LECCION 10

TEORIA: LECCION N 10

Diodos Semiconductores
Esta leccin es de gran importancia, pues en ella aprenderemos el principio de funcionamiento de dispositivos y circuitos. Los dispositivos que estudiaremos son principalmente los que involucran materiales semiconductores. Las propiedades elctricas de estos materiales, exploradas muy bien por la electrnica moderna, son la base de la mayora de los aparatos con que podemos contar. Los diodos, los transistores y los circuitos integrados son apenas algunos de los ejemplos de dispositivos que emplean materiales semiconductores. As, el perfecto conocimiento de las propiedades de estos materiales es de vital importancia para encarar la tercera parte de nuestro curso.

Coordinacin: Horacio D. Vallejo

emos clasificado los materiales, en relacin con sus propiedades elctricas, en dos grande grupos: los que pueden conducir la corriente elctrica, denominada conductores, y los que no pueden conducir la corriente elctrica, denominados aislantes. Sin embargo, esta clasificacin no es absolutamente rigurosa en el sentido de que no tenemos ni conductores ni aislantes perfectos. No existen materiales que sean conductores tan buenos al punto de que no presenten ni mnima resistencia al paso de la

corriente en condiciones normales, del mismo modo que no existen materiales que sean aislantes perfectos al punto de no dejar pasar corriente cuando se los somete a una cierta tensin. En verdad, una clasificacin ms rigurosa nos llevara a un "es-

pectro casi continuo" de las propiedades elctricas de los materiales: de los buenos conductores como el oro y la plata, hasta los malos conductores o aislantes buenos como el vidrio y la mica, tendramos todas las graduaciones posibles, como muestra la figura 1.

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La resistividad del material sera el indicativo de sus propiedades elctricas que varan entre valores bajos como fraccin de ohm por centmetro (metro) hasta billones de ohms por centmetros (metro). Es importante para nosotros un tipo de material que se site con sus propiedades elctricas justamente en la banda intermedia entre los conductores y los aislantes. Estos materiales son los semiconductores y sern el centro de nuestros estudios a partir de ahora. el germanio como elementos ms usados inicialmente en la electrnica, y hoy, con cada vez mayor intensidad, el selenio, el galio y el arsnico. Al final de la leccin incluimos una tabla con las caractersticas fsicas de algunas sustancias semiconductoras, para que el lector, una vez que haya profundizado un poco ms sus conocimientos, pueda hacer comparaciones sobre los valores presentados. Para que podamos entender mejor lo que ocurre con los materiales semiconductores y sus propiedades elctricas, debemos estudiar su estructura.

Los Semiconductores Los semiconductores son sustancias cuya conductividad elctrica est en un valor intermedio entre la de los buenos conductores, como los metales (oro, plata, cobre, etc.) y los aislantes, como vidrio, mica, goma, etc.En comparacin con los metales, las 3 propiedades elctricas de los semiconductores son bien diferentes. As, mientras la resistencia de alambre de metal conductor aumenta con la temperatura, la resistencia de un alambre de material semiconductor disminuye con la temperatura, como muestra el grfico de la figura 2. Otra caracterstica importante de los materiales semiconductores es su enorme variacin de caractersticas elctricas cuando estn impuros. La presencia de ciertas impurezas en un material seEstructura de los Semiconductores La mayora de los dispositivos electrnicos usa actualmente el germanio o el silicio. As, partiendo de estos materiales, en nuestros estudios podremos abarcar la mayor parte de los dispositivos conocidos y de ellos deducir fcilmente cmo funcionan los dems. Tanto el silicio como el germanio poseen tomos con 4 electrones en su ltima capa, o sea, poseen 4 electrones de valencia. Estos significa que, formando una estructura cristalina, ellos se unen unos con otros a travs de 4 ligaduras o enlaces, como muestra la figura 4. Esta figura es una representacin "espacial" de lo que ocurre, ya que tenemos una visin en 3

miconductor puede alterar enormemente sus propiedades elctricas, y gracias a eso es que podemos crear dispositivos electrnicos muy interesantes. Son diversos los materiales semiconductores usados en electrnica. Estos materiales se pueden encontrar en una regin especial de la tabla de clasificacin peridica, lo que nos revela que sus tomos presentan estructuras con caractersticas bien definidas, como muestra la figura 3. Tenemos entonces el silicio y

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dimensiones de las ligaduras de los tomos. Para facilitar nuestros estudios podemos perfectamente representar un trozo de material semiconductor (germanio o silicio) en el plano, como muestra la figura 5. As, con una figura como sta, el lector puede fcilmente percibir lo que ocurre, y deducir lo que 4 pasa en la realidad en una estructura tridimensional. Vea entonces que en la estructura indicada todos los tomos estn rodeados por 8 electrones que completan su capa de valencia (recordamos que la "tendencia" de los tomos es completar su capa de valencia, lo que en este caso se obtiene con 8 electrones). Para esto, los tomos usan sus 4 electrones y comparten con sus vecinos 4 ms. El equilibrio se obtiene y el material formado es neutro, o sea, no presenta excesos, ni faltas, de cargas de uno u otro signo. En la prctica, sin embargo, las ligaduras solamente son fijas entre los tomos, as como sus posiciones, en temperaturas muy bajas, prximas al cero absoluto. Por encima del cero absoluto los tomos entran en vibracin. La vibracin trmica tiende entonces a romper las ligaduras que prenden los electrones a los tomos, y estos se liberan. Los electrones adquieren entonces una movilidad a travs del material, siendo sta la causa de su capacidad de conducir la corriente. Llamamos a este fenmeno "Eg" o eV y vara ampliamente en los materiales comunes. As, un material como el diamante tiene una energa de ligadura de 5,5 eV (electrones-volt) lo que significa un valor elevado. El diamante es un aislante. Es difcil romper las ligaduras y con eso obtener electrones libres que sirvan como portadores de carga. El germanio, por otro lado, tiene una energa de ligadura de solamente 0,7 eV mientras que el silicio tiene 1,1 eV, lo que significa que es ms fcil "arrancar" electrones de estos materiales para volverlos conductores. Incluso as, tales valores son altos en

conductividad intrnseca, pues es natural del propio material. Perciba entonces el lector por qu los semiconductores disminuyen de resistencia cuando la temperatura se eleva: la agitacin de los tomos aumenta, se rompen ms ligaduras y se libera mayor cantidad de electrones (figura 6). Muy importante para la determinacin de las caractersticas de un material es la energa; necesaria para romper las ligaduras que unen los electrones a los tomos. Esta energa es denominada "energa de ligadura" o de 6 enlace y est representada por

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relacin a los metales conductores en que prcticamente no existe una energa de ligadura, pues los electrones pueden "moverse libremente" en su interior. Pero, lo interesante de la liberacin de un electrn en un material de este tipo es que no creamos simplemente un portador de carga negativa. La salida del electrn crea un "agujero" o "laguna" que, en el fondo, es un portador de carga positiva. Representa la ausencia de electrones que, como vimos, hace predominar la accin positiva de los protones en el ncleo atmico. As, siempre que liberamos un electrn en un material semiconductor, creamos un par de portadores de carga: "electrn-laguna". El electrn es portador de carga negativa y la laguna es portadora de carga positiva (figura 7). La conduccin de una corriente por uno u otro es fcilmente explicada: En el caso de los electrones, basta aplicar un addp (diferencia de potencial) en los extremos de un material semiconductor para que los electrones salten, de tomo en tomo, en busca de las lagunas correspondientes y con esto desplazndose en el sentido deseado. Vea, mientras tanto, que cada vez que un electrn "salta" en una direccin deja detrs de s una laguna. Esto significa que el movimiento de electrones en un sentido corresponde exactamente al movimiento de lagunas en el sentido opuesto (figura 8) en un semiconductor. Lo que ocurre es que en cada instante tenemos la liberacin de electrones con la formacin de lagunas, pero tambin la recombinacin de electrones con el llenado de lagunas, en un proceso dinmico. En total tenemos entonces en cada instante un promedio de pares laguna-electrn formados, que depende justamente de la temperatura ambiente.

Impurezas

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Podemos entonces representar una corriente en un semiconductor, tanto por el movimiento de lagunas como de electrones, o sea, portadores negativos o positivos de cargas. Este concepto es extremadamente importante para la comprensin de los dispositivos semiconductores. Los electrones libres y las lagunas que estn presentes en un material semiconductor puro, en condiciones normales, se denominan portadores "intrnsecos". Para cada unidad de volumen considerada de un material semiconductor la cantidad de electrones libres ser igual a la de lagunas. Esto da al material una carga total nula. Es importante observar que a una cierta temperatura, superior al cero absoluto, en que ocurre la liberacin de los pares electrones-lagunas, el proceso no es unilaterial, esto es: tenemos solamente formacin de pares.

Qu ocurre con las propiedades elctricas de un material semi- conductor si se aumentan las impurezas? La presencia de determinados tomos en la estructura cristalina descripta en el punto anterior puede modificar de modo radical su comportamiento elctrico y dar origen a materiales propios para la fabricacin de dispositivos electrnicos. Dos son los tipos de impurezas que se pueden agregar a un material semiconductor: las impurezas cuyos tomos poseen 3 electrones en la ltima capa, y las sustancias cuyos tomos tienen 5 electrones en su ltima capa. El nmero ideal de 4 es "quebrado", y se produce entonces un desequilibrio cuyas consecuencias pasamos a estudiar. En el primer caso (3 electrones) tenemos el aluminio (Al), el galio (Ga) y el indio (In). En el segundo caso (donde hay 5 electrones) tenemos el arsenio (As), el fsforo (P), y el antimonio (Sb).

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Impurezas Donantes Si al fabricar un cristal de material semiconductor (Silicio o Germanio), introducimos en el proceso pequeas cantidades de sustancias con 5 electrones en la ltima capa (capa de valencia) estas sustancias pasarn a formar 9 parte de su estructura, pero la manera en que ocurrirn las ligaduras quedar modificada. En la figura 9 tenemos representado el tomo de la sustancia dotado de 5 electrones en su ltima capa. Este tomo va a conectarse a los adyacentes de la sustancia semiconductora, porque procura completar la capa de valencia de modo de tener 8 elec10 trones compartidos. El resultado es que sobra 1 electrn que se necesitamos usar de impureza en vuelve libre. un semiconductor para obtener Vea entonces que este elecun material tipo N no es grande. trn se puede volver un portador Tenemos alrededor de 1 parte negativo de carga, pero con una por milln, pero incluso eso codiferencia en relacin a los porta- rresponde a cantidades que vadores formados normalmente, o ran entre 1015 a 1017 tomos por sea los intrnsecos: su formacin centmetro cbico de material seno es acompaada por la aparimiconductor. cin de una laguna. No es preciso decir que la reEl resultado es que para cada sistencia de este material queda tomo de impureza agregado en sensiblemente reducida con la liel semiconductor tenemos un beracin de ms portadores de electrn dems como portador de carga, lo que significa que un secarga. Hay entonces un exceden- miconductor del tipo N es mejor te de cargas negativas en este conductor que un semiconductor material. puro del mismo material (silicio o Decimos entonces que en este germanio). material semiconductor los portadores mayoritarios de cargas son los electrones. Es un material seImpurezas Aceptadoras miconductor del tipo N (de negativo). Tomemos ahora el mismo maLa cantidad de tomos que terial semiconductor e introduzcamos una impureza cuyo tomo tenga apenas 3 electrones en su capa de valencia. Representando esto de una forma plana, como muestra la figura 10, vemos que existe nuevamente la tendencia de compartir las cargas con el fin de obtener el octeto (8 electrones). Como el tomo de la impureza tiene solamente 3 electrones, falta uno para que consiga corresponder a todas las ligaduras con los tomos vecinos. Queda entonces una laguna dentro del material, que corresponde a un portador de carga positivo. Los electrones que salten de otros puntos de la estructura hacia esta laguna pueden llenarla, pero en el total tendremos todava una cantidad mayor de lagunas que de electrones libres. En este caso tambin tenemos que, con la formacin de la laguna no hay formacin de un electrn libre correspondiente. Los electrones libres que existen son portadores intrnsecos de carga formados por la liberacin trmica del material. En total este material es por lo tanto un conductor cuyos portadores mayoritarios son lagunas. Decimos que se trata de un semiconductor del tipo P (de positivo).

Velocidad de los Portadores Si aplicamos una tensin en un material semiconductor del tipo P y del tipo N, en qu caso tendremos mayor velocidad para

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los portadores de carga? Esta pregunta es muy importante si deseamos construir dispositivos rpidos. En un dispositivo electrnico el material semiconductor del tipo P o del tipo N debe permitir la circulacin de corriente elctrica. 11 Un campo elctrico se aplica entonces al material y produce la que obtenemos en un material un movimiento de cargas, como P. Esto, como veremos, va a reflemuestra la figura 11. jarse de modo directo en la veloLas lagunas y los electrones se cidad de operacin de transistodesplazan entonces, con predores del tipo NPN y PNP. minio de uno o de otro, segn el Observe tambin que estas material. magnitudes dependen enormeEl predominio determina tam- mente de la temperatura, los vabin la velocidad con que se lores expresados para una puede hacer el transporte de car- temperatura de 300K correspongas. dientes son aproximadamente a De hecho, los electrones libres 27C. son mucho ms rpidos que las lagunas, lo que significa que un semiconductor del tipo N responAlgunas Aclaraciones de ms rapidamente a las variaciones del campo en la producQu tiene que ver la supercin de la corriente que un semi- conductividad con los semiconconductor del tipo P. ductores? Es la misma cosa? As, para el germanio tenemos Como ya indicamos, los lectolas siguientes movilidades de los res pueden remitirse a anteriores portadores de carga, expresadas artculos sobre la superconductipor la letra griega : vidad, pero trataremos tambin un poco aqu del tema, ya que se Germanio: habla cada vez ms de las aplica2 electrones libres = 3.900 cm /V.s ciones de los materiales llamados lagunas = 1.900 cm2/V.s superconductores. Los superconductores, son diSilicio: ferentes de los semiconductores, electrones libres = 1.350 cm2/V.s como explicamos a continuacin: lagunas = 480 cm2/Vx.s cuando una sustancia conductora es enfriada a una temperatura Vea entonces que en un mate- muy baja, alrededor del cero abrial N tenemos el doble de velosoluto (-273C), la agitacin de cidad de portadores de carga de los tomos prcticamente cesa, y con esto ocurre un cambio en su comportamiento elctrico. Los portadores de carga adquieren una enorme movilidad y desaparece prcticamente la resistencia elctrica. El material adquiere entonces la propiedad de conducir la corriente elctrica prcticamente sin resistencia alguna, se vuelve un superconductor. Las temperaturas en que ocurre este fenmeno varan de un material a otro, pero normalmente son muy bajas. Lo que se investiga actualmente es la produccin de materiales que manifiesten estas propiedades en temperatura ambiente (por encima de 0C) pues as podramos tener la transmisin de energa sin prdidas, la elaboracin de electroimanes superpotentes y muchos otros dispositivos importantes para la tecnologa del futuro. Algunas cermicas ya manifiestan propiedades superconductoras a temperaturas relativamente altas y recientemente tuvimos noticias de que accidentalmente ya se habran producido materiales superconductores a la temperatura ambiente, pero su aplicacin en gran escala todava est un poco lejos. Al final de esta leccin damos una tabla con las temperaturas de transicin a la superconductividad de algunos materiales y aleaciones. "Qu tipo de silicio o germanio se usa en la fabricacin de los semiconductores?" El silicio es uno de los elementos ms abudantes en la tie-

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rra, pero aparece en la forma de xidos. La arena y el granito son ejemplos de compuestos de silicio as como los cristales de roca. Sin embargo, el silicio usado en la fabricacin de los semiconductores es el elemento silicio en su forma metlica pura, de una enorme pureza. Esta necesi12 dad de una gran pureza es lo que exige mquinas delicadsimas que operan en atmsferas absolutamente limpias para su produccin. No es por lo tanto cualquier silicio ni cualquier germanio que usamos para fabricar dispositivos semiconductores, sino silicio cristalino de enorme 13 pureza que se produce de modo riguroso en laboratorio. Qu ocurre si se une de modo ntimo un material del tipo N a un material del tipo P? Las junturas y Es lo que veremos a continualos Diodos cin, recordando que esta unin En un material semiconductor del tipo P los portadores mayoritarios de cargas son las lagunas, en el sentido de que existen ms lagunas disponibles para la conduccin de corrientes que electrones. En un material de tipo N, como estudiamos, existen ms electrones libres que lagunas para la conduccin de la co14 rriente. ntima forma lo que denominamos "juntura". Podemos tener la unin de materiales diferentes simplemente "fabricando" el semiconductor, de modo que en una parte tengamos las impurezas del tipo P y en la otra sea difundida la impureza del tipo N. En este caso se dice que la juntura est formada por difusin. Otra posibilidad, mostrada en la figura 12, consiste en hacer "crecer" el cristal de un tipo (N por ejemplo) sobre un pedazo de material P, en cuyo caso tenemos una juntura formada "por crecimiento". Son diversas las tcnicas que nos permiten obtener junturas PN y oportunamente sern estudiadas. Lo que importa para la compresin del funcionamiento de la juntura PN es que se tenga en cuenta que existen dos regiones en un material, de tipos diferentes, separadas por una zona comn de contacto.

La juntura PN En la figura 13 tenemos la representacin para una juntura PN. Para entender lo que ocurre en un dispositivo con esta estructura, imaginemos que ini-

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cialmente tenemos los materiales P y N separados, como muestra la figura 14. En el momento en que se unen los dos materiales, en la regin de junturas comienza a ha- 15 ber una recombinacin de los electrones libres en exceso del material N, donde estas cargas son portadoras mayoritarias, con las lagunas en exceso del material P, donde estas cargas son las portadoras mayoritarias (figura 15). El resultado es que en esta regin del material tenemos una reduccin 16 de la concentracin de los portadores de carga, lo que corresponde a la aparicin de cargas especiales a ambos lados de la juntura. Esta carga especial significa simplemente que en el material P existe una regin en que predominan cargas N, y en el material N existe una regin en que predominan cargas P. Esto corresponde a una verdadera "barrera" para la circulacin de la corriente representada por el grfico de la figura 16. Llamamos a esta barrera, de modo bien apropiado, "barrera de potencial", y la misma impide que ocurra el mismo proceso de difusin y 17 recombinaciin de en el material semiconductor, para equilibrar el proceso. En una estructura PN tenemos entonces dos regiones en que existen definidamente portadores de carga mayoritarios P y N, que son los materiales correspondientes, y una regin intermedia, de juntura, en que se manifiesta un fenmeno de recombinacin con la formacin de una barrera de potencial. En la condicin de equlibrio esto es, sin accin alguna externa de campos, no hay circulacin de corriente alguna por el sistema. Eso significa que no tenemos pasaje de portadores de carga de un material hacia otro, a travs de la barrera. Qu ocurre, sin embargo, si se aplica una tensin externa a esta estructura, de modo de forzar la circulacin de una corriente? Es lo que veremos a continuacin. Polarizacin de la juntura PN Inicialmente, vamos a polarizar la juntura PN al conectar un generador de corriente continua, como muestra la figura 17. Como podemos percibir, el polo

las cargas del restante material semiconductor. Como la recombinacin de las cargas de los materiales P con las del material N corresponde a una corriente, en cuanto la barrera que se forma impide que prosiga el proceso. Decimos que la "altura" de esta barrera de potencial, se debe ajustar de modo de impedir la circulacin de corriente

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positivo del generador es conectado al trozo del semiconductor del tipo P mientras que el polo negativo del generador es conectado al lado del semiconductor del tipo N. Del lado positivo del material (semiconductor P) tendremos 18 entonces la atraccin ciones, la juntura est polarizada de los portadores negativos para en el sentido directo y la corrienel lado de la batera, mientras que las lagunas, que son los por- te puede circular por el dispositivo. tadores positivos, sern empujaSi ahora invertimos la polaridos hacia la regin de juntura. dad de la batera externa, como Ahora, como en este material P la muestra la figura 18qu ocuconcentracin de lagunas es marre? yor que la de electrones, el flujo Tendremos nuevamente la de lagunas hacia la juntura es atraccin de los portadores de mayor que el flujo de electrones carga positivos hacia el polo nepara el polo de la batera. gativo y de los portadores negatiDel otro lado, tenemos la vos hacia el polo positivo. atraccin hacia el polo de la baEn el caso, para la regin de tera de las lagunas mientras que los electrones libres son empuja- la juntura irn ahora los portadodos hacia la regin de la juntura. res minoritarios, cuya concentaComo en el material N la concen- cin es pequea, y no hay posibilidad de vencer la barrera de tracin de portadores negativos es mayor, el flujo de cargas hacia potencial. El resultado es que no la regin de la juntura es mayor que el flujo de cargas positivas hacia el polo de la batera. El resultado es que ocurre en la regin de la juntura una concentracin de cargas suficientemente grande para vencer la barrera de potencial y dar inicio a un proceso de recombinacin. Una corriente intensa puede entonces circular por el dispositivo, lo que producir una cada de su resistencia. Decimos que en estas condi- 19 ocurre la recombinacin de la manera esperada y ninguna corriente puede circular por el dispositivo. Manifiesta una resistencia elevada. Decimos, en estas condiciones, que el dispositivo est polarizado en el sentido inverso. Vea que, en el caso de la polarizacin directa, tenemos un estrechamiento de la regin en que se encuentra la carga espacial, o sea, la juntura, mientras que en el caso de la polarizacin inversa los portadores mayoritarios de cargas son alejados, esto provoca un ensanchamiento de la barrera de potencial.

Diodos Semiconductores Los dos dispositivos electrnicos, formados por dos trozos de materiales semiconductores de tipos diferentes y unidos de modo de tener una regin de juntura en comn, se denominan diodos semiconductores. Son diodos porque poseen dos elementos de conexin, o sea, son dispositivos de dos terminales y son semiconductores en vista del material usado en su confeccin. Al lado de los diodos de semiconductores debemos recordar la existencia de los diodos terminicos, o vlvulas diodo que presentan comportamiento elctrico semejante, pero estructura completamente diferente y que

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sern estudiados en el futuro. En la figura 19 mostramos diferentes tipos de diodos que se usan en electrnica. Todos estos diodos son formados por trozos de materiales semiconductores del tipo P y del ti20 po N, con una juntura comn. Los diodos pueden ser de silicio, germanio o selenio, segn el material semiconductor usado en su fabricacin. La representacin usual para el diodo aparece en la figura 20. Vea entonces que podemos usar el diodo como una especie de vlvula de retencin, basados en las propie21 dades de la juntura que estudiamos en el punto ante- semiconductor. Vemos entonces que, para que rior: cuando lo polarizamos en el un diodo comience a conducir sentido directo "abre" y deja pacuando est polarizado en el sensar la corriente con facilidad y presenta el mnimo de resistencia tido directo, o sea, que "abra", es (figura 21). Pero cuando lo polarizamos en el sentido directo se "cierra" e impide la circulacin de la corriente. El comportamiento elctrico de un diodo puede darse mediante una representacin grfica que denominamos "curva caracterstica". As, en la figura 22 tenemos la curva caracterstica del diodo 22 preciso que se aplique una tensin mnima. Esta tensin se usa para vencer la barrera de potencial y vara segn el material del diodo. Para los diodos de germanio esta tensin es del orden de 0,2V, mientras que para los diodos de silicio esta tensin es del orden de 0,7V. Es importante observar tambin que en la conduccin directa, no importa cul sea la cantidad de la corriente que circule por el diodo, esta barrera estar siempre presente. As, tenemos siempre una cada de tensin en el diodo y sta es del orden de 0,2 0,7V. En un circuito como el de la figura 23 en que conectamos diversos diodos en serie con una lmpara, si usamos los tipos de silicio, tendremos 0,7V de cada en cada uno. Como veremos en el futuro, los diodos pueden ser usados para producir pequeas cadas de tensin en los circuitos y de una manera que no ocurre con los resistores: independientemente con buena aproximacin de la intensidad de la corriente. Otra caracterstica importante de los diodos

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puede observarse en la curva y es la que corresponde a la ruptura inversa. Llamamos tensin de ruptura inversa (VRRM) a la tensin que, aplicada en el 23 diodo en el sentido de polarizarlo inversamente, provoca la ruptura de la barrea de potencial, al aplicarla mudando completamente las caractersticas del diodo: el diodo, hasta entonces cerrado a la circulacin de la corriente, abre. Esta tensin no debe ser aplicada en diodos comunes, pues la ruptura de la barrera es acompa24 ada de la destruccin del componente. Esto significa que no bles por una pequea corriente debemos de modo alguno utilizar que circula incluso cuando el los diodos en circuitos que estn diodo est polarizado en el sentisujetos a tensiones inversas mado inverso. Esta corriente es deyores que el valor que causa la nominada "de fuga" y aumenta ruptura inversa a riesgo de "que- con la temperatura de una forma mar" el componente. perfectamente previsible. Tenemos finalmente que obLa fuga de los diodos puede servar en esta leccin la pequea hasta ser admitida en algunos cacorriente que puede circular en sos, siempre que no sea grande, los diodos cuando son polarizay en otros podemos hasta aprodos en el sentido inverso y que vecharla como base de proyectos: depende de dos factores: luz y de hecho, como esta corriente calor. depende de manera previsible de De hecho, estando la tempera- la temperatura, podemos usar un tura ambiente que corresponde a diodo como sensor de temperatu273 grados por encima del cero ra de gran precisin, como muesabsoluto, no reina en los tomos tra la figura 24. del material semiconductor una Si la juntura recibe iluminacompleta paz. Los mismos se agi- cin directa, los fotones de luz tan y constantemente son liberapueden liberar portadores de cardos portadores de carga tanto po- ga, permitiendo as la circulacin sitivos como negativos en la rede pequeas corrientes por la gin de la juntura. Estos portado- juntura; incluso cuando el diodo res se mueven y son responsase encuentra polarizado en el sentido inverso. Podemos entonces usar los diodos como fotosensores. El silicio, por ejemplo, puede ser usado en la construccin de fotodiodos capaces de modificar su resistencia en el sentido inverso con radiaciones infrarrojas y visibles, lo que significa la posibilidad de aplicarlos en alarmas, lecturas de tarjetas perforadas y cdigos de barras, detectores de incendios y en muchos otros casos.

Algunas Aclaraciones "Qu es polarizar?" Realmente este trmino aparece con frecuencia en la literatura electrnica, y merece ser bien explicado: polarizar es aplicar tensiones determinadas en los puntos de un circuito de modo de obtener las corrientes que lleven a los efectos deseados. Para que una lmpara encienda debemos polarizarla de modo conveniente, o sea, debemos aplicar una tensin positiva en uno de sus terminales y conectar el otro a tierra o a un punto de tensin negativa. "Por qu los diodos semiconductores son llamados tambin diodos de estado slido?" Esta denominacin se debe al hecho que al lado de estos diodos (que tienen por base materiales semiconductores que son slidos) existen las vlvulas diodo en

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que la conduccin de los portadores de carga se hace en el vaco o bien, en gases. Estos diodos no son dispositivos de estado slido, evidentemente, y se los llama diodos al vaco o bien diodos gaseosos, segn el tipo. Cmo podemos usar las propiedades de las junturas semiconductoras? 25 La posibilidad de conducir la corriente en un sentido nico y, en algunos casos, en respuesta a las demandas e inversiones a una velocidad muy grande, hace que los diodos semiconductores tengan una infinidad de aplicaciones en electrnica. Encontramos los diodos en radios, fuentes de alimentacin, circuitos lgicos, televisores, microcomputadoras y en todos los casos en que sus propiedades 26 puedan ser necesarias. Entender bien cmo se comporta cada tipo de diodo es muy importante para su futura aplicacin en un proyecto. nente. Podemos comenzar con el diodo de contacto de punto cuya estructura se muestra en la figura 26. En este diodo existe un trozo de material semiconductor del tipo N que puede ser de silicio o germanio, en el cual se difunde, a partir de un contacto fino, una regin P que as forma la juntura. El contacto fino es un alambre denominado bigote de gato. gato El conjunto est encerrado en una envoltura que puede ser de vidrio, en algunos casos pintado con pintura opaca para evitar la accin de la luz externa sobre la juntura. Para identificar los terminales (nodo y ctodo) es comn la colocacin de una raya (figura 27). Las curvas caractersticas para los diodos de silicio y germanio aparecen en la figura 28. Observe cmo el diodo de germanio comienza a conducir en el sentido directo con una tensin menor que el silicio. Por este motivo, en aplicaciones

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Diodos de Seal La denominacin diodo de seal, o bien diodo de uso general, se da a los diodos de pequeo porte destinados a trabajar con corrientes pequeas (tpicamente hasta 100mA) y tensiones que no superan los 100 volt. En la figura 25 tenemos algunos diodos de uso general o de seal. Son diversas las tcnicas que nos llevan a este tipo de compo-

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que trabajan con seales muy dbiles, como la deteccin de seales de radio, el diodo de germanio es preferible al de silicio. En algunos casos los diodos de seal presentan caractersticas que permiten su operacin en alta velocidad. Estos diodos pueden enton29 ces pasar de la conduccin a la no conduccin, y viceversa, en nmeros de cdigo. tiempos cortsimos. Para los tipos americanos, los Tales diodos, usados en condiodos comienzan con 1N. Temutacin reciben el nombre, en nemos entonces tipos como los: este caso, de diodos de con 1N34, 1N60, 1N4148, 1N914, ETC. mutacin rpida o simpleEn el cdigo europeo de semimente diodos de conmuta conductores los diodos de germacin. cin nio comienzan con la letra A u Se pueden usar otras tcnicas O, y la letra siguiente; si es una en la construccin de diodos de A indica que se trata de uso seal. En la figura 29 tenemos un general. Los de silicio comienzan ejemplo de esto. La juntura se con la letra B y la siguiente, si obtiene por el crecimiento del es una A, tambin indica uso material P sobre un trozo de ma- general. terial N. Tenemos entonces: Segn la tcnica empleada en la construccin, el diodo presenGer manio = AA119, 0A70, tar propiedades especficas. 0A85, AAZ15, etc. Los diodos de seal, as como Silicio= BA100, BA216, los dems, son identificados por BAX16, etc. Estos cdigos normalmente slo traen informaciones que nos permiten saber si el diodo es de silicio o germanio y si es de uso general o no. Para ms informaciones, que son necesarias, el tcnico debe consultar una hoja de caractersticas. Estas caractersticas se refieren entonces a los parmetros mximos (corrientes, tensiones, etc.) que el diodo puede soportar, adems de las condiciones recomendadas para su uso. En el punto siguiente veremos cmo interpretar las caractersticas para los diodos de uso general:

Las Caractersticas de los Diodos Dos son las informaciones principales que debemos tener sobre un diodo de uso general para las aplicaciones ms comunes. Analizando la curva de la figura 30 vemos dos puntos imporatantes: El primero se refiere a la tensin en que la juntura se rompe en el sentido inverso, y por lo tanto, el diodo pasa a conducir corriente. Normalmente, cuando esto pasa en un diodo comn, el mismo se quema. No podemos pasar de esta tensin en el sentido inverso o corremos el riesgo de daar el diodo. Esta tensin puede ser indicada por los fabricantes de diversas formas: Una de ellas es como Tenin Inversa de Pico, o en ingls:

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de transistorios, el funcionamiento en corriente alternada, etc. De cualquier forma, para un determinado tipo, todas estas magnitudes tendrn valores bien prximos, lo que significa que el conocimento de una nos da el orden de magnitud de las dems. La segunda especificacin importante es la corriente mxima que un diodo puede conducir cuando est polarizado en el sentido directo. Tambin tenemos diversas formas de hacer esta especificacin (figura 33). Una de ellas es como IF (F de forward en ingls = directa) o corriente directa. Esta indica la corriente mxima, que puede circular normalmente por el diodo en trminos continuos. Para el caso de corrientes variables, se puede encontrar la especificacin IFV que corresponde al valor medio de la corriente mxima que puede circular en el sentido directo. Para el valor de pico mximo tenemos la especificacin IFRM, que incluye los transistores repetitivos. Vea que el valor IFRM, para un diodo, es normalmente bastante mayor que el IF. En un diodo que IF mximo sea de 35 volt, por ejemplo, el valor correspondiente IFRM es de 100 volt. Por qu debemos tener en cuenta los valores diversos en un proyecto? Imagine un circuito como el de la figura 34. En el momento en que establecemos la alimentacin, el ca-

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Peak Inverse Voltage (PIV). Si aplicamos una tensin sinusoidal en un diodo, como muestra la figura 31, el valor PIV es correspondiente al pico. Es, teniendo en cuenta esta tensin, que cuando en la red de 220V, al recibir pues esta tensin, la especificamos para una PIV de por lo menos 320 volt. Esto es necesario porque, como vimos, para una tensin de 220V rms el valor de pico estar alrededor de 310 volt. Un diodo, para funcionar de modo seguro, debe tener por lo menos un poco ms que la tensin inversa especificada. Otra manera de especificar este mximo inverso es como VRRM, lo que en ingls corresponde a la abreviatura de Repeti tive Peak Rever e Voltage. Se oltage trata del mximo calor instantneo que puede tener la tensin aplicada en el sentido inverso, incluido eventuales transitorios, siempre que stos se repitan. En la figura 32 tenemos un ejemplo en que aparece un pico de transitorio repetitivo. Otra forma ms simple es la especificacin VR, o tensin inversa (del ingls Reverse Voltage), que corresponde al valor continuo mximo que se puede aplicar al diodo en el sentido inverso para la tensin en el diodo. En todos los casos la unidad es el volt (V) y no debe ser superada en las condiciones de funcionamiento del componente. Vea que la especificacin debe tener en cuenta la presencia o no

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ra debe tener una gran superficie en el sentido de ayudar al pasaje de corrientes fuertes y sus cubiertas pueden tener incluso recursos para ayudar a la disipacin del calor general. En la figura 35 tenemos algunos diodos rectificadores tipicos . Las tensiones inversas mximas de estos diodos pueden variar desde algunas decenas de volt hasta centenares o incluso millares de volt. Para las tensiones y corrientes de estos diodos encontramos las mismas especificaciones de los diodos de seal. Como estos diodos se destinan tpicamente a rectificacin, con grandes superficies de junturas, su operacin es lenta lo que impide su empleo en corrientes de alta frecuencia. Existen mientras tanto diodos especiales para rectificacin cuya construccin interna permite una mayor rapidez de pasaje del estado de no conduccin para plena conduccin y viceversa. Estos son diodos rpidos o de alta velocidad. Para estos diodos tambin tenemos dos nomenclaturas bsicas. Los tipos noteamericanos comienzan con 1N, como por ejemplo los de la conocida serie 1N4000. Esta serie esta formada por siete cuyas corrientes mximas directas son de 1A, pero que poseen tensiones que varian de 50V (VRRM) hasta 1.000V que corresponden de 25 a 500V de tensin eficaz mxima (Vef), conforme muestra la tabla de abajo. Los ti-

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pacitor est totalmente descargado. En estas condiciones el capacitor representa una resistencia muy baja que drena una corriente elevada, mucho mayor que la normal, obtenida despus de su carga cuando apenas el resistor es recorrido por corriente. As, tenemos que considerar la corriente mxima que circula en el momento de la conexin y que es un valor instantneo, de la corriente media que circula cuando el circuito se estabiliza (que es valor medio). Otras informaciones que pueden aparecer en los catlogos de los fabricantes de diodos, que tienen importancia en funcin de la aplicacin son: a) Tensin directa dada por VF (FD FORWARD) que normalmente es indicada para una corriente dada (IF). Cuando polarizamos el diodo en el sentido directo, como vimos, hay una caida de tensin en la juntura que depende de su naturaleza. Esta cada tambin es funcin de la intensidad de la corriente y puede variar entre fraccin de volt hasta 1 o ms volt.

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As, el diodo 1N4148 tiene una VF de 100V y 10 mA de corriente directa (IF). b) Capacidad de las junturas. Esta especificacin es importante en los casos en que utilizamos los diodos en conmutacin rpida. La sigla usada es Cd y el valor normalmente esta en picofarad (pF)

Diodos Rectificadores Estos son diodos destinados a trabajar con corrientes intensas, y se los encuentra normalmente en fuentes de alimentacin su juntu-

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mienzan con la indicacin 1N; * Los tipos europeos de germanio comienzan con A y los de silicio con B.

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pos europeos comienzan con la letra B, ya que para la rectificacin los diodos de silicio son mejores que los de germania, as todos los tipos normales para corrientes elevadas estn hechos de este material. La letra siguiente es la Y que indica la funcin de rectificar; tenemos entonces como ejemplo los siguientes tipos: BY127, BY126, BY100, BYX55, etc. En este ltimo tipo, la X indica alta potencia, ya que se trata de un diodo de gran corriente.

Algunas Aclaraciones Qu signica seal? Las tensiones alternas, como por ejemplo la que corresponde a una seal de audio, una seal de radio, de pequea intensidad, o incluso las tensiones que corresponden a voces o a sonidos complejos que poseen una frecuencia fija as como una intensidad media que puede ser determinada en un intervalo de tiempo, son consideradas seales. As, es comn que hablemos de seales de audio, seales de radio, segn su frecuencia al designar las tensiones de pequea intensidad pero que eventualmente vara en el tiempo, porque transporta una informacin, que aparece en los circuitos electrnicos. Qu son transitorios? La tensin de la red de alimentacin, por ejemplo, es alterna con forma de onda sinusoidal, como muestra la figura 36. Sin embargo, se pueden introducir disturbios en la red cuando conectamos un motor, o incluso debido a la descarga elctrica de un rayo. En estas condiciones pueden surgir picos instantneos o sea, pulsos de corta duracin pero que tienen valores mucho mayores que la tensin de la propia red, como muestra la figura 37.

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Muchos aparatos poseen protecciones contra estos pulsos, pero en los casos en que no es as, se pueden daar componentes. Las microcomputadoras y otros aparatos delicados puedan resultar con componentes quemados por un pulso de stos, que en algunos casos pueden superar fcilmente los 1.000V. Los dispositivos ms robustos, como lmparas, motores, etc., no sufren tanto, pues la duracin del pulso es tan pequea que la energa que lleva no causaria dao por sobrecarga.

En Resumen, podemos decir que: * Existen muchos tipos de diodos que se diferencian tanto en la construccin como en la aplicacin. * Los diodos de seal son diodos de pequeas corrientes y altas velocidades en algunos casos. * Los diodos son especificados por dos magnitudes mximas: * La corriente mxima que puede circular en sentido directo; * La tensin aplicada que se puede aplicar en el sentido inverso. * Los diodos rectificadores operan con corrientes elevadas. * Los diodos rectificadores son normalmente de silicio. * Los tipos americanos co-

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