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El transistor

Dispositivo semiconductor que permite el control y la regulacin de una corriente grande mediante una seal muy pequea variedad de transistores. En principio, se explicarn los bipolares. Los smbolos que corresponden a este tipo de transistor son

Transistor NPN

Estructura de un transistor NPN

Transistor PNP

Estructura de un transisto

Veremos mas adelante como un circuito con un transistor NPN se puede adaptar a PNP. El nombre de estos hace referencia como semiconductor. 1. FUNCIONAMIENTO BASICO

Cuando el interruptor SW1 est abierto no circula intensidad por la Base del transistor por lo que la lmpara no se encender tensin se encuentra entre Colector y Emisor. (Figura 1).

Figura 1

Figura 2

Cuando se cierra el interruptor SW1, una intensidad muy pequea circular por la Base. As el transistor disminuir su resis Colector y Emisor por lo que pasar una intensidad muy grande, haciendo que se encienda la lmpara. (Figura 2).
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En general: I E < I C < I B ; I E = I B + I C ; VCE = VCB + VBE 2. POLARIZACIN DE UN TRANSISTOR

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Una polarizacin correcta permite el funcionamiento de este componente. No es lo mismo polarizar un transistor NPN que

Alguien dijo ... La ciencia rivaliza con la mitologa en milagros. Ralph Waldo Emerson(1803-1882). Escritor y poeta estadounidense. Electrnica Fcil en tu mvil

Polarizacin de un transistor NPN

Polarizacin de un transistor PNP

Generalmente podemos decir que la unin base - emisor se polariza directamente y la unin base - colector inversamente. 3. ZONAS DE TRABAJO CORTE.- No circula intensidad por la Base, por lo que, la intensidad de Colector y Emisor tambin es nula.La tensin entre es la de la batera. El transistor, entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor abierto. I B = I C = I E = 0; VCE = Vbat

SATURACION.- Cuando por la Base circula una intensidad, se aprecia un incremento de la corriente de colector considerab transistor entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor cerrado. De esta forma, se puede decir que la tensin de encuentra en la carga conectada en el Colector. ACTIVA.- Acta como amplificador. Puede dejar pasar ms o menos corriente.

Cuando trabaja en la zona de corte y la de saturacin se dice que trabaja en conmutacin. En definitiva, como si fuera un in Sitios recomendados www.electronicafacil.net/tutoriales/El-transistor.html

La ganancia de corriente es un parmetro tambin importante para los transistores ya que relaciona la variacin que sufre l 1/2

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La ganancia de corriente es un parmetro tambin importante para los transistores ya que relaciona la variacin que sufre colector para una variacin de la corriente de base. Los fabricantes suelen especificarlo en sus hojas de caractersticas, tamb denominacin hFE. Se expresa de la siguiente manera: = IC / IB En resumen: Saturacin VCE VRC IC IB VBE ~0 ~ VCC Mxima Variable ~ 0,8v Corte ~ VCC ~0 = I CEO lang=EN-GB~ 0 =0 < 0,7v

Los encapsulados en los transistores dependen de la funcin que realicen y la potencia que disipen, as nos encontramos con

de pequea seal tienen un encapsulado de plstico, normalmente son los ms pequeos ( TO- 18, TO-39, TO-92, TO-226 . potencia, son algo mayores y tienen en la parte trasera una chapa metlica que sirve para evacuar el calor disipado conveni refrigerado mediante radiador (TO-220, TO-218, TO-247...) ; los de gran potencia, son los que poseen una mayor dimensi encapsulado enteramente metlico . Esto, favorece, en gran medida, la evacuacin del calor a travs del mismo y un radiad TO-123, TO-213...).
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