ELECTRNICA

Ingeniera en Petrleos



PRIMER BIMESTRE

Jessica Lisbeth Armijos Arias



CONCEPTO FSICO DE CAMPO
Las cargas elctricas no precisan de ningn medio material para ejercer su influencia sobre
otras, de ah que las fuerzas elctricas sean consideradas fuerzas de accin a distancia. Cuando
en la naturaleza se da una situacin de este estilo, se recurre a la idea de campo para facilitar la
descripcin en trminos fsicos de la influencia que uno o ms cuerpos ejercen sobre el espacio
que les rodea.
La nocin fsica de campo se corresponde con la de un espacio dotado de propiedades medibles.
En el caso de que se trate de un campo de fuerzas ste viene a ser aquella regin del espacio en
donde se dejan sentir los efectos de fuerzas a distancia.
As, la influencia gravitatoria sobre el espacio que rodea la Tierra se hace visible cuando en
cualquiera de sus puntos se sita, a modo de detector, un cuerpo de prueba y se mide su peso, es
decir, la fuerza con que la Tierra lo atrae. Dicha influencia gravitatoria se conoce como campo
gravitatorio terrestre. De un modo anlogo la fsica introduce la nocin de campo magntico y
tambin la de campo elctrico o electrosttico.
CAMPOS ELCTRICOS
DEFINICION
El campo elctrico es una perturbacin que modifica el espacio que lo rodea.. (dicho campo
puede ser proveniente por ej. de una carga puntual).Se considera un ente fsico no visible, pero
si medible, y se lo modeliza matemticamente como el vector campo elctrico.. que se define
como la relacin entre la Fuerza Coulombiana que experimenta una carga testigo y el valor de la
carga testigo(una carga testigo positiva). La definicin ms intuitiva acerca del campo elctrico
se la puede estudiar mediante la ley de Coulomb. Esta ley, una vez generalizada, permite
expresar el campo entre distribuciones de carga en reposo relativo. Sin embargo, para cargas en
movimiento se requiere una definicin ms formal y completa acerca del campo requiere el uso
de cuadrivectores y el principio de mnima accin. A continuacin se describen ambas.
Definicin mediante la ley de Coulomb

Campo elctrico de una distribucin lineal de carga. Una carga puntual P es sometida a una
fuerza en direccin radial por una distribucin de carga en forma de diferencial de lnea
(dL), lo que produce un campo elctrico .
Partiendo de la ley de Coulomb que expresa que la fuerza entre dos cargas en reposo relativo
depende del cuadrado de la distancia, matemticamente es igual a:
1


Donde:
es la permitividad elctrica del vaco tiene que ver con el sistema internacional,
son las cargas que interactan,
es la distancia entre ambas cargas,
, es el vector de posicin relativa de la carga 2 respecto a la carga 1.
y es el unitario en la direccin . Ntese que en la frmula se est usando
0
, esta es la
permitividad en el vaco. Para calcular la interaccin en otro medio es necesario cambiar la
permitividad de dicho medio. ( =
r
.
0
)
La ley anterior presupona que la posicin de una partcula en un instante dado, hace que su
campo elctrica afecte en el mismo instante a cualquier otra carga. Ese tipo de interaccines en
las que el efecto sobre el resto de partculas parece dependender slo de la posicin de la
partcula causante sin importar la distancia entre las partculas se denomina en fsica accin a
distancia. Si bien la nocin de accin a distancia fue aceptada inicialmente por el propio
Newton, experimentos ms cuidados a lo largo del siglo XIX llevaron a desechar dicha nocin
como no-realista. En ese contexto se pens que el campo elctrico no slo era un artificio
matemtico sino un ente fsico que se propaga a una velocidad finita (la velocidad de la luz)
hasta afectar a otras partculas. Esa idea conllevaba modificar la ley de Coulomb de acuerdo con
los requerimientos de la teora de la relatividad y dotar de entidad fsica al campo
elctrico.
1
As, el campo elctrico es una distorsin electromagntica que sufre el espacio
debido a la presencia de una carga. Considerando esto se puede obtener una expresin del
campo elctrico cuando este slo depende de la distancia entre las cargas:


Donde claramente se tiene que, F=q*E la que es una de las definiciones ms conocidas acerca
del campo elctrico.
Ley de Gauss
Para conocer una de las propiedades del campo elctrico se estudia que ocurre con el flujo de
ste al atravesar una superficie. El flujo de un campo se lo obtiene de la siguiente manera:
(8)
Donde es el diferencial de rea en direccin normal a la superficie. Aplicando la ecuacin
(7) en (8) y analizando el flujo a travs de una superficie cerrada se encuentra que:
(9)
Donde Q
enc
es la carga encerrada en esa superficie. La ecuacin (9) es conocida como la ley
integral de Gauss y su forma derivada es:
(10)
Donde es la densidad volumtrica de carga. Esto indica que el campo elctrico diverge hacia
una distribucin de carga; en otras palabras, que el campo elctrico comienza en una carga y
termina en otra.
Esta idea puede ser visualizada mediante el concepto de lneas de campo. Si se tiene una carga
en un punto, el campo elctrico estara dirigido hacia la otra carga.
Lneas de campo




Lneas de campo elctrico correspondientes a cargas iguales y opuestas, respectivamente.
Un campo elctrico esttico puede ser representado geomtricamente con lneas tales que en
cada punto el campo vectorial sea tangente a dichas lneas, a estas lneas se las conoce como
"lneas de campo". Matemticamente las lneas de campo son las curvas integrales del campo
vectorial. Las lneas de campo se utilizan para crear una representacin grfica del campo, y
pueden ser tantas como sea necesario visualizar.
Las lneas de campo son lneas perpendiculares a la superficie del cuerpo, de manera que su
tangente geomtrica en un punto coincide con la direccin del campo en ese punto. Esto es una
consecuencia directa de la ley de Gauss, es decir encontramos que la mayor variacin
direccional en el campo se dirige perpendicularmente a la carga. Al unir los puntos en los que el
campo elctrico es de igual magnitud, se obtiene lo que se conoce como superficies
equipotenciales, son aquellas donde el potencial tiene el mismo valor numrico. En el caso
esttico al ser el campo elctrico un campo irrotacional las lneas de campo nunca sern
cerradas (cosa que s puede suceder en el caso dinmico, donde el rotacional del campo elctrico
es igual a la variacin temporal del campo magntico cambiada de signo, por tanto una lnea de
campo elctrico cerrado requiere un campo magntico variable, cosa imposible en el caso
esttico).
En el caso dinmico pueden definirse igualmente las lneas slo que el patrn de lneas variar
de un instante a otro del tiempo, es decir, las lneas de campo al igual que las cargas sern
mviles.
EJERCICIOS
1.- Dos cargas puntuales e iguales de valor 2 mC cada una, se encuentran situadas en el plano XY
en los puntos (0,5) y (0,-5), respectivamente, estando las distancias expresadas en metros.
a) En qu punto del plano el campo elctrico es nulo?
b) Cul es el trabajo necesario para llevar una carga unidad desde el punto (l,O) al punto (-1,0)?
Solucin:



La suma de dos vectores da nulo si tienen el mismo modulo y forman entre s 180. En los puntos situados
fuera del segmento que une las cargas, segmento AB, el campo no puede anularse pues los campos
forman ngulos distintos de 180 . Slo puede anularse en el segmento AB.
Como las cargas son iguales, y el campo depende de la distancia del punto a la carga, para que los dos
campos sean iguales y opuestos slo puede suceder en el punto medio del segmento, en este caso el
origen de coordenadas (0,0). Si se desea comprobar analticamente, consideremos un punto genrico del
segmento de coordenadas (x,0) y determinemos x para que el campo sea nulo:
Campo creado en P por la carga situada en A: E = K. q /(5+x)
2

Campo creado en P por la carga situada en B: E = K. q /(5-x)
2

Los dos campos deben ser iguales en mdulo para que su suma vectorial de campo nulo:
K. q /(5+x)
2
= K. q /(5-x)
2


(5+x)
2
= (5-x)
2

x = 0
El trabajo para trasladar una carga de un punto a otro del campo es igual al producto de la carga por la
diferencia de potencial entre los dos puntos; como en este caso la carga es la unidad el trabajo coincide
con la d.d.p.; como el potencial depende de la carga y de la distancia al punto, al ser las cargas iguales y
las posiciones relativas de los puntos, con relacin a las cargas, iguales, los potenciales son iguales y por
tanto el trabajo es nulo:
W = q. ( V
1
- V
2
)
V
1
= K. q
A
/ r
A
+ K. q
B
/r
B
= 9.10
9
. 2.10
-3
.( 1 /4 + 1 /6) = 7'5.10
6
Voltios
V
2
= K. q
A
/ r
A
+ K. q
B
/r
B
= 9.10
9
. 2.10
-3
.( 1 /6 + 1 /4) = 7'5.10
6
Voltios
V
1
- V
2
= 7'5.10
6
- 7'5.10
6
= 0 W = 0 Julios
2.- Se tienen tres cargas en los vrtices de un tringulo equiltero cuyas coordenadas, expresadas en
cm, son:
A (0,2) , B (-\3, -1) , C (\3, -1)
Se sabe que las cargas situadas en los puntos B y C son iguales a 2 C y que el campo elctrico en el
origen de coordenadas (centro del tringulo) es nulo. Determinar:
a) El valor de la carga situada en el vrtice A
b) El potencial en el origen de coordenadas
Solucin:
El campo elctrico a una distancia r de una carga es :
E = [K.Q / r
2
].u
siendo u el vector unitario en el sentido de la carga al punto
Si el tringulo es equiltero el centro del mismo equidista de los
vrtices, por lo que el valor de r es el mismo para las tres cargas. Al
mismo tiempo los sentidos de los tres campos en el centro del tringulo
forman 120.
Si el campo total es nulo, si el centro equidista de los vrtices y si los
campos forman 120, las tres cargas deben ser iguales; por tanto el
valor de la carga situada en el vrtice A es de + 2 C
El potencial en el centro del tringulo ser la suma de los potenciales creados por cada carga:
V
O
= V
O,A
+ V
O,B
+ V
O,C

El potencial en un punto debido a una carga es una magnitud escalar de valor:
V = K.Q / r
Al tener cada vrtice la misma carga, al tener r el mismo valor para cada carga, se deduce que los
potenciales creados por cada carga son iguales y de valor:
V
O,A
= V
O,B
= V
O,C
= K. Q / r = 9.10
9
.2.10
-6
/ 0'02 = 900 000 Voltios
V
O
= 3 . 900000 = 2 700 000 Voltios
Nota: Con los datos de las coordenadas se puede deducir que el tringulo es equiltero y que el centro del
tringulo coincide con el centro de coordenadas, por lo que estos datos son redundantes.
3.- Calcular el campo y el potencial elctrico producido por un anillo conductor de radio R cargado
con una carga Q, en un punto de su eje perpendicular.
Consideremos un elemento del anillo formado por un arco de
apertura du . El valor de ese arco ser:
dL = R. du
y la carga que contiene ser:
dq = Q. dL /(2.t.R) = Q. du /(2.t)
El campo creado por este elemento de carga en un punto z del
eje perpendicular es:
dE = k. dq / r
2
= k. Q. du /(2.t. r
2
)
Este campo puede descomponerse en dos vectores: uno en la direccin del eje z y otro perpendicular al
anterior; esta ultima componente se anular con la componente producida por un elemento de carga
situado en la posicin simtrica en el disco, por lo que slo interesa la componente en el eje z:
dE
z
= dE . sen o = [ k. Q. du /(2.t. r
2
) ]. (z / r) = k. Q. z. du /(2.t. r
3
)
El campo total producido por el anillo ser la integral respecto a u entre 0 y 2.t :
E
z
= ] dE
z
= ] k. Q. z. du /(2.t. r
3
) = k. Q. z / r
3
= k. Q. z / (z
2
+ R
2
)
3/2

El potencial creado por el elemento de anillo ser:
dV
z
= k. dq /r = k. Q. du /(2.t. r)
4.- En tres vrtices de un cuadrado de 40 cm de lado se han situado cargas elctricas de
+125 m C. Determinar el campo elctrico en el cuarto vrtice y el trabajo necesario para trasladar
una carga de - 10 m C desde ese vrtice al centro del cuadrado.
El campo producido en D ser la suma vectorial de los campos
creados por cada carga:
E
C
= E
A
= k.q / a
2

E
B
= k. q / (a
2
+ a
2
)
El campo resultante tendr la direccin y sentido de E
B
y valdr:
E = E
B
+ (E
A
2
+ E
C
2
)
1/2
= k. q /(2.a
2
) + (2. k
2
. q
2
. / a
4
)
1/2

E = k. q. (1 / 2 + 2
1/2
) / a
2
= 9.10
9
. 125.10
-6
. (1 / 2 + 2
1/2
) / 0'4
2
=
1'35.10
7
N /C
El trabajo para trasladar una carga de un punto a otro es la carga por la d.d.p. entre los puntos:
El potencial en un punto es la suma de los potenciales creados por cada carga:
V(D) = k. q / a + k . q. /a + k. q. /(a
2
+ a
2
)
1/2
= + k. q. (2 + 1 / 2
1/2
) / a
V(D) = 9.10
9
. 125.10
-6
. (2 + 1 /2
1/2
) / 0'4 = 7613738 Voltios
V(O) = 3. k. q. /( a / 2
1/2
) = 3. 9.10
9
. 125.10
-6
. 2
1/2
/ 0'4 = 11932427 Voltios
W = q' . (V(O) - V(D)) = - 10.10
-6
. ( 11932427 - 7613738 ) = 43'2 J
CAMPOS MAGNTICOS
Las fuerzas caractersticas de los imanes se denominan fuerzas magnticas. El desarrollo de la
fsica ampli el tipo de objetos que sufren y ejercen fuerzas magnticas. Las corrientes
elctricas y, en general, las cargas en movimiento se comportan como imanes, es decir,
producen campos magnticos. Siendo las cargas mviles las ltimas en llegar al panorama del
magnetismo han permitido, sin embargo, explicar el comportamiento de los imanes, esos
primeros objetos magnticos conocidos desde la antigedad.
El trmino magnetismo tiene su origen en el nombre que en la poca de los filsofos griegos
reciba una regin del Asia Menor, entonces denominada Magnesia; en ella abundaba una piedra
negra o piedra imn capaz de atraer objetos de hierro y de comunicarles por contacto un poder
similar. A pesar de que ya en el siglo VI a. de C. se conoca un cierto nmero de fenmenos
magnticos, el magnetismo como disciplina no comienza a desarrollarse hasta ms de veinte
siglos despus, cuando la experimentacin se convierte en una herramienta esencial para el
desarrollo del conocimiento cientfico. Gilbert (1544-1603), Ampre (1775-1836), Oersted
(1777-1851), Faraday (1791-1867) y Maxwell (1831-1879), investigaron sobre las
caractersticas de los fenmenos magnticos, aportando una descripcin en forma de leyes, cada
vez ms completa.
Los fenmenos magnticos haban permanecido durante mucho tiempo en la historia de la
ciencia como independientes de los elctricos. Pero el avance de la electricidad por un lado y
del magnetismo por otro, prepar la sntesis de ambas partes de la fsica en una sola, el
electromagnetismo, que rene las relaciones mutuas existentes entre los campos magnticos y
las corrientes elctricas. James Clark Maxwell fue el cientfico que cerr ese sistema de
relaciones al elaborar su teora electromagntica, una de las ms bellas construcciones
conceptuales de la fsica clsica. El magnetismo es uno de los aspectos del electromagnetismo,
que es una de las fuerzas fundamentales de la naturaleza.
Campo magntico producido por una carga puntual
El campo magntico generado por una nica carga en movimiento (no por una corriente
elctrica) se calcula a partir de la siguiente expresin: el toto imbrogno

Donde . Esta ltima expresin define un campo vectorial solenoidal,
para distribuciones de cargas en movimiento la expresin es diferente, pero puede probarse que
el campo magntico sigue siendo un campo solenoidal.
Propiedades del campo magntico
La inexistencia de cargas magnticas lleva a que el campo magntico es un campo
solenoidal lo que lleva a que localmente puede ser derivado de un potencial vector , es
decir:
A su vez este potencial vector puede ser relacionado con el vector densidad de
corriente mediante la relacin:

Inexistencia de cargas magnticas aisladas
Cabe destacar que, a diferencia del campo elctrico, en el campo magntico no se ha
comprobado la existencia de monopolos magnticos, slo dipolos magnticos, lo que significa
que las lneas de campo magntico son cerradas, esto es, el nmero neto de lneas de campo que
entran en una superficie es igual al nmero de lneas de campo que salen de la misma superficie.
Un claro ejemplo de esta propiedad viene representado por las lneas de campo de un imn,
donde se puede ver que el mismo nmero de lneas de campo que salen del polo norte vuelve a
entrar por el polo sur, desde donde vuelven por el interior del imn hasta el norte.

Como se puede ver en el dibujo, independientemente de que la carga en movimiento sea
positiva o negativa, en el punto A nunca aparece campo magntico; sin embargo, en los puntos
B y C el campo magntico invierte su direccin dependiendo de si la carga es positiva o
negativa. La direccin del campo magntico viene dado por la regla de la mano derecha, siendo
las pautas las siguientes:
En primer lugar se imagina un vector qv, en la misma direccin de la trayectoria de la carga
en movimiento. La direccin de este vector depende del signo de la carga, esto es, si la
carga es positiva y se mueve hacia la derecha, el vector +qv estar orientado hacia la
derecha. No obstante, si la carga es negativa y se mueve hacia la derecha, el vector es -qv va
hacia la izquierda.
A continuacin, vamos sealando con los cuatro dedos de la mano derecha (ndice, medio,
anular y meique), desde el primer vector qv hasta el segundo vector Ur, por el camino ms
corto o, lo que es lo mismo, el camino que forme el ngulo menor entre los dos vectores. El
pulgar extendido indicar en ese punto la direccin del campo magntico.

Energa almacenada en campos magnticos
La energa es necesaria para generar un campo magntico, para trabajar contra el campo
elctrico que un campo magntico crea y para cambiar la magnetizacin de cualquier material
dentro del campo magntico. Para los materiales no-dispersivos, se libera esta misma energa
tanto cuando se destruye el campo magntico para poder modelar esta energa, como siendo
almacenado en el campo magntico.
Para materiales lineales y no dispersivos (tales que B = H donde est frecuencia-independiente
el ), la densidad de energa es: u=B*B/2 = H*H/2
Si no hay materiales magnticos alrededor, entonces el se puede substituir por 0. La ecuacin
antedicha no se puede utilizar para los materiales no lineales, se utiliza una expresin ms
general dada abajo.
Generalmente la cantidad incremental de trabajo por el W del volumen de unidad necesitado
para causar un cambio pequeo del B del campo magntico es: W= H*B
Una vez que la relacin entre H y B se obtenga, esta ecuacin se utiliza para determinar el
trabajo necesitado para alcanzar un estado magntico dado. Para los materiales como los ferro
magnticos y superconductores el trabajo necesitado tambin depender de cmo se crea el
campo magntico.
Unidades y magnitudes tpicas
La unidad de B en el SI es el tesla, que equivale a wber por metro cuadrado (Wb/m) o a voltio
segundo por metro cuadrado (V s/m); en unidades bsicas es kg s
2
A
1
. Su unidad en sistema
de Gauss es el gauss (G); en unidades bsicas es cm
1/2
g
1/2
s
1
.
La unidad de H en el SI es el amperio por metro (A/m) (a veces llamado ampervuelta por
metro). Su unidad en el sistema de Gauss es el orsted (Oe), que es dimensionalmente igual al
Gauss.
EJERCICIOS
1.- Sea un conductor rectilneo de longitud infinita por el que circula una corriente de 5 A. Una
espira cuadrada de lado 10 cm est colocada con dos lados paralelos al conductor y a una distancia
mnima de 3 cm. Por la espira circula una intensidad de 0'2 A. Determinar:
a) Mdulo direccin y sentido del campo magntico creado por el conductor rectilneo en cada uno
de los lados de la espira paralelos al conductor.
b ) Mdulo, direccin y sentido de la fuerza sobre cada uno de esos lados.
Solucin:
El conductor rectilneo crea a su alrededor un campo magntico cuyo
sentido viene dado por la regla de la mano derecha, por lo que en el dibujo
el campo entrara en el papel, y su valor es:
B = m
o
. I / ( 2.p . x )
siendo x la distancia del punto al conductor.
Como por la espira circula una corriente elctrica, aparecer una fuerza
magntica de valor F = I . ( L ^ B )
Lado QT: Todos sus puntos estn a la misma distancia del conductor por
lo que el campo magntico en ellos es el mismo y de valor:
B = m
o
. I / ( 2.p . x ) = 4.p .10
-7
. 5 / ( 2.p . 0'03 ) = 3'33.10
-5
T
la fuerza ser: F
1
= 5 . 0'1 . 3'33.10
-5
= 1'67.10
-5
N
Lado RS: Todos sus puntos estn a la misma distancia del conductor por lo que el campo magntico en
ellos es el mismo y de valor:
B = m
o
. I / ( 2.p . x ) = 4.p .10
-7
. 5 / ( 2.p . 0'13 ) = 7'69.10
-6
T
la fuerza ser: F
3
= 5 . 0'1 . 7'69.10
-6
= 3'84.10
-6
N
Lados QR y ST: cada punto est a una distancia diferente del conductor, por lo que en cada punto el
campo magntico es distinto, variando desde 3'33.10
-5
T en el punto ms prximo hasta 7'69.10
-6
T en el
ms lejano.
2.- Un electrn que viaja con velocidad v
o
= 10
7
m/s penetra en la regin sombreada de la figura,
donde existe un campo magntico uniforme. Se observa que el electrn realiza una trayectoria
semicircular de radio R = 5 cm dentro de dicha regin, de forma que sale en direccin paralela a la
de incidencia, pero en sentido opuesto. Sabiendo que la relacin carga / masa del electrn es
1'76.10
11
C/kg, determinar el mdulo, direccin y sentido del campo magntico que existe en esa
regin.
Solucin:
Cuando un electrn entra en un campo magntico uniforme se
ve sometido a una fuerza que es perpendicular al campo
magntico y a la velocidad, obligando a la carga a describir una
trayectoria curva.
F = q . ( V ^ B )
Como el campo magntico es uniforme y la trayectoria es plana,
semicircular, el campo magntico tiene que ser perpendicular a
la velocidad adems de serlo de la fuerza magntica. Por otro
lado, al ser la carga negativa la fuerza magntica es opuesta
al sentido del producto vectorial V ^ B , por lo que el sentido
del campo debe ser hacia adentro.
Esta fuerza magntica es la fuerza centrpeta que obliga a la
carga a describir el semicrculo:
F = q. v. B. sen 90 = m. v
2
/ R B = m . v / ( q . R ) = v /( R . q / m )
En este caso:
B = 10
7
/ ( 0'05 . 1'76.10
11
) = 0'0011 Teslas
3.- Un electrn que se mueve con una velocidad de 10
6
m/s describe una rbita circular en el seno de
un campo magntico uniforme de valor 0,1 T cuya direccin es perpendicular a la velocidad.
Determine:
a. El valor del radio de la rbita que realiza el electrn.
b. El nmero de vueltas que da el electrn en 0,001 s.
Datos:
Masa del electrn m
e
= 9,1 10
-31
kg Valor absoluto de la carga del
electrn e = 1,6 10
-19
C
Solucin:
Cuando un electrn entra en un campo magntico uniforme y normal
a su velocidad describe una rbita debido a la fuerza magntica. Hay
que tener presente que al ser la carga negativa la fuerza es opuesta a la
que experimentara una carga positiva.
La fuerza magntica es la centrpeta que obliga al electrn a describir
la rbita:
F = q. v. B. sen 90 = q. v. B = 1'6.10
-19
. 1.10
6
. 0'1 = 1'6.10
-14
N
F = m. v
2
/ R R = m. v
2
/ F = 9'1.10
-31
.(1.10
6
)
2
/ 1'6.10
-14
=
5'7.10
-5
m
El nmero de vueltas que dar en 0'001 segundos ser: n = v . t /
(2.p.R ) = 1.10
6
. 0'001 / (2.p.5'7.10
-5
) = 2'8.10
6
vueltas
4.- En una misma regin del espacio existen un campo elctrico uniforme de valor 0,5.10
4
v. m
-1
y un
campo magntico uniforme de valor 0,3 T, siendo sus direcciones perpendiculares entre si:
a) Cual deber ser la velocidad de una partcula cargada que penetra en esa regin en direccin
perpendicular a ambos campos para que pase a travs de la misma sin ser desviada?
b) Si la partcula es un protn, cul deber ser su energa cintica para no ser desviado?
Datos: mesa del protn m
p
= 1,672.10
-27
kg
Solucin:
Al entrar una carga q con velocidad v dentro de esta regin, se ve sometida a
una fuerza magntica y otra fuerza elctrica, de sentidos opuestos. Si la carga
no se desva quiere decir que ambas fuerzas son iguales:
F
e
= q . E
F
m
= q . v . B . sen 90 = q . v . B
F
e
= F
m
q . E = q . v . B v = E / B = 0'5.10
4
/ 0'3 =
1'67.10
4
m/s
Si la carga fuera un protn, debera llevar una energa cintica de valor:
Ec = m . v
2
/2 = 1,672.10
-27
. (1'67.10
4
)
2
/2 = 2'33.10
-19
Julios
TEORIA DE LOS SEMICONDUCTORES
Un semiconductor es un elemento material cuya conductividad elctrica puede considerarse
situada entre las de un aislante y la de un conductor, considerados en orden creciente
Los semiconductores ms conocidos son el siliceo (Si) y el germanio (Ge). Debido a que, como
veremos ms adelante, el comportamiento del siliceo es ms estable que el germanio frente a
todas las perturbaciones exteriores que puden variar su respuesta normal, ser el primero (Si) el
elemento semiconductor ms utilizado en la fabricacin de los componentes electrnicos de
estado solido. A l nos referiremos normalmente, teniendo en cuenta que el proceso del
germanio es absolutamente similar.
Como todos los dems, el tomo de silicio tiene tantas cargas positivas en el ncleo, como
electrones en las rbitas que le rodean. (En el caso del silicio este nmero es de 14). El inters
del semiconductor se centra en su capacidad de dar lugar a la aparicin de una corriente, es
decir, que haya un movimiento de electrones. Como es de todos conocido, un electrn se siente
ms ligado al ncleo cuanto mayor sea su cercana entre ambos. Por tanto los electrones que
tienen menor fuerza de atraccin por parte del ncleo y pueden ser liberados de la misma, son
los electrones que se encuentran en las rbitas exteriores. Estos electrones pueden, segn lo
dicho anteriormente, quedar libres al inyectarles una pequea energa. En estos recaer nuestra
atencin y es as que en vez de utilizar el modelo completo del tomo de silicio (figura 1),
utilizaremos la representacin simplificada (figura 2) donde se resalta la zona de nuestro inters.
La zona sombreada de la
figura 2 representa de una
manera simplificada a la
zona sombreada de la figura
1
Como se puede apreciar en
la figura, los electrones
factibles de ser liberados de la fuerza de atraccin del ncleo son cuatro.
Semiconductores contaminados
La conductividad de un semiconductor se puede aumentar en forma considerable cuando se
introducen cantidades pequeas de impurezas especficas en el cristal. Este procedimiento se
llaman contaminacin. Si la sustancias contaminantes tienen electrones libres extra, se conoce
como donador, y el semiconductor contaminado es de tipo n. Los portadores mayoritarios son
electrones y los portadores minoritarios son huecos, pues existen ms electrones que huecos. Si
la sustancia contaminante tiene huecos extra, se conoce como aceptor o receptor, y el
semiconductor contaminado es de tipo p. Los portadores mayoritarios son huecos y los
minoritarios son electrones. Los materiales contaminados se conocen como semiconductores
extrnsecos, mientras que las sustancias puras son materiales intrnsecos.

ELEMENTOS FUNDAMENTALES DE LA TEORIA DE LOS SEMICONDUCTORES.
Los semiconductores son sustancias que se encuentran entre los buenos conductores de la
electricidad y los aisladores ,ellos se encuentran en el grupo IV de la tabla peridica como el
Germanio y el Silicio que tienen cuatro electrones en su ultimo nivel los cuales se comparten
con los electrones de cuatro tomos vecinos para formar la red cristalina mediante un enlace
coovalente.Si a esa muestra de semiconductor descripta anteriormente le aadimos impurezas de
elementos del grupo V como por ejemplo el Arsnico que tiene cinco electrones en su ultimo
nivel ,aparecen solamente cuatro electrones compartidos con los electrones del semiconductor
,quedando un electrn sin compartir incrementando por lo tanto los electrones de conduccin
que hacen posible la conduccin de la corriente a travs de el ,formndose as el semiconductor
del tipo N ,donde los portadores mayoritarios son los electrones ( cargas negativas ) y los
minoritarios los huecos ( cargas positivas ).
Cuando unimos un semiconductor del tipo P con uno N se forma una juntura P-N que es el
basamento de construccin de un diodo semiconductor componente este importantsimo en la
electrnica ya que permite el paso de la corriente en un solo sentido.
Cuando en la juntura P-N se establece el movimiento de los portadores mayoritarios en la zona
de la unin se origina una polarizacin debido a la concentracin de las cargas de signos
contrarios a la de los portadores mayoritarios de cada tipo de semiconductor ( P o N )
,formndose as la barrera de conduccin con un campo elctrico complementario dirigido de la
parte positiva a la negativa de la barrera. Si en estas condiciones la parte N se polariza mediante
una fuente de energa positivamente se observa un aumento de la anchura de la barrera de
conduccin debido a que se aade una intensidad de campo elctrico externo en el mismo
sentido que el campo complementario de la barrera lo que imposibilita el movimiento de los
portadores mayoritarios y por ende no puede circular corriente a travs de la juntura, cuando
esto ocurre el diodo se dice que esta conectado en sentido inverso. Ahora si la parte P del
semiconductor se polariza positivamente inmediatamente aparece un campo elctrico externo en
la barrera de conduccin en sentido contrario al campo elctrico complementario y por tanto se
reduce la anchura de la barrera de conduccin ,permitiendo as el paso de los portadores
mayoritarios y establecindose por lo tanto una circulacin de corriente en el diodo, cuando esto
ocurre el diodo se dice que esta conectado en directo.


JUNTURA P-N.

POLARIZACION INVERSA.


POLARIZACION DIRECTA.



SIMBOLO DEL DIODO SEMICONDUCTOR.


CONDUCE LA CORRIENTE NO CONDUCE LA CORRIENTE.

SEMICONDUCTOR TIPO N:
Este tipo de semiconductor trata de emparejar los materiales con respecto a sus cargas y lo
realiza con enlace de impurezas a ambos materiales. Por lo tanto, la impureza puede donar
cargas con carga negativa al cristal, lo cual nos explica el nombre de tipo N (por negativo).
El material semiconductor de tipo N comercial se fabrica aadiendo a un cristal de silicio
pequeas cantidades controladas de una impureza seleccionada. A estas impurezas tambin se
les llama contaminantes, claro as se le llaman a las impurezas que se agregan intencionalmente.
Los contaminantes de tipo N mas comunes son el fsforo, arsnico y antimonio. A
estos semiconductores se les conoce tambin como donadores, y como este nombre lo indica
estos semiconductores pasas cargas a el material que le hace falta para as poder emparejar este
material, y es por eso que se les conoce mayormente como donadores.
SEMICONDUCTOR TIPO P:
El semiconductor tipo P se produce tambin comercialmente por el proceso de contaminacin,
en este caso el contaminante tiene una carga menos que el semiconductor tipo N, entre los mas
comunes podemos encontrar el aluminio, boro, galio y el indio. Conocidos como aceptores el
cual contiene espacios y necesita que sean llenados para emparejar el material.
SEMICONDUCTOR UNION PN:
Al combinar los materiales de tipo P y N se obtienen datos y cosas muy curiosas pero lo mas
importante y relevante es la formacin del tipounin PN. Una unin se compone de tres
regiones semiconductoras, la regin tipo P, una regin de agotamiento y la regin tipo N.
La regin de agotamiento se forma al unir estos dos materiales y aqu es donde los tomos que
le sobran al tipo N pasan a llenar los espacios que deja el tipo P as complementndose uno con
otro. Lo ms importante de la unin es su capacidad para pasar corriente en una sola direccin.




EJERCICIOS
1.-















2.-
3.-











DIODOS
Un diodo es un componente electrnico de dos terminales que permite la circulacin de la
corriente elctrica a travs de l en un sentido. Este trmino generalmente se usa para referirse
al diodo semiconductor, el ms comn en la actualidad; consta de una pieza de
cristal semiconductor conectada a dos terminales elctricos. El diodo de vaco (que actualmente
ya no se usa, excepto para tecnologas de alta potencia) es un tubo de vaco con dos electrodos:
una lmina como nodo, y un ctodo.
De forma simplificada, la curva caracterstica de un diodo (I-V) consta de dos regiones: por
debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y
por encima de ella como un circuito cerrado con una resistencia elctrica muy pequea. Debido
a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces de
suprimir la parte negativa de cualquier seal, como paso inicial para convertir una corriente
alterna en corriente continua. Su principio de funcionamiento est basado en los experimentos
de Lee De Forest.
Los primeros diodos eran vlvulas o tubos de vaco, tambin llamados vlvulas termo inicas
constituidos por dos electrodos rodeados de vaco en un tubo de cristal, con un aspecto similar
al de las lmparas incandescentes. El invento fue desarrollado en 1904 por John Ambrose
Fleming, empleado de la empresa Marconi, basndose en observaciones realizadas por Thomas
Alva Edison.
Al igual que las lmparas incandescentes, los tubos de vaco tienen un filamento (el ctodo) a
travs del cual circula la corriente, calentndolo por efecto Joule. El filamento est tratado
conxido de bario, de modo que al calentarse emite electrones al vaco circundante los cuales
son conducidos electrostticamente hacia una placa, curvada por un muelle doble, cargada
positivamente (el nodo), producindose as la conduccin. Evidentemente, si el ctodo no se
calienta, no podr ceder electrones. Por esa razn, los circuitos que utilizaban vlvulas de vaco
requeran un tiempo para que las vlvulas se calentaran antes de poder funcionar y las vlvulas
se quemaban con mucha facilidad.
Los diodos de unin p-n y los zener tienen caractersticas constructivas que los diferencian de
otros. Su tamao, en muchos casos, no supera el de una resistencia de capa o de pelcula de
1/4W y aunque su cuerpo es cilndrico, es de menor longitud y dimetro que las resistencias.
Aunque existe gran variedad de tipos, slo algunos especiales difieren de su aspecto. No ocurre
lo mismo con el tamao, pues es funcin de la potencia que pueden disipar. Es caracterstico
encontrarse un aillo en el cuerpo que nos indica el ctodo. Para aquellos cuyo tipo concreto
viene sealado por una serie de letras y nmeros, el ctodo es marcado mediante un anillo en el
cuerpo, prximo a este terminal. Otros usan cdigos de colores, y en ellos el ctodo se
corresponde con el terminal ms prximo a la anda de color ms gruesa. Existen fabricantes que
marcan el ctodo con la letra "K" o el nodo con la "a". Los diodos de punta de germanio suelen
encapsularse en vidrio. En cuanto a los diodos LED, se encuentran encapsulados en resinas de
distintos colores, segun sea la longitud de onda con la que emita. El nodo de estos diodos es
ms largo que el ctodo, y usualmente la cara del encapsulamiento prxima al ctodo es plana.











Tipos de Diodos
DIODO DE USO COMUN
El diodo semiconductor se forma uniendo los materiales tipo N y tipo P, los cuales deben estar
construidos a partir del mismo material base, el cual puede ser Ge o Si. En el momento en que
dos materiales son unidos (uno tipo N y el otro tipo P), los electrones y los huecos que estn en,
o cerca de, la regin de "unin", se combinan y esto da como resultado una carencia de
portadores (tanto como mayoritarios como minoritarios) en la regin cercana a la unin. Esta
regin de iones negativos y positivos descubiertos recibe el nombre de Regin de Agotamiento
por la ausencia de portadores.

Existen tres posibilidades al aplicar un voltaje a travs de las terminales del diodo:
- No hay polarizacin (Vd = 0 V).
- Polarizacin directa (Vd > 0 V).
- Polarizacin inversa (Vd < 0 V).
Vd = 0 V. En condiciones sin polarizacin, los portadores minoritarios (huecos) en el material
tipo N que se encuentran dentro de la regin de agotamiento pasarn directamente al material
tipo P y viceversa. En ausencia de un voltaje de polarizacin aplicado, el flujo neto de carga
(corriente) en cualquier direccin es cero para un diodo semiconductor.

La aplicacin de un voltaje positivo "presionar" a los electrones en el material tipo N y a los
huecos en el material tipo P para recombinar con los iones de la frontera y reducir la anchura de
la regin de agotamiento hasta desaparecerla cuando VD 0.7 V para diodos de Silicio.
Id = I mayoritarios - Is
Condicin de Polarizacin Inversa (Vd < 0 V). Bajo esta condicin el nmero de iones positivos
descubiertos en la regin de agotamiento del material tipo N aumentar debido al mayor nmero
de electrones libres arrastrados hacia el potencial positivo del voltaje aplicado. El nmero de
iones negativos descubiertos en el material tipo P tambin aumentar debido a los electrones
inyectados por la terminal negativa, las cuales ocuparn los huecos.
El fenmeno explicado anteriormente, en ambos tipos de material N y P, provocar que la
regin de agotamiento se ensanche o crezca hasta establecer una barrera tan grande que los
portadores mayoritarios no podrn superar, esto significa que la corriente Id del diodo ser cero.
Sin embargo, el nmero de portadores minoritarios que estarn entrando a la regin de
agotamiento no cambiar, creando por lo tanto la corrienteIs. La corriente que existe bajo
condiciones de polarizacin inversa se denomina corriente de saturacin inversa,
Cuando usamos un diodo en un circuito se deben tener en cuenta las siguientes consideraciones
(a partir de las hojas de caractersticas suministradas por el fabricante):
La tensin inversa mxima aplicable al componente, repetitiva o no (VRRR mx o VR mx,
respectivamente) ha de ser mayor (del orden de tres veces) que la mxima que este va a
soportar.
La corriente mxima en sentido directo que puede atravesar al componente, repetitiva o no
(IFRM mx e IF mx respectivamente), he de ser mayor (del orden del doble) que la mxima
que este va a soportar.
La potencia mxima que puede soportar el diodo (potencia nominal) ha de ser mayor (del
orden del doble) que la mxima que este va a soportar.
DIODO ZENER
La corriente en la regin Zener tiene una direccin opuesta a la de un diodo polarizado
directamente. El diodo Zener es un
diodo que ha sido diseado para
trabajar en la regin Zener.





De acuerdo con la definicin, se puede decir que el diodo Zener ha sido diseado para trabajar
con voltajes negativos (con respecto a l mismo). Es importante mencionar que la regin Zener
(en un diodo Zener) se controla o se manipula variando los niveles de dopado. Un incremento
en el nmero de impurezas agregadas, disminuye el potencial o el voltaje de Zener VZ.
As, se obtienen diodos Zener con potenciales o voltajes de Zener desde -1.8 V a -200 V y
potencias de 1/4 a 50 W. El diodo Zener se puede ver como un dispositivo el cual cuando ha
alcanzado su potencial VZ se comporta como un corto. Es un "switch" o interruptor que se
activa con VZ volts. Se aplica en reguladores de voltaje o en fuentes.
EL DIODO EMISOR DE LUZ (LED)
El LED es un diodo que produce luz visible (o invisible, infrarroja) cuando se encuentra
polarizado. El voltaje de polarizacin de un LED vara desde 1.8 V hasta 2.5 V, y la corriente
necesaria para que emita la luz va desde 8 mA hasta los 20 mA.
Principio de Funcionamiento:
En cualquier unin P-N polarizada directamente, dentro de la estructura y principalmente cerca
de la unin, ocurre una recombinacin de huecos y electrones (al paso de la corriente). Esta
recombinacin requiere que la energa que posee un electrn libre no ligado se transfiera a otro
estado. En todas las uniones P-N una parte de esta energa se convierte en calor y otro tanto en
fotones. En el Si y el Ge el mayor porcentaje se transforma en calor y la luz emitida es
insignificante. Por esta razn se utiliza otro tipo de materiales para fabricar los LED's, como
Fosfuro Arseniuro de de Galio (GaAsP) o fosfuro de Galio (GaP).




Los diodos emisores de luz se pueden conseguir en colores: verde, rojo, amarillo, mbar, azul y
algunos otros.
Hay que tener en cuenta que las caractersticas obtenidas de las hojas de especificaciones
pueden ser distintas para los diodos (p. e. 1N4001) aunque ambos hayan sido producidos en el
mismo lote. Tambin hay que tener en cuenta otro tipo de tolerancias como los resistores, uno
marcado de 100W puede ser realmente de 98W o de 102W o tal vez si ser exacto, y una fuente
"ajustada" a 10V puede estar ajustada realmente a 9.9V o a 10.1V o tal vez a 10V.
De acuerdo a otras consideraciones, El diodo LED presenta un comportamiento anlogo al
diodo rectificador (diodo semiconductor p-n), sin embargo, su tensin de codo tiene un valor
mayor, normalmente entre 1.2-1.5 V. Segn el material y la tecnologa de fabricacin estos
diodos pueden emitir en el infrarrojo (diodos IRED), rojo, azul, amarillo y verde, dependiendo
de cual sea la longitud de onda en torno a la cual emita el LED.
Resulta difcil distinguir, por pura inspeccin visual, el modelo del LED as como el fabricante:
los valores mximos de tensin y corriente que puede soportar y que suministra el fabricante
sern por lo general desconocidos. Por esto, cuando se utilice un diodo LED en un circuito, se
recomienda que la intensidad que lo atraviese no supere los 20 mA, precaucin de carcter
general que resulta muy vlida. En la figura N04, se muestra el smbolo electrnico de este tipo
de diodo.


El diodo LED puede ser tratado de manera anloga a un diodo normal. sin embargo conviene
tener en cuenta que los diodos LED no estn fabricados de silicio monocristalino, ya que el
silicio monocristalino es incapaz de emitir fotones.
En la tabla adjunta aparecen algunos ejemplos de materiales utilizados junto con los colores
conseguidos:
Material Longitud de Onda Color Vd Tpica
AsGa 904 nm IR 1 V
InGaAsP 1300 nm IR 1 V
AsGaAl 750-850 nm Rojo 1,5 V
AsGaP 590 nm Amarillo 1,6 V
InGaAlP 560 nm Verde 2,7 V
CSi 480 nm Azul 3 V
FOTODIODOS
Los fotodiodos. Son diodos sensibles a la luz. Generan un voltaje de corriente continua
proporcional a la cantidad de luz que incide sobre su superficie, es decir, son diodos de unin
PN cuyas caractersticas elctricas dependen de la cantidad de luz que incide sobre la unin. Se
utilizan como medidores y sensores de luz y en receptores pticos de comunicaciones.


Representacin grfica de un Fotodiodo y su
correspondientes curvas caractersticas
El efecto fundamental bajo el cual opera un fotodiodo es la generacin de pares electrn - hueco
debido a la energa luminosa. Este hecho es lo que le diferencia del diodo rectificador de silicio
en el que, solamente existe generacin trmica de portadores de carga. La generacin luminosa,
tiene una mayor incidencia en los portadores minoritarios, que son los responsables de que el
diodo conduzca ligeramente en inversa.
El comportamiento del fotodiodo en inversa se ve claramente influenciado por la incidencia de
luz. Conviene recordar que el diodo real presenta unas pequeas corrientes de fugas de valor IS.
Las corrientes de fugas son debidas a los portadores minoritarios, electrones en la zona P y
huecos en la zona N. La generacin de portadores debido a la luz provoca un aumento sustancial
de portadores minoritarios, lo que se traduce en un aumento de la corriente de fuga en inversa
tal y como se ve en la figura anterior.
DIODOS DE EFECTO TUNEL
Los diodos de efecto tnel. Son dispositivos muy verstiles que pueden operar como detectores,
amplificadores y osciladores. Poseen una regin de juntura extremadamente delgada que
permite a los portadores cruzar con muy bajos voltajes de polarizacin directa y tienen una
resistencia negativa, esto es, la corriente disminuye a medida que aumenta el voltaje aplicado.

LOS DIODOS VARISTOR
O supresor de transientes, es un dispositivo semiconductor utilizado para absorber picos de alto
voltaje desarrollados en las redes de alimentacin elctrica. Cuando aparece un transitorio, el
varistor cambia su resistencia de un valor alto a otro valor muy bajo. El transitorio es absorbido
por el varistor, protegiendo de esa manera los componentes sensibles del circuito. Los varistors
se fabrican con un material no-homogneo.(Carburo de silicio).

CARACTERISTICAS:
Amplia gama de voltajes - desde 14 V a 550 V (RMS). Esto permite una seleccin fcil del
componente correcto para una aplicacin especfica.
Alta capacidad de absorcin de energa respecto a las dimensiones del componente.
Tiempo de respuesta de menos de 20 ns, absorbiendo el transitorio en el instante que
ocurre.
Bajo consumo (en stabd-by) - virtualmente nada.
Valores bajos de capacidad, lo que hace al varistor apropiado para la proteccin de
circuitera en conmutacin digital.
Alto grado de aislamiento.

DIODO SCHOTTKY (DIODO DE BARRERA)
Los diodos Schottky. Son dispositivos que tienen una cada de voltaje directa (VF) muy
pequea, del orden de 0.3 V o menos. Operan a muy altas velocidades y se utilizan en fuentes
de potencia, circuitos de alta frecuencia y sistemas digitales. Reciben tambin el nombre de
diodos de recuperacin rpida (Fast recovery) o de portadores calientes.
Cuando se realiza una ensambladura entre una terminal metlica se hace un material
semiconductor, el contacto tiene, tpicamente, un comportamiento hmico, cualquiera, la
resistencia del contacto gobierna la secuencia de la corriente. Cuando este contacto se hace entre
un metal y una regin semiconductora con la densidad del dopante relativamente baja, las hojas
dominantes del efecto debe ser el resistivo, comenzando tambin a tener un efecto de
rectificacin. Un diodo Schottky, se forma colocando una pelcula metlica en contacto directo
con un semiconductor, segn lo indicado en la figura N05. El metal se deposita generalmente
en un tipo de material N, debido a la movilidad ms grande de los portadores en este tipo de
material. La parte metlica ser el nodo y el semiconductor, el ctodo.En una deposicin de
aluminio (3 electrones en la capa de valencia), los electrones del semiconductor tipo N
migran haca el metal, creando una regin de transicin en la ensambladura.

Figura N05 (Diodo Schottky construido a travs de la tcnica de CIs.)
EL DIODO LASER
Los diodos lser son constructivamente diferentes a los diodos LED normales. Las
caractersticas de un diodo lser son:
La emisin de luz es dirigida en una sola direccin: Un diodo LED emite fotones en muchas
direcciones. Un diodo lser, en cambio, consigue realizar un guiado de la luz preferencial una
sola direccin.

Corte esquemtico de la emisin de luz en diodos LED y lser
Debido a estas dos propiedades, con el lser se pueden conseguir rayos de luz monocromtica
dirigidos en una direccin determinada. Como adems tambin puede controlarse la potencia
emitida, el lser resulta un dispositivo ideal para aquellas operaciones en las que sea necesario
entregar energa con precisin.
SIMBOLOGA

TRANSISTORES
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones
de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino transistor es la contraccin
en ingls de transfer resistor (resistencia de transferencia). Actualmente se encuentran
prcticamente en todos los aparatos electrnicos de uso diario: radios, televisores, reproductores de
audio y video, relojes de cuarzo, computadoras, lmparas fluorescentes, tomgrafos, telfonos
celulares, etc.
El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente
(contaminadas con materiales especficos en cantidades especficas) que forman dos uniones
bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que
est intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de
las vlvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente
amplificada. En el diseo de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo, a
diferencia de los resistores, condensadores e inductores que son elementos pasivos. Su
funcionamiento slo puede explicarse mediante mecnica cuntica.
Tipos de transistor


Transistor de contacto puntual
Llamado tambin transistor de punta de contacto, fue el primer transistor capaz de obtener
ganancia, inventado en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain. Consta de una base de germanio,
semiconductor para entonces mejor conocido que la combinacincobre-xido de cobre, sobre la que
se apoyan, muy juntas, dos puntas metlicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de
base es capaz de modular la resistencia que se ve en el colector, de ah el nombre de transfer
resistor. Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su da. Es difcil de fabricar (las
puntas se ajustaban a mano), frgil (un golpe poda desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo
convivi con el transistor de unin (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de banda. En la
actualidad ha desaparecido.
Transistor de unin bipolar
El transistor de unin bipolar, o BJT por sus siglas en ingls, se fabrica bsicamente sobre un
monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores,
estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el
sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del
mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP.
La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o
huecos (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P
al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsnico (As) o Fsforo (P).
Transistor de efecto de campo
El transistor de efecto de campo de unin (JFET), fue el primer transistor de efecto de campo en la
prctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de
la barra se establece un contacto hmico, tenemos as un transistor de efecto de campo tipo N de la
forma ms bsica. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan
externamente entre s, se producir una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al
otro drenador. Aplicando tensin positiva entre el drenador y el surtidor y conectando la puerta al
surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con polarizacin
cero. Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensin de estrangulamiento, cesa la
conduccin en el canal.
El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en ingls, que controla la corriente en funcin
de una tensin; tienen alta impedancia de entrada.
Transistor de efecto de campo de unin, JFET, construido mediante una unin PN.
Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta se asla
del canal mediante un dielctrico.
Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-xido-
Semiconductor, en este caso la compuerta es metlica y est separada del canal
semiconductor por una capa de xido.
Fototransistor
Los fototransistores son sensibles a la radiacin electromagntica en frecuencias cercanas a la de
la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la luz
incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, slo que puede
trabajar de 2 maneras diferentes:
Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo comn);
Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de
base. (IP) (modo de iluminacin).
Transistores y electrnica de potencia
Con el desarrollo tecnolgico y evolucin de la electrnica, la capacidad de los dispositivos
semiconductores para soportar cada vez mayores niveles de tensin y corriente ha permitido su uso
en aplicaciones de potencia. Es as como actualmente los transistores son empleados
en conversores estticos de potencia, controles para motores y llaves de alta potencia
(principalmente inversores), aunque su principal uso est basado en la amplificacin de corriente
dentro de un circuito cerrado.
El transistor bipolar como amplificador
El comportamiento del transistor se puede ver como dos diodos (Modelo de Ebers-Moll), uno entre
base y emisor, polarizado en directo y otro diodo entre base y colector, polarizado en inverso. Esto
quiere decir que entre base y emisor tendremos una tensin igual a la tensin directa de un diodo,
es decir 0,6 a 0,8 V para un transistor de silicio y unos 0,4 para el germanio.
Lo interesante del dispositivo es que en el colector tendremos una corriente proporcional a la
corriente de base: I
C
= I
B
, es decir, ganancia de corriente cuando >1. Para transistores normales
de seal, vara entre 100 y 300.
Entonces, existen tres configuraciones para el amplificador:
Base comn

La seal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el colector. la base se conecta a las masas
tanto de la seal de entrada como a la de salida. En esta configuracin se tiene ganancia slo de
tensin. La impedancia de entrada es baja y la ganancia de corriente algo menor que uno, debido a
que parte de la corriente de emisor sale por la base. Si aadimos una resistencia de emisor, que
puede ser la propia impedancia de salida de la fuente de seal, un anlisis similar al realizado en el
caso de emisor comn, nos da la ganancia aproximada siguiente: .
La base comn se suele utilizar para adaptar fuentes de seal de baja impedancia de salida como,
por ejemplo, micrfonos dinmicos.

Colector comn
La seal se aplica a la base del transistor y se extrae por el
emisor. El colector se conecta a las masas tanto de la seal de
entrada como a la de salida. En esta configuracin se tiene
ganancia de corriente, pero no de tensin que es ligeramente
inferior a la unidad. La impedancia de entrada es alta,
aproximadamente +1 veces la impedancia de carga. Adems,
la impedancia de salida es baja, aproximadamente veces
menor que la de la fuente de seal.
AMPLIFICADOR
Un amplificador es todo dispositivo que, mediante la utilizacin de energa, magnifica la
amplitud de un fenmeno. Aunque el trmino se aplica principalmente al mbito de los
amplificadores electrnicos, tambin existen otros tipos de amplificadores, como los mecnicos,
neumticos, e hidrulicos, como los gatos mecnicos y los boosters usados en los frenos de
potencia de los automviles. Amplificar es agrandar la intensidad de algo, por lo general sonido.
Tambin podra ser luz o magnetismo, etc. En trminos particulares, "amplificador", es un
aparato al que se le conecta un dispositivo de sonido y aumenta la magnitud del volumen. Se
usan de manera obligada en las guitarras elctricas, pues esas no tienen caja de resonancia, la
seal se obtiene porque las cuerdas, siempre metlicas y ferrosas, vibran sobre una cpsula
electromagntica, y esa seal no es audible, pero amplificada por un amplificador suena con el
sonido caracterstico de las guitarras elctricas. En una interfaz se le puede agregar distintos
efectos, como tremolo, distorsiones o reverb entre otros. Las radios y los televisores tienen un
amplificador incorporado, que se maneja con la perilla o telecomando del volumen y permite
que vari la intensidad sonora.
Amplificador electrnico
Significa tanto un tipo de circuito electrnico o etapa de este, como un equipo modular
que realiza la misma funcin; y que normalmente forma parte de los equipos HIFI. Su
funcin es incrementar la intensidad de corriente, la tensin o la potencia de la seal que
se le aplica a su entrada; obtenindose la seal aumentada a la salida. Para amplificar la
potencia es necesario obtener la energa de una fuente de alimentacin externa. En este
sentido, se puede considerar al amplificador como un modulador de la salida de la
fuente de alimentacin.

Circuito amplificador HIFI Clase D, de 200W RMS sobre altavoz de 4 Ohm.
Caractersticas
El amplificador puede realizar su funcin de manera pasiva, variando la relacin entre la
corriente y el voltaje manteniendo constante la potencia (de manera similar a un
transformador), o de forma activa, tomando potencia de una fuente de alimentacin y
aumentando la potencia de la seal a su salida del amplificador, habitualmente
manteniendo la forma de la seal, pero dotndola de mayor amplitud. La relacin entre
la entrada y la salida del amplificador puede expresarse en funcin de la frecuencia de la
seal de entrada, lo cual se denomina funcin de transferencia, que indica la ganancia
del mismo para cada frecuencia. Es habitual mantener a un amplificador trabajando
dentro de un determinado rango de frecuencias en el que se comporta de forma lineal, lo
cual implica que su ganancia es constante para cualquier amplitud a su entrada.El
componente principal de estos amplificadores, denominado elemento activo, puede ser
un tubo de vaco o un transistor. Las vlvulas de vacio suelen usarse an en algunos
amplificadores diseados especficamente para audio por la respuesta en frecuencia de
estos, preferida en algunos estilos musicales.
Clases de amplificador
Clase A
Son amplificadores que consumen corrientes contnuas altas de su fuente de
alimentacin, independientemente de la existencia de seal en la entrada. Esta
amplificacin presenta el inconveniente de generar una fuerte y constante cantidad de
calor, que ha de ser disipada. Esto provoca un rendimiento muy reducido, al perderse
una parte importante de la energa que entra en l. Es frecuente en circuitos de audio y
en equipos domsticos de gama alta, ya que proporcionan gran calidad de sonido, al ser
muy lineal, con poca distorsin.
Tiene una corriente de polarizacin en relacin con la mxima corriente de salida que
pueden entregar. Los amplificadores de clase A a menudo consiste en un solo transistor
de salida, conectado directamente un terminal a la fuente de alimentacin y el otro a la
carga. Cuando no hay seal de entrada la corriente fluye directamente del positivo al
negativo de la fuente de alimentacin, consumindose potencia sin resultar til.
Clase B

Los amplificadores de clase B se caracterizan por tener intensidad casi nula a travs de
sus transistores cuando no hay seal en la entrada del circuito. sta es la que polariza
los transistores para que entren en zona de conduccin, por lo que el consumo es menor
que en la clase A, aunque la calidad es algo menor debido a la forma en que se transmite
la onda. Se usa en sistemas telefnicos, transmisores de seguridad porttiles, y sistemas
de aviso, aunque no en audio. Los amplificadores de clase B tienen etapas de salida con
corriente de polarizacin nula. Tienen una distorsin notable con seales pequeas,
denominada distorsin de cruce por cero, porque sucede en el punto que la seal de
salida cruza por su nivel de cero volt a.c. y se debe justamente a la falta de polarizacin,
ya que en ausencia de esta, mientras la seal no supere el nivel de umbral de conduccin
de los transistores estos no conducen.
Clase C
Los amplificadores de clase C son conceptualmente similares a los de clase B en que la
etapa de salida ubica su punto de trabajo en un extremo de su recta de carga con
corriente de polarizacin cero. Sin embargo, su estado de reposo (sin seal) se situa en
la zona de saturacin con alta corriente, o sea el otro extremo de la recta de carga.
El amplificador clase "C" es exclusivo de "RF". Utiliza como "carga" un circuito
tanque. La caracterstica principal de este amplificador es que el elemento activo
conduce menos de 180, de una seal senoidal aplicada a su entrada. Es decir, que
amplifica solo una porcin de la seal. Su otra caracterstica, no menos importante es la
de su alto rendimiento en potencia.
Clase AB
Los amplificadores de clase AB reciben una pequea polarizacin constante en su
entrada, independiente de la existencia de seal. Es la clase ms comn en audio, al
tener alto rendimiento y calidad. Estos amplificadores reciben su nombre porque con
seales grandes se comportan como un clase B, pero con seales pequeas no presentan
la distorsin de cruce por cero de la clase B.
Tienen dos transistores de salida, como los de clase B, pero a diferencia de estos, tienen
una pequea corriente de polarizacin fluyendo entre los terminales de base y la fuente
de alimentacin, que sin embargo no es tan elevada como en los de clase A.
Clase D
Los amplificadores de clase D tienen un elevado rendimiento energtico, superior en
algunos casos al 95%, lo que reduce la superficie necesaria de los disipadores de calor ,
y por tanto el tamao y peso general del circuito.
Aunque con anterioridad se limitaban a dispositivos porttiles o subwoofers, en los que
la distorsin o el ancho de banda no son factores determinantes, con tecnologa ms
moderna existen amplificadores de clase D para toda la banda de frecuencias, con
niveles de distorsin similares a los de clase AB.
Los amplificadores de clase D se basan en la conmutacin entre dos estados, con lo que
los dispositivos de salida siempre se encuentran en zonas de corte o de saturacin, casos
en los que la potencia disipada en los mismos es prcticamente nula, salvo en los
estados de transicin, cuya duracin debe ser minimizada a fin de maximizar el
rendimiento.
Otras clases
Las clases E, G y H no estn estandarizadas como las A y B. Se trata de variaciones de
los circuitos clsicos, que dependen de la variacin de la tensin de alimentacin para
minimizar la disipacin de energa en los transistores de potencia en cada momento,
dependiendo de la seal de entrada.
AMPLIFICADOR EN BASE COMUN

La configuracin en base comn. Esta configuracin no produce ganancia de
corriente, pero s de la tensin y adems tiene propiedades tiles en altas
frecuencias.
Los valores de los parmetros no se obtienen necesariamente por medio de
las pendientes de las curvas. Frecuentemente se usan valores tabulados de
los parmetros, para un punto de operacin dado. Se puede observar que
para cada parmetro se da un valor central de diseo como tambin valores
mximos y mnimos. Los intervalos de valores para cada parmetro indican
que en la prctica es razonable hacer algunas aproximaciones. Las hojas de
datos suministradas por los fabricantes, generalmente no muestran curvas
caractersticas de entrada (Base o Emisor), pero contienen las curvas
caractersticas estticas de colector de las conexiones emisor y base comn,
para una temperatura ambiente dada.
En nuestro caso se realizarn todos los clculos apoyndonos en nuestras
curvas caractersticas del transistor a utilizar y con la curva de
transconductancia.
EJERCICIOS
1. Dado el amplificador de la figura 5.5, calclense las expresiones y los valores de: a)
ganancia en corriente A
I
; b) ganancias en tensin A
V
y A
VS
; c) impedancia de entrada;
d) impedancias de salida Z
o
y Z
o
. Considere h
re
despreciable, pero no h
oe
.
Datos: Rs = 2 kO, R1 = 90 kO, R2 = 10 kO, Re = 1 kO, RL = 4kO
h
ie
= 2.1 KO, h
fe
= 100, h
oe
= 2 x 10
-5
A/V
SOLUCIN
A
I
= hfeR
B
/ [(1+R
L
h
oe
)(R
B
+h
ie
)] = 75.08 (R
B
= R
1
|| R
2
)
Z
i
= h
ie
R
B
/ (h
ie
+R
B
) = 1.7 KO
A
V
= R
L
A
I
/ Z
i
= 176.37; A
VS
= A
V
Z
i
/(Z
i
+R
S
) = 81.10
Z
o
= 1/h
oe
= 50 KO; Z
o
' = Z
o
|| R
L
= 3.7 KO

2. Dibjese el circuito equivalente para el anlisis lineal del amplificador de la figura
5.6 utilizando el modelo hbrido simplificado del transistor y hllense las expresiones de
A
I
, A
VS
, Z
i
y Z
o
.
A
I
= h
fe
;
Z
i
= h
ie
+ (1+h
fe
)(1-b)R
E
;
A
VS
= R
L
A
I
/ (R
S
+ Z
i
);
Z
o

3. Dado el amplificador de la figura, calclense las ganancias en corriente y en tensin y
las impedancias de entrada y de salida en los dos casos siguientes: a) si la resistencia de
carga es la resistencia de colector, Rc; b) si la resistencia de carga es la resistencia de
emisor Re. Utilcese el modelo simplificado.
Datos: Rs = 2 kO, R1 = 90 kO, R2 = 10 kO, Re = 1 kO, RL = 4kO
h
ie
= 2.1 KO, h
fe
= 100, h
oe
= 2 x 10
-5
A/V



SOLUCIN
Sean R
A
= h
ie
+ R
E
(1+h
fe
);
R
B
= R1 || R2 = R1R2 / (R1+R2)
a) A
I
= h
fe
R
B
/ (R
B
+R
A
) = 8.03 Z
i
= R
A
R
B
/ (R
A
+R
B
) = 8277 O
A
V
= A
I
R
C
/Z
i
= 3.88; Z
o

b) A
I
= (1+h
fe
)R
B
/ (R
B
+R
A
) = 8.11; Z
i
= R
A
R
B
/ (R
A
+R
B
) = 8277 O
A
V
= A
I
R
E
/Z
i
= 0.98;
Z
o
= [(R
S
|| R
B
) + h
ie
] / (1 + h
fe
) = 37 O
4. En el amplificador de la figura 5.4, calcule A
V
, A
I
y Z
i
en funcin de los parmetros h
y los elementos del circuito de polarizacin. Utilice el modelo simplificado.






A
I
= hfeR
B
/ [(1+R
L
/R
C
)(R
B
+h
ie
)]; Z
i
= h
ie
R
B
/ (h
ie
+R
B
); A
V
= R
L
A
I
/ Z
i





MPLIFICADOR EN COLECTOR COMN







v
i

v
o

i
i

i
o

Amplificador de emisor comn
Despus que un transistor se haya polarizado con un punto Q cerca de la mitad de la
lnea de carga de cc, se puede acoplar muna pequea seal de ca en la base. Esto
produce alternancias o fluctuaciones de igual forma y frecuencia en la corriente de
colector. Por ejemplo si la entrada es una onda senoidal con una frecuencia de 1 Khz, la
salida ser una onda senoidal amplificada con una frecuencia de 1 Khz. El amplificador
se llama lineal (o de alta fidelidad) sin no cambia la forma de la seal. Si la amplitud de
la seal es pequea, el transistor solo usara una pequea parte de la lnea de carga y la
operacin sea lineal.
Por otra parte, si la seal de entrada es demasiado grande, las fuluctuaciones en la lnea
de carga excitaran al transistor a saturacin y corte. Esto cortara los picos de una onda
senoidal y el amplificador ya no sera lineal. Si se escucha con mucha atencin una
salida con un altavoz, se oir un sonido terrible porque la seal se distorsiona
grandemente.
Un capacitor de acoplamiento permite el paso de una seal de ca de un punto a otro.
En un amplificador transistorizado, la fuente de cc proporciona corrientes y voltajes
fijos. La fuente de ca produce fluctuaciones en estas corrientes y voltajes. La forma mas
simple para analizar el circuito es la divisin del anlisis en dos partes: un anlisis de cc
y un anlisis de ca. En otras palabras, puede usarse el teorema de la superposicin
cuando se analicen amplificadores transistorizados.
Circuitos equivalentes de Ca y CC
En seguida se enumeran algunos pasos para la aplicacin del teorema de la
superposicin de circuitos transistorizados:
1.- Redzcase la fuente de ca a cero; esto significa poner en corto una fuente de voltaje
o abrir una fuente de corriente. branse todos los capacitores. Al circuito restante se le
llama circuito equivalente de cc. Con este circuito se pueden calcular los voltajes y
corrientes en cc que se deseen.
2.- Redzcase la fuente de cc a cero; esto equivale a poner en corto una fuente de voltaje
o abrir una fuente de corriente. Pngase en corto todos los capacitores de paso y de
acoplamiento. Al circuito restante se le llama circuito equivalente de ca. Este es el
circuito que se utiliza para el clculo de voltajes y corrientes de ca.
3.- La corriente total en cualquier rama del circuito es la suma de las corrientes de cc y
ca que se encuentran presentes en esta rama; el voltaje total aplicado en cualquier rama
es la suma de los voltajes de ca y cc que se encuentran aplicados a esa rama.
Esta es la forma como se aplica el teorema de superposicin al amplificador de la figura.

Figura A
Primero, se reducen todas las fuentes de ca a cero, se abren todos los capacitores y lo
que quedas es el circuito que se tiene en la figura siguiente:

Figura B
Este el circuito equivalente de cc. Esto es lo que realmente interesa en lo que respecta a
voltajes y corrientes de cc. Con este circuito se pueden calcular los voltajes y corrientes
fijos.
Seguidamente se pone en corto la fuente de voltaje y tambin los capacitores de
acoplamiento y de paso; lo restante es el circuito equivalente en ca que se muestra en la
figura:

Figura C
Debe notarse que el emisor esta a tierra de ca, debido a que el capacitor de paso esta en
paralelo con RE. As mismo, cuando la fuente de alimentacin de cc esta en corto, pone
a tierra un extremo de R1 y de Rc; dicho de otra manera, el punto de alimentacin de cc
es una tierra de ca porque tienen una impedancia interna que se aproxima a cero. Con el
circuito equivalente de ca que se indico en la figura puede calcularse cualquier voltaje y
corriente de ca que se desee.
Equivalencias de un transistor

(a) (b) (c)
a: Transistor
b: Modelo Eber-Moll de cc
c: Modelo Eber-Moll de ca.
Ganancia de voltaje
La ganancia de voltaje de un amplificador es la relacin del voltaje de ca de salida al
voltaje de ca de entrada. Simblicamente,
Cuando se trata de localizacin de fallas, es muy til tener una idea sobre cual ser la
ganancia de voltaje. Una manera de deducir una formula simple para la ganancia de
voltaje de la figura A, es substituir el circuito por el circuito equivalente de ca; esto
significa poner en corto a tierra el voltaje de alimentacin y poner en corto todos los
capacitores porque para la corriente alterna acta como cortocircuitos en un
amplificador bien diseado.
En la figura C muestra el circuito equivalente de ca. La resistencia Rc de colector va
hacia tierra porque el punto de voltaje de alimentacin acta como un cortocircuito para
ca. De la misma forma, el resistor R1 est a tierra, por lo que aparece en paralelo con R2
y el diodo emisor. Debido al circuito en paralelo en el lado de entrada, Venta aparece
directamente en paralelo con el diodo emisor. Por lo tanto, se puede visualizar el
circuito equivalente de ca como se muestra en la figura:

Figura D
En cualquier circuito, el voltaje aplicado a re es igual a Vent. Esta idea debe afianzarse antes de
seguir adelante.
La ley de Ohm indica que la corriente de ca de emisor es:
Como la corriente de colector es aproximadamente igual a la corriente de emisor:
El signo menos se usa para indicar la inversin de fase. En otras palabras, en el semiciclo
positivo del voltaje de entrada aumenta la corriente de colector, produciendo el semiciclo
negativo del voltaje de salida. Como Ie=Vent/re, se presenta entonces la siguiente ecuacin
Reacomodando los trminos anteriores se obtiene la ganancia de voltaje:
El modelo de CA de una etapa de emisor comn
El problema principia cuando se colocan etapas amplificadoras en serie; as se pueden
obtener ganancias totales del orden de los miles. Pero antes de analizar amplificadores
de multietapas, es necesario un circuito equivalente simple de ca para una etapa
individual. Para obrener este modelo, debe conocerse la impedancia de entrada y salida.


EJERCICIOS
1. Para el circuito que se muestra a continuacin realice el anlisis DC y calcula la Ganancia de
Voltaje. Considere V
BE
=0,7.




Anlisis DC
Considerando que los condensadores a bajas frecuencias se comportan como un
circuito abierto, se obtiene:
Del circuito, se deduce:

E c B
I I I mA = + = 5 . 0 (1.1.1)
( ) V mA R I R V
E E
5 . 0 5 . 0
1 1
= = = (1.1.2)
V V V
E B
2 . 1 5 . 0 7 . 0 7 . 0 = + = + = (1.1.3)
V I R V I R V
B B B C
2 . 1
2 2
+ = + = (1.1.4)
Del Transistor Bipolar, se tiene que:
c B
I I | = (1.1.5)

Si se sustituye la ecuacin 1.1.5 en la ecuacin 1.1.1, resulta:

1
5 . 0
+
=
|
mA
I
B
(1.1.6)
Al reemplazar la ecuacin anterior en la ecuacin 1.1.4, se obtiene:
V V
mA
R V
B C
7 . 1
1
5 . 0
2
~ +
|
|
.
|

\
|
+
=
|
(1.1.7)
be L
gmV R R Vo ) // (
2
=
Finalmente,
V V V V
E c CE
2 . 1 5 . 0 7 . 1 = = = (1.1.8)
Anlisis AC
Considerando que los condensadores se comportan como un corto circuito y la fuente de
corriente DC se comporta como un abierto, se obtiene:



Al sustituir el Transisitor Bipolar por su modelo en peque a se al:



Si suponemos que ro tiende a infinito y aplicamos el teorema de blackesley, resulta:



Finalmente, se obtiene:




Del circuito se deduce:
(1.1.9)
50
) // (
2
+

=
Rin
gmRin R R
Vin
Vo
L
Vin
Rin
Rin
Vbe
50 +
=

(1.1.10)

(1.1.11)

Si se sustituye la ecuacin 1.1.11 en la ecuacin 1.1.9 se obtiene la ganancia:

(1.1.12)
2.



=200
V
T
=25mV




Anlisis DC:

mA
k k Rref
Vbe Vss Vcc
Ic Iref 5 . 0
39
7 . 0 20
39
) 7 . 0 10 ( 10 ) (
6
6
~

=
+
=
+
= =
mA Ic Ic Ic Ic Ic Ic 5 . 0
4 3 6 7 8 9
= = = = = =
mA
Ic
Ic Ic 25 . 0
2
7
2 1
= = =
V V mA K V Vo
DC
3 . 4 7 . 0 5 . 0 * 10 10
) (
= O =
1
1
// //

= gm r R Rin
t

mA
k
I
c
43 . 1
10
) 10 ( 3 . 4
5
=

=

Por otro lado, se sabe que:

T
V
Ic
gm = donde mV V
T
25 =

gm
r
|
t
= donde 200 = |

Luego:

01 . 0
2 1
= = gm gm
02 . 0
4 3
= = gm gm
0572 . 0
5
= gm


O = = = k r r 20
01 . 0
200
2 1 t t


O = = = k r r 10
02 . 0
200
4 3 t t


O = = k r 5 . 3
0572 . 0
200
5 t


Tabla final con los valores DC, g
m
y r
t
:

Q
s
I
c
g
m
r
t

Q
1
,Q
2
0.25mA 0.01 20kO
Q
3
,Q
4
0.5mA 0.01 10kO
Q
5
0.5mA 57.2m 3.5kO
Anlisis AC:
Etapa 1: Par diferencial con salida diferencial

O = = K r Rin 40 2
1 t


O = O = O = K K K ro Rout 54 ) 27 ( 2 ) 27 // ( 2
1


270 27 ) 1 . 0 . 0 (
1 1
= O = = K Rc gm Avd
Etapa 2: Par diferencial con salida simple

O = = K r Rin 20 2
3 t


O = O = K K ro Rout 10 ) 10 // (
4


100
2
4 4
= =
Rc gm
Av
Etapa 3: Colector comn, con resistencia y salida por el emisor



1
) 1 ( 10
) 1 ( 10
5
~
+ +
+
=
|
|
t
K r
K
Vin
Vo


O = + + = M K r Rin 01 . 2 ) 1 ( 10
5
|
t


O =
+
+
= 7 . 66
1
// 10
5 4
|
t
r Rc
K Rout

Tabla final con los valores AC:
A
V
R
in
R
out

Etapa 1 -270 40kO 54kO
Etapa 2 -100 20kO 10kO
Etapa 3 1 2MO 67O




O = = K Rin R
total
40 1 int
O = = 67 3 Rout Rout
total

Vin Vin Av
Rin Rout
Rin
Vin 97 . 72 1
2 1
2
2 =
+
=
KVin Vin Av
Rin Rout
Rin
Vin 260 . 7 2 2
3 2
3
3 =
+
=
KVin Vin
Rin Rout Rin Rout
Rin Rin Av Av Av
Vin Av Vo 260 . 7
) 2 1 )( 3 2 (
2 3 1 2 3
3 3 =
+ +
= =
K Av
total
260 . 7 =
3. Hallar R para que V
OUT (DC)
=0V

=100
V
A

Anlisis DC:
mA
K
Iref 87 . 1
3 . 10
) 10 7 . 0 ( 10
=

=
La fuente de corriente que se presenta entre Q6, Q7, Q8 y Q9, es una Fuente de Corriente
Widlar, cuya caracterstica se presenta a continuacin:



|
.
|

\
|
=
Io
Iref
V Io R
T
ln
2

Su demostracin es un poco ms complicada
por implicar una ecuacin de Lambert
(Tambin conocida como funcin W)
Para Q6:
O = K R 1
2
, uA I
Q
081 . 79
6
= uA
I
I I
Q
Q Q
5405 . 39
2
6
2 1
= = =
Para Q7:
O = K R 8 . 0
2
, uA I
Q
587 . 93
7
= uA
I
I I
Q
Q Q
7935 . 46
2
7
4 3
= = =
Para Q8:
O = K R 2 . 0
2
, uA I I
Q Q
251
5 8
= =
V KI V
Q b
91 . 9 2 10
4 5
= = V V V
b e
2 . 9 7 . 0
5 5
= =
0 2 . 9
5
= =
Q
RI Vo
O = = K
I
R
Q
653 . 36
2 . 9
5

Se sabe que:
T
V
Ic
gm = y
gm
r
|
t
=

Tabla de los puntos de operacin
I
c
g
m
r
t
Q
1
,Q
2
39.54uA 0.0016 63.227kO
Q
3
,Q
4
46.79uA 0.0019 53.430kO
Q
5
251uA 0.01 9.960kO

Anlisis AC:
Etapa 1: Par diferencial con salida diferencial
O = = K r Rin 454 . 126 2
1 t

O = O = O = K K K ro Rout 20 ) 10 ( 2 ) 10 // ( 2
1

816 . 15 10 ) 0016 . 0 (
1 1
= O = = K Rc gm Avd
Etapa 2: Par diferencial con salida simple
O = = K r Rin 86 . 106 2
3 t

O = O = K K ro Rout 2 ) 2 // (
4

8716 . 1
2
4 4
= =
Rc gm
Av
Etapa 3: Colector comn, con resistencia y salida por el emisor
1
) 1 )( (
) 1 )( (
8 5
8
~
+ + +
+ +
=
|
|
t
ro R r
ro R
Vin
Vo


alta Muy ro R r Rin = + + + = ) 1 )( (
8 5
|
t


O ~
(
(

|
|
.
|

\
|
|
|
.
|

\
|
+
+
+ = k
R r
ro R ro Rout
c
771 . 36
1
// //
4 5
5 8
|
t

Tabla final con los valores AC
A
V
R
in
R
out

Etapa 1 -15.816 126.454kO 20kO
Etapa 2 -1.8716 106.86kO 2kO
Etapa 3 1 Alta 36.771kO
4.




=
=
=
ro
V Vbe 7 . 0
100 |


a) Hallar R
1
, tal que I
c4
=500A
b) Hallar A
d

Anlisis DC
Se tiene que:
1
) 7 . 0 ( 0
9 8 7 6 5
R
Vss
Ic Ic Ic Ic Ic Iref
+
= = = = = =
uA
R
Iref
Ic 500
1 2
7 . 0 15
2
4
=

= =
O = = K
uA
R 3 . 14
500 * 2
3 . 14
1

uA
Iref
Ic Ic Ic Ic 500
2
4 3 2 1
= = = = =
Por otro lado, se sabe que:
T
V
Ic
gm = y
gm
r
|
t
=

Tabla con los valores DC
I
c
g
m
r
t
Q
1
,Q
2
,Q
3
,Q
4
500A 20m 5kO
Q
5
,Q
6
,Q
7
,Q
8
,Q
9
1mA 40m 2.5kO
Anlisis AC
Etapa 1: Par diferencial con salida diferencial
O = = K r Rin 10 2
1 t

O = O = O = K K K ro Rout 20 ) 10 ( 2 ) 10 // ( 2
1

200 10 ) 02 . 0 (
1 1
= O = = K Rc gm Avd
Etapa 2: Par diferencial con salida simple
O = = K r Rin 10 2
3 t

O = O = K K ro Rout 10 ) 10 // (
4

100
2
4 4
= =
Rc gm
Av
Tabla con los valores AC
Etapa A
V
R
in
R
out
1

-200 10kO 20kO
2 -100 10kO 10kO




) 1 2 (
2 1 2
Rour Rin
Vin Rin Av Av
Vo
+
=
K
Rout Rin
Rin Av Av
Avd 67 . 6
) 1 2 (
2 1 2
=
+
=


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Campos elctricos
Paginas web
http://www.slideshare.net/ernestoyanezrivera/campo-elctrico-7511214
http://es.wikipedia.org/wiki/Campo_el%C3%A9ctrico
http://es.wikipedia.org/wiki/Campo_magn%C3%A9tico
http://html.rincondelvago.com/campos-electricos.html
http://www.who.int/peh-emf/about/WhatisEMF/es/index.html
http://www.sc.ehu.es/sbweb/fisica/elecmagnet/electrico/cElectrico.html
http://www.greenfacts.org/es/glosario/abc/campo-electrico.htm
http://www.guitron.net/campelectrico.htm
http://perso.wanadoo.es/vicmarmor/efb_campoelec.htm
http://www.unizar.es/icee04/electricidad/temas/T1/T1_pdf
http://www.sc.ehu.es/sbweb/fisica/examenes/electro/electro.htm
Libros
Serway Electricidad y magnetismo
Campos magnticos
http://html.rincondelvago.com/campo-magnetico_1.html
http://es.wikipedia.org/wiki/Magnetismo
http://www.sociedadelainformacion.com/departfqtobarra/magnetismo/index.htm
http://www.elprisma.com/apuntes/curso.asp?id=7328
http://genesis.uag.mx/edmedia/material/fisicaii/magnetismo.cfm
http://perso.wanadoo.es/vicmarmor/efb_campomagnet.htm
http://www.iesnicolascopernico.org/FQ/2BACH/pmagnetismosol.pdf
http://www.sc.ehu.es/sbweb/fisica/examenes/magnetico/magnetico.htm
http://acer.forestales.upm.es/basicas/udfisica/asignaturas/fisica/magnet/magnet_probl_files/mag
net_probl.html
Semiconductores
http://www.ifent.org/lecciones/semiconductor/default.asp
http://www.monografias.com/trabajos7/diose/diose.shtml
http://www.monografias.com/trabajos7/diose/diose.shtml
http://www.profesores.frc.utn.edu.ar/industrial/sistemasinteligentes/UT1/UNI3420.pdf
http://es.scribd.com/doc/23604196/TEORIA-DE-SEMICONDUCTORES
http://es.wikipedia.org/wiki/Semiconductor
http://html.rincondelvago.com/conductores-semiconductores-y-aislantes_1.html
http://www.arqhys.com/construccion/semiconductores-tipos.html
http://www.monografias.com/trabajos11/semi/semi.shtml
http://materias.fi.uba.ar/6625/Ejercicios/Ejercicios1_FisicaSemiconductores_Resuelto.pdf
http://departamento.us.es/dfisap1/cf/cfejres.htm
Diodos
http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo
http://html.rincondelvago.com/diodos_2.html
http://www.unicrom.com/Tut_diodo.asp
http://www.asifunciona.com/tablas/diodos/diodos.htm
http://www.asifunciona.com/fisica/af_diodos/af_diodos_1.htm
http://www.monografias.com/trabajos12/label/label.shtml
http://www.bricopage.com/diodos.html
http://www.electronica2000.com/temas/diodostipos.htm
http://www.mitecnologico.com/Main/Diodo
http://www.angelfire.com/electronic2/electronicaanalogica/ejercicios.html
http://www.iuma.ulpgc.es/~benito/Docencia/TyCEyF/PDF/apuntes/problemas/p_Cap2.pdf
http://electrouai.wikispaces.com/Ejercicios+Resueltos
http://webs.uvigo.es/mdgomez/DEI/Problemas_res/D05-2.pdf
Transistores:
http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor
Amplificadores:
http://es.wikipedia.org/wiki/Amplificador