Tecnologa de transistores de microondas basados en Nitruro de Galio (GaN) para aplicaciones Radar

El siguiente artculo estudia las caractersticas de los principales materiales utilizados en la actualidad para la fabricacin de transistores de microondas como son Silicio (Si), Arseniuro de Galio (GaAs), Carburo de Silicio (SiC) y Nitruro de Galio (GaN) y describe como condicionan la operacin del transistor cuando se requieren potencias de salida altas, del orden de cientos y miles de vatios, habitualmente las necesarias en aplicaciones Radar. Se mostrar como los transistores de microondas fabricados con GaN son adecuados para aplicaciones de alta potencia debido a las superiores propiedades fsicas y qumicas de estos semiconductores. Si adems aadimos las modernas tcnicas de polarizacin de alta eficiencia, los transistores fabricados con la tecnologa de Nitruro de Galio se perfilan como los candidatos idneos para ser utilizados en los transmisores de sistemas Radar. La gran mayora de los transmisores Radar requieren dispositivos activos que puedan generar una potencia de salida de RF del orden de kilovatios e incluso de megavatios. Habitualmente se utilizan para estas aplicaciones dispositivos basados en tubos de ondas progresivas. Sin embargo, estos dispositivos son voluminosos, caros y pueden tener problemas de fiabilidad. Aunque los amplificadores basados en semiconductores tienen a priori ms eficiencia, han estado hasta ahora limitados por el voltaje que se poda aplicar al dispositivo debido al crtico campo de ruptura inherente a estos materiales, lo que hace que se requiera una corriente muy alta y tambin un mayor tamao. Trabajar con una corriente de operacin alta disminuye la eficiencia debido a las prdidas y al hecho de que los dispositivos de gran tamao presentan una alta capacitancia y muy baja impedancia limitando as la frecuencia de operacin y el ancho de banda [1]. La tecnologa de GaN es ahora capaz de ofrecer una solucin a este problema. Los amplificadores de estado slido estn ya reemplazando a los de tubos de ondas progresivas (TWTA, Traveling Wave Tube Amplifiers) en algunas aplicaciones de microondas de alta potencia. Sin embargo, las bajas tensiones de operacin hacen que el circuito asociado sea muy grande lo que implica un dispositivo ms complejo a la vez que reduce el yield de produccin y la fiabilidad. Las tecnologas de semiconductores de banda prohibida ancha (WBG, Wide Band Gap) como el GaN pueden alcanzar densidades de potencia cinco veces mayores que las de los transistores convencionales de GaAs tanto de efecto de campo como bipolares de heterounin. La ventaja final es la reduccin de la complejidad del circuito, mayor ganancia y eficiencia, y tambin una mayor fiabilidad. En particular, los sistemas Radar se beneficiarn del desarrollo de esta tecnologa.

El GaN es el futuro El desarrollo de semiconductores de banda prohibida ancha, tales como el GaN o aleaciones

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basadas en GaN, ofrece la posibilidad de fabricar dispositivos activos de RF, especialmente transistores de potencia HEMT (High Electron Mobility Transistor), con una potencia de salida significativamente mayor. Esta mejora en la potencia de salida de RF se debe a las especiales propiedades de este material, de entre otras destacan: alto campo de ruptura, elevado valor de saturacin de la EDV (velocidad de Drift de los electrones) y cuando se utilizan sustratos de SiC, mayor conductividad trmica. Los datos mostrados en la Tabla 1 [2] permiten comparar los materiales Si, GaAs, SiC y GaN. La mayor conductividad trmica del SiC y del GaN reduce el aumento de temperatura de la unin debido al autocalentamiento. El campo de ruptura de cinco a seis veces mayor del SiC y del GaN da ventaja a estos materiales frente al Si y el GaAs para dispositivos de potencia de RF [2]. El SiC es un material de banda prohibida ancha (3.2eV) pero tiene una movilidad de electrones baja, lo cual dificulta su uso en amplificadores de alta frecuencia. El SiC est tambin limitado porque las obleas de este material son caras, pequeas y de baja calidad.

Aunque la movilidad de los portadores es significativamente mejor en los dispositivos de GaAs, la alta velocidad de pico y de saturacin de la EDV de los HEMT de GaN compensa su relativa menor movilidad permitiendo su utilizacin a altas frecuencias. Estas ventajas del GaN sumadas a la alta linealidad y al bajo ruido de las arquitecturas HEMT abren las puertas a estos dispositivos para su utilizacin en la fabricacin de amplificadores Radar de alta potencia.

Una ventaja adicional de los HEMT de GaN radica en el gran offset de energa entre la banda de conduccin del GaN y la capa barrera de AlGaN. Esto permite un aumento significativo de la densidad de portadores en el canal en los HEMT basados en GaN con respecto a otros materiales (hasta 1013cm-2 y ms). Si sumamos la posibilidad de utilizar un mayor voltaje conseguimos un aumento en la densidad de potencia. La densidad de potencia es un parmetro muy importante para los dispositivos de alta potencia ya que cuanto mayor es menor es el tamao del dado y ms sencillas son adaptaciones de entrada y salida. En la Figura 1 se muestra el rpido progreso de la densidad de potencia de RF frente al tiempo para un FET (Field-Effect Transistor) de GaN en Banda X. Los altos voltajes de operacin y las altas densidades de potencia que se alcanzan con los dispositivos de RF de banda prohibida ancha ofrecen muchas ventajas en el diseo, fabricacin y montaje de amplificadores de potencia en comparacin con las tecnologas de LDMOS

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(Lateral Double-Difusse MOS) de Silicio o la de MESFET (Metal Epitaxial Semicon-ductor Field Effect Transistor) de GaAs. La tecnologa HEMT de GaN ofrece una alta potencia por ancho de canal unitario, lo cual se traduce en dispositivos ms econmicos y de menor tamao para la misma potencia de salida, esto no slo hace que sean ms fciles de fabricar sino que aumenta la impedancia de los dispositivos. El alto voltaje de operacin que se consigue con la tecnologa de GaN elimina la necesidad de convertidores de tensin y por consiguiente reduce tambin el coste final del sistema.

El camino est claro La Figura 2 [2] muestra una grfica de la potencia de salida frente a la frecuencia para los dispositivos de estado slido y tubos de microondas que constituyen el actual estado del arte.

Histricamente, lo amplificadores de tubo, tales como los controlados por rejillas, magnetrones, kystrones, tubos de onda progresiva y amplificadores de campos cruzados (CFA, Cross Field Amplifier) han sido usados como amplificadores de potencia en los transmisores Radar. Estos amplificadores generan alta potencia pero habitualmente trabajan con ciclos de trabajo (duty cicle) bajos. Los amplificadores de Klystron ofrecen mayor potencia que los magnetrones a frecuencias de microondas y tambin permiten el uso de formas de onda ms complejas. Los tubos de onda progresiva son similares a los klystrones pero con mayores anchos de banda. Los CFA se caracterizan por tener grandes anchos de banda, poca ganancia y ser compactos. Los amplificadores de potencia de estado slido (SSPA, Solid State Power Amplifier) soportan pulsos largos y formas de onda con altos ciclos de actividad. A pesar de que los elementos utilizados en los SSPA tienen individualmente poca amplificacin de potencia pueden combinarse para conseguirla. Los transistores bipolares de Silicio, los MESFET de Arseniuro de Galio y los PHEMT (Pseudomorphic HEMT) de Arseniuro de Galio son algunos de los elementos utilizados en los SSPA. Los HEMT de GaN pueden ser combinados para crear un SSPA con una potencia media de salida mayor y por consiguiente un mayor rango de deteccin del Radar. Como se puede ver en la Figura 2, los transistores de estado slido producen niveles de potencia de RF menores de 200 vatios en Banda S y su salida va decreciendo a medida que

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aumentamos la frecuencia [1]. La potencia de salida de RF de los FETs de GaAs se acerca a los 50 vatios en banda S y a aproximadamente a 1 vatio en banda Ka1. Los FETs de GaAs tienen una la potencia de salida limitada principalmente por la baja tensin de ruptura del drenador1. Los dispositivos semiconductores fabricados con materiales de mayor banda prohibida, tales como el GaN, ofrecen unas prestaciones significativamente mejores. Con el paso del tiempo han ido apareciendo diferentes figuras de mrito que permiten evaluar los distintos semiconductores con potencial para ser utilizados en aplicaciones que requieren alta potencia a altas frecuencias de trabajo. Mediante estas figuras de mrito se pretende aunar las propiedades ms relevantes de los materiales en un valor cualitativo. As la figura de mrito de Johnson (JFOM = ECR vsat/p) tiene en cuenta el campo de ruptura ECR y la saturacin de la EDV Vsat. Como puede verse en la Figura 3 [3], la figura de mrito de Johnson para el GaN es por lo menos 15 veces la del GaAs. Aethercomm cree que si la tendencia de crecimiento del GaN se mantiene al ritmo actual, el comportamiento previsto para los HEMT de GAN en el ao 2010 ser el representado en la Figura 4. El GaN pronto superar a todos sus competidores.

La eficiencia es la clave Los sistemas Radar ms modernos utilizados en aplicaciones militares demandan nuevos requerimientos para los amplificadores de potencia de RF debido a la necesidad de reducir el tamao, peso y coste. Los mayores cambios en las especificaciones se centran cada vez ms en mejorar la eficiencia del amplificador para reducir los requerimientos de potencia DC y mejorar la fiabilidad del sistema a travs de una menor disipacin de potencia del componente. Los dispositivos de microondas basados en tecnologas de banda prohibida ancha y alta eficiencia permitirn adems aumentar las prestaciones del sistema.

La capacitancia parsita y el alto voltaje de ruptura de los HEMT de GaN les hace ideales para funcionar en modos de amplificacin de alta eficiencia clase E y clase F. Ambos modos tienen una eficiencia terica del 100 %. Recientemente, algunos fabricantes de transistores de GaN han implementado amplificadores hbridos de clase E. Resultados tpicos obtenidos son 10 vatios de potencia de salida en banda L con eficiencias comprendidas entre el 80% y 90%. Aethercomm ha entregado recientemente un mdulo amplificador de clase F para Banda L. La potencia de salida deseada deba superar los 50 vatios con una eficiencia del 60% para todo el amplificador. Debido a los plazos tan ajustados del programa fue necesario utilizar transistores estndar encapsulados en lugar de desarrollar una solucin hbrida a medida.

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La etapa final del amplificador de potencia se implement utilizando un par balanceado de HEMT encapsulados de GaN trabajando en clase F. Las redes de adaptacin incluyendo las terminaciones armnicas necesarias para la operacin en clase F fueron diseadas considerando inicialmente un modelo ideal del transistor. A continuacin se introdujeron las inductancias y las capacitancias parsitas del encapsulado del transistor y se modificaron las redes de adaptacin para mantener las terminaciones armnicas requeridas a nivel del transistor en dado. Posteriormente se simul el amplificador utilizando un modelo no lineal del transistor y se modificaron las redes de adaptacin para optimizar eficiencia y potencia.

Se construy un prototipo en configuracin single-ended para la etapa de salida de clase F. Se obtuvo una eficiencia de drenador del 75%, una potencia de salida de 40 vatios y una ganancia de 16 dB con un ajuste mnimo. Los resultados fueron muy similares a los obtenidos en la simulacin. No haba disponibles dispositivos de GaN de baja potencia adecuados para la etapa de driver, se dise uno de tres etapas utilizando MESFET de GaAs que trabajaban en clase A. Inicialmente se crea que las etapas del driver deberan haber trabajado en un modo de alta eficiencia para as alcanzar la PAE (Power Added Efficiency) requerida; sin embargo, los anlisis indicaron que con un dimensionado adecuado de los transistores la operacin en clase A era permisible. El driver tuvo una ganancia de 40 dB y un consumo de potencia de 10 vatios. La configuracin final del amplificador de potencia tuvo una PAE de pico del 63% y una potencia de salida de 75 vatios. El amplificador tena una potencia de salida de 65 vatios y un 61% de PAE a P2dB. La Tabla 2 muestra las caractersticas del amplificador para distintos valores de potencia de salida. Debido a que la etapa final de clase F est polarizada en el umbral, sin corriente de drenador, el amplificador ofrece un amplio rango de funcionamiento para potencias bajas. La ganancia del amplificador alcanza un pico y despus comienza a comprimirse cuando se alcanza la mxima potencia de salida. La Tabla 2 muestra la eficiencia de este diseo para distintas potencias de salida. Aethercomm tambin ha desarrollado un dispositivo HEMT de GaN de 200 vatios sobre sustrato de SiC diseado para maximizar la PAE y mantener una alta potencia de salida para una frecuencia de operacin de 1215 MHz a 1390 MHz. Se observaron eficiencias mayores del 56% mientras se mantena niveles de potencia de salida en exceso de 205 vatios de P3dB. Muchos SSPA para aplicaciones Radar son diseados con dispositivos semiconductores de RF

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configurados para trabajar en clase C. Esta forma de polarizacin proporciona una operacin muy eficiente para una etapa de un nico transistor, sin embargo, el transistor de clase C tiene una ganancia tan baja, tpicamente 6 dB, que la ventaja ganada en la eficiencia se pierde al necesitarse muchas etapas adicionales de ganancia para alcanzar la potencia deseada de salida.

Conclusin

Los futuros sistemas Radar tales como los basados Radar de phase-array activo requerirn de forma creciente SSPA cada vez ms eficientes y pequeos. El deseo de lograr barridos extremadamente rpidos, rangos de deteccin mayores, la posibilidad de localizar y seguir un gran nmero de objetivos, una baja probabilidad de ser interceptado y la posibilidad de funcionar como un inhibidor requerirn una tecnologa de transistores innovadora y rentable. Recientes desarrollos en el campo de los HEMT de GaN han hecho posible disear amplificadores de una gran eficiencia a frecuencias de microondas. Los dispositivos HEMT de GaN proporcionan una alta corriente de pico con una baja capacitancia de salida as como un voltaje de ruptura y una densidad de potencia extremadamente alta. Esta combinacin nica de caractersticas permite a los diseadores conseguir amplificadores con unas prestaciones en conjunto muy superiores a las logradas con dispositivos basados en las tecnologas alternativas existentes en la actualidad.

Ms informacin o presupuesto

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Referencias

[1] R.J. Trew, Wide Bandgap Transistor Amplifiers for Improved Performance Microwave Power and Radar Applications, 15th. International Conference on Microwaves, Radar and Wireless Communications, 2004 MIKON 2004, Volume 1, 17-19 May 2004 Page(s):18 - 23 Vol.1. [2] C.E. Weitzel, RF Power Devices for Wireless Communications, IEEE MTT-s Digest, Volume 1, 2-7 June 2002 Page(s):285 288. [3] T. Kikkawa, K. Imanishi, M. Kanamura, and K. Joshin, Recent Progress of Highly Reliable GaN-HEMT for Mass Production, CS MANTECH Conference, April 24-27, 2006 Page(s):171-174.

Dpto. Tcnico de Altaix Electrnica, S.A.L.

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