TEMA 6: Amplificadores con Transistores

Electrnica

TEMA 6: Amplificadores con Transistores

Contenidos del tema:
El transistor como amplificador. Caracterstica de gran seal Polarizacin. Parmetros de pequea seal Configuraciones de amplificadores con BJT y MOSFET Polarizacin en Circuitos Integrados: Espejos de Coriente Amplificadores Integrados MOS: configuraciones bsicas Respuesta en frecuencia de los amplificadores Amplificadores diferenciales

los autores

Tr. 6.1

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Uso de Transistores: conceptos bsicos

k>1

Amplificador:
vo=kvi
Linealidad (peq. seal) Suministro de energa vi << 1 Necesidad Polarizacin Zona activa

vi

Interruptor (llave):

s No-lineal (gran seal) vi --> VDD Suministro de energa Necesidad Polarizacin Zonas de operacin diferenciadas
Tr. 6.2

vs

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Electrnica

El transistor como amplificador (I)

BJT
V CC V o ------------------------ = i ( V ) C I RC

Vo
VI

Ecuacin caracterstica Vo-Vi de gran seal

Vo
VCC

Corte

Conduccin

ZAD

V I = v BE = V BE + v be componente AC de pequea seal componente en DC

VCC-ICRC

punto de operacin

Saturacin
VBE

Zona de amplificacin
iC = Is e v BE U T = Is e v be U T = IC e V BE U T e v be U T

VCEsat 0

VCC

VI

Zonas de conmutacin (llave OFF o ON)

VI pequea: BJT en corte, Vo = VCC , OFF VI grande: iC grande, BJT en saturacin, Vo = VCE(sat) , ON
Tr. 6.3

Linealizacin

v be i C I C 1 + -------- UT para vbe < 10mV

los autores

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Electrnica

El transistor como amplificador (II)

MOSFET
V DD V o --------------------- = i ( V I ,V o ) Ecuacin caracterstica Vo-Vi de gran seal D RD

Vo VI

Vo
VDD

Corte

Saturacin

Zona de amplificacin
Q

punto de operacin

Lineal o Triodo

VT
2

VI Vo + VT

VDD

VI

--i D = K ( VI V T ) 2 ( 1 + V o ) --i D = K [ 2 ( VI V T )Vo V o 2 ] 2

los autores

Tr. 6.4

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Polarizacin (I)
Tcnica de polarizacin = tcnica para fijar el punto de operacin en la zona de amplificacin Ejemplo: Varias maneras de polarizar dependiendo de: tipo de transistor tipo de circuito tipo de amplificador
fijar IC o fijar IB?

recta de carga

? ? ?

VCC
VBB VCC

VCC

VCC

VCC
Tres objetivos generales: - situar al ttor en zona de amplificacin - obtener valor deseado de ganancia - disminuir distorsin

-VEE
los autores Tr. 6.5

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Polarizacin (II)
Esquema prctico para polarizacin (BJT y MOS):

VCC
R1 R2

VCC
RC
R2 ------------------V B = V CC R1 + R2 F ( V B V BE ( on ) ) VB I C = ---------------------------------------------------------- -----( R 1 || R 2 ) + ( F + 1 )R E R E para VB>> VBE(on) y RE >> (R1//R2)/(+1)

conseguimos independizar IC de la T

RE

Varios problemas de este esquema:

VCC VCC

- RE reduce el rango de tensin a la salida - R1 y R2 derivan corriente de la seal de entrada - se necesitan condensadores para desacoplo DC - no apropiado para circuitos integrados Av rango de fecuencias medias

Cs de acoplo debido a Cs acoplo

los autores

debido a Cs del transistor

Tr. 6.6

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Aproximacin de Pequea Seal Variables en el circuito: vXY= VXY + vxy iXY= IXY + ixy
VXY Fijada por el punto de operacin y la red de polarizacin

vXY = Valor total VXY = Valor constante vxy = Variable con t

vxy Dada por el circuito equivalente de pequea seal

equiv. peq. s. de VCC aqu el equiv. de peq. seal del ttor
Tr. 6.7

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Parmetros de pequea seal de un Amplificador

Para todo Amplificador se debe conocer: ganancia impedancia de entrada impedancia de salida

ancho de banda
todos los parmetros se miden en Pequea Seal en el Punto de Operacin
se obtienen analizando el circuito equivalente de pequea seal del Amplificador

Definicin:

vo vi
ii io

vo A v = ----vi vi Z i = --ii vo Z o = ----io

ganacia en tensin imp. entrada imp. salida

equivalente de pequea seal del ttor

los autores

vi = 0
Tr. 6.8

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Configuraciones bsicas de Amplificadores

Existen tres configuraciones bsicas BJT
X
RB RE

VCC
RC

MOS
Z X
RG

VDD
RD

Y
-VEE

Y
RS

-VSS
Fuente comn: X entrada Z salida Y tierra Puerta comn: Y entrada Z salida X tierra Drenador comn: X entrada Y salida Z tierra
Tr. 6.9

Emisor comn: X entrada Z salida Y tierra Base comn: Y entrada Z salida X tierra Colector comn: X entrada Y salida Z tierra
los autores

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Amplificador a Emisor Comn

Anlisis a frecuencias medias
V CC RC vI = VI v0 = V0 v0 Q Q + vi ( t ) + v0 ( t ) v be RB

Circuito Equivalente en Pequea Seal en ZAD:

ib
+

ic
1----g r
-

v0 ( t )

RB

vi ( t )

g m v be

r0

RC

vI

Zi

Zo

Impedancia de entrada:
Z

Impedancia de salida:
Z

o = ----o io

Ganancia en tensin: v 0 ( t ) = g m ( R C //r 0 )v be v0 ( t ) r ----------- = g ------------------- ( R //r ) r mR + r C 0 vi ( t ) v = ------------------- v i ( t ) B be vi RB + r --- = R B + r R C //r 0 v0 ( t ) ib A V0 = ----------- = 0 ------------------RB + r vi ( t ) v
= R //r

vi = 0

Propiedades: Alta ganancia (mximo valor -VA/UT= 5x103) Moderada impedancia de entrada Alta resistencia de salida

los autores

Tr. 6.10

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Polarizacin en Circuitos Integrados (I)

En los CIs se evita el uso de Resistencias y Condensadores para polarizar Existen dos formas bsicas de polarizacin: a) con resistencias activas b) con fuentes de corriente En cualquiera de ellas se utiliza tambin el nivel de DC de la entrada para fijar el punto de operacin

Resistencias Activas: Son resistencias nolineales que se realizan con ttres. en configuracin diodo I V NMOS I PMOS I V VT I V
I k 'W k 'W - - = ---- ---- ( V V T ) 2 ( 1 + V ) = ---- ---- ( V V T ) 2 0 2 L 2 L

resistencia en pequea seal,

caso VBS=0
i G + v _ S D r ds v - 1r = - = ------------------------ -----i 1 + g m r ds g m rds

MOS en Saturacin

gmv

los autores

Tr. 6.11

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Polarizacin en Circuitos Integrados (II)

Fuentes de Corriente: Se realizan con ttres MOS en Saturacin o BJT en ZAD Tipo Sumidero IBIAS IBIAS
VGG

Tipo Fuente IBIAS

VBB VDD VDD VBB

VCC

IBIAS V GG V V
VEE para VBS = 0

V
VSS

VSS
MOS

IBIAS

IBIAS
VGS = VGG - VDD

VGS = VGG - VSS

V
VSS VDD VSS VDD

V
1 + V DS 1 r o = r ds = ----------------------- -----------------I BIAS I BIAS
Tr. 6.12

Resistencia de salida en pequea seal

los autores

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Polarizacin: Espejos de Corriente

Los Espejos de Corriente se utilizan para obtener corrientes a partir de una corriente de referencia Espejo NMOS simple

k n' W I D1 = ------ ---- ( V GS V T ) 2 ( 1 + V DS1 ) = I REF 2 L1 k n' W I D2 = ------ ---- ( V GS V T ) 2 ( 1 + V DS2 ) = I o 2 L2

W W ( 1 + V ------DS2 ) L2 L2 I o = ---------------------------------------------- I REF -------- I REF W W ---- ( 1 + V ---) DS1 L1 L1

Existen adems: a) versiones PMOS y BJT b) espejos mltiples o copiadores de corriente c) configuraciones mejoradas (mayor resistencia de salida)
los autores Tr. 6.13

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Electrnica

Modelo en AC del Espejo de Corriente NMOS

los autores

Tr. 6.14

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Electrnica

Modelo en ac del Espejo de Corriente NMOS

ro

los autores

Tr. 6.15

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Electrnica

Modificaciones al Espejo de Corriente NMOS

Cascode

Wilson
los autores

Wilson modificado
Tr. 6.16

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Electrnica

Amplificadores Integrados MOS: Configuraciones Bsicas

Polarizados con corriente:
Fuente Comn
VDD

Drenador Comn= seguidor por fuente

VDD

A o g mI g o
IBIAS

Ao 1

VDD

VDD

vi vo
IBIAS VSS IBIAS VSS
se suelen obtener con espejos de corriente

IBIAS

vo vi
VSS VDD

vi

vo

vi

vo

VSS

Con carga activa: configuraciones fuente comn

VDD

A o g mI g mL
VDD

VDD

vi vo vi
NMOS

vi vo vo

vo vi
CMOS

VSS

VSS

CMOS

PMOS

VSS

VSS
Tr. 6.17

los autores

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Electrnica

Tcnicas de Polarizacin: Fuente Comn

Con corriente

V A2 1 r o2 = -------------- = r ds2 -----------------I REF I REF

los autores

Tr. 6.18

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Electrnica

Tcnicas de Polarizacin: Fuente Comn

equiv. pequea seal

D1, D2

S1, S2

los autores

Tr. 6.19

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Electrnica

Amplificadores CMOS a Fuente Comn

VDD
Equivalente en pequea seal
G1 D1 D2

Ganancia en tensin: v0

VGG

M2
vi

g m1 vo A o = ----- = -----------------------------g ds1 + g ds2 vi

vo vi
M1
VSS

gm 1 vi

r ds 1

Resistencia de entrada: infinita r ds 2 Resistencia de salida:

S1 S2

1 r o = -----------------------------g ds1 + g ds2

VDD

Equivalente en pequea seal

G1 D1 D2

Ganancia en tensin: v0 vo r ds1 r ds2 A o = ----- = g m1 -----------------------------------------------------------------vi r ds1 ( 1 + g m2 r ds2 ) + r ds2 A o g m1 g m2 Resistencia de entrada: infinita Resistencia de salida:
1 r o ------------

vo v i vi
VSS

g m1 v i

r ds 1

r ds 2

g m2 v o

S1 S2

g m2

los autores

Tr. 6.20

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Electrnica

Tcnicas de Polarizacin: Puerta Comn

los autores

Tr. 6.21

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Electrnica

Tcnicas de Polarizacin: Drenador Comn

los autores

Tr. 6.22

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Electrnica

Amplificador slo con MOS de canal n

W --- L1 A v = ------------ W --- L2

los autores

Tr. 6.23

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Electrnica

Respuesta en frecuencia de amplificadores (I)

Dada por la funcin de transferencia del amplificador en pequea seal, obtenida usando el modelo dinmico de los transistores en su regin de operacin
Cgs Cgd Cdb B Csb

Teorema de Miller
I1
V2 K = ----V1

I1 + V1 _

I2 + _ V2

I2 Y1 Y2 + V = KV1 _ 2 Y1 = Y ( 1 K ) 1 Y 2 = Y 1 --- K

+ V1 _

K>1

Y1 Y ( K ) , Y2 Y

los autores

Tr. 6.24

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Electrnica

Respuesta en frecuencia de amplificadores (II)

Amplificador CMOS a fuente comn
CgsP

VDD
CdbP CdbN
vi

CgdN

v0

VGG CgdP
CgdN

vo
CL

g mN v i

r dsN

CT
r dsP

vi
CgsN

CgsN

CT = CL+ CdbN+CdbP+CgdP
usando Tma de Miller
v0

VSS

lAvldB
-3dB A0 20dB/dec 0

vi

g mN v i

R = (gdsN+ gdsP)-1 C = CT + CgdN

f
f1
GBW=A0f1

1 vo A v = ----- = ( g mN )R --------------s + 1 vi 1= (RC)-1

Tr. 6.25

los autores

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Electrnica

Amplificador CMOS a Fuente Comn: Configuracin Cascode

Con ella se pretende desacoplar la entrada con la salida en AC, evitando de ese modo la alta capacidad de entrada que cargara las etapas precedentes
VDD

VGG
vB vi

M3

vo
M2

vo A o = ----- g m1 r sd3 vi v1 g m1 A 1 = ----- --------------------v i g m2

Respuesta en frecuencia:
se puede hacer pequea para disminuir la capacidad Miller a la entrada Cin1= cgd1(1-A1)

n1 v1
M1

1 vo A v = ----- = A o --------------s + 1 vi

1= (RC)-1
R = rsd3 CT = CL+ Cgd3+Cgd2+Cdb2+Cdb3

aparece un segundo polo asociado a la impedancia en el nudo n1, pero es bastante mayor que 1 y apenas afecta.
los autores Tr. 6.26

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Electrnica

Respuesta Tpica en Frecuencia

VCC VCC
v0

VDD

VGG
C

M2

vi

g mN v i

vo vi
M1
VSS

Cs acoplo

lAvldB

rango infinito de frecuencias

caso ideal

lAvldB

lAvldB
rango de frecuencias medias A0 -3dB 20dB/dec f 0

caso real
debido a Cs acoplo
los autores

f
f1
GBW=A0f1
Tr. 6.27

debido a Cs del transistor