequea como para queCla corriente que atraviesa al TRIAC y a RL sea inferior a la corriente de mantenimiento del TRIAC, este vuelve a su estado de bloqueo y comienza de nuevo el proceso de carga del condensador. Obsrvese que el funcionamiento del circuito descrito es vlido tanto para el
Figura 7. Circuito para control de potencia en una carga con TRIAC.

semiciclo positivo de Vin como para el semiciclo negativo, ya que el DIAC y el TRIAC presentan caractersticas simtricas ante diferencias de tensin entre sus terminales positivas y negativas. El valor de la resistencia R determina en qu instante se produce el disparo del DIAC (y por tanto del TRIAC) con lo que ajustando el valor de esta resistencia se controla la potencia suministrada a la carga. (La carga RL prcticamente recibe potencia nicamente cuando el TRIAC est en su estado de conduccin). Si suponemos que el condensador se carga desde un potencial VC = 0, y que Vin(t) = VAsen t, la tensin VC (t) durante el proceso de carga viene dada por:

 t RC exp RC cos( t ) + sen( t ) RC VC ( t ) = V A 1 + R 2 C 2 2 (2) En la figura 8 se representa el valor VC (t) / VA, obtenido a partir de la ecuacin 2, para distintos valores de R, con una frecuencia de 50 Hz y con C = 1 F.
1.0 0.8

R = 400 R = 2 k R = 5 k R = 15 k

VC(t) / VA

0.6 0.4

VB0 / VA 0.2 0.0 0.000

Vin / VA 0.002 0.004 0.006 0.008 0.010

t (s)
Figura 8. Tensin VC (t) durante la carga del condensador en el circuito de la figura 7 para distintos valores de R (ecuacin (2); f = 50 Hz; C = 1 F.

5. REALIZACIN PRCTICA 5.1. OSCILADOR DE RELAJACIN CON DIAC

Realice el montaje de la figura 6. Fije VS = 50 V (necesitar configurar las fuentes de tensin en serie); C = 1 F (utilice un condensador sin polaridad, ya que se utilizar tambin en la segunda parte de la prctica); y como R utilice un potencimetro de 20 k de 1/2 W en serie con una resistencia de 270 de 1W. El DIAC utilizado ser el DB3, cuyas caractersticas principales se muestran en el apndice A. Visualice en el osciloscopio la tensin en el condensador. Compruebe los niveles de tensin mximo y mnimo del condensador. Estime el valor VF del DIAC. Mida el periodo de la seal oscilante para distintos valores de R y compare el resultado con el valor terico. (Este valor puede deducirse a partir de la ecuacin 1).

5.2. CONTROL DE POTENCIA EN UNA CARGA CON TRIAC

Realice el montaje de la figura 7. Utilice el DIAC DB3 (apndice A) y el TRIAC BT136 (apndice B). La seal Vin ser la salida de un transformador. Los transformadores que se van a utilizar suministran una tensin de 72 V eficaces. Como carga (RL) se utilizar una bombilla. La resistencia R ser un potencimetro de 20 k (1/2 W) en serie con una resistencia de 270 (1 W). C = 1 F (utilice un condensador sin polaridad). El objetivo de este apartado es estudiar el comportamiento del circuito al cambiar el valor de R. Visualice en el osciloscopio las seales Vin y VC. Para una frecuencia de 50 Hz (la de la red), la mitad del periodo es de 10 ms. Comience fijando el valor mximo de resistencia del potencimetro y disminyalo para que la carga del condensador dure aproximadamente 8 ms. En esta situacin, la bombilla recibe la potencia del transformador durante tan slo los 2 ms finales de cada semiciclo. Observar que la bombilla prcticamente no luce. Mida el valor total de R y comprelo con el esperado a partir de la ecuacin 2. Visualice tambin la seal V1, junto con Vin para estudiar el error cometido debido a la cada de potencial en RL durante la carga del condensador. Repita el estudio anterior para valores de R tales que la carga del condensador dure aproximadamente 2 ms y 5 ms. Compruebe que la variar el valor de R puede regular la potencia suministrada a la bombilla y, por lo tanto, la intensidad con que luce.

6. BIBLIOGRAFA
1. "Electrnica de Potencia: Dispositivos". Luis Esquiroz Bacaicoa et al. Servicio de Publicaciones Universidad de Oviedo. [Biblioteca de Fsicas 621.38(076.1) PRO]

7. ADVERTENCIAS
En esta prctica se van a manejar potencias relativamente altas en comparacin con prcticas anteriores. Antes de conectar cualquier montaje, avise a un profesor para revisarlo.

En el apartado 5.2, tenga cuidado cuando trabaje con valores bajos de la resistencia del potencimetro. No conviene que el potencimetro est mucho tiempo operando en estas condiciones ya que se calentar considerablemente.

APNDICE A. CARACTERSTICAS DEL DIAC DB3

APNDICE B. IDENTIFICACIN DE PINES DEL TRIAC BT136

Figura A1. Curva caracterstica del DIAC DB3.