Electrnica Bsica.

Curso 2012-2013 Grado en Ingeniera en Sonido e Imagen PROBLEMAS TEMA 4

1.- Calcular el punto de trabajo del siguiente circuito con transistor FET de canal n, que utiliza polarizacin automtica. Datos: V P = 4V , I DS (VGS = 0V ) = 12mA .
V DD = 15V R D = 3k

D S

RG = 2M

R S = 1k

2.- Volver a obtener el punto de trabajo del circuito anterior considerando un transistor FET de canal p. Para ello considerar la fuente de tensin continua de valor igual a 15V y los mismos parmetros.

3.- El siguiente circuito con transistor FET est polarizado (mediante polarizacin fija) en la zona de saturacin, utilizando V P = 4V y I DSS = 10mA . Se pide: a) Calcular el punto de trabajo. b) Obtener la recta de carga y dibujarla sobre la curva V DS I DS , especificando sobre la misma, as como sobre la curva VGS I DS , todos los valores que determinan el funcionamiento del transistor.
V DD = 20V R D = 1k 5

G RG = 2M VG = 2V

D S R S = 2k 2

Electrnica Bsica. Curso 2012-2013 Grado en Ingeniera en Sonido e Imagen 4.- Se dispone del siguiente circuito polarizado mediante un divisor de tensin y los siguientes datos: V P = 3.5V , I DSS = 10mA . Se pide: c) Calcular el punto de trabajo. d) Obtener el mnimo valor posible de R S (para ello se debe considerar que la mxima corriente que puede atravesar el FET es I DSS = 10mA ). Vcc = 20V

R1 = 910k

R D = 2k 2

D S

R 2 = 110k

R S = 1k1

5.- Determinar, para Ve = 7V y Ve = 3V , los valores de I DS y V DS . Datos: V P = 5V , I DS (VGS = 0V ) = 100mA .

V DD = 10V R D = 470

RG = 1M Ve

6.- Sobre el circuito del problema 5 (sin considerar los valores de los componentes) y sobre los datos representados en las siguientes grficas, calcular el valor de Ve para obtener el punto de trabajo de la grfica.

Electrnica Bsica. Curso 2012-2013 Grado en Ingeniera en Sonido e Imagen I DS (mA) 20 16 10 I DS VGS = 0 Q

V DS (V ) 4 10 20 -4

VGS

7.- Sea el circuito de polarizacin por divisin de tensin de la figura:

V DD = 15V

I DS (mA) RG1 = 10k

R D = 1k 8

I DSS

RG 2 = 820

RS

5 -4 -2

VGS (V )

a) Calcular R S para polarizar el JFET en el punto indicado por la grfica. b) Calcular I DSS .

8.-Se dispone del circuito del problema 7 y de los siguientes datos: V DD = 15V , R D = 1k 8 , RG1 = 4 M , RG 2 = 1M , V P = 4V : a) Calcular R S para polarizar el JFET en el punto VGS = 2V , I DS = 5mA . b) En qu regin est trabajando el JFET?

Electrnica Bsica. Curso 2012-2013 Grado en Ingeniera en Sonido e Imagen 9.-El circuito de la figura corresponde a una configuracin tpica en amplificacin donde el objetivo fundamental es aumentar la impedancia de entrada. El transistor se trata de un JFET con las siguientes caractersticas: I DSS = 12mA , V P = 6V . Se pide hallar el punto de funcionamiento del transistor. V DD = 20V

R1 = 680k

R D = 1k 5

R3 = 2M R S = 2k 2

R 2 = 150k

10.- Dado el siguiente circuito:

15V

2k 2

C C
4k 7 47 k
470

a) Determinar el valor de VGQ para que I DSQ = 7mA , si VGSQ = 0.5V .

b) Determinar el valor de R para que I DSQ = 7mA .

11.- Dado el siguiente amplificador monoetapa con transistor FET, obtener: a) La recta de carga y el punto de polarizacin. b) Circuito equivalente en pequea seal indicando las corrientes de los terminales del FET. c) Ganancia de tensin en alterna.

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V DD = 15V R D = 2k 2

C C
vi RG = 47k RS
470

vo

Datos: I DSS = 10mA , V P = 4V , C , g m = 3mS , rd = 50k .

12.- Se dispone del siguiente circuito amplificador, del cual se conocen los siguientes datos: I DSS = 12mA , V P = 4V , C , g m = 4mS .
V DD = 20V RD

C C
vi RG RS vo

Se pide: a) Disear la red de polarizacin para situar el punto de trabajo en la zona de saturacin con los valores V DSQ = 6V , I DSQ = 5mA . b) Valor mximo de R S . c) Dibujar el modelo en pequea seal del circuito. d) Obtener el valor de la resistencia de drenaje, rd , si la ganancia de tensin en alterna del amplificador es GV = 4 .

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13.- Considerar el siguiente circuito amplificador con transistor FET y los siguientes datos: I DSS = 10mA , V P = 4V , C , g m = 3mS , rd = 50k .
15V

R1 = 110k

R D = 1k1

C C
vi
R 2 = 47 k

vo
R L = 4k 7

R S = 1k 5

Calcular: a) Punto de trabajo. b) Ganancia de tensin en alterna. c) A la vista del resultado anterior, y considerando fijos los valores de la carga y de los parmetros del FET, cmo se podra aumentar la ganancia del circuito?. Poner un ejemplo y volver a calcular el punto de trabajo para observar si an contina en zona de amplificacin.

14.- Considerar el esquema del problema 13, con los mismos valores y el mismo transistor: a) Suponer que, a causa de un malfuncionamiento, se debe cambiar la fuente de alimentacin por otra, y slo se dispone de una que proporciona + 10V . Comprobar si el FET contina polarizado en la regin de saturacin. b) Obtener el valor de la ganancia de tensin en alterna suponiendo que se considera el efecto de la resistencia de salida del generador de la seal de entrada ( R gen = 330 ).

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SOLUCIONES 1.- V DS = 5.96V , I DS = 2.26mA 2.- V SD = 5.96V , I SD = 2.26mA 3.- a) V DS = 12.75V , I DS = 1.96mA 4.- a) V DS = 9.11V , I DS = 3.3mA b) R S min = 216 5.- Ve = 7V V DS = V DD e I DS = 0 Ve = 3V V DS = 2.48V e I DS = 16mA 6.- Ve = 0.8377V 7.- a) R S = 627.35 b) I DSS = 20mA 8.- a) R S = 1k 9.- V DS = 8.9V , I DS = 3mA . 10.- VGQ = 2.79V , R = 205.688k 11.- a) V DS = 5.695V , I DS = 3.485mA . c) GV = 6.32 . 12.- a) R S = 338.1 , R D = 2461.9 . b) R S max = 800 . d) rd = 25570.77 13.- a) V DS = 4.657V , I DS = 3.978mA . b) GV = 0.48 . 14.- a) Polarizado en zona hmica. b) GV = 0.48 48.