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UNIVERSIDAD TECNOLGICA NACIONAL FACULTADO REGIONAL BUENOS AIRES DISPOSITIVOS ELECRNICOS 2013
TP N1a: Diodo
Introduccin: El diodo de juntura es el dispositivo ms bsico e introductorio para el estudio de los dispositivos semiconductores. Hoy en da sus campos de aplicacin son diversos, pero su principal caracterstica es la de rectificador: la corriente a travs del diodo circula, a fines prcticos, nicamente en un sentido. Del estudio de los semiconductores, se ha demostrado en las clases tericas la caracterstica exponencial de la corriente, cules son sus componentes y que aproximaciones se puede hacer para hallar modelos sencillos de la misma. As se obtuvo la ecuacin de Shockley que representa el comportamiento del diodo en directa. Sin embargo, existen diversos diseos de diodos que permiten comportamientos diferentes que se ajustan mejor a distintas aplicaciones: los diodos LED, las junturas Shottky, son algunos ejemplos de estos tipos de estructuras a las cuales se les dedicar una clase terica completa para presentarlas. En el presente Trabajo, deber realizar las simulaciones de la obtencin experimental y el ajuste matemtico de las caractersticas Tensin-Corriente, as como tambin sus respectivas capacidades de juntura, de distintos modelos de diodos comerciales representativos en el mercado de con aplicaciones particulares. Se busca que compruebe los conceptos tericos y cuantifique diferencias entre distintos dispositivos, indague sobre las posibles causas de estas diferencias y se apoye en los datos proporcionados por el fabricante en las hojas de datos y por las expresiones deducidas en clase para ello. La prctica se desarrolla en el entorno LTSpice, con lo cual es indispensable que realice previamente el Tutorial de LTSpice puesto a disposicin por la ctedra.
Desarrollo:
A) Crear el circuito de la figura.
1elevar la curva V-I caracterstica del diodo, para distintas temperaturas. Elegir los parmetros de la fuente de manera que haya un nmero suficiente de puntos, que se cubran bien los Puntos de Inters (POI). Asegurarse que no sea superada la corriente mxima del diodo (simulacin realista). Apyese con las hojas de datos del dispositivo. 2Obtener de la simulacin la corriente de saturacin y ajustar el coeficiente de emisin n para la Ecuacin Shockley del diodo ideal. B) Modificar el circuito anterior, de tal manera que la fuente sea una oscilacin sinusoidal, de 1MHz de frecuencia, 200mV de amplitud y 0v de offset. Colocar en serie con el diodo una resistencia de 100k ohm o menor, segn el diodo que utilice.
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1En base a las mediciones de tensin presentes, calcular la Capacidad de Vaciamiento de la juntura. Apyese en las hojas de datos para constatar estos valores, justificando las posibles diferencias. NOTA: Este circuito permite reemplazar al diodo por un capacitor equivalente de valor Cj, conformando un circuito RC serie en Rgimen Senoidal Permanente. Es importante destacar que slo ser vlido cuando la resistencia serie colocada sea comparable con la reactancia capacitiva que presentar la Cj para la frecuencia dada (para apreciar la accin reactiva del capacitor). Por eso deber variar la resistencia segn el diodo a medir. C) Realizar los circuitos A y B, y las mismas mediciones en cada paso, pero usando un diodo Zener. Tener en cuenta que ahora los puntos de simulacin deben abarcar desde la ruptura en polarizacin negativa o inversa, hasta el codo de conduccin en polarizacin directa, y no deben superarse las corrientes mximas del diodo. NOTA: El diodo zener de la librera es un subcircuito. La manera de especificar el modelo es diferente. Apyese en el Tutorial de LTSpice provisto por la ctedra.
D) Realizar los circuitos A y B, y las mismas mediciones en cada paso, usando esta vez un diodo Schottky. Tener en cuenta que este tipo de diodo tiene un umbral de conduccin mas bajo. No deben superarse las corrientes mximas del diodo
E) Realizar los circuitos A y B, y las mismas mediciones en cada paso, usando esta vez un diodo LED. Tener en cuenta que este tipo de diodo tiene un umbral de conduccin ms alto. No deben superarse las corrientes mximas del diodo
F) Comparar y discutir brevemente todas las mediciones, justificando con las ecuaciones vistas en clase. Interprete las diferencias entre mediciones de los distintos diodos y ascielas a sus caractersticas fsicas.
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G) Conclusiones de los datos relevados, relacionndolos con conceptos vistos en clase. Analice los valores de capacidad de juntura obtenidos y los coeficientes de emisin de cada diodo, obtenga conclusiones de estos datos y de los provistos por el fabricante.
1) Relevar las curvas de corriente de colector versus tensin colector-emisor, para distintas corrientes de Base. Interpretar las distintas zonas de funcionamiento del transistor (Corte, activo, saturacin). Elegir una curva, y relevarla para 3 temperaturas distintas. 2) Elegir una curva, y calcular la impedancia de base y la impedancia de salida con los datos de esa curva, para el transistor en zona activa y en saturacin. 3) Elegir una curva y calcular la Tensin de Early. la ganancia esttica de corriente, la variacin de la misma al variar la corriente de base.
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4) Calcular las ganancias estticas de corriente para cada una de las curvas del punto 1, para una misma tensin VCE del transistor en zona activa. Armar un grafico con la variacin de ganancia respecto de la corriente de colector.
B) Comparar y discutir brevemente todas las mediciones, justificando con las ecuaciones vistas en clase. Interprete las diferencias entre mediciones de los distintos diodos y ascielas a sus caractersticas fsicas. C) Conclusiones de los datos relevados, relacionndolos con conceptos vistos en clase. Analice los valores de las impedancias y de la variacin de ganancia, obtenga conclusiones de estos datos y de los provistos por el fabricante.
NOTA: Todos los modelos de transistores necesarios, otros opcionales, comentarios, y algunas direcciones de internet tiles, pueden encontrarse en el archivo modelos_spice.txt
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1) Relevar las curvas de corriente de drenador versus tensin drenador-fuente, para distintas tensiones de gate, cuidando de no superar tensiones o corrientes maximas. Identificar las distintas zonas de funcionamiento del transistor (Corte; ohmica, lineal o triodo; saturacin). Elegir una curva, y relevarla para 3 temperaturas distintas. 2) Elegir una curva y calcular la impedancia de salida (drenador-fuente) en las zonas de trodo y saturacin. 3) Elegir un valor de VDS y relevar la curva de transferencia del dispositivo (corriente de drenador versus tensin de gare) y calcular, en forma experimental, la transconductancia en saturacin y la tensin de umbral Vth. B ) Modificar el circuito anterior de la siguiente manera, reemplazar el componente 2N7000 por un NMOS4 y asignarle el modelo de Mosis de un transistor NMOS de tecnologa 0,5 micras.
1) Relevar las mismas curvas que en A ), para relaciones de aspecto W/L=100u/100u (1), W/L=100u/20u (5) y W/L=20u/100u (0.5). Tener en cuenta que las tensiones VDS y VGS no pueden superar los 5 volts. Elegir una curva y relevarla para 3 temperaturas distintas. 2) Relevar las curvas para 10u/0,6u, 15u/0.9u, 25u/1.5u y 100u/6u. A partir de que tamao de canal comienzan a notarse los efectos de canal corto? Extrapolar el Vth para cada una de las curvas. 3) Calcular la transconductancia para un mismo VGS, y la impedancia de salida para un mismo VDS para los transistores W/L=0.6u/0.6u, W/L=1u/1u, y W/L=100u/100u. 4) Para un transistor de 10u/10u variar la tensin de Bulk, teniendo cuidado que sea negativa respecto de GND, y no supere los -5v. Obtenga un juego de curvas de transferencia y extrapole el Vth para 3 Vbs distintos.
B) Comparar y discutir brevemente todas las mediciones, justificando con las ecuaciones vistas en clase. Interprete las diferencias entre mediciones de los distintos diodos y ascielas a sus caractersticas fsicas.
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C) Conclusiones de los datos relevados, relacionndolos con conceptos vistos en clase. Analice los valores de las impedancias y de la variacin de ganancia, obtenga conclusiones de estos datos y de los provistos por el fabricante.
NOTA: Todos los modelos de transistores necesarios, otros opcionales, comentarios, y algunas direcciones de internet tiles, pueden encontrarse en el archivo modelos_spice.txt
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