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INSTITUTO POLITCNICO NACIONAL

ESCUELA SUPERIOR DE CMPUTO


LABORATORIO DE ELECTRNICA DIGITAL

PRCTICA No. 1
FAMILIAS LGICAS TTL Y CMOS

GRUPO: EQUIPO: INTEGRANTES:


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PROFESOR:

JULIO CESAR SOSA SAVEDRA

FECHA DE REALIZACIN: ______________________

FECHA DE ENTREGA:

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COMENTARIOS:
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1 OBJETIVO GENERAL: Al finalizar la prctica, el alumno comprobar y entender las caractersticas de las familias lgicas TTL y CMOS, comparndolas entre si con sus hojas de especificaciones. Adems de conocer los tipos de compatibilidad que existen entre estas dos grandes familias. 2 OBJETIVOS ESPECFICOS: I. II. Determinar los parmetros estticos de entrada y salida de la compuerta NOR CMOS 4001C y la compuerta TTL 74XX01. Interconectar las compuertas CMOS-TTL y TTL-CMOS.

3 MATERIAL Y EQUIPO EMPLEADO 1 CI 4001C, Y 1CI 7401 1 CI 74HC04, Y 1 CI 7404 1 CAPACITOR CERAMICO DE 15 pF 1 CAPACITOR CERAMICO DE 100 pF 1 CAPACITOR CERAMICO DE 0.1 pF 1 RESISTOR 1k OHM 1/2W 1 RESISTOR 3.9k OHMS 1/2W 1 RESISTOR 8.2k OHMS 1/2W 1 OCILOSCOPIO 1 GENERADOR DE FUNCIONES 1 MULTIMETRO 1 FUENTE DE ALIMENTACION REGULADA DE 5Vcd 1 HOJA DE ESPECIFICACION O MANUAL DEL FABRICANTE 1 MANUAL DEL FABRICANTE DE LOS CI

4 INTRODUCCIN TERICA: 4.1 Familias Lgicas Digitales. Las compuertas digitales se clasifican no solo por su operacin lgica, sino tambin por la familia de circuitos lgicos a las cuales pertenecen. Cada familia lgica tiene su propio circuito electrnico bsico con el cual se desarrollan circuitos y funciones digitales ms complejos. Las familias lgicas son las siguientes: Lgica de resistor-transistor Lgica diodo-transistor Lgica de inyeccin integrada Lgica transistor-transistor Lgica de emisor acoplado a)MOS Transistor de efecto de campo, Metal Oxido Semiconductor. Usa transistores de un tipo de canal. (N o P). FET b)CMOS Transistor de efecto de campo, Metal Oxido Semiconductor Complementado. Usa transistores de los dos tipos de canal. (N y/o P). Las 2 primeras familias, RTL y DTL tienen solo importancia histrica ya que rara vez se usan en los nuevos diseos; la familia TTL tiene una lista extensa de funciones digitales y hoy en da es la ms popular; la familia ECL se utiliza en sistemas que requieren operaciones de alta velocidad; las MOS e I 2L se usan en circuitos que requieren alta densidad de componentes y la CMOS se emplea en sistemas que necesitan bajo consumo de potencia. A continuacin se explica ms ampliamente las familias lgicas TTL y CMOS. Adems se comparar con la familia ECL, que se caracteriza por tener el menor retraso de propagacin y el menor margen de ruido entre todas las familias lgicas. 4.2 Familia Lgica TTL. Esta familia es introducida en 1964, por Texas Instruments Corporation y su compuerta bsica original fue una mejora sobre la compuerta DTL, esta familia tiene un extenso uso en aplicaciones que requieren de dispositivos SSI y MSI, que sirve como lgica que conecta a los dispositivos ms complejos en los sistemas digitales, su circuito bsico es la compuerta NAND. La tendencia actual sin embargo indica una declinacin en el uso de TTL a favor de los CMOS. 4.2.1 Series en la familia TTL. Existen dos series dentro de la familia lgica TTL, la serie 54 y la 74. La primera de ellas es de uso militar ya que posee mayor rango de temperatura y de alimentacin, la segunda serie es de uso comercial y es la serie ms usada dentro de esta familia, adems esta constituida por varios tipos de circuitos o dispositivos, mejorados, denominndole a estos subfamilias. Subfamilia 74 estndar: ofrece una amplia variedad de compuertas, flip-flops y multivibradores monoestables en la lnea de pequea escala de integracin (SSI) y RTL DTL I2L TTL ECL

contadores, registros, decodificadores y codificadores, circuitos aritmticos y muchas otras funciones lgicas en su lnea de mediana escala de integracin (MSI). Los circuitos bsicos de la serie TTL estndar forman parte central e algunas otras series TTL, pero rara vez se utilizan en los diseos de nuevos sistemas. Subfamilia 74L y 74H: se desarrollo para proporcionar versiones de TTL de baja potencia y alta velocidad respectivamente. La 74L respecto a la 74 consume menos potencia pero tiene un retraso de propagacin mucho mayor; mientras que la serie 74H es una versin de alta velocidad que tiene un retraso de propagacin reducido pero tiene un mayor consumo de potencia. Subfamilia 74S, TTL Schottky: esta disminuye el retraso de tiempo por almacenamiento al no permitir que el transistor entre demasiado en saturacin. Lo anterior se logra conectando entre la base y el colector del transistor un diodo de barrera Schottky (SBD), tambin emplea resistencias de bajo valor que ayudan a mejorar los tiempos de conmutacin. Subfamilia 74LS (LS-TTL), TTL Schottky de bajo consumo de potencia : es una versin mejorada de la 74S, con un menor consumo de potencia, y menor velocidad. Utiliza el diodo Schottky para su diseo. Subfamilia 74AS (AS-TTL), TTL avanzada Schottky : proporciona una mejora considerable en velocidad sobre las 74S con un requerimiento de consumo de potencia mucho menor. Subfamilia 74ALS, TTL avanzada Schottky de bajo consumo de potencia: ofrece mejoras sobre la 74LS tanto en velocidad como en disipacin de potencia, adems tiene el menor producto velocidad-potencia de toda la familia TTL y esta muy cerca de ser la que tiene la menor disipacin de potencia por compuerta. Su alto costo ha ocasionado que no reemplace a la 74LS. Subfamilia 74F, TTL FAST: Es la ms nueva, utiliza una nueva tcnica de fabricacin de circuito integrado para reducir las capacitancias interdispositivos a fin de lograr demoras reducidas en la propagacin. En la tabla 1, se muestra las diferencias entre las diferentes subfamilias de la familia TTL.
74 Parmetros de funcionamiento Retraso de propagacin (ns) Disipacin de potencia (mW) Producto velocidad-potencia (pJ) Mxima frecuencia de reloj (MHz) Factor de carga de la salida (para la misma serie) Parmetros de voltaje VOH (min) VOL (max) VIH (min) 9 10 90 35 10 2.4 0.4 2 74S 3 20 60 125 20 2.7 0.5 2 74LS 9.5 2 19 45 20 2.7 0.5 2 74AS 1.7 8 13.6 200 40 2.5 0.5 2 74ALS 4 1.2 4.8 70 20 2.5 0.4 2 74F 3 6 18 100 33 2.5 0.5 2

VIL (max)

0.8

0.8

0.8

0.8

0.8

0.8

Tabla 1. Tabla comparativa entre las diferentes subfamilias TTL.

4.3 Familia lgica CMOS. La familia CMOS de CI es la competidora directa de TTL en la integracin en pequea y mediana escala (SSI y MSI), CMOS ha ocupado en forma gradual el campo que TTL domin durante tanto tiempo. Los CI CMOS no solo ofrecen funciones lgicas disponibles en TTL, sino tambin algunas funciones de propsito especial no disponibles en TTL. Existen diferentes tipos de compatibilidad que se deben tomar en cuanta cuando se va a emplear CI de diferentes familias o subfamilias, las cuales son: Compatibilidad con terminales, es cuando 2 CI tienen configuraciones de terminales iguales; equivalentes funcionalmente, es cuando las funciones lgicas que se ejecutan son idnticas; y elctricamente compatibles, es cuando se pueden conectar de manera directa entre si, respetando voltajes de entrada, en bajo mximos o en alto mnimos. 4.3.1 Series en la familia CMOS. Existen diferentes series en la familia CMOS, la serie 4000 y la 74C. Series 4000/14000: Tienen una disipacin de potencia muy baja y pueden operar en un amplio rango de suministro de voltaje (3 a 15V). Son muy lentos en comparacin con TTL y otras series CMOS y tienen muy bajas capacidades de corriente de salida. Sus terminales no son elctricamente compatibles con ninguna serie TTL. La Serie 74C, ha tenido mejoras y tiene varias subfamilias: Subfamilia 74C: Es compatible con terminales y equivalente funcionalmente con TTL. Las caractersticas de funcionamiento de esta serie son casi las mismas que la de la serie 4000. Subfamilia 74HC/HCT (CMOS de alta velocidad) : Es una mejora de la serie 74C, tiene una corriente de salida mayor y su velocidad de conmutacin es 10 veces mayor, comparable con la subfamilia 74LS. Son compatibles con terminales y equivalente funcionalmente con TTL. Los 74HCT son elctricamente compatibles pero los 74HC no lo son. Esta es la familia que ms se emplea. Subfamilia 74AC/ACT (CMOS avanzado): Es la mas nueva, es funcionalmente equivalente con la familia TTL, pero no es compatible con terminales, ya que la seleccin de las terminales se ha efectuado para mejorar la inmunidad al ruido. La 74ACT es compatible elctricamente con TTL, la 74AC no lo es. La numeracin es diferente entre TTL y CMOS, AC y HC. 74AC11004 = 74HC04 74ACT11293 = 74HCT293

Existen nuevas tecnologas, que actualmente se estn usando en tanto a nuevos semiconductores, como el Arsenuro de Galio, as tambin como nuevos procesos de fabricacin, por ejemplo la LOGICA BiCMOS, la cual combina las mejoras caractersticas de la Bipolar y CMOS, alta velocidad y bajo consumo de potencia respectivamente. Estos circuitos no estn disponibles en la mayor parte de funciones de SSI y MSI ya que estn limitadas a funciones para interfaces con microprocesadores o circuitos VLSI. La comparacin de las familias lgicas TTL, CMOS y ECL, se muestra en la tabla 2.
74HC/H CT Disipacin de potencia por compuerta (mW) Esttica A 100 kHz Retraso en la propagacin (ns) Velocidad-potencia (a 100 kHz) (pJ) Mxima frecuencia de reloj (MHz) Margen de ruido para el peor de los casos (V) 2.5 x 10-3 0.17 8 1.4 40 0.9 74AC/ACT 4000B 74 74LS 74AS 74ALS ECL

5.0 x 10-3 0.08 4.7 0.37 100 0.7

1.0 x 10-3 0.1 50 5 12 1.5

10 10 9 90 35 0. 4

2 2 9.5 19 45 0.3

8 8 1.7 13.6 200 0.3

1.2 1.2 4 4.8 70 0.4

25 25 1 25 300 0.25

Tabla 2. Tabla comparativa entre las tres principales familias lgicas, TTL. CMOS y ECL .

Se debe tener cuidado cuando se interconectan diferentes tipos de CI, esto es de diferentes familias lgicas, y se debe verificar que el dispositivo de excitacin satisfaga los requerimientos de voltaje y corriente del dispositivo de carga. Los TTL no representan ningn problema para satisfacer los requerimientos en la corriente de entrada de los dispositivos CMOS, sin embargo existe un problema cuando se comparan los voltajes de salida TTL con los requerimientos para el voltaje de entrada de CMOS. 5 DESARROLLO 5.1.- Medicin de los parmetros estticos de entrada y salida de la compuerta 4001C (CMOS): 5.1.1 Construir el circuito mostrado en la figura 1.

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Figura 1. Circuito de interconexin de la compuerta NOR para medir los parmetros estticos de salida.

5.1.1.1 Con un voltaje Vdd = +5Vcd a las dos entradas de la compuerta, medir el voltaje de salida en estado bajo VOL. 5.1.1.2 Ahora con un voltaje de entrada igual a Vss = 0V,medir el voltaje de salida en estado alto VOH. 5.1.1.3 Reportar los resultados anteriores en la tabla 3. 5.1.1.4 Repetir los pasos 5.1.1.1 al 5.1.1.3 pero ahora con: a) Un voltaje de alimentacin Vdd = 10Vcd. b) Usando el C.I. 7401. Parmetro VOL VOH Tabla 3. Valores obtenidos en estado esttico. VDD=5V VSS=0V 4001C VDD=10V VSS=0V 7401 VDD=5V VSS=0V

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5.1.1.5 Comparar los resultados obtenidos con los proporcionados por el fabricante, anotar sus observaciones. __________________________________________________________________ __________________________________________________________________ __________________________________________________________________ __________________________________________________________________ __________________________________________________________________ 5.2 INTERCONEXION CMOS-TTL Y TTL-CMOS 5.2.1 Construir el circuito mostrado en la figura 2.

V01

V02

Figura 2. Interconexin de los CI, de las familias lgicas TTL y CMOS.

5.2.1.1 Mediante el generador aplicar una seal cuadrada a una frecuencia de 50Khz con una amplitud de 5V sobre un nivel de offset de 0V de CD 5.2.1.2 Con el osciloscopio observar las formas de onda obtenidas V01 y V02 a la salida de los inversores CMOS y TTL respectivamente
Vg

V/dv = _________ T/dv = _________ F = _________


t

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V01

V02

5.2.2 Construir el circuito mostrado en la figura 3.

V01

V02

Figura 3. Muestra la conexin de la figura 2, pero con una pequea modificacin.

5.2.2.1 Aplicar una seal cuadrada de 5V de amplitud sobre un nivel de offset de 0V a una frecuencia de 100Khz

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5.2.2.2 Dibujar las formas de onda de entrada y salida obtenidas V 01 y V02 a las salidas de los inversores TTL y CMOS respectivamente

Vg

V/dv = _________ T/dv = _________ F = _________


t

V01

V02

5.2.2.3 Al circuito de la figura 3 anterior conectar un capacitor de 100pF entre la entrada del 74H04 y tierra (V01) 5.2.2.4 Dibujar las formas de onda obtenidas

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Vg

V/dv = _________ T/dv = _________ F = _________


t

V01

V02

5.2.2.5 De la seal en V01 determinar el tiempo de respuesta Tr (10 -90%) de la seal. Tr=_______________________

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5.2.2.6 En el mismo circuito anterior (figura 3) sustituir la resistencia R1 de 8.2K por una de valor 3.9K 5.2.2.7 Dibujar las formas de onda obtenidas y determinar el tiempo de respuesta

Vg

V/dv = _________ T/dv = _________ F = _________


t

V01

V02

Tr=_______________________

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5.2.3 Dar las observaciones de los resultados obtenidos en los puntos 5.2.1 y 5.2.2. anteriores ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ ________________________________________________________________

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6 OBSERVACIONES Y CONCLUSIONES (Son individuales)

7 BIBLIOGRAFA Sistemas Digitales: principios y aplicaciones Ronald J. Tocci Diseo Digital M. Morris Mano Prentice Hall El alumno puede consultar otra bibliografa y anotar la referencia.

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