UNIVERSIDAD INDUSTRIAL DE SANTANDER

ESCUELA DE INGENIERAS ELCTRICA, ELECTRNICA Y DE TELECOMUNICACIONES

Perfecta Combinacin entre Energa e Intelecto

INFORME PRCTICA No. 2

CARACTERIZACION DE TRANSISTORES MOS
Edgar Andrs Quintana Acevedo, Luis Alberto Torres
edgarquintana984@hotmail.com luistorres10@hotmail.com

Abstract This laboratory focus specially in the development of some procedures in which the main objective is to evaluate the operation of the different transistor configurations inside de I.C CD4007UB, determinate his parameters and compare them with simulated ones center in the NMOS and PMOS. Key Words: transistor, parameters, NMOS, PMOS.

I.

OBJETIVOS
Funcionamiento Su estructura de funcionamiento se basa en tcnicas de difusin de dopantes en la en la cual se forman dos islas de tipo opuesto separados por una capa dielctrica y que termina con una capa conductora donde, dependiendo de cmo se haya realizado el dopaje ser un dispositivo tipo N o uno tipo P. En el transistor se destacan tres tipos de funcionamiento los cuales se destacan en interruptores (Corte y triodo) y en amplificadores (saturacin). En esta prctica se tratara con el CI CD4007UBE Fig.1, donde el objetivo es caracterizar el dispositivo para los tres posibles estados de funcionamiento.

Comparar comportamiento fsico transistor MOS mediante modelos matemticos y mtodos experimentales. Generar curvas caractersticas de los transistores incluidos en el CI CD4007. Estimar parmetros de NMOS y PMOS en el CD4007. Estimar Idss = Id cuando Vgs = Vt. Estimar Rds del transistor.

II.

MARCO TEORICO

Un transistor de efecto de campo es un dispositivo de tres terminales que permite controlar el flujo de corriente en uno de sus terminales (ID) en funcin de la tensin en sus otras dos terminales (VGS). Adems de los tres terminales de operacin existe un cuarto terminal que generalmente va conectado al sustrato del dispositivo y que puede funcionar como una segunda puerta llamada cuerpo.

Fig. 1 diagrama funcional CI cd4007ube

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III.

DESARROLLO

1. Inicialmente se dispuso del CI CD4007UB que posee diversas configuraciones NMOS y su complementario PMOS en su interior.

Se realiz una prueba para un voltaje en compuerta de cero a lo cual se pudo observar la no conduccin de corriente a travs del dispositivo debido a la gran resistencia presente entre el drenaje y la fuente. La resistencia presente en el dispositivo para esta configuracin puede verse representada por la conexin de dos diodos opuestos entre s Fig.2, entre el drenaje y la fuente que impiden la conduccin de corriente entre estos terminales cuando se aplica una tensin VDS.

Fig. 3 Curva caracterstica- dispositivo acta como resistor

El voltaje umbral que se obtuvo de las medicin realizada en el dispositivo fue el siguiente:

Segn la ecuacin 1 para VDS pequeas existe una constante de proporcionalidad para el dispositivo cuyas curvas caractersticas se describen mediante la variacin de VGS. De esta forma se puede estimar los parmetros de transconductancia del dispositivo.
Fig. 2 analogas MOSFET

En teora, por lo que se conoce de unin PN, cuando un diodo est polarizado inversamente, este presenta unas pequeas corrientes conocidas como corrientes de fuga, deriva, desplazamiento o de saturacin, por ende para que circule una corriente de difusin, esta debe vencer una barrera de potencial, es decir, los transistores necesitan crear un canal n por el cual se presente el flujo de corriente al aplicar una tensin en el drenaje. Un valor de Vgs suficiente para formar el canal n es conocida como voltaje de umbral o Vt. As que manteniendo una tensin VDS muy pequea, se empieza a crear un canal agregando un voltaje en la puerta VGS. El comportamiento que se obtiene es similar al observado en la Fig.3 Se puede notar, que mientras el voltaje VGS no supere el voltaje umbral, no aparece corriente por difusin entre el dren y la fuente del dispositivo. Experimentalmente este voltaje umbral lo podemos conocer, en el momento en el que la corriente sufre un cambio brusco al aumentar VGS, esto se debe a que la unin pas de la conduccin por desplazamiento (corriente de saturacin) a la conduccin por difusin (corriente I D) Comportamiento que se puede representar mediante la siguiente ecuacin de proporcionalidad. ec.1

Entonces para un
, un

, una corriente de

De aqu se desprende que para estas condiciones

Creado el canal se procede a mantener constante y variamos A medida que este ltimo aumenta, el canal se hace ms angosto y su resistencia aumenta de modo correspondiente. Es por esta razn que la curva no continua recta, si no que se dobla. Cada vez que aumenta y llega a un valor igual a el canal se estrangula en el extremo del dren. Un aumento de por arriba de tiene poco efecto, y la corriente que pasa por el canal permanece constante al valor alcanzado por

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La corriente del dispositivo definida para la regin de triodo es la siguiente:

( ) ( )

De la cual se desprende que para un pequeo, se puede despreciar el trmino cuadrtico y encontrar una relacin para la resistencia entre el dren y la fuente.
( ) ( ( ) ( ) )

Fig. 4 Configuracin NMOS

De forma anloga, esta resistencia es la pendiente de la curva para un Hallando el valor de podemos calcular o estimar los parmetros del transistor ( ) ( ) entre
Fig. 5 Configuracin PMOS

Donde por lo general est entre 1 y 10um y

2 y 500um*

Luego de estrangulado el canal es decir, esto afecta un poco el canal (reduciendo la longitud eficaz del canal). Esto se conoce como Modulacin de longitud del canal, y est modelado por la siguiente ecuacin:
( )( ) (1+

En base a las configuraciones presentes en la Fig.4 y la Fig. 5 se realiz la medicin de la corriente a travs del transistor para diversos voltajes de compuerta constantes y un voltaje en el drenaje variable obteniendo los siguientes datos y grficos respectivos:

TIPO N
Donde = eje de Cuando se toma en cuenta la modulacin de longitud de canal, los valores de saturacin de dependen de . De esto se desprende que la resistencia de salida de la fuente de corriente que representa en la saturacin ya no es infinita. Esta resistencia est definida por Donde es la corriente del dren sin tomar en cuenta la modulacin de longitud del canal.
y VA= voltaje donde se extrapolan las

rectas de las caractersticas

e intersecan el

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CURVAS DE Id EN FUNCION DE Vds A Vgs CONSTANTE:

TIPO P

TIPO N: Vgs = 2.5 V

0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0

TIPO N: Vgs = 3 V
1.5 1 0.5 0 0.4 0.35 0.3 0.25 0.2 0.15 0.1 0.05 0
CURVAS DE Id EN FUNCION DE Vds A Vgs CONSTANTE:

TIPO P: Vgs = 2.5 V

TIPO N: Vgs = 3.5 V

2.5 2 1.5 1 0.5 0

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TIPO P: Vgs = 3 V
1.2 1 0.8 0.6 0.4 0.2 0 3 2.5 2 1.5 1 0.5 0 -0.5

EXTRAPOLACION TIPO N: Va

TIPO P: Vgs = 3.5 V

2 1.5 1 0.5 2 0 1.5 1 0.5
2. Obtencin de los parmetros

Va = 34 V => Va =

EXTRAPOLACION TIPO P: Va

Mediante un mtodo de extrapolacin de graficas logramos obtener el voltaje de Early de las respectivas configuraciones NMOS y PMOS:

0 -0.5 -50 -40 -30 -20 -10 0 0.978 2.328 3.735 5.35 6.77 8.92 11.04 12.83 14.88 Series1 Series2 Series3

Va = 32 V => Va =

-50 -40 -30 -20 -10 0 0.316 1.762 2.557 3.42 4.31 5.19 7.69 9.53 12.14 14.62 Series1 Series2 Series3

=>

= 0.02941

=>

= 0.03125

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IV.

OBSERVACIONES

Al principio hubo algo de complicacin al momento de hallar el valor del salto de corriente debido al gran cuidado en el aumento de la tensin que se deba tener pero al final se logr su determinacin. En esta prctica no se present efecto cuerpo, ya que se opt por usar una configuracin del CI CD4007ube en la cual el sustrato estaba conectado directamente a la fuente. * fuente bibliogrfica: circuitos electrnicos 4ta edicin Adel S sedra.

V.

CONCLUSIONES

Es un poco complejo encontrar todos los parmetros del transistor de forma exacta. Sin embargo existen mtodos analticos como grficos que nos permiten hacer estimaciones, suponiendo valores comerciales de fabricacin, partiendo de las medidas experimentales que se le practican al dispositivo. El mtodo grafico puede resultar en aproximaciones no muy acertadas debido al uso de la extrapolacin, mientras que si se hace mediante el uso de mtodos analticos resulta ser un poco mas exacto. El manera ms fcil para obtener los parmetros del transistor de forma exacta, fuese si los fabricantes los divulgaran en su hoja de datos.