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Varistores: Propiedades y aplicacin

I IN NT TR RO OD DU UC CC CI I N N A A L LO OS S V VA AR RI IS ST TO OR RE ES S: : S SU US S
P PR RO OP PI IE ED DA AD DE ES S Y Y A AP PL LI IC CA AC CI I N N











Dr. Daniel Fernndez Hevia - Mayo 2010
Director de I+D+i INAEL Electrical Systems dfhevia@inael.com
Project Leader Centro Instrumental Fisicoqumico para el Desarrollo de la Investigacin Aplicada
(CIDIA) Universidad de Las palmas de Gran Canaria dfhevia@cidia.ulpgc.es
INAEL, S.A.



2
Varistores: Propiedades y aplicacin



C Co on nt te en ni id do o
1 Introduccin. ........................................................................................................................................ 3
2 Transitorios electromagnticos en redes elctricas. ............................................................................. 5
2.1 Sobretensiones atmosfricas. ..............................................................................................5
2.2 Sobretensiones de maniobra o conmutacin. ......................................................................6
2.3 Sobretensiones inducidas por acoplamiento electromagntico. ...........................................7
3 Aplicacin de varistores a la proteccin contra sobretensiones en equipos conectados a redes
elctricas. .................................................................................................................................................... 7
3.1 Generalidades. ....................................................................................................................7
3.2 Comportamiento inductivo intrnseco en el rgimen de ruptura: su influencia e impacto
sobre el diseo de protecciones. ................................................................................................... 10
4 Parmetros elctricos funcionales para la aplicacin de varistores como dispositivos de
proteccin contra sobretensiones. ............................................................................................................. 13
5 Ejemplo de utilizacin de los parmetros elctricos: optimizacin de las prestaciones de un
varistor de alta tensin. ............................................................................................................................. 16
6 Propiedades fsicas macroscpicas no elctricas relevantes para la aplicacin de varistores como
dispositivos de proteccin contra sobretensiones: modos de fallo. ............................................................ 21
6.1 Puncin. ............................................................................................................................ 22
6.2 Fractura trmica. ............................................................................................................... 23
7 Influencia del desorden ...................................................................................................................... 23
8 Referencias ........................................................................................................................................ 27











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Varistores: Propiedades y aplicacin

1 1 I In nt tr ro od du uc cc ci i n n. .
Los equipos electrnicos domsticos que todos utilizamos diariamente, desde la televisin al
telfono mvil, son cada vez ms sensibles en cuanto a la estabilidad elctrica de sus condiciones de
funcionamiento. Muchos de estos aparatos electrnicos, alimentados a partir de grandes redes de
transmisin y distribucin de energa elctrica, son muy vulnerables ante los fenmenos transitorios
(sobretensiones y/o sobreintensidades de corriente) que habitualmente se producen en dichas
redes. Otros, como los telfonos mviles, que obtienen la energa elctrica a partir de bateras ms o
menos autnomas, se mantienen acoplados al entorno mediante diversos fenmenos
electromagnticos: en realidad los circuitos internos de estos aparatos se comportan precisamente
como una lnea de distribucin de energa elctrica, amenazada por el mismo tipo de fenmenos
transitorios que las grandes redes de distribucin/transmisin en baja, media, o alta tensin. Por este
motivo, los dispositivos de proteccin frente a fenmenos transitorios electromagnticos han
cobrado una gran importancia a la hora de garantizar la fiabilidad del complejo entramado
tecnolgico moderno.
Como ya se indic en la introduccin, los varistores son semiconductores policristalinos, cuyo
peculiar mecanismo de transporte de carga elctrica origina unas propiedades de conduccin
extremadamente no lineales. Esta no linealidad extrema permite a los varistores ejercer una
proteccin eficaz contra uno de los fenmenos electromagnticos ms habituales y dainos: la
sobretensin transitoria, que consiste en que la tensin aplicada a una parte de un sistema elctrico
excede, durante un cierto periodo de tiempo, la tensin nominal de funcionamiento de dicho
sistema, pudiendo producir la rotura del aislamiento elctrico y la destruccin del sistema. As, los
varistores se sitan en un lugar destacado entre los diversos sistemas de proteccin de redes
elctricas, ya sean grandes redes de transmisin en el rango de los MV, o redes internas en los
circuitos electrnicos de un telfono mvil operando a 2V. No es difcil, por tanto, comprender su
relevancia tecnolgica y econmica.
El principio bsico de aplicacin de varistores a la proteccin de redes elctricas contra
sobretensiones, es fcil de comprender con ayuda de la Figura 6.1. El varistor se disea de manera
que en su rgimen normal de funcionamiento est sometido a un campo representado por el Punto 1
de la Fig. 6.1: entre sus terminales existir una diferencia de potencial V
C
llamada de
funcionamiento continuo; como podemos ver en la Fig. 2, bajo tales condiciones el varistor se
comporta sustancialmente como un dielctrico de prdidas moderadas, i.e., a travs del varistor
fluye una corriente sustancialmente capacitiva, con una pequea componente en fase con el campo
aplicado que causa unas prdidas de magnitud despreciable. Cuando el campo a travs del varistor
aumenta y alcanza un valor umbral, representado por el Punto 2 de la Fig. 6.1 y caracterizado por un
valor umbral V
B
de la d.d.p. entre sus terminales, el varistor pasa de un estado aislante,
esencialmente capacitivo, a un estado conductor, esencialmente resistivo: en el Punto 2 de la Fig.
6.1, el varistor representa sustancialmente un cortocircuito en la red elctrica, absorbiendo corriente
de la misma y limitando la tensin en el punto en el que est conectado a un valor igual al de su
resistencia multiplicada por la intensidad de corriente que lo recorre.


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Varistores: Propiedades y aplicacin

En este captulo, comenzamos resumiendo los mecanismos de aparicin y propagacin de
sobretensiones en sistemas elctricos. A continuacin, introducimos al lector en la naturaleza,
caractersticas generales y parmetros destacados de los materiales varistores, para exponer
finalmente los fundamentos de la aplicacin de varistores a la proteccin contra sobretensiones.
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
0,1
1
10
U
B
onda de sobretensin
Punto 3
Punto 2
Punto 1
c
a
m
p
o

e
l

c
t
r
i
c
o


-


E


(
k
V

/

c
m
)
densidad de corriente - J (A / cm
2
)

Figura 6.1. Caracterstica JE de un varistor comercial. En el Punto 1, el campo a travs del varistor es debido a
una d.d.p. V
C
entre sus terminales. En el punto 2, la d.d.p. en bornes ha aumentado hasta un cierto valor V
B
y el
dispositivo conmuta a un estado conductor.


Figura 6.2. Oscilograma tpico de un varistor en el Punto 1 de la Fig. 6.1: el dispositivo est actuando en
rgimen capacitivo, consumiendo una potencia despreciable (0.017W). Siendo las ondas de tensin y corriente
armnicas, con distorsin armnica total <0.5%, la componente resistiva de la corriente se calcula como
2P/V
mx
12A.


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Varistores: Propiedades y aplicacin

2 2 T Tr ra an ns si it to or ri io os s e el le ec ct tr ro om ma ag gn n t ti ic co os s e en n r re ed de es s e el l c ct tr ri ic ca as s. .
Las sobretensiones transitorias son fenmenos electromagnticos caracterizados por un
sbito aumento de la diferencia de potencial entre dos conductores, la cual alcanza valores que
superan los mximos previstos para el sistema y, por tanto, causa la destruccin del mismo [3,4].
Este tipo de fenmenos transitorios se puede originar de diversas maneras, siendo las ms
importantes las tres siguientes [4,1-9]:

2 2. .1 1 S So ob br re et te en ns si io on ne es s a at tm mo os sf f r ri ic ca as s. .

Originadas por impactos de rayo directos al sistema (ya sea a un conductor, elemento metlico
estructural, o a cualquier otra parte del sistema), o por induccin debida al impacto de rayos en las
inmediaciones del sistema. Cada uno de estos fenmenos es fuente de un conjunto de ondas viajeras
que se propagan por el circuito, cuyas amplitudes iniciales pueden ser enormes, dado que cada
impacto de rayo puede inyectar corrientes de 100 kA o ms en una lnea elctrica.
- En el caso de impactos directos [3,4], la velocidad de aumento de la sobretensin en
el frente de ondas es, en su origen, directamente proporcional al correspondiente parmetro
de la corriente del rayo, que bien puede superar los 100 kA/s. Esto es debido a que, en este
punto inicial, el valor de la tensin es simplemente el producto de la intensidad de corriente
inyectada en la lnea por su impedancia de onda [3,4,1]. Este caso se da con frecuencia en las
redes de transporte y distribucin de energa elctrica, pero es evidentemente infrecuente
en los sistemas electrnicos domsticos o telfonos mviles.
- En el caso de impactos en las inmediaciones de la red el fenmeno es ms complejo y
los clculos ms complicados [3,4,1,2,7,8]. La descarga atmosfrica es fuente de un campo
elctrico, llamado campo inductor, con dos componentes:

t
i m i e i
c
c
V = + =
A
E E E , , | . (6.1)
La primera es el potencial escalar inductor, creado por la carga residual en el impacto de
retorno, mientras que la segunda es el potencial vector inductor, creado por la corriente de
retorno. A partir de aqu, la integral de lnea del campo elctrico (1) proporcionara la tensin
inductora V
i
(r,t) en la red elctrica. Pero, desde luego, eso no es todo: uno medira esta
tensin inductora slo en ausencia de cualquier tipo de conductor. El valor de la tensin
inductora en puntos distintos, a diferentes distancias a lo largo de la lnea, ser distinto y,
siendo la lnea un buen conductor, estas diferencias de potencial tendern a igualarse por
medio del flujo de corrientes. Por tanto, el voltaje que puede realmente medirse y contra el
cual hay que proteger los distintos equipos conectados a la red, ser diferente de V
i
(r,t). Su

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Varistores: Propiedades y aplicacin

clculo es complicado e involucra la solucin de una ecuacin de ondas en la que V
i
(r,t)
aparece como trmino inhomogneo [3,4,1,2,7,8]:

2
2
2 2
2
2
1 1
t
V
c t
V
c
V
i
c
c
=
c
c
A . (6.2)

La ecuacin se transcribe slo por completitud: su solucin es, como salta a la vista, compleja
e intrnsecamente dependiente del modelo desde el primer momento (desde el propio
clculo del potencial inductor). Docenas de casos especficos han sido analizados y pueden
encontrarse en la literatura [2-9]. No obstante, para lo que concierne a este breve resumen,
la conclusin final es: una onda de sobretensin ha aparecido en el sistema y se propaga a
velocidad prxima a la de la luz. Evidentemente, esta onda no puede tener informacin
sobre lo que le espera al final de la lnea a varios kilmetros de su origen y se propaga con
mayor o menor atenuacin y distorsin hasta que llega al punto en el que se encuentra el
equipo sensible y, por tanto, los varistores que deben protegerlo contra la onda de
sobretensin incidente. Cmo acta dicha proteccin ser el objeto del siguiente epgrafe.
En general, los frentes de onda de valores muy altos quedan pronto cortados por la
ruptura dielctrica de los sistemas de aislamiento. De este modo, ondas viajeras con frentes
de onda muy abruptos (i.e., con dV/dt muy grande) alcanzan frecuentemente los equipos
conectados a la red (v.g., transformadores), sometindoles a solicitaciones que, casi siempre,
exceden sus capacidades: la proteccin, no slo contra sobretensiones en general, sino
especficamente contra sobretensiones de frente de onda escarpado, ser uno de los puntos
que discutiremos a la hora de caracterizar las prestaciones de un varistor. Lo cierto es que,
desde su origen, la onda que se propaga por la red se atena y distorsiona debido,
bsicamente, a las prdidas en los conductores, efecto corona, conductividad finita del suelo
y cambios locales en los parmetros que definen la impedancia de onda de la red. De este
modo, la variedad de formas de onda de sobretensin que pueden alcanzar los puntos
sensibles de la red y a las que, por tanto, debe hacer frente el sistema de proteccin, es
ilimitada.

2 2. .2 2 S So ob br re et te en ns si io on ne es s d de e m ma an ni io ob br ra a o o c co on nm mu ut ta ac ci i n n. .
Generadas por efecto de los cambios bruscos en las condiciones de carga del sistema [3,4]. El
ejemplo clsico es la apertura de un interruptor o, ms an, la actuacin de un sistema limitador de
sobreintensidad (v.g., un fusible), que fuerce la extincin de la corriente antes de su paso natural por
cero: cualquiera de estas maniobras produce en la red severos transitorios de sobretensin, as como
la liberacin de grandes cantidades de energa previamente almacenadas en los campos
electromagnticos correspondientes [4]. A todo ello deben hacer frente los varistores. Cabe notar
que este tipo de fenmenos son especialmente frecuentes y dainos en redes de baja tensin y, ms
especficamente, en sistemas electrnicos domsticos e industriales.

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Varistores: Propiedades y aplicacin


2 2. .3 3 S So ob br re et te en ns si io on ne es s i in nd du uc ci id da as s p po or r a ac co op pl la am mi ie en nt to o e el le ec ct tr ro om ma ag gn n t ti ic co o. .
Este caso es en realidad una combinacin de los dos anteriores: se trata de todos aquellos
fenmenos transitorios inducidos en un sistema elctrico por un mecanismo idntico al descrito para
las sobretensiones atmosfricas inducidas, pero cuyo origen no se encuentra en la descarga de un
rayo sino en el entorno radioelctrico en el que est instalado el sistema. Este punto entra de lleno
en el muy discutido asunto de la compatibilidad electromagntica y, por lo que toca al presente
trabajo, basta con apuntar que cualquier maniobra en un sistema elctrico puede, por acoplamiento
capacitivo a radiado, perturbar otro sistema vecino, generando una sobretensin.
La variedad de sistemas de proteccin desarrollados a lo largo del tiempo para proteger los
equipos conectados a las redes elctricas contra estos fenmenos, las peculiaridades, ventajas e
inconvenientes de cada uno de ellos y la sucesin de tecnologas involucradas en su diseo y
fabricacin podran ocupar todo un libro. Nos limitaremos a resear, por su relevancia en posteriores
secciones, que todos ellos adolecan de un problema comn: la lentitud e inadecuacin de su
respuesta ante transitorios escarpados (entendiendo por tales, sobretensiones propagadas por la red
y cuyo frente de onda presenta una pendiente muy elevada).

3 3 A Ap pl li ic ca ac ci i n n d de e v va ar ri is st to or re es s a a l la a p pr ro ot te ec cc ci i n n c co on nt tr ra a s so ob br re et te en ns si io on ne es s e en n
e eq qu ui ip po os s c co on ne ec ct ta ad do os s a a r re ed de es s e el l c ct tr ri ic ca as s. .

3 3. .1 1 G Ge en ne er ra al li id da ad de es s. .
Consideremos la situacin representada en la Figura 6.3. Una onda de sobretensin,
originada en el punto A como consecuencia de cualquiera de los eventos mencionados en la seccin
6.2, se propaga por una red elctrica y amenaza con alcanzar el equipo sensible situado en el punto
C. Ubicado en el punto B, entre el origen de la perturbacin y el equipo a proteger, encontramos un
pararrayos, cuyos principios de funcionamiento y proceso de actuacin pretendemos describir. El
pararrayos no es sino un varistor encapsulado en un recubrimiento aislante y dotado de un
recubrimiento y del conjunto de elementos mecnicos que permiten su instalacin en la red
elctrica. Para fijar ideas, supongamos que la distancia entre los puntos B y C es de 30m, como
aparece en la Figura 3.


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Varistores: Propiedades y aplicacin


Figura 6.3. Representacin esquemtica de una onda de sobretensin propagndose por una lnea hasta
alcanzar un equipo sensible, protegido por un pararrayos. U
S
onda de sobretensin; U
res
tensin mxima en
bornes del pararrayos, relacionada con la tensin mxima en el equipo a proteger por la distancia de
separacin entre ambos (y la inductancia del cable que los une, efecto no tenido en cuenta en esta figura).

Pasemos ahora a la Figura 6.1, en la que se presenta la respuesta I-V de un tpico varistor
comercial, obtenida mediante los procedimientos desarrollados por los autores y que describiremos
en las siguientes secciones. Ntese que la curva se ha obtenido en parmetros intensivos, i.e.,
representa en realidad una caracterstica de densidad de corriente frente a campo elctrico. El
campo elctrico correspondiente al punto marcado como Punto 2 en la Figura 6.1 es el campo de
conmutacin entre los estados aislante y conductor del dispositivo y, para fijar ideas,
supondremos que corresponde a un voltaje total (marcado U
b
en la Figura 6.1) de 40 kV a travs del
dispositivo pararrayos representado en la Figura 6.3. Asimismo, supondremos que en el rgimen
operativo normal el pararrayos se encuentra en un punto tal y como el Punto 1 de la Figura 6.1 en el
que, como fcilmente se puede apreciar a partir de las Figuras 6.1 y 6.2, el comportamiento del
varistor es, a todos los efectos, aislante: no slo la corriente total que fluye a su travs es
extraordinariamente pequea sino que, de hecho, es esencialmente capacitiva, como la que se
podra encontrar en cualquier aislador.
En la Figura 6.3, una onda viajera de sobretensin, con una pendiente de 100 kV/s (valor
este muy prudente pues, en realidad, los valores alcanzados suelen ser mucho mayores, del orden de
1000 kV/s), alcanza la localizacin del pararrayos en el instante t=0 s y comienza a elevar la tensin
en el mismo a un ritmo de 100 kV/s . Hasta ese momento, la onda se ha propagado por la red, con
mayor o menor atenuacin y distorsin desde su origen en el punto A. Cuando la perturbacin
alcanza B, en t=0, encontrando a los varistores en el estado 1 de la Figura 6.2, la onda no ve nada
anormal: el pararrayos se comporta como un circuito abierto, y no tiene lugar fenmeno alguno de
refraccin o reflexin. En t=0.1s, la onda alcanza el equipo situado en el punto C el cual, por lo
comn, constituye una muy alta impedancia, i.e., casi un circuito abierto. En estas condiciones,
cuando la onda llega a C, la tensin en dicho punto comienza a crecer a un ritmo de 200 kV/s,
debido a los bien conocidos fenmenos de reflexin y refraccin de ondas en extremos abiertos
[3,4]. En el mismo instante t=0.1s, una onda reflejada desde C, con una pendiente de 100 kV/s,
comienza a viajar de nuevo hacia el punto B, donde se encuentra el pararrayos, alcanzndolo en
t=0.2s. En este momento, la tensin en el pararrayos comienza a crecer, no ya a 100 kV/s sino a
200 kV/s. As, la diferencia de potencial entre los extremos del pararrayos alcanza la tensin de

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Varistores: Propiedades y aplicacin

conmutacin de 40 kV en t=0.3s. En ese momento nos encontramos en el Punto 2 de la Figura 6.1:
la tensin correspondiente (marcada U
b
en la Fig. 6.2) se suele llamar tensin de conmutacin o,
ms impropiamente, tensin de ruptura [92,94]. A partir de ese instante la onda trata de seguir
aumentando la tensin del punto B respecto a tierra pero, simplemente, no puede: la impedancia del
pararrayos est cambiando a ritmo vertiginoso, manteniendo la diferencia de potencial entre sus
extremos prcticamente constante, y extrayendo de la red (a costa de la carga inyectada por la onda
de sobretensin) la corriente necesaria para mantener esta situacin. El estado del pararrayos se
desplaza, en un tiempo de conmutacin de nanosegundos (de cuya caracterizacin elctrica
macroscpica nos ocuparemos en la seccin 6.3.2), desde el Punto 2 hasta el Punto 3 de la Figura 6.2.
Desde luego, en esa excursin el elemento activo del dispositivo de proteccin (el varistor!) est
absorbiendo grandes cantidades de energa que estn siendo suministradas por la perturbacin. La
tensin en bornes del pararrayos se mantiene prcticamente constante a partir de este momento.
Desde el punto de vista general de la teora de transitorios en sistemas elctricos, para mantener su
voltaje a 40 kV en contra de la onda incidente (que, recordemos, crece ahora a 200 kV/s en el
emplazamiento del pararrayos), el elemento activo del pararrayos emite una onda de tensin de
200 kV/s que se propaga en ambas direcciones hasta alcanzar el punto C en t=0.4 s, pasando en
ese momento, por causa de la refraccin en el circuito abierto (que, como hemos dicho, constituye
el equipo a proteger), a convertirse en una onda de 400 kV/s. As, la tensin total en las
terminales del equipo cae a un ritmo de 200 kV/s a partir de ese instante: el valor de cresta
alcanzado en el equipo ha sido de 60 kV por un breve tiempo y, a partir de ah, queda limitado a los
40 kV impuestos por el pararrayos durante el resto de la perturbacin. La Figura 6.4 muestra un
resumen de los acontecimientos que han tenido lugar tanto en el pararrayos como en los terminales
del equipo a proteger.
-0,1 0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8
0
10
20
30
40
50
60
voltaje en el pararrayos
voltaje en el transformador
v
o
l
t
a
j
e


-


k
V
tiempo - s

Figura 6.4. Evolucin del voltaje entre terminales del pararrayos y del equipo al que protege, el cual soporta
una tensin superior a la de descarga del pararrayos, debido a distancia entre ambos y al tiempo finito de
propagacin de la perturbacin. Existe otra fuente de sobretensin, no considerada en el presente anlisis, que
puede elevar an ms el voltaje en los terminales del equipo sensible con respecto a la tensin de descarga del
pararrayos: la inductancia parsita del cable que los une.


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Varistores: Propiedades y aplicacin


Para terminar, conviene hacer aqu una sutil distincin. Una cosa son aquellas propiedades
de los varistores de ZnO que los convierten en elementos idneos para su empleo como dispositivos
de proteccin contra sobretensiones, suponiendo que el dispositivo es, por lo dems, perfecto: esto
es, principalmente, la caracterstica I-V mostrada en la Figura 6.2. Otra cosa son las propiedades que
permitirn al varistor enfrentarse a las solicitaciones colaterales que sobre este dispositivo pueden
aparecer en el ejercicio de su funcin [6-33]. Como veremos ms adelante, estas solicitaciones
pueden llegar a ser dominantes a la hora de imponer parmetros de proceso cermico y criterios de
diseo relativos al producto final, i.e., al pararrayos. En este sentido insistamos en que, cuando un
varistor acta, est absorbiendo energa en cantidades que, de hecho, pueden llegar a ser muy
grandes: en realidad, esta absorcin de energa es tambin parte de su funcin de proteccin.
Adicionalmente, durante toda su vida til est sometido a la tensin normal de red y conduciendo,
por tanto, una cierta corriente de fuga, aunque sea pequea, que puede comprometer su estabilidad
trmica. Pues bien, los principios generales que rigen la degradacin, prdida de propiedades y
eventual destruccin de los varistores, son de la mxima importancia, pues de nada serviran estos
dispositivos si no pudieran instalarse de forma fiable y permanente en los sistemas elctricos.
Debemos subrayar aqu y ahora que no existen, en un varistor, parmetros verdaderamente
independientes: obtener un varistor que ofrezca las prestaciones adecuadas en trminos de su
caracterstica I-V, no es independiente de conseguir un varistor que satisfaga tambin el resto de
solicitaciones. Existen numerosos parmetros de proceso e, incluso, de formulacin bsica, que
afectan a diversas facetas de forma simultnea. Sin embargo, desde el punto de vista de la ingeniera
del producto final, encontramos especialmente til separar ambas variantes de las prestaciones del
varistor (la respuesta elctrica asptica y la respuesta termomecnica derivada de las solicitaciones
energticas), pues los mtodos de caracterizacin aplicables son, en efecto, muy diferentes. De
hecho, la filosofa de caracterizacin y control que describimos en el presente trabajo se basa de
manera directa en esta separacin, y en la distinta influencia que las variables de proceso pueden
ejercer sobre uno u otro aspecto del comportamiento de la muestra.


3 3. .2 2 C Co om mp po or rt ta am mi ie en nt to o i in nd du uc ct ti iv vo o i in nt tr r n ns se ec co o e en n e el l r r g gi im me en n d de e r ru up pt tu ur ra a: : s su u
i in nf fl lu ue en nc ci ia a e e i im mp pa ac ct to o s so ob br re e e el l d di is se e o o d de e p pr ro ot te ec cc ci io on ne es s. .

La sobreoscilacin inicial en voltaje y la aparicin de capacidades negativas son fenmenos
interesantes y de gran importancia prctica [337,92-97]. En el caso de la aparicin de capacidades
negativas, el origen del fenmeno se encuentra en el mecanismo de transporte en rgimen de
ruptura; en el caso de la sobreoscilacin inicial en voltaje el origen del fenmeno no se comprende
del todo, y parece estar asociado al pequeo retardo intrnseco al disparo de los mecanismos
dinmicos de transporte y reduccin de la altura de la barrera. En ambos casos, la consecuencia
prctica ms relevante es la aparicin de un comportamiento esencialmente inductivo [10,11],

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Varistores: Propiedades y aplicacin

especialmente acusado cuando el frente de onda de sobretensin es muy abrupto [92-97]. Y, por
ello, los fenmenos en cuestin, nacidos de los detalles microscpicos del mecanismo de transporte
bajo campos elevados, resultan ser de una especial relevancia funcional, pues la correcta aplicacin
de varistores requiere el conocimiento de su respuesta ante las perturbaciones que se propagan con
frentes de onda muy abruptos (en el rango de 10 kA/s).

Como hemos dicho en los captulos anteriores, la respuesta dinmica de los bordes de grano
viene controlada por los tiempos de relajacin para la carga atrapada en la interfase y en trampas
profundas, y por el tiempo de recombinacin de portadores minoritarios atrapados en la interfase
(huecos) y portadores mayoritarios (electrones). Los retardos en el llenado y vaciado de los estados
de interfase y trampas modulan la respuesta dinmica en el BG, que deviene retardada con respecto
al potencial aplicado. Los efectos de este posible retardo en el disparo de los mecanismos de
conduccin son fciles de entender: supongamos una situacin como la descrita en 2.3.1, pero en la
que el frente de onda incidente tenga una pendiente de ms de 1000 kV/s; la situacin
evolucionara como en 2.3.1, salvo que la tensin de conmutacin V
B
se alcanzara en el pararrayos
en menos de 30ns, i.e., el pararrayos pasara del Punto 1 al Punto 2 de la Fig. 2 en unos pocos
nanosegundos; en estas circunstancias, a pesar de haber entrado ya en el codo de conmutacin, el
material an tardara un cierto tiempo en poder desencadenar los mecanismos que llevan al colapso
de las barreras y a la conduccin en rgimen de alta corriente. El tiempo adicional necesario es del
orden de algunos nanosegundos, pero es suficiente para que la rapidsima sobretensin incidente
tenga tiempo de crecer por encima del valor de descarga (correspondiente al Punto 3 de la Figura
2), al que finalmente se ver reducida cuando el pararrayos conmute por fin a su estado de alta
conduccin. En consecuencia, aparecer entre los terminales del varistor una sobreoscilacin inicial
en la onda de voltaje (Figura 6.5) y la sobretensin mxima en bornes del equipo protegido no estar
en fase con la corriente descargada, sino que se adelantar al mximo de dicha corriente
(comportamiento inductivo). Adems, la amplitud de esta sobretensin no ser la correspondiente a
la corriente mxima descargada de acuerdo con la correspondiente curva I-V, sino que ser superior,
tanto ms grande cuanto ms abrupta sea la pendiente de crecimiento del voltaje en el frente de
onda y cuanto mayor sea el retardo de la conduccin. El resultado final equivale a un carcter no
univaluado de la caracterstica I-V: en la Figura 6.5 vemos que, para un mismo valor de corriente,
existen dos valores distintos de voltaje: uno en el frente de la onda (que sera el afectado por el
retardo en el disparo del mecanismo de conduccin) y otro en la cola (que sera el valor que
podramos considerar como natural o intrnseco al dispositivo, una vez plenamente alcanzado el
rgimen de alta conductividad). La sobreoscilacin est adelantada con respecto a la onda de
intensidad y, por tanto, es equivalente a un efecto inductivo. Por este motivo, la primera
preocupacin al intentar obtener una caracterizacin fiable de la respuesta de un varistor en este
rgimen es eliminar todo efecto inductivo parsito de los circuitos y sistemas de medida [96], a fin de
poder aislar el efecto intrnseco al varistor; por ejemplo, la propia longitud de la muestra introduce
una inductancia en el circuito que produce un efecto de sobreoscilacin similar al descrito. En 7.X
planteamos la descripcin cuantitativa del fenmeno y describimos los mtodos experimentales
desarrollados para discriminar entre todos los efectos inductivos externos o parsitos y el efecto
inductivo intrnseco debido a la dinmica retardada en BG.

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Varistores: Propiedades y aplicacin




Figura 6.5. Ilustracin del carcter no univaluado de la caracterstica I-V cuando los tiempos de reaccin
involucrados se encuentran en el rango de ns: el impulso de la figura crece a un ritmo de casi 10kA/s, de
modo que el varistor debera haber sido capaz de experimentar la transicin aislante-conductor en menos de 1
ns (1 ns despus del inicio del impulso debera estar conduciendo 10 A). En este rgimen los retardos en la
cada exponencial del potencial barrera debidos a los tiempos de relajacin de la carga atrapada en BG y de
recombinacin de pares electrn-hueco, se manifiestan a nivel macroscpico de manera espectacular.

La Figura 6.5 ilustra la naturaleza multivaluada de la caracterstica I-V dinmica, i.e., obtenida
bajo condiciones no estacionarias. En el siguiente captulo describiremos los circuitos y sistemas de
medida (altamente no estndar) que hemos diseado para medir este tipo de respuestas. Lo
importante ahora es ver cmo el valor del voltaje a travs del varistor (para un mismo valor I
0
de la
corriente que lo atraviesa) es mayor cuando se mide en el frente de la onda (V
1
) que cuando se mide
en la cola (V
2
). La magnitud de este fenmeno se cuantifica mediante la obtencin de una curva de
sobreoscilacin inicial en voltaje frente a tiempo hasta la cresta de corriente para un valor mximo
fijo de la amplitud de la onda de corriente inyectada en la muestra [104].




13
Varistores: Propiedades y aplicacin

4 4 P Pa ar r m me et tr ro os s e el l c ct tr ri ic co os s f fu un nc ci io on na al le es s p pa ar ra a l la a a ap pl li ic ca ac ci i n n d de e
v va ar ri is st to or re es s c co om mo o d di is sp po os si it ti iv vo os s d de e p pr ro ot te ec cc ci i n n c co on nt tr ra a
s so ob br re et te en ns si io on ne es s. .
Desde un punto de vista prctico, directamente relacionado con el diseo de protecciones
para sistemas elctricos, la caracterstica I-V (o, en parmetros intensivos, J-E) completa de un
varistor (vase Figura 6.6) presenta tres zonas diferenciadas: (i) la regin de corrientes de fuga; (ii) la
regin de conmutacin y, por ltimo, (iii) la regin de alta corriente (o de remonte). Estos tramos
quedan conectados entre s por medio de dos codos: (i) el codo de conmutacin, donde comienza la
transicin del varistor entre el estado capacitivo de alta resistencia y el resistivo de alta
conductividad; (ii) el codo de remonte, donde las propiedades del elemento pasan de ser borde-de-
grano-dominadas a ser grano-dominadas, i.e., controladas por la resistividad del interior de grano
en el material. Las tensiones correspondientes a puntos en el codo de conmutacin se suelen llamar
tensiones de referencia; as, v.g., la tensin de referencia a 0.38 mA/cm
2
constituye un tpico
parmetro de control en la produccin industrial. Se suele utilizar el apelativo de descarga para las
tensiones y corrientes del codo de remonte y la regin de alta corriente, en referencia a que el
varistor slo alcanza estas regiones de su caracterstica I-V durante las operaciones de descarga a
tierra de sobretensiones transitorias (vase secc. 6.3). Tambin es muy habitual, sobre todo en el
contexto de ingeniera de pararrayos, referirse a las tensiones en esta regin con el calificativo de
tensiones residuales: son los voltajes que el dispositivo dejar pasar (segn lo visto en la seccin
anterior) a los terminales del equipo protegido y, por tanto, su valor a diferentes corrientes de
descarga constituye uno de los parmetros clave de proteccin.
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
0,1
1
10
U
res
@ 10 kA
c
o
d
o

d
e

r
e
m
o
n
t
e
codo de conmutacin
alta corriente
U
c
U
B
regin de conmutacin corrientes de fuga
c
a
m
p
o

e
l

c
t
r
i
c
o


-


E


(
k
V

/

c
m
)
densidad de corriente - J (A / cm
2
)

Figura 6.6. descripcin de las distintas regiones de funcionamiento de un varistor. (i) U
C
corresponde a algn
punto en la zona de corrientes de fuga; (ii) U
B
es el voltaje correspondiente a algn punto en el codo de
conmutacin, cuya definicin exacta difiere entre diversos autores (vase 4.1.1); (iii) la tensin
correspondiente a una corriente de 10 kA es un parmetro de control estndar.

14
Varistores: Propiedades y aplicacin



La curva I-V aporta algunos de los parmetros crticos de funcionamiento del varistor:

- Tensin de conmutacin (o tensin de ruptura) V
B
. La definicin de este parmetro difiere
notablemente entre distintos autores. En ingeniera de protecciones para sistemas elctricos, se
suele definir como la tensin correspondiente a una densidad de corriente (d.c. o a.c.-valor cresta)
de 0.38 mA/cm
2
(que corresponde a 5mA en un varistor de dimetro 4.2cm) y se designa como
tensin de referencia. En el resto de contextos, se suele definir V
B
como la tensin correspondiente a
una densidad de corriente (d.c. o a.c.-valor cresta) de 1mA/cm
2
. Alternativamente, se puede definir
como la tensin correspondiente al valor mximo de la funcin (V) y, en ese caso, se acostumbra a
llamar coeficiente de no linealidad, al valor =(V
B
).

- Coeficiente de no linealidad :

) (ln
) (ln
) ( ) (
V d
I d
I V = o o o (6.3)

La funcin contiene la informacin operativa sobre el carcter no lineal de la conduccin a travs
del varistor.

- Tensiones residuales y de referencia. Factor de codo y factor de bloqueo.

V
QkA
:= tensin residual a Q kA (valor cresta), medida con un pulso de pendiente en el frente
de onda 1 kA/s para evitar efectos espreos debidos a la sobreoscilacin inicial en voltaje.
El valor correspondiente a 10 kA (V
10kA
) se designa por convenio como la tensin nominal de
descarga del elemento.

V
NmA
:= tensin de referencia a N mA (valor d.c. o a.c.-cresta). Valores tpicos para N son 5
mA, 20 mA el valor correspondiente a 1mA/cm
2
.

FC factor de codo V
XmA
/ V
YmA
, donde X mA es un punto (elegido normalmente como el
correspondiente a 0.38 mA/cm
2
) que est claramente dentro del codo de conmutacin y Y
mA (elegido normalmente entre 0.09-0.10 mA/cm
2
) es un punto que est al principio del
codo de conmutacin. Este parmetro cuantifica el carcter pronunciado del codo de
conmutacin: cuanto ms prximo sea a 1, ms acentuado es dicho codo (ms parecido a un
ngulo recto).

15
Varistores: Propiedades y aplicacin


FB factor de bloqueo V
10kA
/ V
NmA
; se trata de un parmetro que cuantifica la no-
linealidad de la caracterstica I-V y aporta informacin sobre la bondad del varistor como
dispositivo de proteccin. Valdra 1 si el codo de conmutacin fuera un ngulo recto, la
regin de conmutacin fuera perfectamente plana y la relacin de resistividades entre
granos y BGs fuera tal que la corriente 10 kA estuviera an en la zona controlada por los BGs,
antes del codo de remonte. El valor del FB (siempre mayor que 1) es una cuantifica en qu
medida las condiciones anteriores no se cumplen, pero sin distinguir entre ellas. La reduccin
en el valor del factor de bloqueo indica siempre una mejora global en las prestaciones del
elemento.

- Corriente de fuga. Es la corriente (valor total o slo componente resistiva) correspondiente a un
voltaje convencionalmente igual al 80% de V
B
. Proporciona una indicacin acerca de la resistividad de
los bordes de grano antes del codo de conmutacin y, por tanto (vanse captulos 4 y 5) sobre la
altura inicial de las dobles barreras Schottky en las interfases.

- Mxima Tensin de Funcionamiento Continuo (MTFC) V
C
. Se trata de un parmetro de la mxima
relevancia prctica y cuya definicin es no es en absoluto directa ni trivial: el valor de la MTFC para
una muestra determinada se establece en funcin del resultado de un experimento de
envejecimiento acelerado establecido en la normativa internacional [Ref.5-Cap.5, 12, 13] vigente,
cuyo montaje e interpretacin son bastante complicados. En el Captulo 8 estudiaremos en cierto
detalle este parmetro, as como los experimentos conducentes a su definicin.

- Resistencia de fuga. La componente resistiva de la corriente en la regin de corrientes de fuga es
aproximadamente constante, correspondiendo a una resistencia equivalente en borde grano que se
mantiene estable (del orden de 10
12
para bordes de grano elctricamente activos y de buena
calidad) hasta la entrada en el codo de conmutacin: estamos en la regin de comportamiento lineal,
al principio de la respuesta I-V, caracterizada por la conductividad G
bt
de la interfase [vase ec. (4.42)
y Fig. 5.1]. Pues bien, la resistencia equivalente (1/G
bt
), vlida en el rgimen de muy bajas corrientes,
recibe el nombre de resistencia de fuga R
BG;0
.







16
Varistores: Propiedades y aplicacin

5 5 E Ej je em mp pl lo o d de e u ut ti il li iz za ac ci i n n d de e l lo os s p pa ar r m me et tr ro os s e el l c ct tr ri ic co os s: : o op pt ti im mi iz za ac ci i n n
d de e l la as s p pr re es st ta ac ci io on ne es s d de e u un n v va ar ri is st to or r d de e a al lt ta a t te en ns si i n n. .

La tensin residual nominal (tensin residual bajo impulso de corriente de amplitud igual a
10kA y forma de onda 8/20s) de un varistor se puede escribir, en general, como suma de una
contribucin de los bordes de grano ms una contribucin que proviene del interior de los granos:

V
10kA
= V
10kA;G
+ V
10kA;BG
(6.4)

y el FB:

FB V
10kA
/ V
NmA
= (V
10kA;G
+ V
10kA;BG
) / V
NmA;BG
; (6.5)

La teora de aplicacin de varistores a la proteccin de sistemas elctricos no privilegia la
presencia de 10kA en el codo de conmutacin o dentro de la regin de altas corrientes: mientras
V
10kA
sea lo suficientemente pequea como para proteger eficazmente los equipos, ambas opciones
parecen igualmente vlidas y tienen sus aparentes ventajas: si (i) V
10kA
est an en la zona borde-de-
grano-dominada, entonces V
10kA;BG
>>V
10kA;G
V
10kA
V
10kA;BG
y se podr jugar con su valor a base
de modificar parmetros de borde de grano (como el nmero de bordes de grano, su no linealidad o
la distribucin estadstica de buenas y malas barreras); en cambio, si (ii) V
10kA
est ya cerca de la zona
grano-dominada, entonces V
10kA;BG
>>V
10kA;G
V
10kA
V
10kA;G
y la tensin residual nominal debera
mantenerse constante para unas dimensiones dadas del dispositivo, pudindose jugar con el FB a
base de (A) aumentar V
B
V
5mA
(manteniendo la misma no linealidad en el codo-regin de
conmutacin), (B) mejorar la no linealidad en el codo-regin de conmutacin (manteniendo V
B

constante), o, finalmente, (C) ambas cosas a la vez. En el caso (i) (no as en el (ii)), toda actuacin
sobre propiedades de bordes de grano modifica tanto V
10kA
como V
B
V
5mA
y, en principio, no tiene
porqu hacerlo en la misma proporcin (i.e., los ajustes de parmetros de borde de grano no
tendran porqu mantener constante el FB). Sin embargo, nuestros resultados indican que la mayora
de las muestras comerciales pertenecen al caso (i), pero sus pequeas fluctuaciones en U
B
V
5mA
no
alteran el FB, que se mantiene sustancialmente constante. Esta realidad emprica nos ha llevado a
una interesante conclusin: la produccin industrial de varistores comerciales de alta calidad,
requiere el logro de unas condiciones de formulacin, preparacin de polvo precursor y proceso
cermico lo suficientemente robustas como para que cumplan los siguientes requisitos:

(1) V
10kA
debe localizarse en torno al codo de conmutacin, de modo que la cada de tensin en
bordes de grano domine an sobre la cada de tensin en los granos. Esta condicin es
necesaria para que el resto (2)-(4) sean tiles.


17
Varistores: Propiedades y aplicacin

(2) Las propiedades de la distribucin estadstica de tamaos y formas de grano y de las
concentraciones relativas de bordes de grano de distinta naturaleza (i.e., los parmetros de
descripcin cualitativa y cuantitativa del grado de desorden), as como la conductividad de
los granos, quedan definidos por la composicin, homogeneidad del polvo precursor y del
compactado en verde y por los parmetros del tratamiento trmico.
(3) Unos pocos parmetros del tratamiento trmico permiten pequeas variaciones, dentro de
las cuales slo controlan el tamao promedio de grano, sin alterar otras propiedades
microscpicas del varistor.

Bajo estas suposiciones, podemos entender que la dispersin en valores de V
B
,
supuestamente causada por las fluctuaciones de tratamiento trmico referidas en (3), se reflejen de
forma exactamente proporcional en V
10kA
de manera que el FB se mantenga casi constante:

V
5mA
V
5mA;BG
n V
5mA
V
10kA;BG
n V
10kA;BG
y, por tanto,
FB V
10kA
/ V
5mA
= (V
10kA;G
+ V
10kA;BG
) / (V
NmA;BG
) V
10kA;BG
/ V
NmA;BG

(V
10kA;G
+ n V
10kA;BG
) / (n V
NmA;BG
) =
[(1/n) V
10kA;G
+ V
10kA;BG
] / V
NmA;BG
V
10kA;BG
/ V
NmA;BG


Ntese que si V
10kA
se encuentra en una zona en la que la cada de tensin en los granos es
comparable con la correspondiente a los bordes de grano, entonces el aumento en el gradiente de
tensin de referencia se refleja en el FB, mejorndose la no linealidad aparente de la caracterstica I-
V del varistor: el FB se comporta como si la conductividad de los granos se hubiera aumentado en un
factor n. Las pequeas fluctuaciones remanentes en el FB pueden achacarse influencias del
desorden estructural o a contribuciones de segundo orden del sumando V
10kA;G
, variables debido a
una cierta dispersin en la conductividad de los granos. En un prximo trabajo, el anlisis mediante
espectroscopia de impedancia, permitir discernir cual es el efecto dominante.

Para terminar, la Figura 6.7 pretende mostrar el enorme potencial de informacin que el
anlisis sistemtico de las curvas completas puede aportar. Para ello, en Fig. 6.7(a) se indican
posibles variaciones sobre una curva buena y las implicaciones microestructurales y posibles
orgenes de dichas variaciones; en Fig. 6.7(b) se presenta una tpica secuencia de optimizacin de los
parmetros de composicin y proceso de un varistor, basada en las alteraciones esperadas en la
caracterstica I-V del dispositivo. Ntese que las curvas utilizadas en la Fig. 6.7 no son reales sino
construcciones ad hoc para ilustrar la potencia del procedimiento de caracterizacin desarrollado.







18
Varistores: Propiedades y aplicacin


10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
5
10
6
10
3
2x10
3
3x10
3
4x10
3
5x10
3
6x10
3
7x10
3
8x10
3
9x10
3
10
4
2x10
4
(2b)
(2a)
10 kA
5 mA
( 4 )
( 3 )
( 2 )
( 1 )
t
e
n
s
i

n

a
p
l
i
c
a
d
a


-


U


(
V
)
intensidad de corriente - I (A)

Figura 6.7(a): Supongamos que [(1)] es una buena curva, que presenta todas las caractersticas
(1)-(3) establecidas arriba y, en especial, cuya V
10kA
est lejos de la zona dominada por la
respuesta del grueso del material. En principio, nada impide que una curva con V
10kA
en la regin
de altas corrientes sea perfectamente aceptable. En la prctica, sin embargo, la presencia de
V
10kA
en la regin de altas corrientes suele significar que dicha regin comienza demasiado pronto
(curva [(3)]), como consecuencia de (i) una resistencia demasiado alta en los granos, o bien (ii) de
que R
BG
cae por debajo de R
G
demasiado pronto, debido a que la propia R
BG
es demasiado
pequea, lo cual implica corrientes de fuga muy altas: este es el caso de la curva [(4)], que
presenta la misma regin de alta corriente que la curva [(3)] (misma conductividad de grano)
pero cuya regin de corrientes de fuga se ha desplazado hacia la derecha con respecto a la curva
[(3)].
Ntese que la presencia de V
10kA
en el codo de conmutacin no es, en s misma, ninguna garanta.
De hecho, la curva [(2)] representa un caso notoriamente peor que [(1)] en el que, sin embargo,
V
10kA
se mantiene lejos de la regin grano-dominada. As, incluso teniendo una R
G
alta, poco
optimizada, caso de la variante [(2a)], la V
10kA
se queda en el codo de conmutacin porque R
BG
se
mantiene tambin muy alta y durante un mayor rango de valores de la corriente (vase Fig. 2(c)),
de modo que a 10kA, R
BG
an est lejos de caer por debajo de R
G
. Est bastante claro que esta
situacin es desastrosa a todos los niveles: ciertamente, la mayor resistividad de los BGs
desplazar el valor del FB muy por encima de lo deseable y la lenta cada de R
BG
equivaldr a una
prdida en la no linealidad.




19
Varistores: Propiedades y aplicacin


10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
5
10
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10
3
2x10
3
3x10
3
4x10
3
5x10
3
6x10
3
7x10
3
8x10
3
9x10
3
10
4
2x10
4
5 mA
10 kA
( 2 )
( 2 )
( 1 )
( 3 )
( 1 )
t
e
n
s
i

n

a
p
l
i
c
a
d
a


-


U


(
V
)
intensidad de corriente - I (A)

Figura 6.7(b): Presentamos una hipottica secuencia de optimizacin de un varistor
(1)(2)(3). (1) es la curva base, en la que V
10kA
se encuentra antes del codo de remonte,
i.e., V
10kA
V
10kA;BG
y FB=cte ante fluctuaciones en V
5mA
debidas a pequeas variaciones en el
tratamiento trmico; (2) supone una mejora en la no linealidad, probablemente debida a una
actuacin sobre la calidad de las barreras o la distribucin estadstica de buenas barreras
respecto a barreras malas o hmnicas: se supone que no se ha alterado la conductividad de
los granos y, por tanto, el efecto global se traduce en un desplazamiento del codo de remonte
hacia corrientes ms pequeas, i.e., en el desplazamiento de V
10kA
desde la zona BG-
dominada hasta la zona G-dominada. As pues, en (2) estaremos en la situacin en que V
10kA

V
10kA;G
y, por tanto, V
10kA
se hace dependiente slo del grueso del material, i.e., de las
dimensiones macroscpicas del dispositivo; las variaciones en V
5mA
se reflejarn en variciones
del FB. Por ltimo (3) refleja un esfuerzo por aumentar la conductividad de los granos y
aumentar as la no linealidad aparente del dispositivo. Ntese el subrayado en la palabra
aparente pues, como queda claro en la figura, la verdadera no-linealidad (la que proviene
del disparo de los mecanismos de conduccin a travs de los fenmenos de transporte de
carga en BG), no tiene porqu cambiar al reducir la resistividad de los granos (lo har o no,
dependiendo de la ruta de proceso seguida, pero no tiene porqu hacerlo). As, la mejora en
el FB producida por la reduccin en V
10kA
aparecer como una mejora aparente en la no
linealidad (en tanto en cuanto FB cuantifica, en cierta medida, dicha no linealidad). Ntese
que, a partir de la curva (2), un posible proyecto alternativo de mejora sera incrementar
ligeramente U
B
(reduciendo el tamao promedio de grano) sin necesidad de mejorar la no
linealidad real. El mximo aumento de U
B
que mantiene constante V
10kA
(dejndolo en la zona
G-dominada) es entonces U
B
= V
10kA;curva(2)
- V
10kA;curva(3)
; por encima de este incremento, sera
necesario mejorar tambin la no linealidad, so pena de aumentar el valor de V
10kA
al
desplazarlo a la regin BG-dominada.


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Varistores: Propiedades y aplicacin

10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
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2
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3
10
4
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6
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
5
10
6
10
7
10
8
curva {C}
curva {B}
curva {A}
r
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

t

p
i
c
a

d
e

l
o
s

g
r
a
n
o
s
:


0
.
1

O
10 kA = 760 A / cm
2
5 mA = 0.38 mA / cm
2
r
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

(
G

+

B
G
)


-


O
corriente total - I ( A
pico
)

Figura 6.7(c): Podemos ver la evolucin de la resistencia equivalente del varistor en un caso real
(curva {A}) y en dos casos ficticios utilizados como ilustracin (curvas {B} y {C}). El caso {B}
equivale a la curva [(4)] de Fig. 2(a): la resistencia equivalente de los BGs cae muy pronto por
debajo de la resistencia del grueso del material, dando lugar a un codo de remonte muy
desplazado a la izquierda y, debido a la baja resistividad, a un incremento de las corrientes de
fuga. El caso {C} equivale a las curvas [(2a-b)] de Fig. 2(a): con independencia de que la
conductividad de los granos sea buena o mala, el mantenimiento de un rgimen de alta
resistividad en BG durante un mayor rango de corrientes, hace que el codo de remonte (definido
aproximadamente por la interseccin de las dos resistencias) se desplace hacia regiones de
mayor corriente.










21
Varistores: Propiedades y aplicacin


6 6 P Pr ro op pi ie ed da ad de es s f f s si ic ca as s m ma ac cr ro os sc c p pi ic ca as s n no o e el l c ct tr ri ic ca as s r re el le ev va an nt te es s p pa ar ra a
l la a a ap pl li ic ca ac ci i n n d de e v va ar ri is st to or re es s c co om mo o d di is sp po os si it ti iv vo os s d de e p pr ro ot te ec cc ci i n n
c co on nt tr ra a s so ob br re et te en ns si io on ne es s: : m mo od do os s d de e f fa al ll lo o. .
Un varistor puede fallar de formas muy diversas durante el proceso de absorcin de energa
inherente a la descarga a tierra de una sobretensin. Incluso aunque el fallo no sea inmediato, la
estabilidad trmica del dispositivo y su capacidad de recuperacin pueden verse comprometidas
debido a que, an tras la desaparicin de la sobretensin, el varistor contina energizado a la tensin
de red. Por este motivo, se ha dedicado gran atencin a los distintos modos de fallo de varistores [6-
14,24,26,30-33] y a la relacin de dichos modos con parmetros cermicos tales como la
homogeneidad (elctrica y microestructural) o la porosidad del elemento.
En los estudios citados ms arriba, se ha llegado a identificar dos tipos predominantes de
fallo. El primero es un modo de fallo designado como puncin: un agujero aparece literalmente
taladrado en el varistor, con signos evidentes de fusin y vaporizacin de material (vase Fig. 6.7).
Este modo de fallo se asocia habitualmente con el proceso de desbocamiento trmico, que consiste
en una paulatina y constante degradacin del dispositivo, el cual absorbe cada vez ms energa de la
red sin ser capaz de disiparla, calentndose y aumentado as el ritmo al que absorbe dicha energa,
hasta que, finalmente, se produce la fusin y vaporizacin de alguna parte del material. El segundo
modo de fallo consiste en la fractura de la muestra en dos o ms fragmentos, pero sin aparicin de
seales claras de dao trmico o fusin de material (vase Fig. 6.8).



Figura 6.7. Varios ejemplos de varistores de alta tensin en los que se ha producido el fallo por puncin. Los
signos de fusin y vaporizacin del material son evidentes. Una vez que comienza a fundirse material a lo largo
del camino de corriente localizada, salta un arco elctrico de altsima temperatura que tiende a buscar oxgeno
saliendo al exterior de la muestra, como se puede ver en las imgenes (a) y (b). En la imagen (c), en cambio, el
arco se mantuvo confinado en el interior del cuerpo cermico y slo se extendi al salir de l, derritiendo por
contacto el material en la superficie de la muestra.


22
Varistores: Propiedades y aplicacin










Figura 6.8. Ejemplos de varistores de alta tensin en los que se ha producido el fallo por fractura trmica.
Puede apreciarse la falta de indicios de material fundido en las superficies de fractura.

Existe alguna evidencia, a partir del trabajo original de Eda [7], de que ambos tipos de fallo
ocurren cuando la absorcin de energa por parte del elemento activo (el material varistor) supera un
cierto valor umbral. Esta circunstancia ha llevado al diseo de una serie de experimentos con la
finalidad de ser aplicados rutinariamente a toda una produccin (o a una muestra significativa de la
misma) a modo de herramientas de control de calidad. Algunos de estos experimentos sern
descritos en el Captulo 7. Sin embargo, en lo referente al origen microscpico preciso de cada uno
de los dos tipos de fallo, la situacin es en todo similar a la descrita en el captulo anterior con
respecto a la degradacin: dicho origen no se ha identificado positivamente an y constituye un
tpico activo de investigacin. A continuacin, resumimos el estado del conocimiento actual
respecto a cada uno de estos modos de fallo.

6 6. .1 1 P Pu un nc ci i n n. .
El fallo por puncin se atribuye al proceso de desbocamiento trmico antes descrito, el cual, a
su vez, se ha relacionado recientemente [30-32] con el fenmeno de aparicin de corrientes
localizadas en regiones determinadas de un semiconductor policristalino. Conceptualmente, el
fenmeno se puede describir como un proceso retroalimentado: comienza con la aparicin de
corrientes localizadas en algunos caminos dbiles formados a travs de la microestructura; estas
corrientes provocan un calentamiento local (por simple efecto Joule) el cual, debido a la naturaleza
trmicamente activada del transporte de carga a travs de los bordes de grano, produce un ulterior
incremento de la corriente que fluye a travs de dichos caminos; este incremento de corriente
produce un mayor calentamiento, que de nuevo produce ms corriente ... y este proceso se
mantiene hasta que el material en el camino de la corriente se funde, causando el cortocircuito de la
muestra. Las cuestiones que esta imagen deja abiertas, tanto en varistores como en otras cermicas

23
Varistores: Propiedades y aplicacin

para aplicaciones elctricas/electrnicas, es la identidad de los rasgos microestructurales que
desembocan en el fenmeno de localizacin de corriente, desencadenante de todo el proceso.
Las simulaciones y clculos [63] demuestran que casi cualquier pequea fluctuacin
microestructural en las propiedades elctricas o morfolgicas lleva inevitablemente a la localizacin
de corriente, la cual se hace ms intensa en el rgimen de no linealidad. Sin embargo, aunque la
localizacin es una condicin necesaria, el desbocamiento trmico no se produce a menos que el
material sea incapaz de disipar por conduccin el calor localmente generado por efecto Joule. Por
tanto, la conductividad trmica del material se erige en parmetro de vital importancia a la hora de
minimizar el riesgo de fallo por puncin.

6 6. .2 2 F Fr ra ac ct tu ur ra a t t r rm mi ic ca a. .
Este modo de fallo parece estar relacionado con impulsos rpidos y muy altamente
energticos que provocan elevados gradientes de tensin mecnica en el interior del cuerpo
cermico. As, cuando los varistores se someten a pulsos elctricos muy cortos (del orden de 10-
100s), pueden explotar y las correspondientes superficies de fractura resultan exhibir algunos
rasgos bien definidos. La morfologa de la fractura y el nmero de fragmentos dependen de la
geometra de la muestra, de la energa contenida en el pulso, y, muy importante, de las ligaduras
mecnicas impuestas al varistor (por ejemplo, la presencia de cargas de compresin axiales en
varistores cilndricos). Sin embargo, con cierta generalidad se puede afirmar, para muestras de
geometra cilndrica, que si el varistor es bajo (altura pequea comparada con su dimetro) suele
romper con superficies de fractura radiales, mientras que si el varistor es alto suele partir por la
mitad cerca del plano ecuatorial. Todos los indicios apuntan a que este tipo de fallo se produce por
fractura mecnica a partir de defectos ya existentes y bajo condiciones esencialmente adiabticas. La
extensin temporal del pulso que inyecta la energa en el material es tan pequea que el varistor se
calienta muchsimo ms rpido de lo que se puede expandir isotrmicamente: esto genera una onda
de compresin longitudinal dentro del varistor que, al reflejarse en sus extremos, se convierte en una
onda de tensin mecnica, la cual resulta alcanzar un mximo en el plano central de un varistor
cilndrico [8,12,14].
7 7 I In nf fl lu ue en nc ci ia a d de el l d de es so or rd de en n
Las medidas efectuadas sobre muestras de laboratorio (preparadas en condiciones
extremadamente controladas) o sobre bordes de grano individuales mediante la utilizacin de
diversos sistemas de microcontacto [58-61] pusieron de manifiesto la notable insensibilidad de la
tensin de conmutacin V
B
, respecto a algunos detalles de formulacin y proceso. Rutas de
preparacin distintas y aditivos diferentes conducen a dramticos cambios de propiedades en la
regin de corrientes de fuga y codo de conmutacin, pero tienen un impacto muy inferior a partir de
la regin de conmutacin, presentando valores similares para V
B
. Muy pronto, sin embargo, el
trabajo pionero de Emtage [52] evidenci las diferencias entre las propiedades de bordes de grano
individuales y las propiedades de una muestra macroscpica. Incluso si todos los bordes de grano son

24
Varistores: Propiedades y aplicacin

elctricamente idnticos, la inevitable distribucin estadstica de tamaos de grano introduce
caminos preferentes entre electrodos, formados por granos de mayor tamao, que causan una
reduccin del 30%-50% en la V
B
macroscpica con respecto al producto del tamao medio de grano
por la V
B
microscpica de un borde de grano individual (medida mediante microcontactos).
Posteriormente, los exhaustivos trabajos de caracterizacin de interfases individuales en muestras
realistas [58-61], mostraron cmo las propiedades elctricas de bordes de grano pertenecientes a la
misma muestra podan ser muy diferentes, y establecieron la naturaleza plural del desorden
presente en todo semiconductor cermico policristalino: (i) desorden meramente estructural, debido
a la distribucin estadstica de tamaos y formas de grano y orientaciones de las interfases, y (ii)
desorden elctrico que proviene de la presencia de interfases con propiedades elctricas diversas,
formando subestructuras capaces de percolar a travs de toda extensin macroscpica entre
electrodos y de dominar as la respuesta elctrica del dispositivo. Esta situacin se reflejar en mayor
medida en aquellas propiedades que estn directamente relacionadas con los bordes de grano; todo
lo relativo a la conductividad de los granos constituye una propiedad del grueso del material y
debera ser sustancialmente insensible a la distribucin de tamaos de grano y de tipos de interfases.
As, tal y como se indica en la Tabla 1, el desorden se refleja de forma muy distinta en las diferentes
regiones de la caracterstica I-V de un varistor:

Regin de corrientes de fuga y codo de conmutacin. En estas regiones la cada de tensin en
los granos de ZnO es despreciable y la sensibilidad ante las distintas formas de desorden es
mxima. Toda la tensin aplicada aparece, precisamente, a travs de los bordes de grano:
V
NmA
= V
NmA;BG
.
Regin de conmutacin y codo de remonte. Aqu la cada de tensin total se reparte entre los
granos y los bordes de grano, de manera que V
QkA
= V
QkA;G
+ V
QkA;BG
. En estas condiciones, la
importancia relativa de cada uno de los dos sumandos (que es funcin del voltaje aplicado,
de la conductividad de los granos y de la caracterstica de las interfases) determinar el grado
de sensibilidad ante el desorden .
Regin de altas corrientes. La tensin total aplicada aparece por completo en los granos de
ZnO: V
QkA
= V
QkA;G
. En principio, desde el punto de vista elctrico, esta regin es totalmente
insensible al grado de desorden y depende tan slo de las dimensiones fsicas globales del
dispositivo. Semejante afirmacin debe, no obstante, ser matizada: la conductividad de los
granos depende, en ltima instancia, de parmetros de formulacin y proceso tales como la
presencia de impurezas donadoras y el correcto suministro de la energa trmica necesaria
para activar su difusin hacia el interior de los granos; estos mismos parmetros pueden
influenciar severamente el grado de desorden presente en la muestra y, por tanto, pueden
aparecer correlaciones indirectas entre ambas propiedades.
Diferentes experimentos han indicaron de forma consistente que las curvas I-V
correspondientes a bordes de grano individuales pueden ser agrupadas en tres conjuntos
razonablemente bien definidos: (A) buenos bordes de grano (buenas barreras): elctricamente
activos, con resistencia de fuga elevada, V
B
3.3-3.7 V y alto coeficiente de no linealidad [tipo 5.4(a)-
(b)-(c)]; (B) malos bordes de grano (malas barreras): elctricamente activos pero con resistencia de

25
Varistores: Propiedades y aplicacin

fuga mucho ms pequea, tensin de conmutacin ligeramente inferior V
B
3.0-3.4 V y bajo
coeficiente de no linealidad [principalmente tipo 5.4(c)]; (C) bordes de grano elctricamente
inactivos, sin estructura de doble barrera Schottky, con respuesta I-V lineal (hmnica) caracterizada
por una resistencia que presenta grandes variaciones, desde valores comparables a la resistencia de
fuga de los buenos bordes de grano (que constituyen, por tanto, autnticas barreras aislantes que se
mantienen durante todo el rango de voltajes aplicados), hasta valores casi de cortocircuito, como
los habitualmente encontrados en microuniones del tipo 5.4(d).
La discrepancia entre la tensin de conmutacin por grano medida directamente en
experimentos microscpicos sobre bordes de grano individuales (3.3-3.7 V) y la calculada a partir del
valor macroscpico y del tamao medio de grano (tpicamente ~2.5V), se atribuye a la distribucin de
tamaos y formas de grano (desorden estructural) y, en menor medida, a la presencia de
microuniones hmnicas (desorden elctrico). En cambio, la prdida de no linealidad en muestras
macroscpicas, manifestada tanto en la reduccin de (I) (prdida de no-linealidad verdadera, i.e.,
redondeo del codo de conmutacin) como en el aumento del FB (prdida de no-linealidad
aparente, i.e., desplazamiento del codo de remonte hacia la izquierda), slo parece atribuible al
desorden elctrico, i.e., al predominio de las propiedades de los malos bordes de grano sobre las de
los buenos bordes de grano, siendo este aspecto esencialmente insensible a la presencia de
interfases de caracterstica hmnica. Ntese que esto implica que una mejora en las propiedades de
un determinado varistor no requiere, normalmente, mejorar las propiedades de bordes de grano
individuales (que ya pueden ser suficientemente buenas), sino por aumentar la cantidad relativa de
buenos bordes de grano sobre malos bordes de grano y mejorar la homogeneidad de su distribucin
geomtrica. La Tabla 1 resume la influencia de los distintos aspectos del desorden elctrico y
estructural sobre diversos fenmenos y modos de comportamiento de varistores.













26
Varistores: Propiedades y aplicacin


Tabla 1
(1)



Propiedad

Refs.
Desorden

Estructural
(2)

Elctrico
(3)

% buenos BGs % malos BGs % microuniones hmnicas

disminucin en UB

52, 60,
58-63
Vanse refs.
[52], [62] y
[63]
Slo para resistividades muy
pequeas de las
microuniones elctricamente
inertes: la RBG debe ser, no
slo constante, sino
comparable con RG para que
la presencia de uniones
hmnicas sea relevante y, en
tal caso, incluso
concentraciones muy
pequeas de estas unioones
tienen un impacto dramtico
en la disminucin de VB

desplazamiento de la regin
de corrientes de fuga hacia
corrientes ms altas

58-63 Aparentemente todas las formes de desorden estructural se manifiestan en un
incremento de las corrientes de fuga (i.e., en una disminucin de la resistividad de fuga
aparente del dispositivo) motivada por la aparicin de caminos conductores
preferentes para el transporte de carga, debidos a (i) largas cadenas de granos de gran
tamao; (ii) caminos formados a travs de barreras ohmnicas (inactivas) o activas de
mala calidad.

prdida de no linealidad real
(codo de conmutacin)

52, 58-63 Vase ref. 52 Vase ref. 63

prdida de no linealidad
aparente (codo de remonte)

63, 92 En todos los casos, el impacto del desorden en las zonas de conmutacin, codo de
remonte y regin de altas corrientes es muy inferior a su impacto en la regin de
corrientes de fuga y codo de conmutacin. No obstante, especialmente si la
resistividad de los granos es alta y la tensin residual nominal a 10 kA se encuentra
antes del codo de remonte, todas las formas de desorden se traducen en aumentos en
el FB y, por tanto, en deterioro de la no linealidad aparente, tal y como queda
cuantificada por el FB

fallos estructurales en
ensayos de alta energa

6-33 Vanse las
refs. 6-33


Notas
(1)
cdigo: (i) casilla en blanco implica que la presencia e importancia relativa de determinado tipo de desorden no
es relevante para el fenmeno en cuestin; (ii) casilla con anotaciones implica que el desorden es influyente en el

27
Varistores: Propiedades y aplicacin

fenmeno, de acuerdo con los matices anotados; (iii) casilla con fondo gris y anotaciones implica que el papel
desempeado por ese tipo de desorden en el fenmeno en cuestin es de la mxima relevancia; (iv) casilla a rayas
implica que se desconoce el impacto de el correspondiente tipo de desorden en la propiedad bajo estudio.
(2)
cuantificado en primera aproximacin mediante parmetros geomtricos [63] o mediante la desviacin estndar
de la distribucin de tamaos de grano normalizada por el tamao medio de grano, , [52]. Estos parmetros slo
son completos y exhaustivos cuando el desorden estructural es geomtricamente homogneo (caso de las
simulaciones [63]); si, en cambio, como parece desprenderse de [32], la distribucin de desorden estructural
presenta variaciones locales pronunciadas (v.g., tendencia a mayores tamaos de grano en regiones perifricas
debido a gradientes internos de temperatura durante los tratamientos trmicos), entonces su descripcin
cuantitativa es ms compleja.
(3)
el desorden elctrico se supone en principio cuantificado por el porcentaje de bordes de grano de cada tipo
presentes en la muestra. De nuevo, en un anlisis ms fino, este parmetro no rene toda la informacin necesaria:
la asimetra estructural en la distribucin del desorden elctrico (v.g., predominancia de barreras malas en las
regiones profundas del varistor) puede resultar determinante para algunas de sus propiedades (v.g.,
comportamiento frente a impulsos de alta energa).

La aseveracin inicial de 5.5 en cuanto a que ...V
B
se mantiene en torno a 3.3-3.7 V/BG
independientemente de los detalles de formulacin y proceso... necesita ser cuidadosamente
matizada. En primer lugar se debe subrayar que, en lo que tiene de cierta, se refiere slo a bordes de
grano individuales, i.e., a medidas de microcontactos a travs de un nico borde de grano, nunca a
muestras macroscpicas, en las que la suma de la dispersin aceptada en BG (3.3-3.7 V/BG) ms el
desorden estructural puede conducir a fluctuaciones importantes en la V
B
medida. En segundo lugar,
la V
B
=3.3-3.7 V/BG se refiere nicamente a las barreras formadas en buenos bordes de grano cuyas
propiedades, en efecto, no presentan mucha dispersin.

8 8 R Re ef fe er re en nc ci ia as s
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Varistores: Propiedades y aplicacin

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