LABORATORIO DE ELECTRONICA INDUSTRIAL N 03 POLARIZACIN DE TRANSISTORES OBJETIVOS Evaluar y analizar experimentalmente los diferentes tipos de Polarizacin de los transistores

s PNP y NPN. FUNDAMENTO TERICO

Los transistores pueden ser PNP o NPN.

Donde se debe cumplir (LCK) I E = IC + I B Si es de Silicio VBE = 0.7 V Si es de Germanio VBE = 0.2 V VBC = VBE + VCE Transistor y ,

. El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino "transistor" es la contraccin en ingls de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente se los encuentra prcticamente en todos los aparatos domsticos de uso diario: radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y video, hornos de microondas, lavadoras, automviles, equipos de refrigeracin, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lmparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomgrafos, ecgrafos, reproductores mp3, telfonos mviles, etc. Historia El transistor bipolar fue inventado en los Laboratorios Bell de EE. UU. en diciembre de 1947 por John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley, quienes fueron galardonados con el Premio Nobel de Fsica en 1956. Fue el sustituto de la vlvula termoinica de tres electrodos, o triodo. Al principio se usaron transistores bipolares y luego se inventaron los denominados transistores de efecto de campo (FET). En los ltimos, la corriente entre la fuente y la prdida (colector) se controla usando un campo elctrico (salida y prdida (colector) menores). Por ltimo, apareci el MOSFET (transistor FET de tipo metal-xido-semiconductor). Los MOSFET permitieron un diseo extremadamente compacto, necesario para los circuitos altamente integrados (IC). Hoy la mayora de los circuitos se construyen con la denominada tecnologa CMOS (semiconductor de xido metlico complementario). La tecnologa CMOS es un diseo con dos diferentes MOSFET (MOSFET de canal n y p), que se complementan mutuamente y consumen muy poca corriente en un funcionamiento sin carga. El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con materiales especficos en cantidades especficas) que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que est intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las vlvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el diseo de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo, a diferencia de los resistores, capacitores e inductores que son elementos pasivos. Su funcionamiento slo puede explicarse mediante mecnica cuntica. De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin amplificada de la que se inyecta en el "emisor", pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", segn el tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificacin o ganancia logrado entre corriente de base y corriente de colector, se denomina Beta del transistor. Otros parmetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base, Potencia Mxima, disipacin de calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas donde se grafican los distintos parmetros tales como corriente de base, tensin Colector Emisor, tensin

Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de esquemas(configuraciones) bsicos para utilizacin analgica de los transistores son emisor comn, colector comn y base comn. Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores FET, MOSFET, JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utilizan la corriente que se inyecta en el terminal de "base" para modular la corriente de emisor o colector, sino la tensin presente en el terminal de puerta o reja de control y grada la conductancia del canal entre los terminales de Fuente y Drenador. De este modo, la corriente de salida en la carga conectada al Drenador (D) ser funcin amplificada de la Tensin presente entre la Puerta (Gate) y Fuente (Source). Su funcionamiento es anlogo al del triodo, con la salvedad que en el triodo los equivalentes a Puerta, Drenador y Fuente son Reja, Placa y Ctodo. Los transistores de efecto de campo, son los que han permitido la integracin a gran escala que disfrutamos hoy en da, para tener una idea aproximada pueden fabricarse varios miles de transistores interconectados por centmetro cuadrado y en varias capas superpuestas. Tipos de transistor Transistor de contacto puntual Fue el primer transistor capaz de obtener ganancia, inventado en 1947 por J. Bardeen y W. Brattain. Consta de una base de germanio sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metlicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se "ve" en el colector, de ah el nombre de "transfer resistor". Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su da. Es difcil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frgil (un golpe poda desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivi con el transistor de unin (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido. Transistor de unin bipolar El transistor de unin bipolar, o BJT por sus siglas en ingls, se fabrica bsicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de Galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP. La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o "huecos" (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsnico (As) o Fsforo (P). La configuracin de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la caracterstica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminacin entre ellas (por lo general, el emisor esta mucho ms contaminado que el colector). El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor depender de dichas contaminaciones, de la geometra asociada y del tipo de tecnologa de contaminacin (difusin gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuntico de la unin. Transistor de unin unipolar Tambin llamado de efecto de campo de unin (JFET), fue el primer transistor de efecto de campo en la prctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto hmico, tenemos as un transistor de efecto de campo tipo N de la forma ms bsica. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente entre s, se producir una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando tensin positiva entre el drenador y el surtidor y conectando a puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con

polarizacin cero. Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensin de estrangulamiento, cesa la conduccin en el canal. Transistor de efecto de campo El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en ingls, que controla la corriente en funcin de una tensin; tienen alta impedancia de entrada. Transistor de efecto de campo de unin, JFET, construido mediante una unin PN. Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta se asla del canal mediante un dielctrico. Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-xido-Semiconductor, en este caso la compuerta es metlica y est separada del canal semiconductor por una capa de xido.

Fototransistor Los fototransistores son sensibles a la radiacin electromagntica en frecuencias cercanas a la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la luz incidente. Transistores y electrnica de potencia Con el desarrollo tecnolgico y evolucin de la electrnica, la capacidad de los dispositivos semiconductores para soportar cada vez mayores niveles de tensin y corriente ha permitido su uso en aplicaciones de potencia. Es as como actualmente los transistores son empleados en conversores estticos de potencia, controles para motores y llaves de alta potencia (principalmente inversores), aunque su principal uso est basado en la amplificacin de corriente dentro de un circuito cerrado. El transistor como amplificador El comportamiento del transistor se puede ver como dos diodos (Modelo de Ebers-Moll), uno entre base y emisor, polarizado en directo y otro diodo entre base y colector, polarizado en inverso. Esto quiere decir que entre base y emisor tendremos una tensin igual a la tensin directa de un diodo, es decir 0,6 a 0,8 V para un transistor de silicio y unos 0,4 para el germanio. Pero la gracia del dispositivo es que en el colector tendremos una corriente proporcional a la corriente de base: IC = IB, es decir, ganancia de corriente cuando >1. Para transistores normales de seal, vara entre 100 y 300. Entonces, existen tres configuraciones para el amplificador: Emisor comn

Emisor comn.

La seal se aplica a la base del transistor y se extrae por el colector. El emisor se conecta a las masas tanto de la seal de entrada como a la de salida. En esta configuracin se tiene ganancia tanto de tensin como de corriente y alta impedancia de entrada. En caso de tener resistencia de emisor, RE > 50 , y para frecuencias bajas, la ganacia en tensin se aproxima bastante bien por la siguiente expresin: ; y la impedancia de salida, por RC

Como la base est conectada al emisor por un diodo en directo, entre ellos podemos suponer una tensin constante, Vg. Tambin supondremos que es constante. Entonces tenemos que la tensin de emisor es: VE = VB Vg

Y la corriente de emisor: La corriente de emisor es igual a

. la de colector ms la de base:

. Despejando La tensin de salida, que es la de colector se calcula como:

Como

>>

1,

se

puede

aproximar:

y,

entonces,

Que podemos escribir como

Vemos que la parte

es constante (no depende de la seal de entrada), y la parte

nos da la seal de salida. El signo negativo indica que la seal de salida est desfasada 180 respecto a la de entrada.

Finalmente, la ganancia queda:

La corriente de entrada,

, que aproximamos por

Suponiendo que VB>>Vg, podemos escribir:

y la impedancia de entrada: Para tener en cuenta la influencia de frecuencia se deben utilizar modelos de transistor ms elaborados. Es muy frecuente usar el modelo en pi. Base comn

La seal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el colector. la base se conecta a las masas tanto de la seal de entrada como a la de salida. En esta configuracin se tiene ganacia slo de tensin. La impedancia de entrada es baja y la ganancia de corriente algo menor que uno, debido a que parte de la corriente de emisor sale por la base. Si aadimos una resistencia de emisor, que puede ser la propia impedancia de salida de la fuente de seal, un anlisis similar al realizado en el caso de emisor comn, nos da la ganancia aproximada siguiente: .

La base comn se suele utilizar para adaptar fuentes de seal de baja impedancia de salida como, por ejemplo, micrfonos dinmicos.

Colector comn

La seal se aplica a la base del transistor y se extrae por el emisor. El colector se conecta a las masas tanto de la seal de entrada como a la de salida. En esta configuracin se tiene ganancia de corriente, pero no de tensin que es ligeramente inferior a la unidad. Esta configuracin multiplica la impedancia de salida por 1/.

POLARIZACIN DE TRANSISTORES

El transistor bipolar es un dispositivo que posee tres capas semiconductoras con sus respectivos contactos llamados; colector(C), base(B) y emisor(E). La palabra bipolar se deriva del hecho que internamente existe una doble circulacin de corriente: electrones y lagunas o agujeros. A.- CLASIFICACION DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES Los transistores bipolares se clasifican de la siguiente manera: 1.- Por la disposicin de sus capas - Transistores PNP - Transistores NPN 2.- Por el material semiconductor empleado - Transistores de Silicio - Transistores de Germanio 3.- Por la disipacin de Potencia - Transistores de baja potencia -Transistores de mediana potencia

- Transistores de alta potencia 4.- Por la frecuencia de trabajo - Transistores de baja frecuencia - Transistores de alta frecuencia B.- POLARIZACION DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES Para que un transistor bipolar funcione adecuadamente, es necesario polarizarlo correctamente. Para ellos se debe cumplir que: - La juntura BASE - EMISOR este polarizado directamente, y - La juntura COLECTOR BASE este polarizado inversamente. Ejemplo: Si el transistor es NPN, la base debe tener un voltaje positivo con respecto al emisor y el colector debe tener un voltaje tambin positivo pero, mayor que el de la base. En el caso de un transistor PNP debe ocurrir lo contrario. C.- CODIFICACION DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES Los transistores tienen un cdigo de identificacin que en algunos casos especifica la funcin que cumple y en otros casos indica su fabricacin. Pese a la diversidad de transistores, se distinguen tres grandes grupos: Europeos, Japoneses y Americanos. CODIFICACION EUROPEA Primera letra A : Germanio B : Silicio Segunda Letra A : Diodo (excepto los diodos tnel) B : Transistor de baja potencia D : Transistor de baja frecuencia y de potencia E : Diodo tnel de potencia F : Transistor de alta frecuencia L : Transistor de alta frecuencia y potencia P : Foto semiconductor S : Transistor para conmutacin U : Transistor para conmutacin y de potencia Y : Diodos de potencia Z : Diodo Zener Nmero de serie 100 999 : Para equipos domsticos tales como radio, TV, amplificadores, grabadoras, etc. 10 99 y la letra X, Y o Z : Para aplicaciones especiales. Ejemplo : AD149, es un transistor de potencia, de germanio y sus aplicaciones son de baja frecuencia. CODIFICACION JAPONESA Primero 0 (cero) : Foto transistor o fotodiodo 1 : Diodos 2 : Transistor Segundo S : Semiconductor Tercero A : Transistor PNP de RF (radiofrecuencia)

B : Transistor PNP de AF (audiofrecuencia) C : Transistor NPN de RF D : Transistor NPN de AF F : Tiristor tipo PNPN G : Tiristor tipo NPNP Cuarto Nmero de serie : comienza a partir del nmero 11 Quinto Indica un transistor mejor que el anterior Ejemplo:

Es un transistor PNP de RF con mejores caractersticas tcnicas que el 2SA186. CODIFICACION AMERICANA Anteriormente los transistores americanos empezaban su codificacin con el prefijo 2N y a continuacin un nmero que indicaba la serie de fabricacin. Ejemplo 2N3055, 2N2924, etc. Actualmente, cada fbrica le antepone su propio prefijo, as se tiene por ejemplo : TI1411, ECG128, etc. que corresponden respectivamente a TEXAS INSTRUMENTS Y SYLVANIA.

EQUIPOS, INSTRUMENTOS Y ACCESORIOS A UTILIZAR 02 transistores NPN BC548 02 transistores NPN 2N 2222 01 fuente DC de 0 20 V 01 protoboard 02 resistencias de 1 K , 1/2 Watt 02 resistencias de 56 K , 1/2 Watt 02 resistencias de 47 K , 1/2 Watt 02 resistencias de 3.3 K , 1/2 Watt 02 resistencias de 270 K , 1/2 Watt 02 resistencias de 680 , 1/2 Watt

PROCEDIMIENTO PARTE A.- El alumno proceder a verificar el estado de la fuente y los transistores mediante el multitester. As mismo identificar la base, emisor y colector del transistor.

PARTE B.- Armar el circuito de polarizacin tipo H de la Fig. 1 y llenar la Tabla N1.

TABLA N 1 VALORES MEDIDOS VCC 16.5 VCEQ 12.5 VC 14.15 VE 6.79 VRC 2.08 ICQ 6.74 IB 4.7 VCQ 7.861 VALORES CALCULADOS VC 13.9 VE 6.88 VRC 2.35 ICQ 7.54 IB 6.45 VCQ 12.98 VALORES SIMULADOS VC 14.497 VE 6.636 VRC 2.003 ICQ 5.12 IB 0.01m

Determinando el beta

Calculo del beta (Factor de amplificacin de corriente) = = Calculo de VRC Vcc = VRC + VC
.

= 284.4475

VRC = VCC - VC VRC = 16.5 14.15 = 2.35v

Calculo de VCE VCE = VC - VE VCE = 14.15 - 6.79 = 7.861v Calculo de VBC VBC = VBE + VCE VBC = 0.7 + 7.861 = 8.561v

PARTE C.- Armar el circuito de polarizacin de la Fig. 2 y llenar la tabla N 2.

TABLA N 2 VALORES EXPERIMENTALES VCE 11.81 VBE 0.66 VRC 4.28 VC 11.76 IC 8.72m VCE 11.81 VALORES TERICOS VBE 0.7 VRC 4.69 VC 11.81 IC 7.22 VCE 9.952 VALORES SIMULADOS VBE 0.693 VRC 6.548 VC 9.952 IC 0.014

Determinando el beta

Calculo del beta (Factor de amplificacin de corriente) = = Calculo de VRC Vcc = VRC + VC
.

= 22.414

VRC = VCC - VC VRC = 16.5 11.81 = 4.65v

Calculo de VBC VBC = VBE + VCE VBC = 0.7 + 11.81 = 12.51

 OBSERVACIONES Y CONCLUSIONES Observamos que ambos transistores 2N2222 y BC548 son NPN y luego de verificar las mediciones notaremos que se trata de transistores de silicio. Es importante el verificar cuales es el colector, base y emisor en un transistor antes de desarrollar la experiencia. En algunos casos los transistores indican mediante una lnea en la parte superior quien es el emisor, en otros casos se deber verificar mediante el uso de un multitester en donde se medir la resistencia entre la base y sus extremos del transistor, el lado q de mayor resistencia nos indicara q se trata del emisor. Para el laboratorio parte b notamos q el voltaje base emisor nos indica que se trata de un transistor de silicio. Ya q la teora nos indica q debe ser 0.7v y en la experiencia obtenemos 0.66v. La corriente de colector es aproximadamente igual a la corriente del emisor. La corriente de base es mucho ms pequea, generalmente menor que el 5% de la corriente de emisor. La razn de la corriente de colector a la corriente de base se llama ganancia de corriente, y se le denota por CD o bien por hFE. Cuando el transistor se usa como amplificador, el transistor opera en la regin activa. Cuando se usa en circuitos digitales, el transistor usualmente opera en las regiones de saturacin y/o corte.