IEES-2 16 Agosto de 2012, Cali, Valle del Cauca, Colombia Paper No.

DIODO PIN DESCRIPCION Y CARACTERISTICAS.

Santiago Blandn Osorio, Jaime Andrs Prez Hinestrosa. David Alejandro Gil Gonzales. Universidad Autnoma de Occidente. santione92@gmail.com. curacha@gracha.cuca

RESUMEN. En este informe se explicara en un principio la estructura bsica del Diodo Schottky, la composicin fsica de este, luego las curvas caractersticas de este diodo su comportamiento elctrico, las aplicaciones de este en la vida real y las precauciones que deben de tenerse en cuenta para su manipulacin. INTRODUCCIN. El diodo Schottky es un diodo el cual est elaborado a partir de uniones Metal-N, este tambin conocido como barrera de Schottky, nombrado as en honor al fsico alemn Walter H. Schottky. Este dispositivo es un tema de gran inters en el campo tecnolgico ya que su uso a permitido la miniaturizacin de muchos sistemas antiguos. RESUMEN INTRODUCCION. RESULTADOS Y DISCUCION El diodo PIN compone de tres capas, Teniendo las tpicas capas P y N de un diodo pero estas fuertemente dopadas en medio de ellas una tercera capa I, las regiones P y N son fuertemente dopadas y la capa I es una regin intrnsecos.

como una regin p. Cuando el circuitos se encuentra abierto los electrones se mueven desde la regin I hasta la regin P recombinndose con la gran cantidad de huecos en esta regin a su vez los huecos fluyen desde la regin I hasta la regin N para recombinarse con los electrones

Figura 2. Composicin bsica del diodo PIN. Tomada de Transmisin y recepcin de dos canales de voz por fibra ptica con premodulacin digital. Funcionamieto. El Diodo PIN cuando se polariza en inversa se comporta como una capacitancia con un valor casi constante pero al polarizar en directa este se comporta como una resistencia variable donde su valor depende de la corriente (entre mayor corriente DC el valor de la resistencia aumenta), Al utilizar la polarizacin Inversa en el diodo PIN los huecos y los electrones son barridos eso se conoce Swept free, al incrementar el valor de la tensin inversa incrementa la distribucin PI y IN y la regin de transicin en este conocida como regin L casi de igual tamao que la regin I.

Figura 1. Representacin Esquemtica del diodo PIN. Tomada de Mediateca Madrid, Diodo Pin. Se forma inicialmente por silicio del tipo P con una alta resistividad, La capa N es muy delgada compuesta en gran parte por fosforo. La regin I en realidad es una regin P de gran resistividad y generalmente se designa

(a) (b) Figura 3. (a) Comportamiento del diodo PIN en directa, (b) Comportamiento del diodo PIN en inversa.

Thomas L. Floyd, electrnicos, octava edicin.

Tomada de

Dispositivos

En polarizacin directa los huecos en el material P se difunden en la regin I haciendo que la regin P tenga baja resistividad, en directa la cada de tensin en I es pequea y cuando la corriente aumenta la resistencia interna disminuye. Debido a las caractersticas del diodo PIN es usado usualmente como interruptor o modulador de amplitud en frecuencias de 1 GHz, estos diodos permiten trabajar a frecuencias mayores 1GHz dado que en frecuencias tan altas tiene una gran impedancia en inversa y una impedancia pequea en directa y sus tensiones de ruptura se encuentra en el margen de 100 V a 1000 V, este diodo tambin se utiliza para conmutar corrientes y voltajes de gran magnitud, Conmutador de radio frecuencia, resistencia variable, protector de sobretensiones y fotodetector

Figura 5. Curva caracterstica diodo PIN en inversa. Tomada de Thomas L. Floyd, Dispositivos

electrnicos, octava edicin.

Los valores para un diodo PIN de referencia BAR 63 estn plasmados en la tabla 1. Rangos mximos Parmetro Voltaje inverso Corriente directa Potencia disipada TS 80C BAR 63-04,-05,06 TS 55C Rango de temperatura operacional Rango de temperatura de almacenamiento

Smbolo VR IF Ptot

BAR 63 50 100 250 250

Unidad V mA mW

Top Tstg

-55+150C

-55+150C

Figura 4. Curva caracterstica diodo PIN en directa. Tomada de Thomas L. Floyd, Dispositivos

electrnicos, octava edicin.

Caractersticas elctricas TA=25C parmetro Simbol o Voltaje de ruptura IR = 5 A Fuga inversa VR=20V Voltaje directo IF=100mA Capacitancia diodo VR=0V, f=100MHz Capacitancia diodo VR=5V, f=1MHz V(BR)

Min , 50

valor Typ Ma . x -

Unid a V

IR VF CT

0.9 5 0.3

50 1.2 -

nA V pF

CT

0.2 1

0.3

pF

Resistencia directa IF=5mA,f=100MH Z IF=5mA,f=100MH Z Tiempo vida portadores de carga IF=10mA,IR=6mA Inductancia en serie

Rf 1.2 1 2 -

s nS Ls 75 1.4 nH

Tabla1. Valores para diodo PIN BAR 63. Tomada de Datasheetcatalog, BAR63 Siemes.
CONCLUSINES A diferencia de otros diodos el diodo PIN tiene una capacidad en inversa que es aproximadamente constante independientemente de la polarizacin se utilizara. BIBLIOGRAFIA. 1. Ledesma Echevarra Rafael Omar, Transmisin y recepcin de dos canales de voz por fibra ptica con premodulacin digital (2005),Universidad de las Amricas de puebla, Capitulo 2 Fuentes y detectores pticos.

2.

Thomas L. Floyd, Dispositivos electrnicos, octava edicin. Capitulo Tres Other Types of
Diodes