YADY CAROLINA SUAREZ GOMEZ

Nombre, Apellido1, Apellido2 Trabajo Obligatorio ELECTRNICA ANALGICA Marzo, 2010

FUNDACION SAN VALERO SEAS, Centro de Formacin Abierta ZARAGOZA

PROPUESTA DE TRABAJO OBLIGATORIO

PG.: 2/12

Propuesta de trabajo
En la asignatura de electrnica analgica se han estudiado los transistores de unin bipolar (BJT). Con la realizacin de este trabajo pretendemos centrarnos en el segundo tipo ms importante de transistores, el transistor de efecto de campo (FET, de Field-Effect Transistor). Los FET son dispositivos unipolares porque, a diferencia de los transistores bipolares que usan corriente de electrones y huecos, operan solo con un tipo de portador de carga. El transistor bipolar es un dispositivo controlado por corriente; es decir, la corriente de base controla la cantidad de corriente de colector. El FET es diferente. Se trata de un dispositivo controlado por voltaje, en donde el voltaje entre dos de las terminales (la compuerta y la fuente) controla la cantidad de corriente a travs del dispositivo. Los dos tipos principales de FET son el transistor de efecto de campo de unin (JFET) y el transistor de efecto de campo semiconductor de xido metlico (MOSFET). Contenidos a desarrollar: 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. Estructura y operacin bsicas de los transistores de efecto de campo de unin. Comparacin de los FET con los BJT. Construccin bsica del JFET. Caractersticas y parmetros ms importantes. Circuitos de autopolarizacin y de polarizacin de un JFET. Aplicaciones de los JFET. Construccin bsica del MOSFET. Caractersticas y parmetros ms importantes. MOSFET de enriquecimiento y de empobrecimiento. Circuitos de autopolarizacin y de polarizacin de un MOSFET. Aplicaciones de los MOSFET.

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PG.: 3/12

Objetivos del trabajo

Describir la estructura y operacin bsicas de los transistores de efecto de campo de unin. Explicar porqu los FET son dispositivos controlados por voltaje. Comparar los FET con los BJT. Describir la construccin bsica del JFET. Describir las caractersticas y parmetros ms importantes del JFET. Analizar los circuitos de autopolarizacin y de polarizacin de un JFET. Describir algunas aplicaciones de los JFET. Describir la estructura bsica de los MOSFET y su diferencia con los JFET. Conocer los MOSFET de enriquecimiento y el MOSFET de empobrecimiento. Describir las caractersticas y parmetros ms importantes del MOSFET. Analizar los circuitos de polarizacin de un MOSFET.

Bibliografa
Manual de asignatura. SEAS. Principios de Electrnica, Albert Paul Maldivo, Mc. Graw Hill. Dispositivos Electrnicos, Tomas L. Floyd, Limusa Noriega Editores. Electrnica: Teora de circuitos y dispositivos electrnicos, Robert L. Boylestad, Louis Nashelsky, Pearson Prentice Hall. Electrnica General, Cembranos Nistal, Florencio Jess, International Thomson Editores Spain Paraninfo. Electrnica, Hambley, Alley R., Prentice Hall Electrnica. De los sistemas a los componentes, Storey Neil, Addison-Wesley. Grupo Pearson

SIMULADOR RECOMENDADO Para dibujar los circuitos puedes utilizar el simulador Workbench, cuya versin de estudiante puedes descargar en: www.electronicsworkbench.com/

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Criterios de evaluacin
La evaluacin, es una componente fundamental de la formacin. Este trabajo obligatorio formar parte de t calificacin final. En esta tabla, se resumen los aspectos a valorar y el porcentaje que representa cada unos de los mismos.
% Total % Ob.

Contenidos generales Estructuracin, exposicin, orden, limpieza y presentacin Claridad en los conceptos Temas de especialidad Estructura y operacin bsicas. Comparacin de los FET con los BJT JFET. Caractersticas y parmetros ms importantes Circuitos de autopolarizacin y de polarizacin de un JFET Aplicaciones de los JFET MOSFET. Caractersticas y parmetros ms importantes Circuitos de autopolarizacin y de polarizacin de un MOSFET Aplicaciones de los MOSFET Dibujo de circuitos con simulador TOTAL

10 10 90 10 10 10 10 10 10 10 20 100

Fecha lmite de recepcin de trabajos

Antes de la fecha fin correspondiente a tu matricula.

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Ficha de Correccin del Trabajo

(Espacio reservado para anotaciones del profesor) Profesor: Alumno (Cdigo / Nombre): Fecha de Entrega: Observaciones sobre el trabajo: Fecha de Calificacin:

Fecha y Firma:

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Formato de presentacin
1. Se presentar en formato papel DIN-A4. Mnimo 20 pginas. 2. Se presentar en formato informtico toda la informacin del trabajo. 3. Las normas de presentacin sern las siguientes: Procesador: Microsoft WORD. Tamao de letra: 12 ptos. Tipo de letra: sern aconsejables letras como Arial o Times New Roman. Espaciado entre lneas: 1,5 Mrgenes: Lateral izquierdo: 3 cm. Lateral derecho: 2 cm. Margen superior: 3,5 cm. Margen inferior: 2,5 cm. 4. En caso de que el trabajo requiera archivos externos (dibujos Autocad, Catia, Excel, Power Point, programacin, etc) stos debern entregarse junto al trabajo. Es posible que algunos trabajos solo consten de estos ficheros, por lo cual no tendr validez lo indicado en el punto 3. 5. Si el trabajo consta de varios archivos deber enviarse en un solo fichero comprimido. 6. Si el tamao del archivo a enviar excede de 5Mb, en lugar de enviarse por correo electrnico deber entregarse en CD. 7. La de entrega deber ser anterior a la fecha fin de matricula.

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Desarrollo de trabajo
1. Estructura y operacin bsicas de los transistores de efecto de campo de unin. a. Explicar porqu los FET son dispositivos controlados por voltaje. Transistor de efecto de campo (FET) son dispositivos semiconductores donde el control de la corriente se realiza mediante un campo elctrico. Tienen las siguientes caractersticas: Dispositivo unipolar: un nico tipo de portadores de carga Ocupa menos espacio en un circuito integrado que el bipolar, lo que supone una gran ventaja para aplicaciones de microelectrnica Tienen una gran impedancia de entrada (del orden de M) A los transistores de efecto de campo se les conoce abreviadamente como FET (Field Effect Transistor) y entre ellos podemos distinguir dos grandes tipos: Transistor de Efecto de Campo de Unin: JFET (Junction Field Effect Transistor) Transistor de Efecto de Campo Metal - xido - Semiconductor: MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) Estructura de los JFET En los transistores FET se crea un campo elctrico que controla la anchura del camino de conduccin del circuito de salida sin que exista contacto directo entre la magnitud controlada (corriente) y la magnitud controladora (tensin). De forma anloga a como en los transistores bipolares existen dos tipos npn y pnp, en los transistores de efecto de campo se habla de transistores FETs de canal n y de canal p.

2. Comparacin de los FET con los BJT. En primer lugar, la principal diferencia entre ambos radica en el hecho de que el transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente, mientras que los transistores FET son dispositivos controlados por tensin. En ambos casos, la corriente del circuito de salida es controlada por un parmetro del circuito de entrada, en un caso el nivel de corriente y en el otro el nivel de tensin aplicada. Una diferencia importante entre ambos tipos de transistores consiste en que mientras que los transistores BJT son bipolares, es decir, en la corriente intervienen los dos tipos de portadores (electrones y huecos), los transistores FET son unipolares, en los que el nivel de conduccin depender nicamente de un nico tipo de portadores: de los electrones en los de canal n y de los huecos en los de canal p. Una de las caractersticas ms importantes de los FETs es su alta impedancia de entrada con niveles que pueden varias desde uno hasta varios cientos de megahmios, muy superiores a la que presentan los transistores bipolares que presentan impedancias de entrada del orden de unos pocos kilohmios. Esto proporciona a los FET una posicin de ventaja a la hora de ser utilizados en circuitos amplificadores.

3.

Construccin bsica del JFET. Caractersticas y parmetros ms importantes.

4. 5. 6.

Circuitos de autopolarizacin y de polarizacin de un JFET. Analizar los circuitos de autopolarizacin y de polarizacin de un JFET. Aplicaciones de los JFET. Construccin bsica del MOSFET. Caractersticas y parmetros ms importantes.

Describir la estructura bsica de los MOSFET y su diferencia con los JFET.

INTRODUCCION
Hay dos familias de transistores de efecto de campo: los JFET y los MOSFET. Pese a que el concepto bsico de los FET se conoca ya en 1930, estos dispositivos slo empezaron a fabricarse comercialmente a partir de la dcada de los 60. Y a partir de los 80 los transistores de tipo MOSFET han alcanzado una enorme popularidad. Comparados con los BJT, los transistores MOS ocupan menos espacio, es decir, dentro de un circuito integrado puede incorporase un numero mayor. Adems su proceso de fabricacin es tambin ms simple. Adems, existe un gran nmero de funciones lgicas que pueden ser implementadas nicamente con transistores MOS (sin resistencias ni diodos). Esto ha hecho del transistor MOS el componente estrella de la electrnica digital.

QU ES?
MOSFET significa "FET de Metal Oxido Semiconductor" o FET de compuerta aislada, es un arreglo de cientos de transistores integrados en un sustrato de silicio. Cada uno entrega una parte a la corriente total. Uno de los motivos que impuls su desarrollo es que los transistores bipolares presentan limitaciones. Es un dispositivo controlado por tensin, Es un dispositivo extremadamente veloz en virtud a la pequea corriente necesaria para estrangular o liberar el canal. Por esta facultad se los usa ampliamente en conmutacin. Su velocidad permite disear etapas con grandes anchos de banda minimizando, as, lo que se denomina distorsin por fase. La caracterstica constructiva comn a todos los tipos de transistor MOS es que el terminal de puerta (G) est formado por una estructura de tipo Metal/xido/Semiconductor. El xido es aislante, con lo que la corriente de puerta es prcticamente nula, mucho menor que en los JFET. Por ello, los MOS se emplean para tratar seales de muy baja potencia. Tiene una versin NPN y otra PNP. El NPN es llamado MOSFET de canal N y el PNP es llamado MOSFET de canal P, En el MOSFET de canal N la parte "N" est conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain) En el MOSFET de canal P la parte "P" est conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain):

PRINCIPIO DE OPERACION
Tanto en el MOSFET de canal N o el de canal P, cuando no se aplica tensin en la compuerta no hay flujo de corriente entre en drenaje (Drain) y la fuente (Source)

Para que circule corriente en un MOSFET de canal N una tensin positiva se debe aplicar en la compuerta. As los electrones del canal N de la fuente (source) y el drenaje (Drain) son atrados a la compuerta (Gate) y pasan por el canal P entre ellos. El movimiento de estos electrones, crea las condiciones para que aparezca un puente para los electrones entre el drenaje y la fuente. La amplitud o anchura de este puente (y la cantidad de corriente) depende o es controlada por la tensin aplicada a la compuerta. En el caso del MOSFET de canal P, se da una situacin similar. Cuando se aplica una tensin negativa en la compuerta, los huecos (ausencia de electrones) del canal P del drenaje y de la fuente son atrados hacia la compuerta y pasan a travs del canal N que hay entre ellos, creando un puente entre drenaje y fuente. La amplitud o anchura del puente (y la cantidad de corriente) depende de la tensin aplicada a la compuerta. Debido a la delgada capa de xido que hay entre la compuerta y el semiconductor, no hay corriente por la compuerta. La corriente que circula entre drenaje y fuente es controlada por la tensin aplicada a la compuerta.

APLICACION

El MOSFET es frecuentemente usado como amplificador de potencia ya que ofrecen dos ventajas sobre los MESFETs y los JFETs y ellas son: En la regin activa de un MOSFET en modo de enriquecimiento, la capacitancia de entrada y la trasconductancia es casi independiente del voltaje de la compuerta y la capacitancia de salida es independiente del voltaje del drenador. Este puede proveer una potencia de amplificacin muy lineal. El rango de voltaje activo de la compuerta puede ser mayor porque los MOSFETs de canal n en modo de vaciamiento pueden operar desde la regin de modo de vaciamiento (-Vg) a la regin de modo de enriquecimiento (+Vg). Capacitancia en el MOSFET Dos capacitancias son importantes en un conmutador de encendido-apagado con MOSFET. stas son Cgs entre Gate y la fuente y Cgd entre Gate y drenaje. Cada valor de capacitancia es una funcin no lineal del voltaje. El valor para Cgs tiene solamente una variacin pequea, pero en Cgd, cuando uDG haya pasado a travs de cero, es muy

significativa. Cualquier desprecio de estas variaciones crea un error substancial en la carga que es requerida en Gate que es necesaria para estabilizar una condicin dada de operacin. Encendido En la mayora de los circuitos con MOSFET, el objetivo es encenderlo tan rpido como sea posible para minimizar las prdidas por conmutacin. Para lograrlo, el circuito manejador del gatillo debe ser capaz de alimentar la suficiente corriente para incrementar rpidamente el voltaje de gatillo al valor requerido. Apagado Para apagar el MOSFET, el voltaje gate-fuente debe reducirse en accin inversa como fue hecho para encenderlo. La secuencia particular de la corriente y el voltaje depende de los arreglos del circuito externo. rea segura de operacin El rea segura de operacin de el MOSFET est limitada por tres variables que forman los lmites de una operacin aceptable. Estos lmites son: 1. Corriente mxima pulsante de drenaje 2. Voltaje mximo drenaje-fuente 3. Temperatura mxima de unin. Prdidas del MOSFET Las prdidas de potencia del MOSFET son un factor tomado en cuenta para la seleccin de un dispositivo de conmutacin. La eleccin no es sencilla, pues no puede decirse que el MOSFET tenga menores o mayores prdidas que un BJT en un valor especfico de corriente. Las prdidas por conmutacin en el encendido y apagado juegan un papel ms importante en la seleccin. La frecuencia de conmutacin es tambin muy importante.

CONCLUSIONES
1.El mosfet gracias a su gran velocidad de conmutacin presenta una gran versatilidad de trabajo;este puede reemplazar dispostivos como el jfet. 2.los MOS se emplean para tratar seales de muy baja potencia esto es una gran ventaja ya que pueden ser utilizados en una gran gama de aplicaciones 3.Para que circule corriente en un MOSFET de canal N una tensin positiva se debe aplicar en la compuerta. As los electrones del canal N de la fuente (source) y el drenaje (Drain) son atrados a la compuerta (Gate) y pasan por el canal P entre ellos. 4.gracias a la delgada capa de xido que hay entre la compuerta y el semiconductor, no hay corriente por la compuerta. La corriente que circula entre drenaje y fuente es controlada por la tensin aplicada a la compuerta.

7. 8.

MOSFET de enriquecimiento y de empobrecimiento. Circuitos de autopolarizacin y de polarizacin de un MOSFET. Describir las caractersticas y parmetros ms importantes del MOSFET. Analizar los circuitos de polarizacin de un MOSFET.

9.

Aplicaciones de los MOSFET. La mayora de componentes electrnicos estn basados en la aplicacin MOSFET Es ideal para controlar motores de mediana potencia en proyectos de robotica El MOSFET es frecuentemente usado como amplificador de potencia Interruptores analgicos o digitales. Etapas de entrada a amplificadores diferenciales. Amplificadores especiales Resistencias controladas por tensin