INFORME DE LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS, PRACTICA NO.

6, MARZO 2013

Polarizacin de transistores bipolares de juntura (TBJ)

Renato Daz, Alex Morales, Vanessa Espinoza, Estudiantes, Facultad de Ingeniera Elctrica y Electrnica

ResumenAnalizar e implementar los principales circuitos de polarizacin para Transistores bipolares de juntura Index TermsTransistor, juntura, TBJ, NPN, PNP.

I.

I NTRODUCCIN

STE presente informe se enfocar a la presentacin de resultados de la prctica ademas de la comparacin con los resultados teoricos y simulados.

Marzo 27, 2013 II. II-A. SUSTENTACIN TERICA

Figura 1. El Primer transistor

EL TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA (TBJ)

II-A1. Historia: William Shockley, John Bardeen y Walter Brattain armaron el primer transistor, el 16 de diciembre de 1947. Poco despus, un computador compuesto por estos transistores pesaba unas 28 toneladas y consuma alrededor de 170 MW de energa. Los diez aos posteriores a la invencin del primer transistor vieron enormes adelantos en este campo: - Se inventaron distintos tipos de transistores (de punto, de juntura, de campo), basados en distintas propiedades bsicas. - Se emplearon distintos materiales, inicialmente el germanio (1948) y posteriormente el silicio (1954), el cual domina la industria semiconductora de la actualidad. - Se logr construir una gran cantidad de transistores, otros elementos y los circuitos para acoplarlos directamente sobre una oblea de silicio, a lo que se le dio el nombre de circuito integrado (1958). En estos primeros circuitos integrados, los transistores tenan dimensiones tpicas de alrededor de 1 cm. En 1971 el microprocesador de Intel 4004 tena unos 2000 transistores, mientras que hoy en da, un viejo Pentium IV tiene unos 10 millones de transistores, con dimensiones tpicas de alrededor de 0.00001 cm. Desde 1970, cada ao y medio aproximadamente, las dimensiones de los transistores se fueron reduciendo a la mitad (Ley de Moore). Si se los hace an ms pequeos, usando la tecnologa actual, dejarn de funcionar como esperamos, ya que empezarn a manifestarse las leyes de la mecnica cuntica. Para seguir progresando, se ha concebido una nueva generacin de microprocesadores basados en las propiedades que la materia maniesta en las escalas nanomtricas.

II-A2. Caractersticas generales: El TBJ es de naturaleza bipolar, pues la corriente producida es debido al aporte de los portadores negativos (e , electrones) y positivos (h+ , hoyos). Consiste en dos junturas p-n y posee tres terminales los que son llamados Emisor (E), Base(B) y Colector (C). El TBJ puede ser tipo npn o pnp, su estructura y smbolo se muestra en la Fig. 2, la echa indica la direccin normal de la corriente y dene la polaridad de la tensin base-emisor. No es un dispositivo simtrico,pues intercambiando el emisor por el colector se obtienen resultados distintos.

Figura 2.Smbolos del transistor. (a) npn. (b) pnp. II-A3. Funcionamiento: Sea el TBJ npn de la Fig. 2a, ste considera una regin n de volumen intermedio de alto dopamiento (gran cantidad de e ), una regin p muy delgada de pequeo volumen de bajo dopamiento (poca cantidad h+ ), y una regin n de gran volumen de dopamiento intermedio. Para establecer su funcionamiento primero se polariza slo la juntura BE,dejando el colector abierto.La juntura est polarizada directa, luego se produce un ujo de e desde el emisor a la base, y h+ en menor cantidad desde la base al

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emisor. La corriente IE se produce por la suma de los e

Considerando despreciable el efecto de ICBO , se tiene IB = IpB + (1 )InE IC = InE Luego haciendo los clculos y reemplazos respectivos se obtiene la clsica ecuacin. IB = IE IC Considerando que la corriente IpB debido a h+ generada por la base es mucho menor que InE ; entonces se llega a IC = IE

Figura 3. (a) Colector abierto. (b) Emisor abierto. mayoritarios y h+ mayoritarios inyectados por el emisor y la base respectivamente. La corriente entre la base y el emisor ser IE . Dado que la base es muy delgada, no soporta grandes corrientes. Polarizando solamente la juntura CB, dejando el emisor abierto, la juntura pn est polarizada inversa, luego slo existe movimiento de portadores h+ ninoritarios del colector y los e minoritarios de la base, produciendo una corriente inversa de saturacin llamada ICBO , entre C y B.

Donde es la ganancia de corriente en base comn. II-B. Caractersticas y asignacin de pines de los transistores 2N3904 y 2N3906.

Figura 5. Transistor tipo NPN (2N3904)

Figura 4. (a) Polarizacin completa. (b) Corrientes Al polarizar de acuerdo a la Fig. 4a, los e mayoritarios inyectados por el emisor atraviesan la base llegando al colector, un pequeo porcentaje se recombina en la base con los h+ mayoritarios aportados por sta. As, la corriente por el emisor debido a los e mayoritarios ser InE , pero la corriente en el colector debido a estos portadores ser InE ; donde es un nmero menor que 1, dado que parte de los e se recombinan en la base. As, la corriente del emisor IE , ser funcin de la corriente producida por los portadores mayoritarios e y la corriente debida a los portadores mayoritarios h+ inyectados por la base. IE = IpB + InE La corriente que se desva a la base ser (1 )InE = InR , luego la corriente en la base ser la corriente de los portadores mayoritarios h+ de la base mas la corriente InR menos la corriente ICBO como se muestra en la Fig. 4b. IB = IpB + InR ICBO Finalmente, la corriente por el colector IC ser la proveniente del emisor ms la corriente de saturacin inversa ICBO . IC = InE + ICBO

Figura 6. Especicaciones mximas absolutas

Figura 7. Transistor tipo PNP (2N3906)

Figura 8. Especicaciones mximas

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II-C. Determinacin del tipo y los terminales de un transistor mediante la utilizacin de un multmetro. TRANSISTOR NPN Existen instrumentos de medicin digitales para medir los transistores, estos, obviamente son extremadamente caros, algunos multmetros digitales tambin traen una base para la prueba de transistores. En la secuencia del 1 al 4 dentro de la lnea verde, se muestra la forma de probar un transistor NPN. gura 9. En primer lugar seleccionamos en el Multimetro la opcin R X 10 R X 100, hecho esto hacemos lo siguiente: Paso 1: Colocamos la punta positiva (roja) en la base del transistor (No olvidar que estamos probando un NPN ), seguidamente colocamos la punta negra en el emisor, al hacer esto la aguja debe de subir (deexionar), ver esquema 1 de la gura 9. Paso 2: El paso siguiente es mantener la punta roja en la base y colocar la negra en el colector, tambin aqu la aguja debe de subir (esquema 2, Fig.9). Paso 3: Ahora invertimos la posicin de las puntas del Multimetro, colocamos la punta negra en la base y la roja en el emisor, la aguja no debe de moverse (esquema 3,Fig.9). Paso 4: Mantenemos la punta negra en la base y colocamos la roja en el colector, la aguja no debe de moverse (esquema 4,Fig.9). TRANSISTOR PNP Para probar un transistor PNP: Paso 1: Colocamos la punta negativa en la base del transistor y la punta roja en el emisor, la aguja debe de subir (esquema 5,g.9). Paso 2: Ahora, manteniendo la aguja negra en la base, colocamos la roja en el colector, la aguja debe de subir (esquema 6,g.9). Paso 3: Al igual que con la prueba del transistor NPN (Paso 3), colocamos la punta roja en la base y la punta negra en el emisor, la aguja no debe de subir (esquema 7,g.9). Paso 4: Procedemos a colocar la punta negra en el colector, manteniendo la roja en la base, la aguja no debe de subir.(esquema 8,g.9)

Para determinar cules son los pines de un transistor, base, colector y emisor, utilizando un Multimetro procedemos: Paso 1: Se coloca la punta roja en un terminal cualquiera, y colocamos la punta negra, primero en uno y luego en el otro, en alguno de los pines la aguja subir (esquemas 1 y 2,Fig.10). Paso 2: Colocamos la punta roja en otro pin y volvemos a seguir lo hecho en el paso anterior (esquemas 3 y 4,g.10), la aguja no debera de subir en ninguno de los casos. Paso 3: Volvemos a colocar la punta roja en el pin que sigue, al colocar la punta en el primer pin, la aguja no debera de subir, y en cambio debera de hacerlo en el siguiente pin.(esquemas 5 y 6,g.10) Bien, aclaremos ahora, la base ser aquella en que la aguja haya subido al colocar la otra punta en los otros 2 pines alternativamente; puede ser que la punta roja estuviera en ese momento ja y que con la negra midiramos los otros 2 pines, si este fuera el caso el transistor es NPN. Si es lo contrario, el transistor es un PNP. Ya sabemos cul es la base, pero ignoramos cual es el colector y el emisor. Para saberlo hacemos lo siguiente: Vamos a localizar el emisor y colocamos la escala ms del multmetro. Si el transistor fuera un NPN, colocamos la punta roja en el supuesto emisor (tomemos en cuenta que ya hemos localizado la base y no debemos de tomarla en cuenta para esta prueba), Tenemos a punto el transistor para conducir en polarizacin ja si se le colocara un resistor entre la base y el colector. La prueba consiste en colocar nuestros dedos como polarizadores. Uno de nuestros dedos debe de tocarla base y otro debe de tocar el pin en el cual est conectada la punta negra, si la aguja deexiona, el emisor ser el que tenga la punta roja.

Figura 10. Determinacin de los pines de un transistor mediante un multmetro

III.

EQUIPO UTILIZADO
F uente de voltaje DC Resistencias de carga T BJs (2N 3904 y 2N 3906) M ultimetro digital Osciloscopio digital

F U EN T ES ELEM EN T OS P ASIV OS

EQU IP OS DE M EDIDA

Figura 9. Determinacin del tipo de un transistor mediante un multmetro DETERMINACIN DE LOS PINES DE UN TRANSISTOR:

EQU IP O DE M AN IOBRA

Cables para conexion P roto board marca : W ish Cuadro I

E QUIPO UTILIZADO

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IV.

ESQUEMAS CIRCUITALES
R1 2.2k R2 100k

Q1

V1 15Vdc Q2N3906

R3 1k

0
Figura 11. Figura 14.

R2 1.5k

R1 100k

Q1

V2 15Vdc Q2N3906

V1 10Vdc

R3 1.2k

Figura 12.

Figura 15.

Figura 13. .

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V oltaje
R2 3.3k

VR V1,2k = -6.79 [V] V100k = -7.68 [V]

Corriente IE =-5.66 [mA] IB =-76.8[uA]

Emisor Base Colector

V1 15Vdc

-6.79 [V] -7.52 [V] -6.93 [V]

R1 10k

V1,5k = -8.19 [V] IC =-5.46 [mA] Cuadro V DATOS EXPERIMENTALES F IG .15 (2N3906)

Q1

V oltaje
R3 2.2k Q2N3906

VR VRE = 2.13 [V] VR10k = 12.3 [V] VRC = 7.01[V] VR2,2k = 2.79 [V]

Corriente IE =2.13[mA] IR10k =1.23[mA] IC =2.12 [mA] IR2,2k =1.27[mA]

Emisor Base

2.15 [V] 2.82 [V] 8.14 [V]

R4 1k

Colector

Figura 16.

IB =12.15[uA] Cuadro VI DATOS EXPERIMENTALES F IG .13 (2N3904)

V.

PROCEDIMIENTO PRCTICO VII. CUESTIONARIO VII-A. Presentar en un cuadro todos los valores medidos en la prctica, comprelos con los valores tericos y calcule los respectivos errores, justique los mismos. Indicar las diferentes conguraciones de polarizacin de TBJs. Por cada una presente un esquemtico.

1. Breve explicacin del instructor sobre el objetivo y el procedimiento de la prctica a desarrollarse. 2. Implementar los esquemas circuitales del punto IV. 3. Tomar las medidas de voltajes y corrientes de polarizacin necesarias para realizar el clculo de errores en el informe. VI. DATOS EXPERIMENTALES
V oltaje Emisor Base Colector 4.72 [V] 5.41 [V] 4.8 [V] VR VRE = 4.72 [V] VRB = 9.62 [V] Corriente IE =4.72[mA] IB =96.2[uA]

VRC = 10.3 [V] IC =4.68[mA] Cuadro II DATOS EXPERIMENTALES F IG .11 (2N3904)

V oltaje Emisor Base Colector -4.72 [V] -5.43 [V] -4.81 [V]

VR VRE = -4.75 [V] VRB = -9.61 [V]

Corriente IE =-4.75[mA] IB =-96.1[uA]

VRC = -10.2 [V] IC =-4.63[mA] Cuadro III DATOS EXPERIMENTALES F IG .14 (2N3906)

V oltaje Emisor Base Colector 6.8 [V] 7.5 [V] 6.9 [V]

VR V1,2k = 6.8 [V] V100k = 7.6 [V]

Corriente IE =5.67 [mA] IB =76 [uA]

V1,5k = 8.2 [V] IC =5.47 [mA] Cuadro IV DATOS EXPERIMENTALES F IG .12 (2N3904)

Figura 17.Conguracin de polarizacin del TBJ

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V olt. Emisor Base Colector -2.06 [V] -2.78 [V] -8.19 [V]

VR VRE = -2.06 [V] VR10k = -12.3 [V] VRC = -6.88[V] VR2,2k = -2.76 [V]

Is IE =-2.06[mA] IR10k =-1.23[mA] IC =-2.08 [mA] IR2,2k =-1.25[mA]

IB =-8.15 [uA] Cuadro VII DATOS EXPERIMENTALES F IG .16 (2N3906)

FIGURA 11 TBJ(2N3904) Calculado M edido Error( %) VE 7.185[V] 4.72[V] 34.3 VB 7.88[V] 5.41[V] 31.3 VC 7.835[V] 4.8[V] 38.73 IE 7.185[mA] 4.72[mA] 34.31 IB 71.14[uA] 96.2[uA] 35.23 IC 7.114[mA] 4.68[mA] 34.21 FIGURA 14 TBJ(2N3906) Calculado M edido Error( %) VE -7.89[V] -4.72[V] 40.17 VB -7.189[V] -5.43[V] 24.47 VC -2.1842[V] -4.81[V] 120.21 IE -7.89[mA] -4.75[mA] 39.79 IB -78.11[uA] -96.1[uA] 23.03 IC -7.811[mA] -4.63[mA] 40.72 FIGURA 12 TBJ(2N3904) Calculado M edido Error( %) VE 5.088[V] 6.8[V] 33.64 VB 5.788[V] 7.5[V] 29.57 VC 8.14[V] 6.9[V] 15.23 IE 4.24[mA] 5.67[mA] 33.72 IB 42.04[uA] 76[uA] 80.78 IC 4.204[mA] 5.47[mA] 30.11 FIGURA 15 TBJ(2N3906) Calculado M edido Error( %) VE -5.85[V] -6.79[V] 16.06 VB -5.15[V] -7.52[V] 46.01 VC -7.75[V] -6.93[V] 10.58 IE -4.88[mA] -5.66[mA] 15.98 IB -48.37[uA] -76.8[uA] 58.77 IC -4.83[mA] -5.46[mA] 13.04 FIGURA 13 TBJ(2N3904) Calculado M edido Error( %) VE 2[V] 2.15[V] 7.5 VB 2.7[V] 2.82[V] 4.44 VC 8.466[V] 8.14[V] 3.85 IE 2[mA] 2.13[mA] 6.5 IB 19.8[uA] 12.15[uA] 38.63 IC 1.98[mA] 2.12[mA] 7.07 FIGURA 16 TBJ(2N3906) Calculado M edido Error( %) VE -3.4[V] -2.06[V] 39.41 VB -2.7[V] -2.78[V] 2.96 VC -3.912[V] -8.19[V] 109.35 IE -3.4[mA] -2.06[mA] 39.41 IB -33.6[uA] -8.15[uA] 75.74 IC -3.36[mA] -2.08[mA] 38.09 Cuadro VIII VALORES C ALCULADOS VS VALORES M EDIDOS

TBJ(2N3904) M edido Error( %) VE 4.72[V] 0.127 VB 5.41[V] 0.24 VC 4.8[V] 0.83 IE 4.72[mA] 0.127 IB 96.2[uA] 0.445 IC 4.68[mA] 1.3 TBJ(2N3906) M edido Error( %) VE -4.72[V] 0.12 VB -5.43[V] 0.85 VC -4.81[V] 0.02 IE -4.75[mA] 0.51 IB -96.1[uA] 0.913 IC -4.63[mA] 0.02 TBJ(2N3904) M edido Error( %) VE 6.8[V] 11.69 VB 7.5[V] 10.34 VC 6.9[V] 7.233 IE 5.67[mA] 11.76 IB 76[uA] 137.28 IC 5.47[mA] 8.51 TBJ(2N3906) M edido Error( %) VE -6.79[V] 8.76 VB -7.52[V] 7.53 VC -6.93[V] 4.29 IE -5.66[mA] 8.8 IB -76.8[uA] 155.4 IC -5.46[mA] 5.57 TBJ(2N3904) M edido Error( %) VE 2.15[V] 7.5 VB 2.82[V] 5.145 VC 8.14[V] 3.6 IE 2.13[mA] 6.5 IB 12.15[uA] 5.87 IC 2.12[mA] 6.7 TBJ(2N3906) M edido Error( %) VE -2.06[V] 4.41 VB -2.78[V] 2.8 VC -8.19[V] 3.84 IE -2.06[mA] 4.41 IB -8.15[uA] 3.49 IC -2.08[mA] 5.85 Cuadro IX VALORES S IMULADOS VS VALORES M EDIDOS

FIGURA 11 Simulado 4.714[V] 5.423[V] 4.84[V] 4.714[mA] 95.77[uA] 4.618[mA] FIGURA 14 Simulado -4.726V] -5.477[V] -4.811[V] -4.726[mA] -95.23[uA] -4.631[mA] FIGURA 12 Simulado 6.088[V] 6.797[V] 7.438[V] 5.073[mA] 32.03[uA] 5.041[mA] FIGURA 15 Simulado -6.243[V] -6.993[V] -7.241[V] -5.202[mA] -30.07[uA] -5.172[mA] FIGURA 13 Simulado 2[V] 2.682[V] 8.444[V] 2[mA] 12.91[uA] 1.987[mA] FIGURA 16 Simulado -1.973[V] -2.86[V] -8.517[V] -1.973[mA] -8.445[uA] -1.965[mA]

VIII.

CONCLUSIONES

Se concluye que al existir distintas formas de polarizacin de un transistor, este va a tener distintos valores en sus valores de polarizacin, como son IB, IC, IE, VC, VE, VB. Se concluye que sin importar el tipo de conguracin en

el que se utilice un transistor, las relaciones bsicas entre las corrientes son siempre las mismas y el voltaje base emisor es el valor de umbral si el transistor se encuentra en estado de encendido. Para la mayora de las conguraciones, el anlisis de DC inicia con la determinacin de la corriente de la base. Si queremos sacar a un transistor de la zona de corte o saturacin debemos sustituir alguna de las resistencias del circuito por otra de un valor mayor o menor dependiendo de lo que necesitemos es decir disear un nuevo circuito que cumpla con las condiciones que necesitemos Se concluye que el porcentaje de error de los valores medidos con respecto a los simulados es aceptable, no es as en el porcentaje de error de los valores medidos con respecto a los tericos, esto podra deberse a que el utilizado como dato para realizar nuestros calculos no era el adecuado o simplemente esta incorrecto.

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IX.

RECOMENDACIONES

Se recomienda jarse muy bien en cada circuito de polarizacin, ya que cada uno va a tener sus propios valores en sus parmetros. Se recomienda tomar las medidas de los parmetros de cada circuito con el osciloscopio digital, ya que se est trabajando con valores muy pequeos de corriente y voltaje y necesita la mayor precisin . Se recomienda trabajar con los elementos necesarios en nuestro circuito, ya que si utilizamos ms elementos de lo debido, estamos propensos a equivocarnos al armar el circuito, es decir no debemos utilizar demasiados cables al realizar puentes sin necesidad, entre otros. X. X-A. HOJAS DE DATOS ANEXOS Figura 20.HOJA DE DATOS 3

XI.

BIBLIOGRAFIA R EFERENCIAS

[1] R. Boylestad and L. Nashelsky, Electrnica:Teoria de circuitos y dispositivos electrrnicos 10ma ed. Prentice Hall, 2009. [2] Thomas L. Floyd, Dispositivos Electrnicos, Octava Edicin, Pearson Educacin; Mxico 2008. [3] Schilling, D., Belove, . 1993. Circuitos Electrnicos Discretos e Integrados. Mc Graw- Hill

Figura 18.HOJA DE DATOS 1

Figura 19.HOJA DE DATOS 2 .