Electrnica Bsica

1


ELECTRNICA

Ingeniera en Petrleos



Primer bimestre

Jorge Constante

Electrnica Bsica

2

INDICE
I NTRODUCCI N .................................................................................................... 4
CONCEPTO FSICO DE CAMPO .......................................................................................... 4
El campo elctrico ............................................................................................................................... 4
CAMPOS ELCTRI COS ......................................................................................... 5
DEFINICION ...................................................................................................................................... 5
Definicin mediante la ley de Coulomb .............................................................................................. 5
Definicin formal................................................................................................................................. 7
Descripcin del campo elctrico ....................................................................................... 8
Ley de Gauss ....................................................................................................................................... 8
Ley de Faraday .................................................................................................................................... 8
Campo electrosttico (cargas en reposo) ..................................................................................... 9
Lneas de campo ................................................................................................................................ 10
Campo electrodinmico (movimiento uniforme) ............................................................................... 10
Campo electrodinmico (movimiento acelerado) .............................................................................. 11
Energa del campo elctrico ............................................................................................................... 12
EJERCICIOS ..................................................................................................................................... 12
CAMPOS MAGNTI COS ...................................................................................... 17
Introduccin ...................................................................................................................................... 17
Teora Electromagntica ................................................................................................................... 18
NATURALEZA DE LA RADIACION ELECTROMAGNETICA ............................................... 19
Tipos de materiales magnticos ......................................................................................................... 21
Otros ordenamientos magnticos ....................................................................................................... 22
Fuentes del campo magntico ........................................................................................................... 23
Campo magntico producido por una carga puntual.......................................................................... 23
Propiedades del campo magntico ..................................................................................................... 24
Inexistencia de cargas magnticas aisladas ........................................................................................ 24
Energa almacenada en campos magnticos ...................................................................................... 25
Unidades y magnitudes tpicas ......................................................................................................... 25
Aplicaciones ...................................................................................................................................... 26
EJERCICIOS ..................................................................................................................................... 27
TEORIA DE LOS SEMICONDUCTORES ....................................................................... 30
INTRODUCCIN ............................................................................................................................. 30
ELEMENTOS FUNDAMENTALES DE LA TEORIA DE LOS SEMICONDUCTORES. ............ 32
Tipos de semiconductores. ............................................................................................. 35
SEMICONDUCTOR TIPO N: ................................................................................................................ 36
SEMICONDUCTOR TIPO P: ................................................................................................................ 37
SEMICONDUCTOR UNION PN: .......................................................................................................... 37
EJERCICIOS ..................................................................................................................................... 38
DIODOS .................................................................................................................. 41
Introduccin ...................................................................................................................................... 41
Tipos de Diodos ................................................................................................................................. 42
DIODO DE USO COMUN ............................................................................................................... 42
DIODO ZENER ................................................................................................................................ 46
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EL DIODO EMISOR DE LUZ (LED) .............................................................................................. 48
FOTODIODOS .................................................................................................................................. 51
DIODOS DE EFECTO TUNEL ........................................................................................................ 52
LOS VARACTORES ........................................................................................................................ 52
LOS DIODOS VARISTOR ............................................................................................................... 53
DIODO SCHOTTKY (DIODO DE BARRERA) .............................................................................. 55
EL DIODO LASER ........................................................................................................................... 57
SIMBOLOGA .................................................................................................................................. 58
RECTIFICADOR ........................................................................................................ 59
Rectificadores no controlados ........................................................................................ 59
Rectificador monofsico de media onda ......................................................................... 59
Rectificador con transformador de toma media ............................................................................... 62
Rectificador en puente ................................................................................................... 64
FI LTROS ............................................................................................................... 65
ACTIVOS ........................................................................................................................ 65
Filtro pasa altos .................................................................................................................................. 67
Prctica para filtro pasa altos ............................................................................................................. 67
Filtros pasivos ............................................................................................................... 68
Bibliografa ............................................................................................................ 87


















Electrnica Bsica

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INTRODUCCIN
CONCEPTO FSICO DE CAMPO
Las cargas elctricas no precisan de ningn medio material para ejercer su influencia sobre
otras, de ah que las fuerzas elctricas sean consideradas fuerzas de accin a distancia. Cuando
en la naturaleza se da una situacin de este estilo, se recurre a la idea de campo para facilitar la
descripcin en trminos fsicos de la influencia que uno o ms cuerpos ejercen sobre el espacio
que les rodea.

La nocin fsica de campo se corresponde con la de un espacio dotado de propiedades medibles.
En el caso de que se trate de un campo de fuerzas ste viene a ser aquella regin del espacio en
donde se dejan sentir los efectos de fuerzas a distancia.
As, la influencia gravitatoria sobre el espacio que rodea la Tierra se hace visible cuando en
cualquiera de sus puntos se sita, a modo de detector, un cuerpo de prueba y se mide su peso, es
decir, la fuerza con que la Tierra lo atrae. Dicha influencia gravitatoria se conoce como campo
gravitatorio terrestre. De un modo anlogo la fsica introduce la nocin de campo magntico y
tambin la de campo elctrico o electrosttico.
El campo elctrico
Es un campo fsico que es representado mediante un modelo que describe la interaccin entre
cuerpos y sistemas con propiedades de naturalezaelctrica.
1
Matemticamente se describe como
un campo vectorial en el cual una carga elctrica puntual de valor q sufre los efectos de
una fuerza elctrica dada por la siguiente ecuacin:

En los modelos relativistas actuales, el campo elctrico se incorpora, junto con el campo
magntico, en campo tensorial cuadridimensional, denominado campo electromagntico F

.
2

Los campos elctricos pueden tener su origen tanto en cargas elctricas como en campos
magnticos variables. Las primeras descripciones de los fenmenos elctricos, como la ley de
Coulomb, slo tenan en cuenta las cargas elctricas, pero las investigaciones de Michael
Faraday y los estudios posteriores de James Clerk Maxwell permitieron establecer las leyes
completas en las que tambin se tiene en cuenta la variacin del campo magntico.
Esta definicin general indica que el campo no es directamente medible, sino que lo que es
observable es su efecto sobre alguna carga colocada en su seno. La idea de campo elctrico fue
propuesta por Faraday al demostrar el principio de induccin electromagntica en el ao 1832.
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5

La unidad del campo elctrico en el SI es Newton por Culombio (N/C), Voltio por metro (V/m)
o, en unidades bsicas, kg m s
3
A
1
y la ecuacin dimensional es MLT
-3
I
-1
.







Campo elctrico producido por un conjunto de cargas puntuales. Se muestra en rosa la suma
vectorial de los campos de las cargas individuales: .
CAMPOS ELCTRICOS
DEFINICION
El campo elctrico es una perturbacin que modifica el espacio que lo rodea.. (dicho campo
puede ser proveniente por ej. de una carga puntual).Se considera un ente fsico no visible, pero
si medible, y se lo modeliza matemticamente como el vector campo elctrico.. que se define
como la relacin entre la Fuerza Coulombiana que experimenta una carga testigo y el valor de la
carga testigo(una carga testigo positiva). La definicin ms intuitiva acerca del campo elctrico
se la puede estudiar mediante la ley de Coulomb. Esta ley, una vez generalizada, permite
expresar el campo entre distribuciones de carga en reposo relativo. Sin embargo, para cargas en
movimiento se requiere una definicin ms formal y completa acerca del campo requiere el uso
de cuadrivectores y el principio de mnima accin. A continuacin se describen ambas.
Definicin mediante la ley de Coulomb

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6

Campo elctrico de una distribucin lineal de carga. Una carga puntual P es sometida a una
fuerza en direccin radial por una distribucin de carga en forma de diferencial de lnea
(dL), lo que produce un campo elctrico .
Partiendo de la ley de Coulomb que expresa que la fuerza entre dos cargas en reposo relativo
depende del cuadrado de la distancia, matemticamente es igual a:
1


Donde:
es la permitividad elctrica del vaco tiene que ver con el sistema internacional,
son las cargas que interactan,
es la distancia entre ambas cargas,
, es el vector de posicin relativa de la carga 2 respecto a la carga 1.
y es el unitario en la direccin . Ntese que en la frmula se est usando
0
, esta es la
permitividad en el vaco. Para calcular la interaccin en otro medio es necesario cambiar la
permitividad de dicho medio. ( =
r
.
0
)
La ley anterior presupona que la posicin de una partcula en un instante dado, hace que su
campo elctrica afecte en el mismo instante a cualquier otra carga. Ese tipo de interaccines en
las que el efecto sobre el resto de partculas parece dependender slo de la posicin de la
partcula causante sin importar la distancia entre las partculas se denomina en fsica accin a
distancia. Si bien la nocin de accin a distancia fue aceptada inicialmente por el propio
Newton, experimentos ms cuidados a lo largo del siglo XIX llevaron a desechar dicha nocin
como no-realista. En ese contexto se pens que el campo elctrico no slo era un artificio
matemtico sino un ente fsico que se propaga a una velocidad finita (la velocidad de la luz)
hasta afectar a otras partculas. Esa idea conllevaba modificar la ley de Coulomb de acuerdo con
los requerimientos de la teora de la relatividad y dotar de entidad fsica al campo
elctrico.
1
As, el campo elctrico es una distorsin electromagntica que sufre el espacio
debido a la presencia de una carga. Considerando esto se puede obtener una expresin del
campo elctrico cuando este slo depende de la distancia entre las cargas:


Donde claramente se tiene que, F=q*E la que es una de las definiciones ms conocidas acerca
del campo elctrico.
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7

Definicin formal
La definicin ms formal de campo elctrico, vlida tambin para cargas movindose a
velocidades cercanas a la de la luz, surge a partir de calcular la accin de una partcula cargada
en movimiento a travs de un campo electromagntico.
2
Este campo forma parte de un nico
campo electromagntico tensorial F

definido por un potencial cuadrivectorial de la forma:

(1)
Donde es el potencial escalar y es el potencial vectorial tridimensional. As, de acuerdo
al principio de mnima accin, se plantea para una partcula en movimiento en un espacio
cuadridimensional:
(2)
Donde e es la carga de la partcula, m es su masa y c la velocidad de la luz. Reemplazando (1)
en (2) y conociendo que dx
i
= u
i
ds, donde dx
i
es el diferencial de la posicin definida dx
i
=
(cdt,dx,dy,dz) y u
i
es la velocidad de la partcula, se obtiene:
(3)
El trmino dentro de la integral se conoce como el lagrangiano del sistema; derivando esta
expresin con respecto a la velocidad se obtiene el momento de la partcula, y aplicando
las ecuaciones de Euler-Lagrange se encuentra que la variacin temporal de la cantidad de
movimiento de la partcula es:
(4)
De donde se obtiene la fuerza total de la partcula. Los dos primeros trminos son
independientes de la velocidad de la partcula, mientras que el ltimo depende de ella. Entonces
a los dos primeros se les asocia el campo elctrico y al tercero el campo magntico. As se
encuentra la definicin ms general para el campo elctrico:
2

(5)
La ecuacin (5) brinda mucha informacin acerca del campo elctrico. Por un lado, el primer
trmino indica que un campo elctrico es producido por la variacin temporal de un potencial
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8

vectorial descrito como donde es el campo magntico; y por otro, el segundo
representa la muy conocida descripcin del campo como el gradiente de un potencial.
2

Descripcin del campo elctrico
Matemticamente un campo se lo describe mediante dos de sus propiedades, su divergencia y su
rotacional. La ecuacin que describe la divergencia del campo elctrico se la conoce como ley
de Gauss y la de su rotacional es la ley de Faraday.
Ley de Gauss
Para conocer una de las propiedades del campo elctrico se estudia que ocurre con el flujo de
ste al atravesar una superficie. El flujo de un campo se lo obtiene de la siguiente manera:
(8)
Donde es el diferencial de rea en direccin normal a la superficie. Aplicando la ecuacin
(7) en (8) y analizando el flujo a travs de una superficie cerrada se encuentra que:
(9)
Donde Q
enc
es la carga encerrada en esa superficie. La ecuacin (9) es conocida como la ley
integral de Gauss y su forma derivada es:
(10)
Donde es la densidad volumtrica de carga. Esto indica que el campo elctrico diverge hacia
una distribucin de carga; en otras palabras, que el campo elctrico comienza en una carga y
termina en otra.
Esta idea puede ser visualizada mediante el concepto de lneas de campo. Si se tiene una carga
en un punto, el campo elctrico estara dirigido hacia la otra carga.
Ley de Faraday
En 1801, Michael Faraday realiz una serie de experimentos que lo llevaron a determinar que
los cambios temporales en el campo magntico inducen un campo elctrico. Esto se conoce
como la ley de Faraday. La fuerza electromotriz, definida como el rotacional a travs de un
diferencial de lnea est determinado por:
(11)
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9

Donde el signo menos indica la Ley de Lenz y es el flujo magntico en una superficie,
determinada por:
(12)

Reemplazando (12) en (11) se obtiene la ecuacin integral de la ley de Faraday:
(13)
Aplicando el teorema de Stokes se encuentra la forma diferencial:
(14)
La ecuacin (14) completa la descripcin del campo elctrico, indicando que la variacin
temporal del campo magntico induce un campo elctrico.
Campo electrosttico (cargas en reposo)
Un caso especial del campo elctrico es el denominado electrosttico. Un campo electrosttico
no depende del tiempo, es decir es estacionario. Para este tipo de campos la Ley de Gauss
todava tiene validez debido a que esta no tiene ninguna consideracin temporal, sin embargo, la
Ley de Faraday debe ser modificada. Si el campo es estacionario, la parte derecha de la
ecuacin (13) y (14) no tiene sentido, por lo que se anula:
(15)
Esta ecuacin junto con (10) definen un campo electrosttico. Adems, por el clculo
diferencial, se sabe que un campo cuyo rotacional es cero puede ser descrito mediante el
gradiente de una funcin escalar V, conocida como potencial elctrico:
(16)
La importancia de (15) radica en que debido a que el rotacional del campo elctrico es cero, se
puede aplicar el principio de superposicin a este tipo de campos. Para varias cargas, se define
el campo elctrico como la suma vectorial de sus campos individuales:
(17)
entonces
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10

(18)

Lneas de campo




Lneas de campo elctrico correspondientes a cargas iguales y opuestas, respectivamente.
Un campo elctrico esttico puede ser representado geomtricamente con lneas tales que en
cada punto el campo vectorial sea tangente a dichas lneas, a estas lneas se las conoce como
"lneas de campo". Matemticamente las lneas de campo son las curvas integrales del campo
vectorial. Las lneas de campo se utilizan para crear una representacin grfica del campo, y
pueden ser tantas como sea necesario visualizar.
Las lneas de campo son lneas perpendiculares a la superficie del cuerpo, de manera que su
tangente geomtrica en un punto coincide con la direccin del campo en ese punto. Esto es una
consecuencia directa de la ley de Gauss, es decir encontramos que la mayor variacin
direccional en el campo se dirige perpendicularmente a la carga. Al unir los puntos en los que el
campo elctrico es de igual magnitud, se obtiene lo que se conoce como superficies
equipotenciales, son aquellas donde el potencial tiene el mismo valor numrico. En el caso
esttico al ser el campo elctrico un campo irrotacional las lneas de campo nunca sern
cerradas (cosa que s puede suceder en el caso dinmico, donde el rotacional del campo elctrico
es igual a la variacin temporal del campo magntico cambiada de signo, por tanto una lnea de
campo elctrico cerrado requiere un campo magntico variable, cosa imposible en el caso
esttico).
En el caso dinmico pueden definirse igualmente las lneas slo que el patrn de lneas variar
de un instante a otro del tiempo, es decir, las lneas de campo al igual que las cargas sern
mviles.
Campo electrodinmico (movimiento uniforme)
El campo elctrico creado por una carga puntual presenta isotropa espacial, en cambio, el
campo creado por una carga en movimiento tiene un campo ms intenso en el plano
perpendicular a la velocidad de acuerdo a las predicciones de la teora de la relatividad. Esto
sucede porque para un observador en reposo respecto a una carga que se mueve con velocidad
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uniforme la distancia en la direccin del movimiento de la carga sern menores que las medidas
por un observador en reposo respecto a la carga, por efecto de la contraccin de Lorentz,
suponiendo que la carga se mueve a lo largo del eje X de observador tendramos la siguiente
relacin de coornadas entre lo medido por el observador en movimiento respecto a la
carga y el observador en reposo respecto a la carga :

Siendo V la velocidad de la carga respecto al observador, as la distancia efectiva a la carga
medida por el observador en movimiento respecto a la carga cumplir que:

Y por tanto el campo elctrico medido por un observador en movimiento respecto a la carga
ser:
(19)
Donde es el ngulo formado por el vector de posicin del punto donde se mide el campo
(respecto a la carga) y la velocidad del movimiento. De esta ltima expresin se observa que si
se considera una esfera de radio r alrededor de la carga el campo es ms intenso en el "ecuador",
tomando como polos norte y sur la interseccin de la esfera con la trayectoria de la partcula,
puede verse que el campo sobre la esfera vara entre un mximo y un mnimo dados
por:
(20)
Esta prdida de simetra esfrica es poco notoria para velocidades pequeas comparadas con
la velocidad de la luz y se hace muy marcada a velocidades cercanas a la luz.
Campo electrodinmico (movimiento acelerado)
El campo de una carga en movimiento respecto a un observador se complica notablemente
respecto al caso de movimiento uniforme si adems de un movimiento relativo la carga presenta
un movimiento acelerado respecto a un observador inercial. A partir de los potenciales de
Lienard-Wiechert se obtiene que el campo creado por una carga en movimiento viene dado por:
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(21)

El primer miembro slo depende de la velocidad y coincide con el campo elctrico provocado
por una carga en movimiento uniforme, a grandes distancias vara segn una ley de la inversa
del cuadrado 1/R
2
y, por tanto, no supone emisin de energa, el segundo miembro depende de
la aceleracin y tiene una variacin 1/R que representa la intensidad decreciente de una onda
esfrica de radiacin electromagntica, ya que las cargas en movimiento acelerado
emiten radiacin.
Energa del campo elctrico
Un campo en general almacena y mueve energa. La densidad volumtrica de energa de un
campo elctrico est dada por la expresin siguiente:
(22)
Por lo que la energa total en un volumen V est dada por:
(23)
Donde dV es el diferencial de volumen.







EJERCICIOS
1.- Dos cargas puntuales e iguales de valor 2 mC cada una, se encuentran situadas en el plano XY
en los puntos (0,5) y (0,-5), respectivamente, estando las distancias expresadas en metros.
a) En qu punto del plano el campo elctrico es nulo?
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b) Cul es el trabajo necesario para llevar una carga unidad desde el punto (l,O) al punto (-1,0)?
Solucin:





La suma de dos vectores da nulo si tienen el mismo modulo y forman entre s 180. En los puntos situados
fuera del segmento que une las cargas, segmento AB, el campo no puede anularse pues los campos
forman ngulos distintos de 180 . Slo puede anularse en el segmento AB.
Como las cargas son iguales, y el campo depende de la distancia del punto a la carga, para que los dos
campos sean iguales y opuestos slo puede suceder en el punto medio del segmento, en este caso el
origen de coordenadas (0,0). Si se desea comprobar analticamente, consideremos un punto genrico del
segmento de coordenadas (x,0) y determinemos x para que el campo sea nulo:
Campo creado en P por la carga situada en A: E = K. q /(5+x)
2

Campo creado en P por la carga situada en B: E = K. q /(5-x)
2

Los dos campos deben ser iguales en mdulo para que su suma vectorial de campo nulo:
K. q /(5+x)
2
= K. q /(5-x)
2


(5+x)
2
= (5-x)
2

x = 0
El trabajo para trasladar una carga de un punto a otro del campo es igual al producto de la carga por la
diferencia de potencial entre los dos puntos; como en este caso la carga es la unidad el trabajo coincide
con la d.d.p.; como el potencial depende de la carga y de la distancia al punto, al ser las cargas iguales y
las posiciones relativas de los puntos, con relacin a las cargas, iguales, los potenciales son iguales y por
tanto el trabajo es nulo:
W = q. ( V
1
- V
2
)
V
1
= K. q
A
/ r
A
+ K. q
B
/r
B
= 9.10
9
. 2.10
-3
.( 1 /4 + 1 /6) = 7'5.10
6
Voltios
V
2
= K. q
A
/ r
A
+ K. q
B
/r
B
= 9.10
9
. 2.10
-3
.( 1 /6 + 1 /4) = 7'5.10
6
Voltios
V
1
- V
2
= 7'5.10
6
- 7'5.10
6
= 0 W = 0 Julios

2.- Se tienen tres cargas en los vrtices de un tringulo equiltero cuyas coordenadas, expresadas en
cm, son:
A (0,2) , B (-\3, -1) , C (\3, -1)
Se sabe que las cargas situadas en los puntos B y C son iguales a 2 C y que el campo elctrico en el
origen de coordenadas (centro del tringulo) es nulo. Determinar:
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a) El valor de la carga situada en el vrtice A
b) El potencial en el origen de coordenadas
Solucin:
El campo elctrico a una distancia r de una carga es :
E = [K.Q / r
2
].u
siendo u el vector unitario en el sentido de la carga al punto
Si el tringulo es equiltero el centro del mismo equidista de los
vrtices, por lo que el valor de r es el mismo para las tres cargas. Al
mismo tiempo los sentidos de los tres campos en el centro del tringulo
forman 120.
Si el campo total es nulo, si el centro equidista de los vrtices y si los
campos forman 120, las tres cargas deben ser iguales; por tanto el
valor de la carga situada en el vrtice A es de + 2 C
El potencial en el centro del tringulo ser la suma de los potenciales creados por cada carga:
V
O
= V
O,A
+ V
O,B
+ V
O,C

El potencial en un punto debido a una carga es una magnitud escalar de valor:
V = K.Q / r
Al tener cada vrtice la misma carga, al tener r el mismo valor para cada carga, se deduce que los
potenciales creados por cada carga son iguales y de valor:
V
O,A
= V
O,B
= V
O,C
= K. Q / r = 9.10
9
.2.10
-6
/ 0'02 = 900 000 Voltios
V
O
= 3 . 900000 = 2 700 000 Voltios
Nota: Con los datos de las coordenadas se puede deducir que el tringulo es equiltero y que el centro del
tringulo coincide con el centro de coordenadas, por lo que estos datos son redundantes.
3.- Calcular el campo y el potencial elctrico producido por un anillo conductor de radio R cargado
con una carga Q, en un punto de su eje perpendicular.
Consideremos un elemento del anillo formado por un arco de
apertura du . El valor de ese arco ser:
dL = R. du
y la carga que contiene ser:
dq = Q. dL /(2.t.R) = Q. du /(2.t)
El campo creado por este elemento de carga en un punto z del
eje perpendicular es:
dE = k. dq / r
2
= k. Q. du /(2.t. r
2
)
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Este campo puede descomponerse en dos vectores: uno en la direccin del eje z y otro perpendicular al
anterior; esta ultima componente se anular con la componente producida por un elemento de carga
situado en la posicin simtrica en el disco, por lo que slo interesa la componente en el eje z:
dE
z
= dE . sen o = [ k. Q. du /(2.t. r
2
) ]. (z / r) = k. Q. z. du /(2.t. r
3
)
El campo total producido por el anillo ser la integral respecto a u entre 0 y 2.t :
E
z
= ] dE
z
= ]k. Q. z. du /(2.t. r
3
) = k. Q. z / r
3
= k. Q. z / (z
2
+ R
2
)
3/2

El potencial creado por el elemento de anillo ser:
dV
z
= k. dq /r = k. Q. du /(2.t. r)
El potencial total se obtiene integrando la expresin anterior:
V
z
= ]k. Q. du /(2.t. r) = k. Q / r = k. Q / (z
2
+ R
2
)
1/2

4.- Dos esferas de 25 gramos estn cargadas con idntica carga elctrica y cuelgan de dos hilos
inextensibles y sin masa de 80 cm de longitud, suspendidos del mismo
punto. Los hilos forman 45 con la vertical. Calcular la carga de cada
esfera y la tensin del hilo.
La fuerza F que separa las cargas se debe a la repulsin electrosttica, pues
ambas son del mismo signo.
F = k. q
2
/ x
2

x = 2. a. sen (q /2)
Si estn en equilibrio la suma de la fuerza electrosttica y el peso debe tener
la direccin de la cuerda:
tg (q /2) = F /p

F = p. tg (q /2)
k. q
2
/ x
2
= m.g. tg (q /2)



q2 = m. g. x
2
.tg (q /2)

/ k
q =2.a.sen (q /2).[ m. g..tg (q /2)

/ k]
1/2
=2. 0'8. sen 45 .[25.10
-3
.9'8 .tg45 /9.10
9
]
1/2
= 5'9.10
-6
C
F = 9.10
9
. (5'9.10
-6
)
2
/ (2.0'8.sen45)
2
= 0'245 N
La tensin del hilo ser:
T = R = p / cos(q /2) = 25.10
-3
.9'8 / cos45 = 0'35 N
5.- En tres vrtices de un cuadrado de 40 cm de lado se han situado cargas elctricas de +125 m C.
Determinar el campo elctrico en el cuarto vrtice y el trabajo necesario para trasladar una carga
de - 10 m C desde ese vrtice al centro del cuadrado.
El campo producido en D ser la suma vectorial de los campos
creados por cada carga:
E
C
= E
A
= k.q / a
2

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16

E
B
= k. q / (a
2
+ a
2
)
El campo resultante tendr la direccin y sentido de E
B
y valdr:
E = E
B
+ (E
A
2
+ E
C
2
)
1/2
= k. q /(2.a
2
) + (2. k
2
. q
2
. / a
4
)
1/2

E = k. q. (1 / 2 + 2
1/2
) / a
2
= 9.10
9
. 125.10
-6
. (1 / 2 + 2
1/2
) / 0'4
2
= 1'35.10
7
N /C
El trabajo para trasladar una carga de un punto a otro es la carga por la d.d.p. entre los puntos:
El potencial en un punto es la suma de los potenciales creados por cada carga:
V(D) = k. q / a + k . q. /a + k. q. /(a
2
+ a
2
)
1/2
= + k. q. (2 + 1 / 2
1/2
) / a
V(D) = 9.10
9
. 125.10
-6
. (2 + 1 /2
1/2
) / 0'4 = 7613738 Voltios
V(O) = 3. k. q. /( a / 2
1/2
) = 3. 9.10
9
. 125.10
-6
. 2
1/2
/ 0'4 = 11932427 Voltios
W = q' . (V(O) - V(D)) = - 10.10
-6
. ( 11932427 - 7613738 ) = 43'2 J

6.- Encuentre el campo electrico en el punto P de la figura, ubicado sobre el eje y a 0.4 m
sobre el origen, producido por las tres cargas puntuales que se muestran. La carga q
1
= 7
C se ubica en el origen del sistema de coordenadas, la carga q
2
= -5 C se ubica en el eje x a
0.3 m del origen y la carga q3 = -3 C a la derecha del punto P y a 0.4 m sobre q
2
.
Determine adems la fuerza elctrica ejercida sobre una carga de 3x10
-8
C cuando se ubica
en el punto P.





SOLUCION:
Primero calculamos separadamente la magnitud del campo elctrico en P debido a la presencia
de cada carga. Llamemos E
1
al campo elctrico producido por q
1
, E
2
al campo elctrico
producido por q
2
y E
3
al campo elctrico producido por q
3
. Estos campos se representan en la
figura y sus magnitudes son:
Electrnica Bsica

17


El vector E
1
no tiene componente x, slo componente y (hacia arriba). El vector E
2
tiene una
componente x dada por E
2
cos = (3/5)E
2
y una componente y negativa dada por -E
2
sen = -
4/5E
2
. El vector E
3
no tiene componente y, slo componente x (hacia la derecha).
El vector resultante E que buscamos es la suma vectorial de estos tres vectores,
E = E
1
+ E
2
+ E
3

Los vectores E
1
, E
2
y E
3
conviene expresarlos usando vectores unitarios i y jpara luego efectuar
analticamente su suma:

El campo elctrico E resultante en P es entonces:

La fuerza elctrica sobre una carga de 3x10
-8
C cuando sta se coloca en el punto P se obtiene
simplemente usando F = Eq, con q = 3x10
-8
C.

Esta fuerza tiene por supuesto la misma direccin que el campo elctrico E.

CAMPOS MAGNTICOS
Introduccin
Las fuerzas caractersticas de los imanes se denominan fuerzas magnticas. El desarrollo de la
fsica ampli el tipo de objetos que sufren y ejercen fuerzas magnticas. Las corrientes
elctricas y, en general, las cargas en movimiento se comportan como imanes, es decir,
producen campos magnticos. Siendo las cargas mviles las ltimas en llegar al panorama del
magnetismo han permitido, sin embargo, explicar el comportamiento de los imanes, esos
primeros objetos magnticos conocidos desde la antigedad.
Electrnica Bsica

18

El trmino magnetismo tiene su origen en el nombre que en la poca de los filsofos griegos
reciba una regin del Asia Menor, entonces denominada Magnesia; en ella abundaba una piedra
negra o piedra imn capaz de atraer objetos de hierro y de comunicarles por contacto un poder
similar. A pesar de que ya en el siglo VI a. de C. se conoca un cierto nmero de fenmenos
magnticos, el magnetismo como disciplina no comienza a desarrollarse hasta ms de veinte
siglos despus, cuando la experimentacin se convierte en una herramienta esencial para el
desarrollo del conocimiento cientfico. Gilbert (1544-1603), Ampre (1775-1836), Oersted
(1777-1851), Faraday (1791-1867) y Maxwell (1831-1879), investigaron sobre las
caractersticas de los fenmenos magnticos, aportando una descripcin en forma de leyes, cada
vez ms completa.
Los fenmenos magnticos haban permanecido durante mucho tiempo en la historia de la
ciencia como independientes de los elctricos. Pero el avance de la electricidad por un lado y
del magnetismo por otro, prepar la sntesis de ambas partes de la fsica en una sola, el
electromagnetismo, que rene las relaciones mutuas existentes entre los campos magnticos y
las corrientes elctricas. James Clark Maxwell fue el cientfico que cerr ese sistema de
relaciones al elaborar su teora electromagntica, una de las ms bellas construcciones
conceptuales de la fsica clsica.
El magnetismo es uno de los aspectos del electromagnetismo, que es una de las fuerzas
fundamentales de la naturaleza. Las fuerzas magnticas son producidas por el movimiento de
partculas cargadas, como por ejemplo electrones, lo que indica la estrecha relacin entre
la electricidad y el magnetismo. El marco que enlaza ambas fuerzas, es el tema de este curso, se
denomina teora electromagntica. La manifestacin ms conocida del magnetismo es
la fuerza de atraccin o repulsin que acta entre los materiales magnticos como el hierro. Sin
embargo, en toda la materia se pueden observar efectos ms sutiles del magnetismo.
Recientemente, estos efectos han proporcionado claves importantes para comprender
la estructura atmica de la materia.
Teora Electromagntica
A finales del siglo XVIII y principios del XIX se investigaron simultneamente las teoras de la
electricidad y el magnetismo.. En 1831, despes de que Hans Oersted comenzar a describir una
relacin entre la electricidad y el magnetismo, y el francs Andr Marie Ampre seguido por el
fsico francs Dominique Franois profundizarn en dicho campo, el cientfico britnico
Michael Faraday descubri que el movimiento de un imn en las proximidades de un cable
induce en ste una corriente elctrica; este efecto era inverso al hallado por Oersted. La
unificacin plena de las teoras de la electricidad y el magnetismo se debi al fsico britnico
Electrnica Bsica

19

James Clerk Maxwell, que predijo la existencia de ondas electromagnticas e identific la luz
como un fenmeno electromagntico.
Despus de que el fsico francs Pierre Ernst Weiss postular la existencia de un campo
magntico interno, molecular, en los materiales como el hierro, las propiedades magnticas se
estudiaron de forma cada vez ms detallada, lo que permiti que ms tarde otros cientficos
predijeran muchas estructuras atmicas del momento magntico ms complejas, con diferentes
propiedades magnticas.
NATURALEZA DE LA RADIACION ELECTROMAGNETICA
Una corriente elctrica alterna (AC) se define como el movimiento de electrones en una misma
direccin, usualmente a travs de un alambre. Esta corriente produce dos tipos de campos: Un
campo elctrico AC y un campo magntico AC, ambos forman lo que se llama un campo
electromagntico. Los campos elctricos de la corriente alterna resultan de la intensidad de la
carga y los campos magnticos resultan del movimiento de las cargas. El campo elctrico
representa la fuerza que las cargas elctricas ejercen sobre otras cargas, y esta fuerza puede
repeler o atraer. El campo magntico se forma alrededor de la corriente y se irradia en ngulo
recto respecto a la direccin de la corriente.
La gente puede sentir el campo elctrico de ms de 20 kV/m como una sensacin de hormigueo
sobre su piel. Estos niveles se pueden encontrar bajo las lneas de alto voltaje. Por otro lado, la
mayora de gente no puede sentir la presencia de campos magnticos, excepto bajo altas cargas
de electricidad.
Es muy interesante que mientras una corriente elctrica alterna crea un campo magntico,
tambin un campo magntico crea una corriente elctrica en un conductor cercano. Este es el
principio de la induccin y por este se puede detectar y medir la presencia de campos
electromagnticos. La induccin es tambin el principio mediante el cual un transformador
eleva o baja voltajes. En un transformador, una corriente elctrica alterna a travs de los
alambres de una bovina, irradia campos magnticos y en otra bovina adyacente los alambres
captan los campos magnticos y los convierte de nuevo en corriente elctrica alterna. El nmero
de vueltas en espiral que tenga en cada lado del transformador, determina que tanto voltaje se
incrementa o disminuye.
Para poder distribuir electricidad de forma econmica a travs de largas distancias, se utilizan
altos voltajes. Entre las plantas generadoras de electricidad y las casas, una serie de
transformadores reducen el voltaje de tal manera que una corriente reducida de 120/240 llegue a
las casas. Es deseable usar corriente alterna (AC), ya que la mayora de transformadores
trabajan solo con AC. AC significa que la direccin de la corriente se alterna de ida y vuelta. La
Electrnica Bsica

20

frecuencia del ciclo alterno se mide en Hertz (Hz), que significa ciclos por segundo. Cuando se
habla de corriente de 60 Hz la cual es un estndar para Guatemala, significa que la direccin de
la corriente cambia de ida y vuelta 60 veces por segundo. En Europa y en otros pases del
mundo la frecuencia de la corriente alterna es de 50 Hz.
Una grfica de corriente alterna (voltaje/tiempo) s formar ya que una onda con voltaje positivo
se forma para la mitad del tiempo y otra para el voltaje negativo, lo mismo sucede para los
campos elctrico y magntico, los cuales viajen en una direccin y otra correspondiendo a los
cambios en la direccin de la corriente alterna. Ya que las lneas de conduccin, el cableado de
las casas y los electrodomsticos transportan electricidad de 60 Hz, los campos elctricos y
magnticos tambin oscilan a 60 Hz. Tales frecuencias estn en la parte final baja del espectro
electromagntico y se refieren como los campos de extrema baja frecuencia (ELF). La
frecuencia de 60 Hz. Se origina en la estacin de generacin y termina en electrodomsticos de
las casas. Los altos voltajes cambian la intensidad de los campos pero no la frecuencia de 60 Hz.
Radiacin es un trmino ampliamente utilizado para referirse a la transmisin de energa a
travs del espacio o a travs de materiales, o travs de la energa por s misma. La fuerza del
campo asociada con la radiacin es la regin a travs de la cual la radiacin se puede medir.
Algunas veces la radiacin electromagntica se le llama EML y se refiere a un rango del
espectro electromagntico, desde las frecuencias extremadamente bajas a las ondas de radio. En
la prctica EMF se utiliza m s que EML debido a que "Radiacin" suena peligroso y su uso
puede crear confusin con la radiacin ms peligrosa como la de los rayos X y material
radioactivo. En los reportes de noticias y artculos escritos para el pblico en general, EMF se
utiliza para indicar campos electromagnticos de baja frecuencia provenientes de las lneas de
transmisin elctrica, cableados de las casas, electrodomsticos y monitores de computacin.
Campos electromagnticos de diferentes fuentes pueden adicionarse o cancelarse mutuamente.
Esto es debido a las caractersticas de las ondas de la radiacin electromagntica. Si la radiacin
de dos fuentes est en fase, entonces los picos de cada ciclo ocurren al mismo tiempo, y los
campos se adicionan. Por otro lado, si dos fuentes estn exactamente fuera de fase, entonces una
alcanza su mxima intensidad en una direccin, exactamente al mismo tiempo que la otra fuente
lo est alcanzando en la direccin opuesta.
Si la magnitud de los campos es idntica entonces los campos se cancelarn el uno al otro, y la
medicin del campo magntico ser cero. Esta es la razn de porque los cables calientes y
neutrales en el cableado de las casas deben aparearse muy cercanos. Esta caracterstica tambin
provee el mecanismo mediante el cual se pueden configurar las lneas de transmisin elctrica y
los monitores de computadoras para reducir los campos electromagnticos.
Electrnica Bsica

21

Los campos electromagnticos pueden ocurrir naturalmente o ser creados por el hombre.
Ejemplos de radiacin electromagntica en orden de incremento de intensidad son: Extrema
baja frecuencia (ELF), muy baja frecuencia (VLF), ondas de radio, microondas, rayos
infrarrojos (calor), luz visible, rayos ultravioleta, rayos-X y rayos gama. Toda la radiacin
electromagntica viaja a la velocidad de la luz.
La frecuencia de la radiacin electromagntica es lo que determina su carcter. Los rayos-X (y
otras formas de radiacin ionizante) pueden separar electrones de un tomo, como resultado un
"ion." Cuando los sistemas vivientes se exponen a tal tipo de radiacin se producen
determinados efectos por el rompimiento de las uniones moleculares. La radiacin ionizante
puede causar cncer cuando se rompen las molculas de DNA (las molculas que forman los
genes). A frecuencias extremadamente bajas, la radiacin electromagntica es no ionizante, lo
que significa que no puede separar electrones de los tomos o alterar las estructuras moleculares.
Sin embargo, la radiacin electromagntica de baja frecuencia es una forma de energa, y esta
fuerza energtica puede hacer que las molculas vibren.
La intensidad de los campos electromagnticos puede calcularse matemticamente. Campos de
fuentes compactas que contienen bovinas o magnetos (transformadores e, electrodomsticos y
monitores de computacin, por ejemplo) disminuyen rpidamente en proporcin con el cubo de
la distancia (1/d**3,d=distancia). Campos de grandes conductores de corriente elctrica
disminuyen en proporcin al cuadrado de la distancia (1/d**2). La fuerza del campo disminuye
rpidamente en las lneas secundarias de distribucin debido a que las corrientes frecuentemente
no estn balanceadas. En la prctica, es mas fcil medir la intensidad del campo que calcularlo,
debido a que usualmente mltiples campos electromagnticos interactan unos con otros en
forma compleja.
Tipos de materiales magnticos
Las propiedades magnticas de los materiales se clasifican siguiendo distintos criterios.
Una de las clasificaciones de los materiales magnticos que los divide en diamagnticos,
paramagnticos y ferromagnticos se basa en la reaccin del material ante un campo
magntico. Cuando se coloca un material diamagntico en un campo magntico, se induce en l
un momento magntico de sentido opuesto al campo. En la actualidad se sabe que esta
propiedad se debe a las corrientes elctricas inducidas en los tomos y molculas individuales.
Estas corrientes producen momentos magnticos opuestos al campo aplicado. Muchos
materiales son diamagnticos; los que presentan un diamagnetismo ms intenso son el bismuto
Electrnica Bsica

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metlico y las molculas orgnicas que, como el benceno, tienen una estructura cclica que
permite que las corrientes elctricas se establezcan con facilidad.
El comportamiento paramagntico se produce cuando el campo magntico aplicado alinea todos
los momentos magnticos ya existentes en los tomos o molculas individuales que componen
el material.
Esto produce un momento magntico global que se suma al campo magntico. Los materiales
paramagnticos suelen contener elementos de transicin o lantnidos con electrones
desapareados. El paramagnetismo en sustancias no metlicas suele caracterizarse por una
dependencia de la temperatura: la intensidad del momento magntico inducido vara
inversamente con la temperatura. Esto se debe a que al ir aumentando la temperatura, cada vez
resulta ms difcil alinear los momentos magnticos de los tomos individuales en la direccin
del campo magntico.
Las sustancias ferromagnticas son las que, como el hierro, mantienen un momento magntico
incluso cuando el campo magntico externo se hace nulo. Este efecto se debe a una fuerte
interaccin entre los momentos magnticos de los tomos o electrones individuales de la
sustancia magntica, que los hace alinearse de forma paralela entre s. En circunstancias
normales, los materiales ferromagnticos estn divididos en regiones llamadas `dominios'; en
cada dominio, los momentos magnticos atmicos estn alineados en paralelo. Los momentos
de dominios diferentes no apuntan necesariamente en la misma direccin.
Aunque un trozo de hierro normal puede no tener un momento magntico total, puede inducirse
su magnetizacin colocndolo en un campo magntico, que alinea los momentos de todos los
dominios. La energa empleada en la reorientacin de los dominios desde el estado magnetizado
hasta el estado desmagnetizado se manifiesta en un desfase de la respuesta al campo magntico
aplicado, conocido como `histresis'.
Un material ferromagntico acaba perdiendo sus propiedades magnticas cuando se calienta.
Esta prdida es completa por encima de una temperatura conocida como punto de Curie,
llamada as en honor del fsico francs Pierre Curie, que descubri el fenmeno en 1895. (El
punto de Curie del hierro metlico es de unos 770 C).
Otros ordenamientos magnticos
En los ltimos aos, una mejor comprensin de los orgenes atmicos de las propiedades
magnticas ha llevado al descubrimiento de otros tipos de ordenamiento magntico. Se conocen
casos en los que los momentos magnticos interactan de tal forma que les resulta
Electrnica Bsica

23

energticamente favorable alinearse entre s en sentido antiparalelo; estos materiales se llaman
antiferromagnticos. Existe una temperatura anloga al punto de Curie, llamada temperatura de
Nel, por encima de la cual desaparece el orden antiferromagntico.
Tambin se han hallado otras configuraciones ms complejas de los momentos magnticos
atmicos. Las sustancias `ferrimagnticas' tienen al menos dos clases distintas de momento
magntico atmico, que se orientan de forma antiparalela. Como ambos momentos tienen
magnitudes diferentes, persiste un momento magntico neto, al contrario que en un material
antiferromagntico, donde todos los momentos magnticos se anulan entre s. Curiosamente, la
piedra imn es ferrimagntica, y no ferromagntica; en este mineral existen dos tipos de ion
hierro, con momentos magnticos diferentes. Se han encontrado disposiciones an ms
complejas en las que los momentos magnticos estn ordenados en espiral. Los estudios de
estos ordenamientos han proporcionado mucha informacin sobre las interacciones entre los
momentos magnticos en slidos.
Fuentes del campo magntico
Un campo magntico tiene dos fuentes que lo originan. Una de ellas es una corriente
elctrica de conduccin, que da lugar a un campo magntico esttico. Por otro lado
una corriente de desplazamiento origina un campo magntico variante en el tiempo, incluso
aunque aquella sea estacionaria.
La relacin entre el campo magntico y una corriente elctrica est dada por la ley de Ampre.
El caso ms general, que incluye a la corriente de desplazamiento, lo da la ley de Ampre-
Maxwell.

Campo magntico producido por una carga puntual
El campo magntico generado por una nica carga en movimiento (no por una corriente
elctrica) se calcula a partir de la siguiente expresin: el toto imbrogno

Donde . Esta ltima expresin define un campo vectorial solenoidal,
para distribuciones de cargas en movimiento la expresin es diferente, pero puede probarse que
el campo magntico sigue siendo un campo solenoidal.
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24

Propiedades del campo magntico
La inexistencia de cargas magnticas lleva a que el campo magntico es un campo
solenoidal lo que lleva a que localmente puede ser derivado de un potencial vector , es
decir:

A su vez este potencial vector puede ser relacionado con el vector densidad de
corriente mediante la relacin:

Inexistencia de cargas magnticas aisladas
Cabe destacar que, a diferencia del campo elctrico, en el campo magntico no se ha
comprobado la existencia de monopolos magnticos, slo dipolos magnticos, lo que significa
que las lneas de campo magntico son cerradas, esto es, el nmero neto de lneas de campo que
entran en una superficie es igual al nmero de lneas de campo que salen de la misma superficie.
Un claro ejemplo de esta propiedad viene representado por las lneas de campo de un imn,
donde se puede ver que el mismo nmero de lneas de campo que salen del polo norte vuelve a
entrar por el polo sur, desde donde vuelven por el interior del imn hasta el norte.

Como se puede ver en el dibujo, independientemente de que la carga en movimiento sea
positiva o negativa, en el punto A nunca aparece campo magntico; sin embargo, en los puntos
B y C el campo magntico invierte su direccin dependiendo de si la carga es positiva o
negativa. La direccin del campo magntico viene dado por la regla de la mano derecha, siendo
las pautas las siguientes:
En primer lugar se imagina un vector qv, en la misma direccin de la trayectoria de la carga
en movimiento. La direccin de este vector depende del signo de la carga, esto es, si la
carga es positiva y se mueve hacia la derecha, el vector +qv estar orientado hacia la
derecha. No obstante, si la carga es negativa y se mueve hacia la derecha, el vector es -qv va
hacia la izquierda.
Electrnica Bsica

25

A continuacin, vamos sealando con los cuatro dedos de la mano derecha (ndice, medio,
anular y meique), desde el primer vector qv hasta el segundo vector Ur, por el camino ms
corto o, lo que es lo mismo, el camino que forme el ngulo menor entre los dos vectores. El
pulgar extendido indicar en ese punto la direccin del campo magntico.

Energa almacenada en campos magnticos
La energa es necesaria para generar un campo magntico, para trabajar contra el campo
elctrico que un campo magntico crea y para cambiar la magnetizacin de cualquier material
dentro del campo magntico. Para los materiales no-dispersivos, se libera esta misma energa
tanto cuando se destruye el campo magntico para poder modelar esta energa, como siendo
almacenado en el campo magntico.
Para materiales lineales y no dispersivos (tales que B = H donde est frecuencia-independiente
el ), la densidad de energa es: u=B*B/2 = H*H/2
Si no hay materiales magnticos alrededor, entonces el se puede substituir por 0. La ecuacin
antedicha no se puede utilizar para los materiales no lineales, se utiliza una expresin ms
general dada abajo.
Generalmente la cantidad incremental de trabajo por el W del volumen de unidad necesitado
para causar un cambio pequeo del B del campo magntico es: W= H*B
Una vez que la relacin entre H y B se obtenga, esta ecuacin se utiliza para determinar el
trabajo necesitado para alcanzar un estado magntico dado. Para los materiales como los ferro
magnticos y superconductores el trabajo necesitado tambin depender de cmo se crea el
campo magntico.
Unidades y magnitudes tpicas
La unidad de B en el SI es el tesla, que equivale a wber por metro cuadrado (Wb/m) o a voltio
segundo por metro cuadrado (V s/m); en unidades bsicas es kg s
2
A
1
. Su unidad en sistema
de Gauss es el gauss (G); en unidades bsicas es cm
1/2
g
1/2
s
1
.
La unidad de H en el SI es el amperio por metro (A/m) (a veces llamado ampervuelta por
metro). Su unidad en el sistema de Gauss es el orsted (Oe), que es dimensionalmente igual al
Gauss.
La magnitud del campo magntico terrestre en la superficie de la Tierra es de alrededor de 0.5G.
Los imanes permanentes comunes, dehierro, generan campos de unos pocos cientos de Gauss,
esto es a corto alcance la influencia sobre un comps es alrededor de mil veces ms intensa que
la del campo magntico terrestre; como la intensidad se reduce con el cubo de la distancia, a
distancias relativamente cortas el campo terrestre vuelve a dominar. Los imanes comerciales
Electrnica Bsica

26

ms potentes, basados en combinaciones de metales de transicin ytierras raras generan campos
hasta diez veces ms intensos, de hasta 3000-4000 G, esto es, 0.3-0.4 T. El lmite terico para
imanes permanentes es alrededor de diez veces ms alto, unos 3 Tesla. Los centros de
investigacin especializados obtienen de forma rutinaria campos hasta diez veces ms intensos,
unos 30T, mediante electroimanes; se puede doblar este lmite mediante campos pulsados, que
permiten enfriarse al conductor entre pulsos. En circunstancias extraordinarias, es posible
obtener campos incluso de 150 T o superiores, mediante explosiones que comprimen las lneas
de campo; naturalmente en estos casos el campo dura slo unos microsegundos. Por otro lado,
los campos generados de forma natural en la superficie de un plsar se estiman en el orden de
los cientos de millones de Tesla.
3

En el mundo microscpico, atendiendo a los valores del momento dipolar de iones magnticos
tpicos y a la ecuacin que rige la propagacin del campo generado por un dipolo magntico, se
verifica que a un nanmetro de distancia, el campo magntico generado por un electrn aislado
es del orden de 3 G, el de una molcula imn tpica, del orden de 30 G y el de un ion magntico
tpico puede tener un valor intermedio, de 5 a 15 G. A un Angstrom, que es un valor corriente
para un radio atmico y por tanto el valor mnimo para el que puede tener sentido referirse al
momento magntico de un ion, los valores son mil veces ms elevados, esto es, del orden de
magnitud del Tesla.
Aplicaciones
En los ltimos 100 aos han surgido numerosas aplicaciones del magnetismo y de los materiales
magnticos. El electroimn, por ejemplo, es la base del motor elctrico y el transformador. En
pocas ms recientes, el desarrollo de nuevos materiales magnticos ha influido notablemente
en la revolucin de los ordenadores o computadoras. Es posible fabricar memorias de
computadora utilizando `dominios burbuja'. Estos dominios son pequeas regiones de
magnetizacin, paralelas o antiparalelas a la magnetizacin global del material. Segn que el
sentido sea uno u otro, la burbuja indica un uno o un cero, por lo que acta como dgito en el
sistema binario empleado por los ordenadores. Los materiales magnticos tambin son
componentes importantes de las cintas y discos para almacenar datos.
Los imanes grandes y potentes son cruciales en muchas tecnologas modernas. Los trenes de
levitacin magntica utilizan poderosos imanes para elevarse por encima de los rales y evitar el
rozamiento.
En la exploracin mediante resonancia magntica nuclear, una importante herramienta de
diagnstico empleada en medicina, se utilizan campos magnticos de gran intensidad. Los
Electrnica Bsica

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imanes superconductores se emplean en los aceleradores de partculas ms potentes para
mantener las partculas aceleradas en una trayectoria curva y enfocarlas.
EJERCICIOS
1.- Sea un conductor rectilneo de longitud infinita por el que circula una corriente de 5 A. Una
espira cuadrada de lado 10 cm est colocada con dos lados paralelos al conductor y a una distancia
mnima de 3 cm. Por la espira circula una intensidad de 0'2 A. Determinar:
a) Mdulo direccin y sentido del campo magntico creado por el conductor rectilneo en cada uno
de los lados de la espira paralelos al conductor.
b ) Mdulo, direccin y sentido de la fuerza sobre cada uno de esos lados.
Solucin:
El conductor rectilneo crea a su alrededor un campo magntico cuyo
sentido viene dado por la regla de la mano derecha, por lo que en el dibujo
el campo entrara en el papel, y su valor es:
B = m
o
. I / ( 2.p . x )
siendo x la distancia del punto al conductor.
Como por la espira circula una corriente elctrica, aparecer una fuerza
magntica de valor F = I . ( L ^ B )
Lado QT: Todos sus puntos estn a la misma distancia del conductor por
lo que el campo magntico en ellos es el mismo y de valor:
B = m
o
. I / ( 2.p . x ) = 4.p .10
-7
. 5 / ( 2.p . 0'03 ) = 3'33.10
-5
T
la fuerza ser: F
1
= 5 . 0'1 . 3'33.10
-5
= 1'67.10
-5
N
Lado RS: Todos sus puntos estn a la misma distancia del conductor por lo que el campo magntico en
ellos es el mismo y de valor:
B = m
o
. I / ( 2.p . x ) = 4.p .10
-7
. 5 / ( 2.p . 0'13 ) = 7'69.10
-6
T
la fuerza ser: F
3
= 5 . 0'1 . 7'69.10
-6
= 3'84.10
-6
N
Lados QR y ST: cada punto est a una distancia diferente del conductor, por lo que en cada punto el
campo magntico es distinto, variando desde 3'33.10
-5
T en el punto ms prximo hasta 7'69.10
-6
T en el
ms lejano.
2.- Un electrn que viaja con velocidad v
o
= 10
7
m/s penetra en la regin sombreada de la figura,
donde existe un campo magntico uniforme. Se observa que el electrn realiza una trayectoria
semicircular de radio R = 5 cm dentro de dicha regin, de forma que sale en direccin paralela a la
de incidencia, pero en sentido opuesto. Sabiendo que la relacin carga / masa del electrn es
1'76.10
11
C/kg, determinar el mdulo, direccin y sentido del campo magntico que existe en esa
regin.

Electrnica Bsica

28



Solucin:
Cuando un electrn entra en un campo magntico uniforme se
ve sometido a una fuerza que es perpendicular al campo
magntico y a la velocidad, obligando a la carga a describir una
trayectoria curva.
F = q . ( V ^ B )
Como el campo magntico es uniforme y la trayectoria es plana,
semicircular, el campo magntico tiene que ser perpendicular a
la velocidad adems de serlo de la fuerza magntica. Por otro
lado, al ser la carga negativa la fuerza magntica es opuesta al
sentido del producto vectorial V ^ B , por lo que el sentido del
campo debe ser hacia adentro.
Esta fuerza magntica es la fuerza centrpeta que obliga a la
carga a describir el semicrculo:
F = q. v. B. sen 90 = m. v
2
/ R B = m . v / ( q . R ) = v /( R . q / m )
En este caso:
B = 10
7
/ ( 0'05 . 1'76.10
11
) = 0'0011 Teslas
3.- Un electrn que se mueve con una velocidad de 10
6
m/s describe una rbita circular en el seno de
un campo magntico uniforme de valor 0,1 T cuya direccin es perpendicular a la velocidad.
Determine:
a. El valor del radio de la rbita que realiza el electrn.
b. El nmero de vueltas que da el electrn en 0,001 s.
Datos:
Masa del electrn m
e
= 9,1 10
-31
kg Valor absoluto de la carga del electrn e = 1,6 10
-19
C
Solucin:
Cuando un electrn entra en un campo magntico uniforme y normal
a su velocidad describe una rbita debido a la fuerza magntica. Hay
que tener presente que al ser la carga negativa la fuerza es opuesta a la
que experimentara una carga positiva.
La fuerza magntica es la centrpeta que obliga al electrn a describir
la rbita:
F = q. v. B. sen 90 = q. v. B = 1'6.10
-19
. 1.10
6
. 0'1 = 1'6.10
-14
N
F = m. v
2
/ R R = m. v
2
/ F = 9'1.10
-31
.(1.10
6
)
2
/ 1'6.10
-14
=
5'7.10
-5
m
Electrnica Bsica

29

El nmero de vueltas que dar en 0'001 segundos ser:
n = v . t / (2.p.R ) = 1.10
6
. 0'001 / (2.p.5'7.10
-5
) = 2'8.10
6
vueltas

4.- En una misma regin del espacio existen un campo elctrico uniforme de valor 0,5.10
4
v. m
-1
y
un campo magntico uniforme de valor 0,3 T, siendo sus direcciones perpendiculares entre si:
a) Cual deber ser la velocidad de una partcula cargada que penetra en esa regin en direccin
perpendicular a ambos campos para que pase a travs de la misma sin ser desviada?
b) Si la partcula es un protn, cul deber ser su energa cintica para no ser desviado?
Datos: mesa del protn m
p
= 1,672.10
-27
kg
Solucin:
Al entrar una carga q con velocidad v dentro de esta regin, se ve sometida a
una fuerza magntica y otra fuerza elctrica, de sentidos opuestos. Si la carga
no se desva quiere decir que ambas fuerzas son iguales:
F
e
= q . E
F
m
= q . v . B . sen 90 = q . v . B
F
e
= F
m
q . E = q . v . B v = E / B = 0'5.10
4
/ 0'3 =
1'67.10
4
m/s
Si la carga fuera un protn, debera llevar una energa cintica de valor:
Ec = m . v
2
/2 = 1,672.10
-27
. (1'67.10
4
)
2
/2 = 2'33.10
-19
Julios
5.- Un hilo conductor, situado en el eje X, de 50 cm de longitud transporta una corriente de 0'8
amperios, en el sentido positivo del eje. Determinar la fuerza a que est sometido si existe un campo
magntico de valor :

El hilo conductor queda definido por su longitud:

La fuerza sobre el conductor ser:
Electrnica Bsica

30



TEORIA DE LOS SEMICONDUCTORES
INTRODUCCIN
Un semiconductor es un elemento material cuya conductividad elctrica puede considerarse
situada entre las de un aislante y la de un conductor, considerados en orden creciente
Los semiconductores ms conocidos son el siliceo (Si) y el germanio (Ge). Debido a que, como
veremos ms adelante, el comportamiento del siliceo es ms estable que el germanio frente a
todas las perturbaciones exteriores que puden variar su respuesta normal, ser el primero (Si) el
elemento semiconductor ms utilizado en la fabricacin de los componentes electrnicos de
estado solido. A l nos referiremos normalmente, teniendo en cuenta que el proceso del
germanio es absolutamente similar.
Como todos los dems, el tomo de silicio tiene tantas cargas positivas en el ncleo, como
electrones en las rbitas que le rodean. (En el caso del silicio este nmero es de 14). El inters
del semiconductor se centra en su capacidad de dar lugar a la aparicin de una corriente, es
decir, que haya un movimiento de electrones. Como es de todos conocido, un electrn se siente
ms ligado al ncleo cuanto mayor sea su cercana entre ambos. Por tanto los electrones que
tienen menor fuerza de atraccin por parte del ncleo y pueden ser liberados de la misma, son
los electrones que se encuentran en las rbitas exteriores. Estos electrnes pueden, segn lo
dicho anteriormente, quedar libres al inyectarles una pequea energa. En estos recaer nuestra
atencin y es as que en vez de utilizar el modelo completo del tomo de silicio (figura 1),
utilizaremos la
Electrnica Bsica

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representacin simplificada (figura 2) donde se resalta la zona de nuestro inters.
La zona sombreada de la figura 2 representa de una
manera simplificada a la zona sombreada de la figura 1
Como se puede apreciar en la figura, los electrones factibles de ser liberados de la fuerza de
atraccin del ncleo son cuatro.
Conduccin en materiales semiconductores
En los tomos de silicio y germanio, los electrones se mantienen juntos con suficiente fuerza.
Los electrones interiores se encuentran a gran profundidad dentro del tomo, mientras que los
electrones de valencia son parte del enlace covalente: no pueden desprenderse sin recibir una
considerable cantidad de energa. En calor y otras fuentes de energa provocan que los
electrones en la banda de valencia rompan sus enlaces covalentes y se conviertan en electrones
libres en la banda de conduccin. Por cada electrn que deja la banda de valencia, se forma un "
hueco ". Un electrn cercano a la banda de valencia puede moverse y llenar el hueco, creando
otro, prcticamente sin intercambio de energa. La conduccin provocada por los electrones en
la banda de conduccin es diferente de la conduccin debida a los huecos dejados en la banda
de valencia. Ensemiconductores puros, existen tantos huecos como electrones libres.

La fuente de energa trmica interna aumenta la actividad de los electrones; por tanto, saca a los
electrones de valencia de la influencia del enlace covalente y los dirige hacia la banda de
conduccin. De esta forma, existe un nmero limitado de electrones en la banda de conduccin
bajo la influencia del campo elctrico aplicado; estos electrones se mueven en una direccin y
establecen una corriente, como se muestra en la figura 1.5. El movimiento de huecos es opuesto
al de los electrones y se conoce como corriente de huecos. Los huecos actan como si fueran
partculas positivas y contribuyen a la corriente total. Los dos mtodos mediante los cuales se
pueden mover los electrones y huecos a travs de un cristal de silicio son la difusin y el
desplazamiento.
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32

Figura 1.5
Materiales semiconductores
El tomo de germanio tiene lleno un anillo exterior ms que el tomo de silicio. Este anillo
exterior en el germanio se encuentra a una distancia mayor del ncleo que el anillo exterior en el
silicio. Por tanto, en el tomo de germanio se necesita una fuente de energa menor para elevar
electrones de la banda de exterior a la banda de conduccin. El germanio tiene una barrera de la
fuente de energa ms pequea para separar sus bandas de valencia y de conduccin, por lo que
se requiere una menor cantidad de energa para cruzar las barreras entre bandas.
Semiconductores contaminados
La conductividad de un semiconductor se puede aumentar en forma considerable cuando se
introducen cantidades pequeas de impurezas especficas en el cristal. Este procedimiento se
llaman contaminacin. Si la sustancias contaminantes tienen electrones libres extra, se conoce
como donador, y el semiconductor contaminado es de tipo n. Los portadores mayoritarios son
electrones y los portadores minoritarios son huecos, pues existen ms electrones que huecos. Si
la sustancia contaminante tiene huecos extra, se conoce como aceptor o receptor, y el
semiconductor contaminado es de tipo p. Los portadores mayoritarios son huecos y los
minoritarios son electrones. Los materiales contaminados se conocen como semiconductores
extrnsecos, mientras que las sustancias puras son materiales intrnsecos. La densidad de
electrones se denota por n y la densidad de huecos por p. Se puede demostrar que el producto,
np, es una constante para un material dado a una temperatura dada. La densidad intrnseca de
portadores, que se denota con ni, esta dada por la raz cuadrada de este producto. Entonces,
ni2 np.
Como estas concentraciones estn provocadas por ionizacin trmica, ni depende de la
temperatura del cristal. Se concluyen entonces que n o p, o ambos, tienen que ser funcin de la
temperatura. La concentracin de huecos minoritarios es funcin de la temperatura en el
material contaminado de tipo n y la densidad de electrones mayoritarios es independiente de la
temperatura. En forma similar, la concentracin de electrones minoritarios es funcin de la
temperatura en los materiales de tipo p, mientras que la densidad de huecos mayoritarios es
independiente de la temperatura. Laresistencia de un semiconductor se conoce como resistencia
de bloque. Un semiconductor ligeramente contaminado tiene una alta resistencia de bloque.
ELEMENTOS FUNDAMENTALES DE LA TEORIA DE LOS SEMICONDUCTORES.
Los semiconductores son sustancias que se encuentran entre los buenos conductores de la
electricidad y los aisladores ,ellos se encuentran en el grupo IV de la tabla peridica como el
Germanio y el Silicio que tienen cuatro electrones en su ultimo nivel los cuales se comparten
con los electrones de cuatro tomos vecinos para formar la red cristalina mediante un enlace
Electrnica Bsica

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coovalente.Si a esa muestra de semiconductor descripta anteriormente le aadimos impurezas de
elementos del grupo V como por ejemplo el Arsnico que tiene cinco electrones en su ultimo
nivel ,aparecen solamente cuatro electrones compartidos con los electrones del semiconductor
,quedando un electrn sin compartir incrementando por lo tanto los electrones de conduccin
que hacen posible la conduccin de la corriente a travs de el ,formndose as el semiconductor
del tipo N ,donde los portadores mayoritarios son los electrones ( cargas negativas ) y los
minoritarios los huecos ( cargas positivas ).
Por otro lado si a la muestra de semiconductor le aadimos impurezas de elementos que por
ejemplo se encuentra en el grupo III de la tabla peridica como el aluminio que tiene en su
ultimo nivel tres electrones en su ultimo nivel ellos pueden compartirse solamente con tres del
semiconductor quedando un espacio vaco o hueco ( carga positiva ) ,aportando esta impureza
los huecos como portadores mayoritarios , siendo los electrones portadores minoritarios
,formndose as el semiconductor del tipo P .
Cuando unimos un semiconductor del tipo P con uno N se forma una juntura P-N que es el
basamento de construccin de un diodo semiconductor componente este importantsimo en la
electrnica ya que permite el paso de la corriente en un solo sentido.
Cuando en la juntura P-N se establece el movimiento de los portadores mayoritarios en la zona
de la unin se origina una polarizacion debido a la concentracin de las cargas de signos
contrarios a la de los portadores mayoritarios de cada tipo de semiconductor ( P o N )
,formndose as la barrera de conduccin con un campo elctrico complementario dirigido de la
parte positiva a la negativa de la barrera.Si en estas condiciones la parte N se polariza mediante
una fuente de energa positivamente se observa un aumento de la anchura de la barrera de
conduccin debido a que se aade una intensidad de campo elctrico externo en el mismo
sentido que el campo complementario de la barrera lo que imposibilita el movimiento de los
portadores mayoritarios y por ende no puede circular corriente a travs de la juntura ,cuando
esto ocurre el diodo se dice que esta conectado en sentido inverso.Ahora si la parte P del
semiconductor se polariza positivamente inmediatamente aparece un campo elctrico externo en
la barrera de conduccin en sentido contrario al campo elctrico complementario y por tanto se
reduce la anchura de la barrera de conduccin ,permitiendo as el paso de los portadores
mayoritarios y establecindose por lo tanto una circulacin de corriente en el diodo, cuando esto
ocurre el diodo se dice que esta conectado en directo.
Esta propiedad que tienen los diodos de permitir el paso de la corriente en un solo sentido se
utiliza para construir los circuitos rectificadores para convertir la corriente alterna en directa.

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JUNTURA P-N.

POLARIZACION INVERSA.


POLARIZACION DIRECTA.

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35



SIMBOLO DEL DIODO SEMICONDUCTOR.



CONDUCE LA CORRIENTE NO CONDUCE LA CORRIENTE.
Tipos de semiconductores.
Conduccin Intrnseca: Un elemento tetravalente (grupo IV), si comparte todos sus
electrones es un aislante perfecto y no contribuye a la conductividad elctrica, esto
ocurre a la temperatura del cero absoluto (no hay movimiento trmico). Pero si se
somete a temperatura ambiente en la agitacin trmica es suficiente para arrancar
un electrn apareciendo as un doble efecto:




el electrn al moverse contribuye a la conduccin y deja una vacante llamada hueco. Este hueco
puede ser ocupado por otro electrn. Surge as un portador de carga positiva y otro negativo
Electrnica Bsica

36

denominado par electrn-hueco. Si aparecen en el cristal muchos pares de este tipo puede
ocurrir que choquen un electrn y un hueco producindose una recombinacin, en este caso
ninguno de los dos toman parte en la conduccin. Con el tiempo se establece un equilibrio, es
decir, el nmero de pares engendrados ser igual al de recombinaciones, siendo la
conductividad constante, es lo que se denomina conductividad intrnseca del material a una
temperatura determinada. Si aumentamos la temperatura, el movimiento trmico aumentar la
intensidad originando un mayor nmero de pares, con lo que se establecer el equilibrio para
una mayor concentracin. Este efecto puede producirse tanto por energa trmica como por
energa luminosa. El nmero Z de portadores de cargas libres aumenta aproximadamente de
forma exponencial con la temperatura y para una temperatura determinada, depende de la
energa necesaria para romper la ligadura, magnitud caracterstica del semiconductor.

Conduccin Extrnseca: Cuando a una cristal de cualquier elemento (por ejemplo el Silicio (Si))
le introducimos un tomo distinto pero que sea pentavalente (por ejemplo Antimonio (Sb))
sobra un electrn que no es necesario para producir los enlaces en la estructura cristalina. Una
pequea energa ser suficiente para soltarlo del tomo introducido y convertirlo en el electrn
de conduccin. Slo con la energa correspondiente a la temperatura ordinaria para que los
electrones sobrantes del Sb queden sueltos eliminando los propios huecos existentes por la
propia continuidad del cristal y quedando al final una conduccin elctrica producida slo por lo
electrones, el Sb queda entonces cargado positivamente y recibe el nombre de dador. A esta
forma de conduccin se le llama de tipo N y a la impurificacin del cristal con el dador se le
denomina dopar el cristal. Cuando se dopa el Si con un tomo trivalente, por ejemplo el
Aluminio (Al) el proceso es anlogo. Aqu hay un puesto vacante que puede ser ocupado por un
electrn con lo que resulta un hueco. Al tomo introducido (Al) se le llama aceptor y al
mecanismo de conduccin, debido a los huecos se le llama de tipo P. De lo dicho
anteriormente podemos deducir que el tipo de conduccin depende de los portadores de cargas
libres que se encuentran y no del cristal, este en conjunto permanecer neutro.

Efecto Hall: Da una confirmacin experimental de la conductividad en los semiconductores a la
vez que permite medir el tipo de carga de los portadores y su concentracin. De su experimento
segn varios parmetros nos da informacin sobre el tipo de semiconductor que es.
SEMICONDUCTOR TIPO N:
Este tipo de semiconductor trata de emparejar los materiales con respecto a sus cargas y lo
realiza con enlace de impurezas a ambos materiales. Por lo tanto, la impureza puede donar
cargas con carga negativa al cristal, lo cual nos explica el nombre de tipo N (por negativo).
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El material semiconductor de tipo N comercial se fabrica aadiendo a un cristal de silicio
pequeas cantidades controladas de una impureza seleccionada. A estas impurezas tambin se
les llama contaminantes, claro as se le llaman a las impurezas que se agregan intencionalmente.
Los contaminantes de tipo N mas comunes son el fsforo, arsnico y antimonio. A
estos semiconductores se les conoce tambin como donadores, y como este nombre lo indica
estos semiconductores pasas cargas a el material que le hace falta para as poder emparejar este
material, y es por eso que se les conoce mayormente como donadores.
SEMICONDUCTOR TIPO P:
El semiconductor tipo P se produce tambin comercialmente por el proceso de contaminacin,
en este caso el contaminante tiene una carga menos que el semiconductor tipo N, entre los mas
comunes podemos encontrar el aluminio, boro, galio y el indio. Conocidos como aceptores el
cual contiene espacios y necesita que sean llenados para emparejar el material.
SEMICONDUCTOR UNION PN:
Al combinar los materiales de tipo P y N se obtienen datos y cosas muy curiosas pero lo mas
importante y relevante es la formacin del tipounin PN. Una unin se compone de tres
regiones semiconductoras, la regin tipo P, una regin de agotamiento y la regin tipo N.
La regin de agotamiento se forma al unir estos dos materiales y aqu es donde los tomos que
le sobran al tipo N pasan a llenar los espacios que deja el tipo P as complementndose uno con
otro. Lo ms importante de la unin es su capacidad para pasar corriente en una sola direccin.








Electrnica Bsica

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EJERCICIOS
1.-













Electrnica Bsica

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2.-
3.-









Electrnica Bsica

40


















Electrnica Bsica

41

DIODOS
Introduccin
Un diodo es un componente electrnico de dos terminales que permite la circulacin de la
corriente elctrica a travs de l en un sentido. Este trmino generalmente se usa para referirse
al diodo semiconductor, el ms comn en la actualidad; consta de una pieza de
cristal semiconductor conectada a dos terminales elctricos. El diodo de vaco (que actualmente
ya no se usa, excepto para tecnologas de alta potencia) es un tubo de vaco con dos electrodos:
una lmina como nodo, y un ctodo.
De forma simplificada, la curva caracterstica de un diodo (I-V) consta de dos regiones: por
debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y
por encima de ella como un circuito cerrado con una resistencia elctrica muy pequea. Debido
a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces de
suprimir la parte negativa de cualquier seal, como paso inicial para convertir una corriente
alterna en corriente continua. Su principio de funcionamiento est basado en los experimentos
de Lee De Forest.
Los primeros diodos eran vlvulas o tubos de vaco, tambin llamados vlvulas termoinicas
constituidos por dos electrodos rodeados de vaco en un tubo de cristal, con un aspecto similar
al de las lmparas incandescentes. El invento fue desarrollado en 1904 por John Ambrose
Fleming, empleado de la empresa Marconi, basndose en observaciones realizadas por Thomas
Alva Edison.
Al igual que las lmparas incandescentes, los tubos de vaco tienen un filamento (el ctodo) a
travs del cual circula la corriente, calentndolo por efecto Joule. El filamento est tratado
conxido de bario, de modo que al calentarse emite electrones al vaco circundante los cuales
son conducidos electrostticamente hacia una placa, curvada por un muelle doble, cargada
positivamente (el nodo), producindose as la conduccin. Evidentemente, si el ctodo no se
calienta, no podr ceder electrones. Por esa razn, los circuitos que utilizaban vlvulas de vaco
requeran un tiempo para que las vlvulas se calentaran antes de poder funcionar y las vlvulas
se quemaban con mucha facilidad.
Los diodos de unin p-n y los zener tienen caractersticas constructivas que los diferencian de
otros. Su tamao, en muchos casos, no supera el de una resistencia de capa o de pelcula de
1/4W y aunque su cuerpo es cilndrico, es de menor longitud y dimetro que las resistencias.
Aunque existe gran variedad de tipos, slo algunos especiales difieren de su aspecto. No ocurre
lo mismo con el tamao, pues es funcin de la potencia que pueden disipar. Es caracterstico
encontrarse un aillo en el cuerpo que nos indica el ctodo. Para aquellos cuyo tipo concreto
viene sealado por una serie de letras y nmeros, el ctodo es marcado mediante un anillo en el
Electrnica Bsica

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cuerpo, prximo a este terminal. Otros usan cdigos de colores, y en ellos el ctodo se
corresponde con el terminal ms prximo a la anda de color ms gruesa. Existen fabricantes que
marcan el ctodo con la letra "K" o el nodo con la "a". Los diodos de punta de germanio suelen
encapsularse en vidrio. En cuanto a los diodos LED, se encuentran encapsulados en resinas de
distintos colores, segun sea la longitud de onda con la que emita. El nodo de estos diodos es
ms largo que el ctodo, y usualmente la cara del encapsulamiento prxima al ctodo es plana.
Una forma prctica de determinar el ctodo consiste en aplicar un polmetro en modo hmetro
entre sus terminales. Si el terminal de prueba se aplica de nodo a ctodo, aparecen lecturas del
orden de 20-30Ω. Si se invierten los terminales, estas lecturas son del orden de 200-300
KΩ para el Ge, y de varios MΩ para el Si. Si con el multitester utilizamos el
modo de prueba de diodos, obtenemos el valor de la tensin de codo del dispositivo. Con ello
conseguimos identificar los dos terminales (nodo y ctodo), y el material del que esta hecho
(0.5-0.7 V para el el Si, 0.2-0.4 para el germanio y 1.2-1.5 para la mayora de los LED.











Tipos de Diodos
DIODO DE USO COMUN
El diodo semiconductor se forma uniendo los materiales tipo N y tipo P, los cuales deben estar
construidos a partir del mismo material base, el cual puede ser Ge o Si. En el momento en que
dos materiales son unidos (uno tipo N y el otro tipo P), los electrones y los huecos que estn en,
o cerca de, la regin de "unin", se combinan y esto da como resultado una carencia de
portadores (tanto como mayoritarios como minoritarios) en la regin cercana a la unin. Esta
regin de iones negativos y positivos descubiertos recibe el nombre de Regin de Agotamiento
por la ausencia de portadores.
Electrnica Bsica

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Existen tres posibilidades al aplicar un voltaje a travs de las terminales del diodo:
- No hay polarizacin (Vd = 0 V).
- Polarizacin directa (Vd > 0 V).
- Polarizacin inversa (Vd < 0 V).
Vd = 0 V. En condiciones sin polarizacin, los portadores minoritarios (huecos) en el material
tipo N que se encuentran dentro de la regin de agotamiento pasarn directamente al material
tipo P y viceversa. En ausencia de un voltaje de polarizacin aplicado, el flujo neto de carga
(corriente) en cualquier direccin es cero para un diodo semiconductor.

La aplicacin de un voltaje positivo "presionar" a los electrones en el material tipo N y a los
huecos en el material tipo P para recombinar con los iones de la frontera y reducir la anchura de
la regin de agotamiento hasta desaparecerla cuando VD 0.7 V para diodos de Silicio.
Id = I mayoritarios - Is
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Condicin de Polarizacin Inversa (Vd < 0 V). Bajo esta condicin el nmero de iones positivos
descubiertos en la regin de agotamiento del material tipo N aumentar debido al mayor nmero
de electrones libres arrastrados hacia el potencial positivo del voltaje aplicado. El nmero de
iones negativos descubiertos en el material tipo P tambin aumentar debido a los electrones
inyectados por la terminal negativa, las cuales ocuparn los huecos.
El fenmeno explicado anteriormente, en ambos tipos de material N y P, provocar que la
regin de agotamiento se ensanche o crezca hasta establecer una barrera tan grande que los
portadores mayoritarios no podrn superar, esto significa que la corriente Id del diodo ser cero.
Sin embargo, el nmero de portadores minoritarios que estarn entrando a la regin de
agotamiento no cambiar, creando por lo tanto la corrienteIs. La corriente que existe bajo
condiciones de polarizacin inversa se denomina corriente de saturacin inversa,
Is.
El trmino "saturacin" proviene del hecho que alcanza su mximo nivel (se satura) en forma
rpida y no cambia significativamente con el incremento en el potencial de polarizacin inversa,
hasta que al valor Vz o VPI, voltaje pico inverso.
El mximo potencial de polarizacin inversa que puede aplicarse antes de entrar en la regin
Zener se denomina Voltaje Pico Inverso o VPI nominal.
Los diodos de silicio tienen generalmente valores nominales de VPI y de corriente ms altos e
intervalos de temperatura ms amplios que los diodos de germanio.
El general, el funcionamiento de este diodo, a grandes rasgos es la siguiente: En la zona directa
se puede considerar como un generador de tensin continua, tensin de codo (0.5-0.7 V para el
silicio y 0.2-0.4 V para el germanio). Cuando se polariza en inversa se puede considerar como
un circuito abierto. Cuando se alcanza la tensin inversa de disyuncin (zona Inversa) se
Electrnica Bsica

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produce un aumento drstico de la corriente que puede llegar a destruir al dispositivo. Este
diodo tiene un amplio margen de aplicaciones: circuitos rectificadores, limitadores, fijadores de
nivel, proteccin contra cortocircuitos, demoduladores, mezcladores, osciladores, bloqueo y
bypass en instalaciones fotovolcaicas, etc.
Cuando usamos un diodo en un circuito se deben tener en cuenta las siguientes consideraciones
(a partir de las hojas de caractersticas suministradas por el fabricante):
,
respectivamente) ha de ser mayor (del orden de tres veces) que la mxima que este va a
soportar.
(IFRM mx e IF mx respectivamente), he de ser mayor (del orden del doble) que la mxima
que este va a soportar.
orden del doble) que la mxima que este va a soportar.
En la figura N01, podemos observar la representacin grfica o smbolo para este tipo de
diodo.









Curva Diodo Real
Electrnica Bsica

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Uno de los parmetros importantes para el diodo es la resistencia en el punto o regin de
operacin. Si consideramos la regin definida por la direccin de Id y la polaridad de Vd,
encontraremos que el valor de la resistencia directa RF, de acuerdo a como se define con la ley
de Ohm es:

Donde VF es el voltaje de polarizacin directo a travs del diodo e IF es la corriente en sentido
directo a travs del diodo. El diodo, por consiguiente, es un corto circuito para la regin de
conduccin.
Si consideramos la regin del potencial aplicado negativamente,

Donde VR es el voltaje de polarizacin inverso a travs del diodo e IR es la corriente inversa en
el diodo. El diodo, en consecuencia, es un circuito abierto en la regin en la que no hay
conduccin.
DIODO ZENER
La corriente en la regin Zener tiene una direccin opuesta a la de un diodo polarizado
directamente. El
diodo Zener es un diodo que ha
sido diseado para trabajar
en la regin Zener.





Electrnica Bsica

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De acuerdo con la definicin, se puede decir que el diodo Zener ha sido diseado para trabajar
con voltajes negativos (con respecto a l mismo). Es importante mencionar que la regin Zener
(en un diodo Zener) se controla o se manipula variando los niveles de dopado. Un incremento
en el nmero de impurezas agregadas, disminuye el potencial o el voltaje de Zener VZ.
As, se obtienen diodos Zener con potenciales o voltajes de Zener desde -1.8 V a -200 V y
potencias de 1/4 a 50 W. El diodo Zener se puede ver como un dispositivo el cual cuando ha
alcanzado su potencial VZ se comporta como un corto. Es un "switch" o interruptor que se
activa con VZ volts. Se aplica en reguladores de voltaje o en fuentes.




En el circuito que se muestra en la figura N03, se desea proteger la carga contra sobre voltajes,
el mximo voltaje que la carga puede soportar es 4.8 volts. Si se elige un diodo Zener cuyo VZ
sea 4.8 volts, entonces este se activar cuando el voltaje en la carga sea 4.8 volts, protegindola
de esta manera.
De acuerdo a otras consideraciones, el funcionamiento de este diodo, a grandes rasgos es la
siguiente:
En la zona directa lo podemos considerar como un generador de tensin continua (tensin de
codo). En la zona de disrupcin, entre la tensin de codo y la tensin zener (Vz nom) lo
podemos considerar un circuito abierto. Cuando trabaja en la zona de disrupcin se puede
considerar como un generador de tensin de valor Vf= -Vz.
El zener se usa principalmente en la estabilidad de tensin trabajando en la zona de disrupcin.
Podemos distinguir:
zener).
garantiza el adecuado funcionamiento en la zona de disrupcin (Vz min).
Electrnica Bsica

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dispositivo se destruye (Vz max).
te se
corresponde con el producto de Vz nom y Iz max.
En la grfica N01, se puede observar la curva caracterstica de este tipo de diodo.

Grfica N01
Cuando usamos un diodo zener en un circuito se deben tener en cuenta las siguientes
consideraciones (a partir de las hojas de caractersticas suministradas por el fabricante):
igual a Iz min.
max.
la mxima que este va a soportar en el circuito.
EL DIODO EMISOR DE LUZ (LED)
El LED es un diodo que produce luz visible (o invisible, infrarroja) cuando se encuentra
polarizado. El voltaje de polarizacin de un LED vara desde 1.8 V hasta 2.5 V, y la corriente
necesaria para que emita la luz va desde 8 mA hasta los 20 mA.

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Principio de Funcionamiento:
En cualquier unin P-N polarizada directamente, dentro de la estructura y principalmente cerca
de la unin, ocurre una recombinacin de huecos y electrones (al paso de la corriente). Esta
recombinacin requiere que la energa que posee un electrn libre no ligado se transfiera a otro
estado. En todas las uniones P-N una parte de esta energa se convierte en calor y otro tanto en
fotones. En el Si y el Ge el mayor porcentaje se transforma en calor y la luz emitida es
insignificante. Por esta razn se utiliza otro tipo de materiales para fabricar los LED's, como
Fosfuro Arseniuro de de Galio (GaAsP) o fosfuro de Galio (GaP).






Los diodos emisores de luz se pueden conseguir en colores: verde, rojo, amarillo, mbar, azul y
algunos otros.
Hay que tener en cuenta que las caractersticas obtenidas de las hojas de especificaciones
pueden ser distintas para los diodos (p. e. 1N4001) aunque ambos hayan sido producidos en el
mismo lote. Tambin hay que tener en cuenta otro tipo de tolerancias como los resistores, uno
marcado de 100W puede ser realmente de 98W o de 102W o tal vez si ser exacto, y una fuente
"ajustada" a 10V puede estar ajustada realmente a 9.9V o a 10.1V o tal vez a 10V.
De acuerdo a otras consideraciones, El diodo LED presenta un comportamiento anlogo al
diodo rectificador (diodo semiconductor p-n), sin embargo, su tensin de codo tiene un valor
mayor, normalmente entre 1.2-1.5 V. Segn el material y la tecnologa de fabricacin estos
diodos pueden emitir en el infrarrojo (diodos IRED), rojo, azul, amarillo y verde, dependiendo
de cual sea la longitud de onda en torno a la cual emita el LED.
Electrnica Bsica

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Entre sus aplicaciones podemos destacar: pilotos de sealizacin, instrumentacin,
optoaclopadores, etc.
Resulta difcil distinguir, por pura inspeccin visual, el modelo del LED as como el fabricante:
los valores mximos de tensin y corriente que puede soportar y que suministra el fabricante
sern por lo general desconocidos. Por esto, cuando se utilice un diodo LED en un circuito, se
recomienda que la intensidad que lo atraviese no supere los 20 mA, precaucin de carcter
general que resulta muy vlida. En la figura N04, se muestra el smbolo electrnico de este tipo
de diodo.


El diodo LED puede ser tratado de manera anloga a un diodo normal. sin embargo conviene
tener en cuenta que los diodos LED no estn fabricados de silicio monocristalino, ya que el
silicio monocristalino es incapaz de emitir fotones. Debido a ello, la tensin de polarizacin
directa Vd depende del material con el que est fabricado el diodo.
El material que compone el diodo LED, es importante ya que el color de la luz emitida por el
LED depende nicamente del material y del proceso de fabricacin principalmente de los
dopados.
En la tabla adjunta aparecen algunos ejemplos de materiales utilizados junto con los colores
conseguidos:
Material Longitud de Onda Color Vd Tpica
AsGa 904 nm IR 1 V
InGaAsP 1300 nm IR 1 V
AsGaAl 750-850 nm Rojo 1,5 V
AsGaP 590 nm Amarillo 1,6 V
InGaAlP 560 nm Verde 2,7 V
CSi 480 nm Azul 3 V


Electrnica Bsica

51

FOTODIODOS
Los fotodiodos. Son diodos sensibles a la luz. Generan un voltaje de corriente continua
proporcional a la cantidad de luz que incide sobre su superficie, es decir, son diodos de unin
PN cuyas caractersticas elctricas dependen de la cantidad de luz que incide sobre la unin. Se
utilizan como medidores y sensores de luz y en receptores pticos de comunicaciones.







Representacin grfica de un Fotodiodo y su correspondientes curvas caractersticas
El efecto fundamental bajo el cual opera un fotodiodo es la generacin de pares electrn - hueco
debido a la energa luminosa. Este hecho es lo que le diferencia del diodo rectificador de silicio
en el que, solamente existe generacin trmica de portadores de carga. La generacin luminosa,
tiene una mayor incidencia en los portadores minoritarios, que son los responsables de que el
diodo conduzca ligeramente en inversa.
El comportamiento del fotodiodo en inversa se ve claramente influenciado por la incidencia de
luz. Conviene recordar que el diodo real presenta unas pequeas corrientes de fugas de valor IS.
Las corrientes de fugas son debidas a los portadores minoritarios, electrones en la zona P y
huecos en la zona N. La generacin de portadores debido a la luz provoca un aumento sustancial
de portadores minoritarios, lo que se traduce en un aumento de la corriente de fuga en inversa
tal y como se ve en la figura anterior.
El comportamiento del fotodiodo en directa apenas se ve alterado por la generacin luminosa de
portadores. Esto es debido a que los portadores provenientes del dopado (portadores
mayoritarios) son mucho ms numerosos que los portadores de generacin luminosa.
Electrnica Bsica

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Corte transversal de un fotodiodo comercial
DIODOS DE EFECTO TUNEL
Los diodos de efecto tnel. Son dispositivos muy verstiles que pueden operar como detectores,
amplificadores y osciladores. Poseen una regin de juntura extremadamente delgada que
permite a los portadores cruzar con muy bajos voltajes de polarizacin directa y tienen una
resistencia negativa, esto es, la corriente disminuye a medida que aumenta el voltaje aplicado.


Representacin grfica de un diodo TUNEL y su correspondiente grfica
LOS VARACTORES
Son diodos de silicio perfeccionados para operar con capacitancia variable, que se utilizan como
sintonizadores en sistemas de comunicaciones, especialmente en FM.
A mxima capacitancia del varactor se presenta con voltajes de polarizacin cero, cuando la
capa de agotamiento es ms delgada. Cuanto ms alto es el voltaje inverso aplicado, ms
estrecha es la capa de agotamiento y por lo tanto, la capacitancia disminuye. Estos diodos
tambin reciben el nombre de diodos Varicap.
El smbolo del diodo varactor se muestra abajo con una representacin del diagrama.
Electrnica Bsica

53

Cuando un voltaje inverso es aplicado a la juncin PN, los agujeros en la regin P se atraen a la
terminal del nodo y los electrones en la regin N se atraen a la terminal del ctodo, creando
una regin de poca corriente. Esta es la regin de agotamiento, son esencialmente desprovistos
de portadores y se comportan como el dielctrico de un condensador.
La regin de agotamiento aumenta mientras que el voltaje inverso aplicado a l aumenta; y
puesto que la capacitancia vara inversamente con el espesor dielctrico, la capacitancia de la
juntura disminuir cuando el voltaje aplicado a la juntura PN aumenta. En la grfica, se observa
la variacin de la capacidad con respecto al voltaje.

En la grfica se puede observar el aumento no lineal en la capacitancia cuando se disminuye el
voltaje inverso. Esta no linealidad, permite que el varactor sea utilizado tambin como
generador armnico.
Las consideraciones importantes del varactor son:





LOS DIODOS VARISTOR
O supresor de transientes, es un dispositivo semiconductor utilizado para absorber picos de alto
voltaje desarrollados en las redes de alimentacin elctrica. Cuando aparece un transitorio, el
varistor cambia su resistencia de un valor alto a otro valor muy bajo. El transitorio es absorbido
por el varistor, protegiendo de esa manera los componentes sensibles del circuito. Los varistors
se fabrican con un material no-homogneo.(Carburo de silicio).
CARACTERISTICAS:
- desde 14 V a 550 V (RMS). Esto permite una seleccin fcil del
componente correcto para una aplicacin especfica.
Electrnica Bsica

54



Bajo consumo (en stabd-by) - virtualmente nada.
circuitera en conmutacin digital.

Mximo impulso de corriente no repetitiva
- El pico mximo de corriente permitido a travs del varistor depende de la forma del
impulso, del duty cycle y del nmero de pulsos.
- Con el fin de caracterizar la capacidad del varistor para resistir impulsos de corriente, se
permite generalmente que garantice un `mximo impulso de corriente no repetitiva'.
Este viene dado por un impulso caracterizado por la forma del impulso de corriente
desde 8 microsegundos a 20 microsegundos siguiendo la norma IEC 60-2, con tal que
la amplitud del voltaje del varistor medido a 1 mA no lo hace cambiar ms del 10%
como mximo.
- Un impulso mayor que el especificado puede ocasionar cortocircuitos o ruptura del
propio componente; se recomienda por lo tanto instalar un fusible en el circuito que
utiliza el varistor, o utilizar una caja protectora.
- Si se aplica ms de un de impulso o el impulso es de una duracin mas larga, habra que
estudiar las curvas que al efecto nos proporcionan los fabricantes, estas curvas
garantizan la mxima variacin de voltaje (10%) en el varistor con 1 mA.
Energa mxima
Durante la aplicacin de un impulso de corriente, una determinada energa ser disipada por el
varistor. La cantidad de la energa de disipacin es una funcin de:

iente.
Electrnica Bsica

55


50% del pico de corriente.

A fin de calcular la energa disipada durante un impulso, se hace con la referencia generalmente
a una onda normalizada de la corriente. Esta onda esta prescrita por la norma IEC 60-2
secciona 6 tiene una forma que aumenta desde cero al valor de pico en un el tiempo corto,
disminuyendo hasta cero o de una manera exponencial, o bien sinusoidal.

Esta curva es definida por el tiempo principal virtual (t1) y el tiempo virtual al valor medio (t2)
DIODO SCHOTTKY (DIODO DE BARRERA)
Los diodos Schottky. Son dispositivos que tienen una cada de voltaje directa (VF) muy
pequea, del orden de 0.3 V o menos. Operan a muy altas velocidades y se utilizan en fuentes
de potencia, circuitos de alta frecuencia y sistemas digitales. Reciben tambin el nombre de
diodos de recuperacin rpida (Fast recovery) o de portadores calientes.
Cuando se realiza una ensambladura entre una terminal metlica se hace un material
semiconductor, el contacto tiene, tpicamente, un comportamiento hmico, cualquiera, la
resistencia del contacto gobierna la secuencia de la corriente. Cuando este contacto se hace entre
un metal y una regin semiconductora con la densidad del dopante relativamente baja, las hojas
dominantes del efecto debe ser el resistivo, comenzando tambin a tener un efecto de
rectificacin. Un diodo Schottky, se forma colocando una pelcula metlica en contacto directo
Electrnica Bsica

56

con un semiconductor, segn lo indicado en la figura N05. El metal se deposita generalmente
en un tipo de material N, debido a la movilidad ms grande de los portadores en este tipo de
material. La parte metlica ser el nodo y el semiconductor, el ctodo.
En una deposicin de aluminio
(3 electrones en la capa de valencia), los electrones del semiconductor tipo N migran haca el
metal, creando una regin de transicin en la ensambladura.
Se puede observar que solamente los electrones (los portadores mayoritarios de ambos
materiales) estn en trnsito. Su conmutacin es mucho ms rpida que la de los diodos
bipolares, una vez que no existan cargas en la regin tipo N, siendo necesaria rehacer la barrera
de potencial (tpicamente de 0,3V). La Regin N tiene un dopaje relativamente alto, a fin de
reducir la prdida de conduccin, por esto, la tensin mxima soportable para este tipo de diodo
est alrededor de los 100V.
La principal aplicacin de este tipo de diodos, se realiza en fuentes de baja tensin, en las cuales
las cadas en los rectificadores son significativas.

Figura N05 (Diodo Schottky construido a travs de la tcnica de CIs.)

Curva caracterstica de un diodo SCHOTTKY
Electrnica Bsica

57

EL DIODO LASER
Los diodos lser son constructivamente diferentes a los diodos LED normales. Las
caractersticas de un diodo lser son:
direcciones. Un diodo lser, en cambio, consigue realizar un guiado de la luz preferencial una
sola direccin.

Corte esquemtico de la emisin de luz en diodos LED y lser

Intensidad de luz en funcin de la longitud de onda para diodos LED y lser
Debido a estas dos propiedades, con el lser se pueden conseguir rayos de luz monocromtica
dirigidos en una direccin determinada. Como adems tambin puede controlarse la potencia
emitida, el lser resulta un dispositivo ideal para aquellas operaciones en las que sea necesario
entregar energa con precisin.
Ejemplo de aplicacin: El lector de discos compactos:
Electrnica Bsica

58

Una de las muchas aplicaciones de los diodos lser es la de lectura de informacin digital de
soportes de datos tipo CD-ROM o la reproduccin de discos compactos musicales. El principio
de operacin de uno y otro es idntico.

Esquema del funcionamiento del CD-ROM
Un haz lser es guiado mediante lentes hasta la superficie del CD. A efectos prcticos, se puede
suponer dicha superficie formada por zonas reflectantes y zonas absorbentes de luz. Al incidir el
haz lser en una zona reflectante, la luz ser guiada hasta un detector de luz: el sistema ha
detectado un uno digital. Si el haz no es reflejado, al detector no le llega ninguna luz: el sistema
ha detectado un cero digital.
Un conjunto de unos y ceros es una informacin digital, que puede ser convertida en
informacin analgica en un convertidor digital-analgico. Pero esa es otra historia que debe de
ser contada en otra ocasin.
SIMBOLOGA

Electrnica Bsica

59

Grfica Simbologa Tipos de Diodos
RECTIFICADOR
Este apartado se inicia con una revisin de algunos conceptos bsicos de los rectificadores. La
distribucin de energa elctrica se hace, esencialmente, en corriente alterna, debido,
principalmente, a la facilidad de adaptacin del nivel de tensin por medio de
transformadores.
Sin embargo, en muchas aplicaciones, la carga alimentada requiere una tensin continua. La
conversin CA/CC es realizada por convertidores estticos de energa, comnmente
denominados rectificadores. Por tanto, un rectificador es un sistema electrnico de potencia
cuya funcin es convertir una tensin alterna en una tensin continua.

Rectificadores no controlados
A la hora de llevar a cabo la rectificacin, se han de utilizar elementos electrnicos que
permitan el paso de la corriente en un sentido, permaneciendo bloqueado cuando se le
aplique una tensin de polaridad inapropiada. Para ello, en los rectificadores no controlados,
como ya se ha comentado, el componente ms adecuado y utilizado es el diodo
semiconductor.
Como se coment en el captulo dedicado a los dispositivos de electrnica de potencia, el
diodo es un dispositivo semiconductor de dos terminales, nodo y ctodo, que dejar pasar la
corriente cuando el nodo sea positivo respecto al ctodo, y no conducir cuando la tensin
Convertidores CA/CC - Rectificadores aplicada a sus extremos sea la contraria. Ello conlleva a
que el diodo sea un componente adecuado para ser utilizado, solo o con otros diodos, como
rectificador.
En estado de bloqueo, la corriente que circula por un diodo recibe el nombre de corriente de
fugas y es prcticamente nula.
Tambin se ha de tener en cuenta, adems de la tensin directa (en conduccin) VF, la tensin
inversa que soporta el diodo VR.

Rectificador monofsico de media onda
Es el rectificador ms sencillo que existe, y en consecuencia el ms barato. Simplemente es
necesario un diodo entre la alimentacin de alterna y la carga, tal y como se muestra en la
figura 3.2. Podra existir un transformador si se desea aislamiento galvnico entre la red
elctrica y la carga. Este circuito slo rectifica la mitad de la tensin de entrada; o sea, cuando
el nodo es positivo con respecto al ctodo. Podemos considerarlo como un circuito en el que
la unidad rectificadora est en serie con la tensin de entrada y la carga. Si modelamos la carga
Electrnica Bsica

60

por una resistencia, el anlisis es muy sencillo. El diodo conducir si la tensin de entrada Vs
es positiva. En ese caso, la tensin que ver la carga (OV), ser aproximadamente la tensin de
entrada, siempre y cuando despreciemos la cada de tensin del diodo en estado de
conduccin. Si la tensin de entrada es negativa, el diodo no puede conducir dado que ve una
tensin nodo ctodo negativa. La carga ve una tensin nula entre sus bornes, dado que no
hay circulacin de corriente.

La figura 3.3 muestra las formas de onda con carga resistiva para un rectificador monofsico
con topologa de media onda, tambin denominado de medio puente. El funcionamiento
consiste en tomar de la red una seal sinusoidal de valor medio nulo, y proporcionar a la
carga, gracias al diodo, una forma de onda unidireccional, pero no constante como se puede
apreciar en la figura 3.3. El nombre de rectificador proviene del hecho de que se rectifica la
onda y queda la salida siempre positiva o nula. Ntese que se rectifica simplemente media
onda de la senoide completa, de ah el nombre de rectificador de media onda. Obsrvese
tambin que no se tiene control externo sobre el semiconductor de potencia, de ah el nombre
de rectificador no controlado.


Segn sea la amplitud de la tensin de alimentacin, tendremos un determinado nivel de
tensin continua a la salida.
Electrnica Bsica

61




Tensin media en la carga: Este valor nos determina la componente continua de la tensin en
la carga. Lo obtenemos calculando el promedio del voltaje de salida del rectificador:

Tensin eficaz en la carga:

Con carga resistiva las formas de onda de tensin y de corriente en la salida del rectificador y
en la carga son las mismas, como se muestra en la figura 3.3. La corriente de entrada presenta
la misma forma y fase que la tensin de salida.
Valor medio de la corriente en la carga:



Electrnica Bsica

62


Rectificador con transformador de toma media
En este caso, para rectificar la onda completa, se utilizan 2 diodos, en una configuracin
denominada rectificador con transformador en toma media. Las figuras 3.4 y 3.5 muestran el
circuito y las formas de onda, respectivamente.


Electrnica Bsica

63

El transformador con toma media ser el encargado de proporcionarnos dos tensiones
(vS1 y vS2), de igual magnitud y con un desfase entre ellas de 180.


Electrnica Bsica

64

Despus de este anlisis hemos podido observar que el rendimiento de este tipo de
transformador es el doble del monofsico de media onda, lo cual, unido a la duplicacin de la
intensidad media, y a la notable reduccin del rizado, implica una clara mejora.
Cabe destacar que si consideramos que el rectificador est conectado a la red elctrica
domstica de 50 perodos, la tensin de salida del rectificador en onda completa presenta un
rizado de 100Hz, frente a los 50Hz que aparecen en un rectificador de media onda. En
electrnica de potencia, estos rectificadores se suelen utilizar frecuentemente en etapas
donde la frecuencia de entrada es elevada, puesto que en ste caso se consigue reducir el
tamao del transformador.
Si hubiera que destacar un inconveniente en la topologa del rectificador con transformador
en toma media, ste sera el hecho de que los diodos deben soportar una tensin inversa
doble al que soportaban para el rectificador de media onda.
Rectificador en puente
En este caso, para rectificar la onda completa, se utilizan 4 diodos, en una configuracin
denominada puente completo o puente de Graetz. Recibe el nombre de puente rectificador,
por estar formado por cuatro diodos conectados en puente y su principal ventaja respecto al
rectificador de onda completa con toma media es que no necesita transformador.


Ntese que en este caso, conducen siempre dos diodos simultneamente. Si la tensin en la
entrada del rectificador es positiva (semiciclo positivo), conducirn D1 y D4 mientras que D2 y
D3 estarn polarizados inversamente y, por tanto, estarn bloqueados (OFF). Si por el
contrario, la tensin es negativa (semiciclo negativo), conducirn D2 y D4. En general, para
saber qu diodo puede conducir hay que analizar cual de los cuatro tiene mayor tensin en su
nodo y cual de ellos tiene menos tensin en su ctodo. La figura 3.7 muestra las formas de
onda del rectificador en puente completo con carga resistiva.
Electrnica Bsica

65


Como se puede observar, se obtiene en la carga la misma forma de onda que en el caso del
rectificador con transformador de toma media.
Los parmetros caractersticos son iguales que para el rectificador con transformador de toma
media, excepto la mxima tensin inversa que soporta cada diodo, que en este caso ser
Vmax.
FILTROS
ACTIVOS
Introduccin
Los filtros son circuitos capaces de controlar las frecuencias permitiendo o no el paso de stas
dependiendo de su valor.
Se llaman activos ya que constan de elementos pasivos (clulas R-C) y elementos activos como
el OP-AMP ya estudiado. Las clulas R-C estn compuestas por una resistencia y un
condensador (en las estructuras a tratar) y dependiendo del nmero de estas clulas usadas se
determinar el orden del filtro as como su respuesta y su calidad.
El funcionamiento de las clulas se basa principalmente en su actuacin como divisor de
tensin. Al aumentar la frecuencia de seal, la reactancia del condensador disminuir y entrar
ms o menos tensin al OP-AMP, dependiendo de si es pasa altos o pasa bajos respectivamente.
Para cualquier tipo de filtros se emplean las siguientes definiciones:
Electrnica Bsica

66

- Frecuencia de corte. Es aquella en que la ganancia del circuito cae a -3 dB por debajo de
la mxima ganancia alcanzada. En los filtros pasa y elimina banda existen dos: una
superior y otra inferior.
- Banda pasante. Conjunto de frecuencias de ganancia superior a la de corte en un margen
menor o igual a 3 dB.
- Calidad: especifica la eficacia del filtro, es decir, la idealidad de su respuesta. Se mide
en dB / octava; dB / dcada. Lo ideal sera que tomara un valor de infinito.
Hay gran variedad de estructuras en filtros. Cada una suele llevar el nombre de su inventor. Para
las prcticas aqu estudiadas slo se usarn las estructuras de Sallen-Key debido a su gran
sencillez y su bajo coste, logrando una respuesta bastante fiable. Existen gran nmero de
formulas deducibles por las cuales se logra el correcto funcionamiento del filtro, pero para que
no resulte muy complicado de entender nos limitaremos a mencionar las ms importantes.
uencia de corte, a partir de esta ecuacin se deducirn todas las dems:
corte se debe fijar el valor de C1 = C2 = C para pasar a obtener los valores de las resistencias
del circuito R1 = R2:
filtro:
La ganancia de cada etapa es importante ajustarla para compensar el consumo de las clulas R-
C y no afecte a la ganancia total del filtro. Dicha ganancia para cada orden de filtro viene dado
por la siguiente tabla:

Av0 Av1 Av2 Av3 Av4
n = 1 1

n = 2

1,586

n = 3 1 2

n = 4

2,235 1,152

n = 5 1 2,382 1,382

n = 6

2,482 1,586 1,068

Electrnica Bsica

67

n = 7 1 2,555 1,753 1,198

n = 8

2,610 1,889 1,337 1,038
Se pueden construir filtros mucho ms selectivos con las frecuencias encadenando varios filtros
de dichos tipos. As encadenando un filtro de orden 1 y otro de orden 2, se obtiene un nuevo
filtro de orden 3. Para lograr esto se deben usar siempre el mayor nmero posible de filtros de
orden 2 situando en primer lugar el de orden 1, dependiendo del orden de filtro a construir. De
este modo se logra que la curva de respuesta sea mucho ms vertical y ms prxima a la
frecuencia central acercndose a la respuesta ideal. Pero esta construccin tambin es ms cara
y no siempre merece la pena emplearla. Ms tarde, se muestran las distintas estructuras de orden
1 y 2 para filtros pasa altos y pasa bajos.
Filtro pasa altos
Se trata de un filtro que permita el paso de las frecuencias superiores a una frecuencia conocida
llamada frecuencia central (fc) atenuando enormemente las frecuencias inferiores a dicha
frecuencia central. En los grficos inferiores se puede observar la respuesta ideal para un filtro
de este tipo y la respuesta real lograda debido a las limitaciones de la electrnica; y es que ya se
sabe: en electrnica no existe nada ideal. Su smbolo es el que se muestra en el dibujo de la
derecha. Para este caso la frecuencia de corte estar establecida en fc = 1 KHz.
En los siguientes montajes se puede observar los diferentes circuitos para filtros pasa altos de
orden 1 (a) y de orden 2 (b). Su diseo obedece a la estructura de Sallen-Key. Obsrvese que el
nmero de orden del montaje coincide con el nmero de clulas R-C, cuyo fundamento ya se
explic con anterioridad y que ser el mismo para cualquier tipo de filtro.
Prctica para filtro pasa altos
Aplicando las ecuaciones antes explicadas, se definen los valores para los distintos
componentes:

R1 = R2 = 1 / ( 2 C f0 ) => 1 / ( 2 10 10-9 103) = 15K9
caso, a R3 = 10K, y la
ganancia segn la tabla es de 1,586 dB
P = R3 ( Av - 1 ) => 10 103 ( 1,586 - 1 ) = 5860
Electrnica Bsica

68

Una vez obtenidos todos los valores, se monta el circuito experimentalmente:

Filtros pasivos

Practica 1 de diseo con electrnica integrada:
Cualquier combinacin de elementos pasivos (R, L y C) diseados para dejar pasar una serie de
frecuencias se denominan un filtro.
En los sistemas de comunicaciones se emplean filtros para dejar pasar solo las frecuencias que
contengan la informacin deseada y eliminar las restantes.
Los filtros son usados para dejar pasar solamente las frecuencias que pudieran resultar sder de
alguna utilidad y eliminar cualquier tipo de interferencia o ruido ajeno a ellas.
Existen dos tipos de filtros:
Filtros Pasivos: son aquellos tipos de filtros formados por combinaciones serie o paralelo de
elementos R, L o C.

Los filtros activos son aquellos que emplean dispositivos activos, por ejemplo los transistores o
los amplificadores operacionales, junto con elementos R L C.
En general se tienen los filtros de los siguientes tipos:
Pasa altas
Pasa bajas
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Pasa bandas
Para cada uno de estos filtros existen dos zonas principales las cuales son llamadas Banda de
paso y la banda de atenuacin.
En la banda de paso, es donde las frecuencias pasan con un mximo de su valor, o hasta un
valor de 70.71% con respecto a su original (la cual es la atenuacin de 30 dB)
Filtro pasa bajas:
Es el primer filtro que se tiene, su funcionamiento es a base de un capacitor y resistencia, este
filtro tiene la siguiente configuracin:






Su funcionamiento es el siguiente:
El capacitor se comporta como una resistencia dependiente de la frecuencia por la relacion de :
f C
X
c
) 2 (
1
t
=

Es decir, para frecuencias muy bajas el capacitor (por la regla de division de voltaje) al ser una
resistencia muy alta, consume todo el voltaje, si s e conecta la salida en paralelo al capacitor se
tendra el mximo de voltaje a la salida.
Conforme aumentemos la frecuencia de la fuente el capacitor disminuye su impedancia, con lo
que el voltaje que disipa disminuye , hasta tender a cero.
Este tipo de filtro tiene una grafica de respuesta en frecuencia:

C i r c u i t 1
P r o j e c t 1
U s e r
A S e p 1 4 , 2 0 0 0
0 0 0 1 1 . 0
1 1
T it le :
D e s ig n e d b y :
C h e c k e d b y :
A p p r o v e d b y :
S iz e D a t e
D o c u m e n t N R e v is io n
S h e e to f
0 1 2 3 4 5 6 7 8
A
B
C
D
E
F
G
R 1
1 . 0 k o h m
C 1
1 . 0 u F V 1
1 V 1 0 0 0 H z
1 2
0
Electrnica Bsica

70


En cualquier frecuencia se puede determinar la salida de por medio de la regla divisora de
voltaje:
jXc R
Vi Xc
Vo

Z
=
90

O para expresarlo en magnitud y en fase:
jXc R
Xc
Vi
Vo
A

Z
= =
90

Separando en magnitud y fase
) / ( tan
90
1 2 2
R Xc X R
Xc
A
c

Z +
Z
=

( ) ) / ( tan 90
1
2 2
R Xc
X R
Xc
Vi
Vo
A
c

+ Z
+
= =

Entonces la magnitud queda expresada como:
2 2
c
X R
Xc
Vi
Vo
A
+
= =

A un angulo de fase :

) / ( tan )) / ( tan 90 (
1 1
Xc R R Xc

= + Z = u

La frecuencia de corte se define como el punto de Vo=.7071Vi
Sustituyendo obtenemos que:
t 2
1
RC
f c =

Electrnica Bsica

71

Filtro Pasa-altas
Este es el segundo de los filtros pasivo, el unico cambio que presenta es la conexin de la salida,
la cual en vez de tomarse del capacitor se toma de la resistencia lo cual nos provoca que en vez
de dejar pasar las frecuencia bajas pasen las frecuencias altas.

Circuito:





Como ya se menciono el circuito fsicamente es igual que el anterior, solamente la salida se
toma de la resistencia.
Explicacin, cuando la frecuencia es demasiado baja, el voltaje se consume casi en su totalidad
en el capacitor, el cual se comporta como una impedancia de valor muy alto, por lo que en la
salida no se tiene casi voltaje, cuando la frecuencia aplicada es aumentada se tiene que el valor
de la impedancia representada por el capacitor disminuyehasta que casi no consume voltaje, y la
mayoria del voltaje se tiene a la salida.
Grafica de salida:


Estos dos filtros tienen un valor llamado frecuencia de corte, la cual es el valor de la frecuencia
a partir del cual se considera que ya esta filtrando las seales.
C i r c u i t 1
P r o j e c t 1
U s e r
A S e p 1 4 , 2 0 0 0
0 0 0 1 1 . 0
1 1
T it le :
D e s ig n e d b y :
C h e c k e d b y :
A p p r o v e d b y :
S iz e D a t e
D o c u m e n t N R e v is io n
S h e e to f
0 1 2 3 4 5 6 7 8
A
B
C
D
E
F
G
R 1
1 . 0 k o h m
C 1
1 . 0 u F V 1
1 V 1 0 0 0 H z
1 2
0
Electrnica Bsica

72

Esta frecuencia esta determinada como la frecuencia en la que el valor de la salida con respecto
a la entrada tiene una atenuacin de -3dB. (o la salida es .717 del valor de la entrada).
Dependiendo de los valores elegidos de resistencia y capacitancia sera el valor de la frecuencia
de corte.
Pero, para una resistencia fija, el valor de la frecuencia de corte depende del valor de el
capacitor.
Siguiendo un procedimiento similar al anterior obtenemos que para el filtro pasa altas:
t 2
1
2 2
RC
f
X R
R
Vi
Vo
A
c
c
=
+
= =

Filtro pasa bandas:
Este es un filtro que se compone de un filtro pasa bajas y uno pasa altas conectados en cascada.
Los componentes se deben de seleccionar para que la frecuencia de corte del filtro pasaaltas sea
menor que la del filtro pasabajas.
C1
1.5nF
R1 1.0kohm
R2
39kohm
C2
3.9pF
V1
1V 1000Hz


Las frecuencias de corte se pueden calcular con las formulas anteriores.
La caracterstica mas importante de este circuito es el ancho de banda que permitiremos pasar,
el ancho de banda es igual a la resta de las frecuencias de corte.


Electrnica Bsica

73

EJERCICIOS
PROBLEMA 1
Disear una fuente de alimentacin empleando un rectificador de media onda con un filtro por
condensador. Las especificaciones de la carga son: V
LC
=150v, I
LC
=20mA, r=1%. Determinar:
1. La capacidad del condensador.
2. La tensin del secundario del transformador y su r
t
.
3. La corriente de pico en el diodo.
Solucin




Calculamos el valor del condensador a partir de la tensin de rizado:
r
LC LC
LC
LC d LC
r
V f
I
C
C f
I
C
f
I
C
T I
C
t I
V

=
1
[1]
Calculamos la tensin de rizado a partir del rizado:
v V r V
V
V
V
V
V
V
r
LC r
LC
r
LC
r
medio LC
eficaz
2 . 5 150 01 . 0 3 2 3 2
3 2
3 2
) (
) (
~ = =

= = =


Con el valor de Vr obtenido volvemos a [1] y sustituimos:
F
V f
I
C
r
LC
77
2 . 5 50
10 20
3
~

=


Con el valor de Vr calculamos Vs:
o o sen sen Vs v
V
V V
r
LC O
= = = + = + = 2 108 6 . 152 6 . 152
2
2 . 5
150
2

Y con Vs calculamos r
t
:
037 . 2
108
220
= = =
s
p
t
V
V
r
Calculamos la corriente de pico por el diodo:
C
V
LC
=150v
I
LC
=20mA
V
O
V
LC
V
r
2
t
d
=T
Electrnica Bsica

74

( )
( )
( ) A C
R
V I
L
O O
7 . 3 10 77 50 2
7500
1
6 . 152
1 2
6
2
2
2
= H + = + =

e
O =

= =

M
I
V
R
LC
LC
L
5 . 7
10 20
150
3

PROBLEMA 2
Se desea disear un rectificador de doble onda con toma intermedia y filtro por condensador
capaz de alimentar una carga de 18v/1A con un rizado mximo del 7%. Se pide:
1. Calcular la capacidad del condensador.
2. Dimensionar los diodos.
3. Tensin eficaz del secundario del transformador.
En un momento dado, se abre uno de los diodos:
A. Si se desea mantener la misma tensin de salida, qu corriente mxima se podr
mantener?
B. Si se desea mantener la misma corriente de salida, qu ocurrir con la tensin de
salida?
C. Si se desean mantener tanto la tensin como corriente a la salida sin cambiar el
transformador de la entrada, qu capacidad debera tener el condensador?
Solucin




Calculamos el valor del condensador a partir de
la tensin de rizado:
r
LC LC
LC LC
d LC
r
V f
I
C
C f
I
C
f
I
C
T
I
C
t I
V

=

=

=
2 2
2
1
2
[1]
Calculamos la tensin de rizado a partir del rizado:
v V r V
V
V
V
V
V
V
r
LC r
LC
r
LC
r
medio LC
eficaz
365 . 4 18 07 . 0 3 2 3 2
3 2
3 2
) (
) (
= = =

= = =


Con el valor de Vr obtenido volvemos a [1] y sustituimos:

V
O
V
LC
V
r
2
t
d
=T/2
C
V
LC
=18v
I
LC
=1A
Electrnica Bsica

75

F
V f
I
C
r
LC
2291
365 . 4 50 2
1
2
=

=

=
Con el valor de Vr calculamos Vs:
o o sen sen Vs v
V
V V
r
LC O
= = = + = + = 2 27 . 14 18 . 20 18 . 20
2
365 . 4
18
2

Dimensionamos los diodos:
v V PIV
O
36 . 40 18 . 20 2 2 = = =
A
I
I
LC
DC
5 . 0
2
1
2
= = =
( )
( )
( ) A C
R
V I
L
O O
3 . 14 10 2291 50 2
18
1
18 . 20
1 2
6
2
2
2
= H + = + =

e
O = = = 18
1
18
LC
LC
L
I
V
R
Ahora, abrimos uno de los diodos:

Si se mantiene la tensin de salida, la corriente mxima que podr circular es:
( ) ( ) v V V V
V
V V
LC O r
r
LC O
36 . 4 18 18 . 20 2 2
2
= = = + =
A C V f
f
C V
T
C V
t
C V
I
C
t I
V
r
r r
d
r
LC
d LC
r
5 . 0 10 2291 36 . 4 50
1
6
= = =

=


=

= = =

% 7
18 3 2
36 . 4
3 2
3 2
) (
) (
LC
r
LC
r
medio LC
eficaz
V
V
V
V
V
V
r el rizado se mantiene



V
O
V
LC
V
r
2
t
d
=T
C
V
LC
=18v
I
LC
=1A
Electrnica Bsica

76

Si se mantiene la corriente de salida, la tensin en la carga ser:
v
C f
I
C
f
I
C
T I
C
t I
V
LC
LC
LC d LC
r
72 . 8
10 2291 50
1
1
6
=

=

=


v V
V
V V
LC
r
O LC
8 . 15
2
72 . 8
18 . 20
2
= = =
=

= = =

% 16
8 . 15 3 2
72 . 8
3 2
3 2
) (
) (
LC
r
LC
r
medio LC
eficaz
V
V
V
V
V
V
r el rizado aumenta
Si se desean mantener tanto la tensin como la corriente a la salida, se debe calcular un nuevo
valor para el condensador:
( ) ( ) v V V V
V
V V
LC O r
r
LC O
36 . 4 18 18 . 20 2 2
2
= = = + =
F
V f
I
C
C f
I
C
f
I
C
T I
C
t I
V
r
LC LC
LC
LC d LC
r
4587
36 . 4 50
1
1
=

= [1]
=

= = =

% 7
18 3 2
36 . 4
3 2
3 2
) (
) (
LC
r
LC
r
medio LC
eficaz
V
V
V
V
V
V
r el rizado se mantiene
Los diodos se veran afectados por este cambio de condensador, ya que aumentara el valor de
pico de la corriente que habran de soportar ( )
|
|
.
|

\
|
+ =
2
2
1
C
R
V I
L
O O
e
PROBLEMA 3
En el circuito de la figura, se desea alimentar el sistema de carga formado por la bateria y las
resistencias R
1
y R
2
. Adems, se sabe que el factor de forma de la corriente que atraviesa la
batera es 2.57. Teniendo en cuenta las caractersticas de los diodos, calcular:
1. PIV de los diodos.
2. El rendimiento del sistema de carga, explicando qu nos indica dicho parmetro.
3. La tensin media en R
1
y R
2
.
4. El tiempo de carga de la batera.



Electrnica Bsica

77









Solucin
Diodos: V=1v y r
F
=1
v V PIV
O terico
4 . 42 2 30 = = =









v I r V PIV
O F O real
4 . 42 1 17 . 1 1 2 30 1 = = =
A I
O
17 . 1
14
26 2 30
=

=
El rendimiento del sistema de carga:
2
) ( ) (
) (
eficaz LC media LC
media LC
perdidas til
til
I R I E
I E
P P
P
+

=
+
= q
El tiempo de carga de la batera:
LC
C
I
Q
t =
30
0
220v
50Hz
R
1
=6
R
2
=6
24v
10A.h
V(v)
I (mA)
0.7v 1v
300mA
V(v)
I (mA)
0.7v 1v
300mA
R
2
=6
R
1
=6
24v
1v
1v
1
1
Vo
PIV
Electrnica Bsica

78

La tensin media en R
1
y R
2
:
LC LC R
I R V =
1 1

Tal y como se puede observar, para obtener el valor de estos tres parmetros, es necesario
calcular previamente el valor de la corriente media.






La corriente que circula por el circuito es la siguiente:
1 2 6 6
1 2 24 2 30
2
2 24
2 1
+ +

=
+ +

=
o

sen
r R R
V V
I
F
S

Calculamos la corriente media a travs de su definicin:
}
H

H
=
2
0
2
1
o d I I
LC
[1]
La batera polariza los diodos en sentido contrario, por lo que stos slo conducirn cuando la
tensin proveniente del secundario (tensin en el nodo) sea mayor que 24 (tensin en el
ctodo). Concretamente, dadas las caractersticas de los diodos, dicha diferencia de tensin
deber ser mayor que la tensin umbral de los mismos.
Calculamos los ngulos a partir de los cuales circular corriente por los diodos:
rad rad arcsen sen 481 . 2 659 . 0
2 30
26
1 2 24 2 30
1 2 1 1
= H = = = + = o o o o
Volviendo a [1]:
A d
sen
d I I
LC
44 . 0
14
26 2 30
2
1
2
2
1
2
481 . 2
659 . 0
2
1
=

H
=
H
=
} }
o
o
o
o
o

Volviendo al clculo de los parmetros que nos pedan:
El rendimiento del sistema de carga:
2
) ( ) (
) (
eficaz LC media LC
media LC
I R I E
I E
+

= q [2]
Podemos calcular
) (eficaz LC
I a travs del dato del factor de forma:
2

1

2
24+2V
2 30
V
I
Electrnica Bsica

79

A I F I
I
I
F
media LC eficaz LC
media LC
eficaz LC
13 . 1 44 . 0 57 . 2
) ( ) (
) (
) (
= = = =
Volviendo a [2]:
2
) ( ) (
) (
eficaz LC media LC
media LC
I R I E
I E
+

= q = % 39
13 . 1 24 44 . 0 24
44 . 0 24
2
=
+


Esto quiere decir que de cada 100w suministrados por el rectificador, 39w van a la batera y
61w se disipan en forma de calor en las resistencias.
El tiempo de carga de la batera: h
A
h A
I
Q
t
LC
C
72 . 22
44 . 0
. 10
= = =
La tensin media en R
1
y R
2
:
LC R LC LC R
V v I R V
2 1 1
64 . 2 44 . 0 6 = = = =
PROBLEMA 4
En el circuito de la figura, se desea alimentar las cargas R
L1
y R
L2
. Se sabe que R
L2
se alimenta
con una tensin de 12v y que consume 1A, siendo el rizado del 5%. Las caractersticas de los
diodos son las que se adjuntan.
Calcular:
1. Los diodos del circuito.
2. El valor del condensador.
3. Forma de onda de la corriente y la tensin en R
L1
. Calcular el valor de la corriente.
4. Relacin de transformacin del transformador.












R
L2
D5
R
L1
=5
V(v)
I (mA)
1v 1.2v
200mA
V(v)
I (mA)
1v 1.2v
200mA
D6
D3 D4
D2
D1
D1,D2
D3,D4,D5,D6 ideales
C
Electrnica Bsica

80

Solucin
En el rectificador con puente:
v V r V
V
V
V
V
V
V
r
LC r
LC
r
LC
r
medio LC
eficaz
1 . 2 12 05 . 0 3 2 3 2
3 2
3 2
) (
) (
= = =

= = =


F
V f
I
V
f
I
V
T
I
V
t I
C
C
t I
V
r
LC
r
LC
r
LC
r
d LC d LC
r
4762
1 . 2 50 2
1
2
2
1
2
=

=

=

=
o o sen sen V v
V
V V
S
r
LC O
= = = + = + = 2 2 . 9 13 13
2
1 . 2
12
2

9 . 23
2 . 9
220
= = =
s
p
t
V
V
r
v V PIV
O
13 = =
En el rectificador con toma intermedia:






o o sen sen V
S
= = 2 6 . 4 5 . 6
La corriente que circula por el circuito es la siguiente:
1 5
1 2 6 . 4
1
+

=
+

=
o

sen
r R
V V
I
F L
S

Calculamos la corriente media a travs de su definicin:
}
H

H
=
2
0
2
1
o d I I
LC
[1]
Los diodos slo conducirn cuando la diferencia de tensin entre el nodo (tensin
proveniente del secundario) y el ctodo sea mayor que la tensin umbral de los mismos.
1v 1
1v 1
5
Vs
Vs
2

1

2
1V
V
I
Vo
Electrnica Bsica

81

rad rad arcsen sen 3 15 . 0
2 6 . 4
1
1 2 6 . 4
1 2 1 1
= H = = = = o o o o
Volviendo a [1]:
A d
sen
d I I
LC
53 . 0
6
1 2 6 . 4
2
1
2
2
1
2
3
15 . 0
2
1
=

H
=
H
=
} }
o
o
o
o
o

v V PIV
O terico
13 2 6 . 4 2 2 = = =




v I r V PIV
O F O real
1 . 11 1 916 . 0 1 2 6 . 4 2 1 2 = = =
A I
O
916 . 0
6
1 2 6 . 4
=

=
PROBLEMA 5
En el circuito de la figura, se pide:
1. Suponiendo abierto el diodo D4 y siendo D3 un diodo cuya tensin umbral es
despreciable:
a. Calcular la tensin media y de rizado en la carga.
b. La indicacin obtenida por el ampermetro en C.A.
c. Dimensionar los diodos.

2. Suponiendo que se desea cargar en 2 das una batera de 120v cuya capacidad total es
de 100A.h (siendo la carga inicial de 4A.h):
a. Calcular el valor de R.
b. Factor de utilizacin.
c. Dimensionar los diodos.






1v 1
5
Vo
PIV
140
0
220v
50Hz
120v
A
I
LC
=50mA
r=5%
D2 D1
D3 D4
Electrnica Bsica

82






Solucin
1.




a)
v
C f
I
C
f
I
C
T I
C
t I
V
LC
LC
LC d LC
r
25 . 41
10 32 50
10 50
1
6
3
=


=

v
r
V
V
V
V
V
V
V
V
r
r
LC
LC
r
LC
r
medio LC
eficaz
42 . 180
05 . 0 3 2
25 . 41
3 2 3 2
3 2
) (
) (
=

= = =


b)
00125 . 1 1 05 . 0 1 1
2 2 2
= + = + = = r F F r
mA I F I
I
I
F
medio LC eficaz LC
medio LC
eficaz LC
06 . 50 50 00125 . 1
) ( ) (
) (
) (
= = = =
c)
mA I I
LC DC
50 = =
( ) ( ) A C
R
V I
L
O O
98 . 1 10 32 50 2
10 50
42 . 180
1
2 140
1 2
6
2
3
2
2
= H +
|
.
|

\
|

= + =

e

V(v)
I (mA)
0.7v 0.9v
50mA
V(v)
I (mA)
0.7v 0.9v
50mA
D1,D2
C=32F
I
LC
=50mA
r=5%
140
0
D3
Electrnica Bsica

83

En un rectificador de media onda: PIVVo; pero con filtro: PIV2Vo
v Vo PIV 396 2 140 2 2 = = =
2.






a)
La corriente que circula por el circuito es la siguiente:
4
7 . 0 120 2 140
24
+

=
+

=
R
sen
r R
V V
I
F
S
o

Calculamos la corriente media a travs de su definicin:
}
H

H
=
2
0
2
1
o d I I
LC
[1]
La batera polariza los diodos en sentido contrario, por lo que stos slo conducirn cuando la
tensin proveniente del secundario (tensin en el nodo) sea mayor que 120 (tensin en el
ctodo). Concretamente, dadas las caractersticas de los diodos, dicha diferencia de tensin
deber ser mayor que la tensin umbral de los mismos.
Calculamos los ngulos a partir de los cuales circular corriente por los diodos:
rad rad arcsen sen 49 . 2 65 . 0
2 140
7 . 120
7 . 0 120 2 140
1 2 1 1
= H = = = + = o o o o
Volviendo a [1]:
( ) 4
8 . 90
4
7 . 120 2 140
2
1
2
2
1
2
49 . 2
65 . 0
2
1
+ H
=
+

H
=
H
=
} }
R
d
R
sen
d I I
LC
o
o
o
o
o
[2]
A travs de los especificaciones para la carga de la batera calculamos I
LC
:
A
h
h A
t
Q
I
C
LC
2
48
. ) 4 100 (
=

= =

140
0
D1
D2
120v
R

0.7v
4
Electrnica Bsica

84

Volviendo a [2]:
( )
O =
+ H
= 5 . 10
4
8 . 90
2 R
R

b)
58 . 0
65 . 0 49 . 2
1 2
=
H

=
H

=
o o
a
c)
PROBLEMA 6
En el circuito de la figura y con los datos que se adjunta, calcular:
A. C1 y C2
B. R
lim

C. D1,D2,D3,D4 (no es necesario calcular Io)
D. Relacin de transformacin del trafo












Solucin



c
D3 D4
D1 D2
C1
24v/5A
r=5%
220v
50Hz
Vz=5v
Iz
min
=2mA
R
lim
I
Lmax
=500mA
C2
r=5%
c
c
D3 D4
D1 D2
C1
24v/5A
r=5%
Electrnica Bsica

85


Calculamos el valor del condensador a partir de la tensin de rizado:
r
LC LC
LC LC
d LC
r
V f
I
C
C f
I
C
f
I
C
T
I
C
t I
V

=

=

=
2 2
2
1
2
[1]
Calculamos la tensin de rizado a partir del rizado:
v V r V
V
V
V
V
V
V
r
LC r
LC
r
LC
r
medio LC
eficaz
15 . 4 24 05 . 0 3 2 3 2
3 2
3 2
) (
) (
= = =

= = =


Con el valor de Vr obtenido volvemos a [1] y sustituimos:
F
V f
I
C
r
LC
12
15 . 4 50 2
5
2
1
=

=

=
Con el valor de Vr calculamos Vs (la del devanado completo -puente-):
o o sen sen Vs v
V
V V
r
LC O
= = = + = + = 2 43 . 18 26 26
2
15 . 4
24
2

Y con Vs calculamos r
t
:
93 . 11
43 . 18
220
= = =
s
p
t
V
V
r
Diodos: 26 = =
O
V PIV
A
I
I
LC
DC
5 . 2
2
5
2
= = =




V
imin
V
imax
D3
D4
Vz=5v
Iz
min
=2mA
R
lim
I
Lmax
=500mA
C2
Vi
r=5%
I
LC
Electrnica Bsica

86

En el apartado anterior se ha calculado la tensin en el devanado completo. Por lo tanto, la
tensin en el semidevanado (toma intermedia) ser la mitad: o sen Vs =13
Para poder calcular el valor de la resistencia limitadora R
lim
, necesitamos conocer la tensin a
la salida del filtro (entrada del estabilizador):
LC r
LC
r
LC
r
medio LC
eficaz
V r V
V
V
V
V
V
V
r =

= = =

3 2
3 2
3 2
) (
) (
[1]
2
r
LC O
V
V V + = [2]
Sustituyendo [1] en [2]:
( ) 05 . 0 3 1 2
13 2
3 2 2
2
3 2 2 2
2
3 2
+

=
+
= + =

+ =
r
V
V V r V V
V r
V V
O
LC LC LC O
LC
LC O
v V
LC
12 ~ y v V
r
2 ~
Vamos a calcular la variacin de la tensin a la entrada del estabilizador:
v V V
o i
13
max
= = y ESTABILIZA V v v V V V
z r o i
= > = = = 5 11 2 13
min

Valores lmite de R
lim
:
max min
max max
min lim
z L
z i
I I
V V
R
+

= (no conocemos la potencia del zener:

max z z zener
I V P = )
( )
O = O =
+

=
+

=

12 12
10 2 500
5 11
lim
3
min max
min min
max lim
R
I I
V V
R
z L
z i

En un rectificador por filtro con condensador, el rizado aumenta a medida que aumenta la
Corriente por la carga. Calcularemos el condensador para el caso ms desfavorable, es decir,
cuando I
LC
=I
zmax
(desconexin en la carga).
Con una resistencia limitadora de 12, la mxima corriente que podra circular por el zener es:
A I
I
R
I I
V V
R
z
z z L
z i
66 . 0
12
5 13
0
5 13
12
max
max
lim
max min
max max
min lim
=

=
+

= =
+

=
F
V f
I
C
r
LC
3333
2 50 2
66 . 0
2
2
=

=

=

Electrnica Bsica

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