1.

Eletrnica de Potncia Ahmed (2000) divide a engenharia eltrica em trs campos principais: eletrnica, potncia e controle, onde a eletrnica de potncia responsvel pela aplicao dos semicondutores de potncia, na converso e controle da eletricidade em altos nveis de potncia. A eletrnica de potncia surgiu como uma importante disciplina na engenharia eltrica. crescente a sua aplicao nos mais diversos ambientes industriais e comerciais, sendo utilizados no controle de velocidade de motores AC e DC, fontes de alimentao AC e DC, no-breaks, sistemas de aquecimento, transmisso e gerao de energia. 2. Chaves semicondutoras de potncia Consideradas o elemento mais importante do circuito de potncia, so semicondutores de potncia que atuam como chaves nos circuitos de potncia, podendo ser divididos em: Diodos de Potncia: Comutao controlada pelo circuito de potncia; Tiristores: Entram em conduo por um sinal de controle, mas bloqueio realizado por interrupo da corrente no circuito de potncia e; Chaves Controladas: Conduzem e bloqueiam atravs de um sinal de controle. As caractersticas para que um semicondutor de potncia possa operar como chave so: comutao instantnea, quando acionadas no consumar tenso e suportem altas correntes, quando desligadas no permitam passagem de corrente e suportem altas tenses, dissipe o mnimo de potncia e apresente confiabilidade. 2.1 Diodos de Potncia Geralmente fabricados em silcio os diodos de potncia so similares aos de juno PN, contudo apresentam uma capacidade maior de potncia, tenso e corrente. Apresentam dois terminais, nodo (juno P) e ctodo (juno N), e seu smbolo apresentado na figura 1.

Em um circuito de potncia o diodo se comportar como uma chave unidirecional, que conduzir quando diretamente polarizado e bloquear a passagem de corrente quando polarizado reversamente. Devido a no ser possvel controlar sua entrada em conduo aps sua polarizao direta, os diodos de potncia so classificados como componentes no controlados. As desvantagens na utilizao do diodo esto na gerao de sobrecorrentes, perdas de comutao e sua limitao de aplicao em altas frequncias devido ao tempo de recuperao reversa, sendo que suas principais aplicaes esto em circuitos de retificadores no-controlados e como diodos de retorno. Algumas aplicaes em altas

frequncias e utilizam diodos schottkly, que devido a caractersticas especiais, possuem tempos rpidos de Trr. 2.2 Tiristores Os tiristores so constitudos de quatro camadas (PNPN), trs junes PN e apresentam trs terminais, onde o nodo (a) e ctodo (k) so terminais de alimentao e o gatilho (gate) o terminal de controle. A estrutura de um tiristor SCR apresentada na fig. 2.

De forma geral, os tiristores so disparados aumentando-se a corrente no nodo, podendo ser realizado das seguintes formas (RASHID, 2004): Corrente de gatilho: procedimento normal de comutao, onde para entrar em conduo o tiristor necessita estar polarizado diretamente e receber um sinal de corrente de disparo em seu gatilho. importante observar que medida o valor da corrente de disparo aumenta, diminui-se o valor da tenso de disparo. Luz: aplicando um feixe luminoso nas junes do tiristor. Utilizado nos LASCR, cuja aplicao principal em sistemas de acoplamentos ticos. Os outros mtodos de disparo incluem: disparo por elevao da temperatura; disparo por sobretenso e disparo por elevao da tenso direta (dV/dt), contudo no so utilizados em aplicaes de comutao pela possibilidade de danificar o componente. Para comutar (desligar) um tiristor em estado de conduo, faz-se necessrio uma reduo da sua corrente direta abaixo de um valor mnimo, denominado corrente de manuteno (IH). A comutao de um SCR pode ser realizada de forma natural, quando operando em circuitos CA, de forma forada, quando aplicados em circuitos CC, necessitando de um circuito adicional para zerar a corrente de manuteno. Os tiristores so classificados em funo da sua construo fsica e mtodo de comutao, sendo os mais utilizados: o retificador controlado de silcio (SCR), o DIAC, o TRIAC, o tiristor de desligamento por porta (GTO) (SKVARENINA, 2002). Retificador Controlado de Silcio (SCR) O SCR um dos semicondutores de potncia mais difundidos, devido a sua velocidade de chaveamento e valores nominais de tenso e corrente. Possui trs terminais: nodo, ctodo e gate, em uma estrutura j apresentada na figura 2. Para sua conduo, em condies normais de operao, alm de polarizado diretamente, deve receber um sinal de corrente no gatilho, geralmente um pulso. Aps entrar em conduo, pode ser comutado de forma forada ou natural, sendo esta a

mais utilizada. A principal caracterstica do SCR sua conduo unidirecional, sendo tambm chamado de diodo pnpn. DIAC O DIAC uma chave semicondutora de trs camadas e dois terminais, operando como dois diodos contrapostos em srie. Sua mudana para o estado ligado pode ser realizada em qualquer polaridade da tenso, excedendo a tenso de disparo do componente, sendo til em aplicaes CA. Sua principal aplicao na comutao de SCRs e TRIACs. TRIAC O TRIAC um semicondutor que realiza uma conduo bidirecional, podendo ser considerado como dois SCRs em anti-paralelo com gatilho comum, sendo muito aplicado em controle de fase CA. Sua estrutura, apresentada na figura 3, a estrutura de um DIAC com a incluso de um terminal gatilho que controla a entrada na conduo. Possui trs terminais, sendo dois terminais de alimentao, principal 1 e 2 (MT1 e MT2) e o gatilho.

O sinal de controle aplicado pode ser positivo ou negativo, sendo que medida que aumenta a sua amplitude, diminui o ponto de disparo do dispositivo. Aps entrada em conduo o sinal de controle poder ser removido, e a conduo permanecer enquanto a corrente at que o valor da corrente principal chegue abaixo do valor da corrente de manuteno. Devido a limitaes, como tempo de desligamento e maior capacidade de dV/dt as aplicaes do TRIAC se resumem a frequncia de algumas centenas de Hz, sendo empregados em controle de iluminao, aquecimento, velocidade de motores e em rel de estado slido. Tiristor de Desligamento pelo Gatilho (GTO) Como o SCR, o GTO pode ser disparado por uma corrente positiva no gatilho, porm ele pode ser desligado pela aplicao de um sinal negativo no gatilho. Assim tanto a conduo e bloqueio podem ser controlados pelo gatilho do GTO, eliminando a necessidade de circuitos de comutao forada e incluso de componentes no circuito de potncia. Outro diferencial desse componente seu chaveamento, permitindo sua aplicao em altas velocidades, onde para aplicaes em baixas potncias so superiores aos TBJs. A figura 04 apresenta o smbolo do GTO.

2.3 Transistores de Potncia Os transistores com altos valores nominais de tenso e corrente so classificados como transistores de potncia. um semicondutor de trs camadas (NPN ou PNP), com duas junes PN, podendo operar como amplificador ou como chave eletrnica, sendo esta ltima sua principal aplicao em circuitos de potncia. Os transistores de potncia mais utilizados so: TBJs, MOSFETs e os IGBTs. Transistor Bipolar de Juno (TBJ) O TBJ composto de trs camadas, NPN ou PNP, apresentando trs terminais: coletor (C), emissor (E) e a base (B). Na operao como chave, o TBJ opera nas regies de corte (chave aberta) e saturao (chave fechada), na configurao emissorcomum. O controle da comutao feito pela corrente da base atravs de um circuito base-emissor, e coletor e emissor atuaro como terminais de potncia da chave. A figura 05 apresenta um TBJ NPN polarizado.

Comparado com os tiristores, os TBJs apresentam velocidades de comutao muito superiores, podendo operar em circuitos com frequncias da ordem de kHz, porm eles so limitados nos nveis de tenso e corrente, sendo utilizados em aplicaes de mdia e baixa potncia. Outra desvantagem do TBJ a necessidade de uma corrente de base alta para manter o componente saturado. Transistor de (MOSFETs) Efeito de Campo Metal-xido-semicondutor de Potncia

Classificado como um transistor de chaveamento rpido com uma alta impedncia de entrada, o MOSFET de potncia um dispositivo controlado por tenso, necessitando de uma pequena corrente de entrada. Apropriados para aplicaes em altas frequncias (at 100 kHz) e baixas tenses, onde apresentam o melhor rendimento. Em tenses acima de 200V a queda de tenso no MOSFET durante a conduo superior ao TBJ. Possui trs terminais (figura 6), gate ou porta (G), fonte (S) e dreno (D). Para sua conduo necessrio que a tenso entre a porta e a fonte, supere uma tenso de limiar (VTH), possibilitando assim o controle da corrente entre o dreno e a fonte.

O MOSFET pode ser do tipo depleo ou enriquecimento, onde a principal diferena que o MOSFET-D pode operar com tenso negativa e positiva no gate, j o MOSFETE possui um limite de tenso para sua conduo, sendo ideal para aplicaes em chaveamento.

Transistores Bipolares de Porta Isolada (IGBTs) O transistor bipolar de gatilho isolado (IGBT) um dispositivo que combina as caractersticas de alta capacidade de potncia do transistor bipolar com a caracterstica de controle de tenso pela gatilho e chaveamento do MOSFET. Em termos mais simples, as caractersticas coletor-emissor so similares quelas dos transistores bipolares, mas as formas de controle so as do Mosfet. Os IGBTs esto substituindo os MOSFETs em aplicaes em altas tenses, reduzindo as perdas durante a conduo, contudo as frequncias de trabalha ainda so menores que as do MOSFET. A figura 7 apresenta um IGBT canal N, onde possvel visualizar seus trs terminais: Coletor, Emissor e Gate. Para que o IGBT entre em conduo necessrio polarizar positivamente o coletor em relao ao emissor, e aplicar um tenso positiva superior a tenso de limiar (VTH) em seu gate. O IGBT passar para estado desligado quando tenso no gate for zero.

3. Conversores de Potncia Um conversor de potncia incorpora um arranjo de chaves semicondutoras auxiliando na converso e controle da energia eltrica sob o comando de um controle eletrnico. As estruturas de potncia podem ser classificadas de acordo com a sua funo em: Retificadores controlados e no-controlados; Conversores CA/CA e CC/CC; Inversores (alimentados por tenso ou corrente). 3.1 Converso CA-CC O processo de converter tenso e corrente alternadas em tenso e corrente contnua denominado de retificao, podendo ser realizado de forma no controlada, quando so utilizados apenas diodos de potncia como elementos retificadores, neste caso o valor da tenso de sada determinado pelo valor da tenso de entrada.

Uma retificao controlada utiliza SCRs como elementos de retificao, onde o valor da tenso DC de sada controlado pelo controle de fase, ou seja, o perodo de conduo dos SCRs. Ainda possvel uma combinao de SCRs e diodos em um mesmo processo de retificao, classificado como semi-controlado. A tenso de sada de um retificador no totalmente contnua, podendo apresentar rudos e ondulaes que so reduzidas com a incluso de filtros. Em processos de alta potncia comum o uso de retificadores trifsicos, que diminuem a ondulao de sada, diminuindo a necessidade do uso de filtros e aumentam a eficincia da retificao. 3.2 Converso CA-CA O regulador de tenso CA converte uma fonte de tenso AC fixa em uma fonte de tenso AC varivel, onde se mantm a frequncia de entrada. Utilizam tiristores (SCRs, TRIACs), podendo operar em ciclos integrais ou controle liga-desliga, onde a diferena fundamental consiste na velocidade de chaveamento. As principais aplicaes incluem controle de luminosidade, aquecimento industrial e resistivo em eletrodomsticos e controle de velocidade para motores de induo. Os principais problemas nesse controle so harmnicas, rudos e o baixo fator de potncia. 3.3 Converso CC-CC Estes conversores convertem uma tenso CC (varivel ou no) em uma tenso regulada em nveis distintos, sendo aplicados em acionamentos em corrente contnua e fontes chaveadas. O conversor convencional com chaveamento PWM, comumente conhecido como chopper, pode ser classificado em abaixador (buck), elevador (boost) e abaixador-elevador (buck-boost). O conversor de um quadrante usa apenas um buck, o de dois quadrantes a combinao de um buck e um boost e o de quatro quadrantes, muito usado em acionamentos, permite alimentao carga com qualquer polaridade de tenso e corrente. Os TBJs e MOSFETS permitiram a operao desses conversores em altas frequncias, aumentando ainda mais seu rendimento. 3.4 Converso CC-CA Tambm chamados de inversores, tm a funo de converter uma tenso contnua de entrada em uma tenso alternada simtrica de sada com amplitude e frequncia variveis, que embora no apresente uma forma senoidal, pode com uma boa aproximao ser considerada como tal. A frequncia da tenso de sada do inversor determinada pelo chaveamento dos semicondutores que forma o inversor, comandados por um circuito de controle (BARBI, 2006). Existe uma diversidade de inversores, classificados em funo do nmero de fases, dos dispositivos de chaveamento utilizados, formas de comutao e formas de onda de sada, contudo o principio funcional de todos similar. Os inversores so amplamente utilizados em aplicaes industriais, em controle de velocidade de motores sncronos e de induo, no-breaks, controle de cargas e transmisso de tenso DC.

A figura 08 apresenta o circuito de um inversor de frequncia utilizado no controle de velocidade de motores de induo, onde possvel visualizar a retificao trifsica no controlada CA/CC, um link DC para reduo de harmnicos e ripple e um inversor CA/CC utilizando IGBTs.

4. Concluso Embora a utilizao da eletrnica de potncia tenha proporcionado benefcios ao sistema eltrico com o aumento da eficincia e controle dos processos convencionais, ela trouxe alguns problemas como poluio na transmisso de energia, devido ao surgimento de harmnicos e rudos, fora os problemas j inerentes dos sistemas de potncia. Ao mesmo tempo, os sistemas de energia esto passando por mudanas tecnolgicas constantes, causadas pela eletrnica de potncia, aliada a avanos na microeletrnica, automao, computao e sistemas de informao, que apontam para novos dispositivos semicondutores e circuitos que atendam ao processamento de energia em todas as suas fases, aumentando a sua eficincia e qualidade. Um exemplo dessa evoluo a pesquisa de novos semicondutores, como o carbeto de silcio e diamante que apresentam alta mobilidade de seus portadores e alta condutividade tanto trmica como eltrica. Um MOSFET de potncia diamante poder operar com correntes na ordem 106A e baixa queda por conduo e temperatura na juno de at 600C. Alm disso, a eletrnica de potncia auxilia a reduzir o consumo de energia utilizada nos acionamentos industriais e sistemas de iluminao, responsveis por consumir 90% da energia gerada, reduzindo o desperdcio de energia e o impacto ambiental. Fora do mbito industrial, transportes urbanos e veculos eltricos fazem uso pesado de circuitos de potncia, assim como na gerao de eletricidade por meios alternativos, como clulas fotovoltaicas, energia elica e clulas de combustvel.

Referncias AHMED, Ashfaq. Eletrnica de Potncia. 2000. SKVARENINA, Timothy L. The Power Electronic: Handbook. 2002. BARBI, Ivo. Eletrnica de Potncia. 2006. RASHID, Muhammed. Eletrnica de Potncia: Circuitos, Dispositivos e Aplicaes. 2004