INSTITUT SUPERIEUR D'ELECTRONIQUE DE PARIS

PARTIE QCM (1/3 de la note finale) 1. a. b. c. d. Que signifie le terme CMOS? Circuits Metal Oxyde silicium Circuits Mounted On Silicium Complementary Metal Oxyde Silicium Complementary Metal on Silicium

2. A quel dimension de gravure les technologies intgres se situent elles industriellement? a. 0.45 m b. 45nm c. 9m d. 0.9m 3. Une technologie dite CMOS 0.8m se rfre ? a. W=0.8m b. L=0.8m c. Na=0.8m d. Is=0.8m 4. Combien de rgimes de fonctionnement peut-on distinguer pour une diode semiconducteur? a. 0 b. 1 c. 2 d. 3 5. Soit une diode relle, traverse par un courant DC ID=1mA. Son modle quivalent AC est compos de : a. Vd00.7V seule en srie avec une rsistance rd25 b. Vd00.7V seule c. rd25 seule d. Vd00.7V seule en srie avec une rsistance rd25k 6. Quel pourcentage du signal dentre rcupre-t-on en sortie dun redresseur compos dune seule diode? a. 100% b. 50% c. moins de 50% d. plus de 100% 7. Quel est lordre de grandeur entre les courants IE et IC dun transistor bipolaire en fonctionnement normal? a. ICIE b. IC<<IE

c. IC>>IE d. IC=0 8. Quelle est lexpression du courant de collecteur dun transistor bipolaire NPN en fonctionnement normal? a. Ic=IE.exp(Vce/Vth) b. Ic=IS.exp(Vbe/Vth) c. Ic=IE.exp(Vbe/Vth) d. Ic=Is.exp(Vce/Vth) 9. a. b. c. d. La rsistance de sortie r0 dun transistor bipolaire dpend-t-elle de : la tension dEarly du paramtre de modulation de longueur du canal de la transconductance du courant de drain

10. Combien de terminaisons a un MOSFET? a. 1 b. 2 c. 3 d. 4 11. Quelle valeur a la tension de seuil VTp dun PMOS? a. >0 b. =0 c. <0 12. O est-ce que lon connecte en rgle gnrale le substrat B dun PMOS? a. V+ b. 0 c. Vd. VBIAS 13. Pour le NMOS suivant, dterminez son rgime de fonctionnement :
1,5V

0,25V W 75m 0V L = 5 m 0V a. Bloqu b. Lineaire c. Satur 14. De quel ordre de grandeur est la rsistance dentre Rin dun ampli mont en Source Commune: a. <100k b. >100k c. infini 15. De quel ordre de grandeur est la rsistance dentre Rin dun ampli mont en Emetteur

Commun si Ic=1mA a. <100k b. >100k c. infini 16. Soit un transistor MOS canal N avec une tension de seuil VT = 2 V et une polarisation VS = 0, VD = VG = 3 V, VB=0V. Dans ces conditions, on mesure un courant de drain ID = 1 mA. Rpondre aux questions 12, 13 et 14 en utilisant le modle simplifi dun MOS (sans effet de substrat et en ngligeant le paramtre de modulation ). Le point de fonctionnement est-il dans la zone : a. de conduction (non sature) b. coupe c. sature d. inverse 17. Pour le transistor question 16, que devient le courant ID si la polarisation est porteVD =5V? a. 1mA b. 2mA c. 3mA d. 4mA 18. VD est maintenant proche de 0. Le point de fonctionnement est-il dans la zone : a. de conduction (non sature) b. coupe c. sature d. inverse 19. La rsistance du canal Ron sexprime alors: a. L / [W.nCox.(Vgs-Vt)] b. Vth/ID c. VA/ID d. 1/(.ID) 20. La transconductance gm dun transistor MOS est obtenue par une drive du courant iD en fonction de : a. la tension vDS b. la tension vGS c. la tension vBS d. la tension vGD 21. Concevoir un circuit base damplificateurs oprationnels (idaux) avec un gain de -2, en utilisant un AOP et 3 rsistances de 100k. Combien y a-t-il de solutions possibles ? a. 0 b. 1 c. 2 d. 3

22. Pour un ampli de transconductance, la rsistance de sortie doit tre : a. Faible b. Eleve c. nulle 23. Pour un buffer de tension, la rsistance de sortie doit tre : a. Faible b. Eleve c. nulle 24. Pour un buffer de courant, la rsistance de sortie doit tre : a. Faible b. Eleve c. Infinie 25. Pourquoi prefer ton utiliser une source de courant a une resistance comme charge dun ampli: a. La resistance doit etre externe au CI b. La source de courant consomme moins c. La source de courant donne un gain superieur 26. Commen est polarise une diode electro-luminiscente dans les applications dillumination a. En inverse b. En directe c. En claquage 27. Comment est polarize une photodiode a. En inverse b. En directe c. En claquage 28. Comment on doit connecter la base dun phototransistor a. A lalim b. A la masse c. En circuit ouvert