CARACTERIZACIN DE AMPLIFICADORES DE PEQUEA SEAL

Introduccin
Un amplificador se puede caracterizar mediante cuatro circuitos equivalentes, ilustrados en la figura 1.

Figura 1. Cuatro circuitos equivalentes para amplificador.

Para cada circuito equivalente la ganancia tiene las siguientes unidades: [ A v ]= V/V , [ Ai ]= A/A
0

[ G m ]= A/V = 1 , [ Ar ]= V/A = Para modelar un amplificador se requerir conocer las impedancias de entrada, salida y su ganancia, sea sta de voltaje, corriente, de transconductancia o transresistencia. Las impedancias de entrada y salida se determinan cortocircuitando la salida y entrada respectivamente como se muestra en la figura 2.

Figura 2. Circuitos equivalentes para determinar las impedancias de entrada y salida en el amplificador.

Adrin Montoya Lince, Universidad de Antioquia, Departamento de Ingeniera Electrnica y Telecomunicaciones

Cada topologa circuital es equivalente a la otra, es decir, un amplificador se puede expresar en las cuatro formas presentadas indistintamente. La equivalencia entre los cuatro tipos de ganancias se obtiene al transformar la fuente de voltaje a su equivalente thevenin de corriente. De esta manera se obtienen las relaciones: G m Ro = Av , Ai R o= Ar El signo negativo se debe a que la corriente en la salida se define entrando en la terminal de salida. v o Ro i o Por otro lado, tenemos que: v i = Ri i i , v o= Ro i o => Av = = v i Ri i i Por tanto: R A Av = o A i y Av = r Ri Ri El amplificador ideal de voltaje deber tener una resistencia de entrada muy alta Ri y una resistencia de salida muy pequea Ro 0 . De esta manera, al cargar el amplificador en la entrada y salida con una resistencia de la fuente de seal R sig y una carga R L respectivamente, la ganancia total de voltaje se aproxime a la ganancia intrnseca del amplificador. Esto es: Ri RL Av = Av Av R i+ R sig RL + Ro
0 0 0 0 0 0

Figura 3. Amplificador de Voltaje con carga en la entrada y salida.

Observe que los divisores de voltajes en la entrada y salida se acercan a uno bajo las condiciones expuestas arriba. Esto significa que su ganancia se vuelve independiente de los elementos externos conectados en los puertos de entrada/salida del amplificador.

Adrin Montoya Lince, Universidad de Antioquia, Departamento de Ingeniera Electrnica y Telecomunicaciones

Impedancias equivalentes en el transistor

Antes de caracterizar los amplificadores es til obtener las resistencias equivalentes vistas desde cada terminal del transistor, ya que nos facilitar enormemente los clculos posteriores. Para este fin, consideremos el circuito de la figura 4.

Figura 4. Resistencias equivalentes desde cada terminal del transistor BJT y MOS/FET.

Las resistencias vistas desde la base, colector y emisor se denotan como: Rbb, Rcc y Ree respectivamente. Para determinar dichas resistencias, es necesario usar el circuito equivalente AC de pequea seal del transistor (modelo de transconductancia). Ver figura 5.

Figura 5. Circuito equivalente AC

Realizando un equivalente Thevenin en la base, se obtiene el circuito de la figura 6.

Figura 6. Circuito equivalente Thevenin en la base.

Aplicando ley de Kirchoff para voltaje (LKV) se obtiene: v x + r i b+ R E (+ 1) i b= 0 => v x =[ r + (+ 1) R E ] i b y ya que ib=ix nos queda: v R bb = x = r 1 R E ix
Adrin Montoya Lince, Universidad de Antioquia, Departamento de Ingeniera Electrnica y Telecomunicaciones

Realizando un equivalente Thevenin en el colector obtenemos el circuito de la figura 7.

Figura 7. Circuito equivalente Thevenin en el colector.

Aplicando LKV se obtiene: v x + ro i r + R E( r + R B ) i x = 0 De donde: Tambin tenemos que:

o o

v x = r o i r + R E( r + R B ) i x = 0 (1) i x = g m v + i r (2) Haciendo un divisor de corriente en el nodo e: RE i b= (i x ) R E + R B + r De donde: r R E v = i (3). RE + r + RB x Reemplazando (2) y (3) en (1): r R E v x = R E( r + R B ) i x + r o i x + g m i R E + R B + r x De donde podemos escribir: v RE Rcc= x =r o+ [ R + ( 1+ g m r o ) r ] ix R E+ r + R B B Con un poco de lgebra la expresin se puede escribir como: g r Rcc= r o + [ R E( r + R B )] 1 + m o R 1+ B r
o

Si denotamos a 0 = g m r o como la ganancia intrnseca del transistor nos queda:

Rcc = r o + [ R E( r + R B )] 1 +

a 0
1+ RB r

=r o+

RE( r + R B ) [ R B+ ( 1+ a 0) r ] r+ R B

Adrin Montoya Lince, Universidad de Antioquia, Departamento de Ingeniera Electrnica y Telecomunicaciones

Realizando un equivalente Thevenin en el emisor, se obtiene el circuito de la figura 8.

Figura 8. Circuito equivalente Thevenin en el emisor.

Aplicando Ley de Kirchoff para corriente (LKC) en el nodo e, se obtiene: v + i + g v + i =0 r x m r De donde: v i x = +i 1 / g mr r Denotando: 1 r r ee = r = con = gm + 1 g m + 1 Nos queda: v i r = i x + (1) r ee De LKV en la malla base-emisor: + R B i b+ v + v x = 0 Ya que i e =(+ 1 ) i b e i e =i x entonces nos queda: RB v = i v (2) + 1 x x De LKC en el colector: v x ro i r (i r + g m v ) RC =0 de donde: v x + ( r o+ RC ) i r + g m RC v = 0 (3) Reemplazando (1) y (2) en (3): v v x ( r o+ RC ) i x + + g m RC v = 0 r ee
o o o o o o

v x ( r o+ RC ) i x + g m RC

De donde:

1+

r o+ R C g R R ( r + RC ) R B g m RC v x + m C B o ( r o+ RC ) i x = 0 ree + 1 r ee + 1 r o+ R C + R B r o+ R C g m RC + 1 r ee

) [ (

r o + RC ree

)(

RB i v =0 + 1 x x

vx Ree = = ix

r + RC 1+ o g m RC ree

1+ =

R B 1 g m RCr o + 1 r ee ro

1 1 g m RCr o + r o+ RC r ee ro

(4)

Adrin Montoya Lince, Universidad de Antioquia, Departamento de Ingeniera Electrnica y Telecomunicaciones

Si denotamos

A0= g m RCr o , podemos escribir: R 1 A0 1+ B + + 1 r ee r o ro Ree = r ee( r o + RC ) A0 1 1 A0 + + r o + RC r ee r o

( )]

1+

R B /(+ 1 ) r ee

( )
ro A0

Finalmente, las resistencias equivalentes vistas desde la base, colector y emisor respectivamente nos quedan: R bb=r + (+ 1 ) R E R ( r + R B ) a0 R cc =r o+ [ R E( r + R B)] 1+ = r o+ E [ R B + (1 + a 0) r ] RB r+ R B 1+ r R 1 A0 1+ B + Ec (A). + 1 r ee r o ro R B /(+ 1 ) R ee = r ee( r o+ RC ) 1+ A0 1 1 A0 ro + + r ee r o+ RC r ee r o A0

( )]

Con: r ee =r

r 1 1 = , A0= g m ( RCr o) , a0 =g m r o g m + 1 g m

( )

Podemos observar que de estas ecuaciones, haciendo RB,RC,RE=0 se obtienen las impedancias intrnsecas vistas desde cada terminal del transistor: r 1 Rbb = r , Rcc = r o , R ee = r eer o + 1 g m Si tomamos r o= V A / I CQ , vlido en la mayora de los casos (implica voltaje Early alto o corriente de polarizacin pequea), las ecuaciones (A) nos quedan: Rbb= r + (+ 1) R E , Rcc , Ree = r RB R B+ r 1 + = g m + 1 + 1

Con esto, podemos interpretar que: - La resistencia vista desde el emisor de un transistor, es igual a su resistencia total equivalente en la base dividida por el factor (+1). - La resistencia vista desde el colector es muy grande y tiende a infinito si la resistencia de salida del transistor es alta. - La resistencia vista desde la base, es igual a la resistencia de entrada del transistor r en serie con la resistencia total equivalente en el emisor amplificada en el factor (+1). Podemos afirmar entonces que: si se observa desde la base del transistor, la resistencia en el emisor se amplifica, mientras que si se observa desde el emisor, la resistencia en la base se reduce; ambas en el factor (+1).

Adrin Montoya Lince, Universidad de Antioquia, Departamento de Ingeniera Electrnica y Telecomunicaciones

En el caso del transistor de tecnologa, MOS/FET, los resultados se pueden derivar de las ecuaciones (A) con RG, RD, RS , haciendo r (equivalente a ig=0) y . Hay que tener en cuenta que la existencia de RS hace que la fuente del transistor no est conectada a tierra de seal con el sustrato del transistor. Esto implica la aparicin de un voltaje vsb que modula una fuente de corriente gmbvsb , y sta se suma a la fuente de transconductancia del transistor gmvgs, produciendo una transconductancia total: g m =( 1+ ) g m . Donde = g m / g mb . A esto se le denomina efecto cuerpo. La figura 4 ilustra el circuito equivalente para la determinacin de las impedancias Rdd, Rgg y Rss.
T

As las cosas, usando las ecuaciones (A) , se tiene: R gg R dd =r o+ RS ( 1 + ( a 0))= r o + RS + g m r o R S =r o+ R S ( 1+ g m r o ) r o (1 + g m R S )

T T T

Para determinar la resistencia Rss, usamos el circuito de la figura 8 con r . Ya que ig=0, entonces vgs= -vs y como vx=vs => vx=-vgs. Aplicando LKC en el nodo e, se obtiene: i r = g m v x i x . Y de LKV en la malla de salida: v x ( r o i r )( g m v x + i r ) RD =0 , de donde: ( g m R D 1) v x =( r o+ R D ) i r .
o T 0 T 0 T 0

ro + R D RD RD 1 1 =r o + + 1+ gm r o g m 1+ g m r o g m 1+ a0 La cual tambin se puede obtener a partir de la ecuacin (4) con , ree= 1/gmT y RC=RD. Con esto nos queda: R ss =
T T T T

Entonces para el transisstor MOS/FET las resistencias equivalentes nos quedan: R gg R dd =r o+ RS ( 1 + g m r o )r o ( 1+ g m RS ) r + RD RD RD 1 1 R ss = o = r o + + 1+ g m r o g m 1 + g m r o g m 1+ a 0

T T T T T T

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AMPLIFICADOR EMISOR COMN GENERALIZADO (EC)

El amplificador EC se caracteriza como un amplificador de trans-conductancia como el ilustrado en la figura 1. Es de notar que slo cuando RE=0, el emisor est propiamente en tierra de seal (Emisor Comn), mientras que para el caso general, cuando RE 0 lo denominaremos Amplificador Emisor Comn Generalizado. El circuito equivalente para el amplificador EC Generalizado (con RE 0) se ilustra en la figura 9.

Figura 9. Circuito equivalente del amplificador EC Generalizado.

Del circuito podemos ver que la resistencia de entrada del amplificador est dada por la Rbb calculada previamente cortocircuitando la salida (es decir RC=0) en paralelo con RB, entonces se obtiene: Ri = R B Rbb = R Br + (+ 1 ) R E
Con: ( R C= 0 )

La resistencia de salida es RC en paralelo con Rcc para RB=0: Ro = RC R cc = R C[ r o + ( 1 + a 0)( R Er )] RC para a 0 1 , r o La trans-conductancia del amplificador se calcula haciendo LKV en la malla base-emisor: ic vi = r i b+ (+ 1) R E i b=[ r + (+ 1) R E ] De donde io 1 1 G m= = = v i r + (1+ 1 /) R E 1 + 1+ 1 R E gm gm Ya que >>1 se puede aproximar como: G m g m R E+ 1
Con: ( R B =0 )

La ganancia intrnseca de voltaje se determina a partir de la trans-conductancia, mediante la ecuacin: g m Av =G m Ro= [ R [ r + ( R Er )(1+ a 0)]] ( 1 + 1 /) g m R E+ 1 C o El signo es negativo debido a la direccin de corriente entrando en el colector. Esto implica que el voltaje en el nodo de salida est en contrafase(180 grados) con respecto a la seal de entrada vi.
0

Cuando la ganancia intrnseca a0 del transistor es grande ( con ro y grandes ) y RC < ro entonces podemos aproximar la ganancia intrnseca del amplificador como:

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RC RC RC ie = = 1 . + 1 R + + 1 r RE + r ee con = = R E+ i c + 1 E (+ 1) g m + 1 La expresin obtenida para la ganancia de voltaje nos indica que la ganancia del Amplificador EC Generalizado es aproximadamente el cociente entre la resistencia en el colector RC y la resistencia total equivalente el emisor con su base a tierra . Av
0

La ganancia en corriente est dada por: Ai =G m Ri = Si tomamos: R B[ r + (+ 1 ) R E ] RB = R B + r r + (+ 1) R E + RE (+ 1) R B + r + 1

r o => Ree =

Y podemos escribir: Ai

R B R E + Ree La expresin obtenida para la ganancia de corriente nos indica que la ganancia del Amplificador EC Generalizado es aproximadamente el cociente entre la resistencia en su base y la resistencia total equivalente de emisor a base. Si RE=0 (el emisor va a tierra de seal) entonces, los parmetros del amplificador EC nos quedan: R i= R Br r , R o= RCr o RC , G m= g m Av EC =G m Ro= g m ( RCr o) g m RC AiEC =Gm Ri =g m ( R Br )= r 1+ RB Para r o y r < R B Se concluye que el Amplificador EC tiene una resistencia de entrada alta igual a la resistencia de entrada del transistor y una resistencia de salida igual a la resistencia puesta en el colector, cuyo valor determina la ganancia de voltaje (deber ser alta). La trans-conductancia del amplificador es igual a la del transistor y su ganancia en corriente es inferior a la ganancia en corriente del transistor.
0

Si comparamos los parmetros del Amplificador EC Generalizado con el Amplificador EC, vemos que la introduccin de la resistencia RE , tiene como efecto una disminucin de las ganancias y un aumento de las resistencias de entrada y salida en el Amplificador EC Generalizado. Sin embargo, un anlisis posterior del ancho de banda mostrar que la introduccin de RE aumenta el ancho de banda del amplificador compensando as la prdida de ganancia en un contexto prctico.

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AMPLIFICADOR BASE COMN (BC)

El circuito equivalente para el amplificador BC se ilustra en la figura 10.

Figura 10. Circuito equivalente del amplificador BC.

Del circuito podemos ver que la resistencia de entrada del amplificador est dada por la Ree calculada previamente cortocircuitando la salida (es decir RC=0 y RB=0 ) en paralelo con RE, entonces se obtiene: r 1 Ri = R ee R Er eer o R E R E + 1 gm R =0
Con:

De la misma forma que en el EC, la resistencia de salida est dada por: Ro = RC[ r o+ ( 1+ a0)( REr )] RC para a 0 1 , r o Para encontrar la ganancia intrnseca de voltaje, usamos el circuito equivalente presentado en la figura 11.

( R = 0)
B C

( )

Figura 11. Circuito equivalente para obtener la ganancia de voltaje del amplificador BC.

Del circuito se tiene que: v i =v , i r =

0

v o v i . Haciendo LKC en el colector: ro vo = gm v+ i r RC

o

De estas ecuaciones obtenemos: 1 v o v i v o vo ro 1 1 1 1 = + g m v => + v o= g m+ v i => Av = = =( r o RC ) g m + ro RC r o RC ro vi 1 1 ro + r o RC 1 La cual se puede escribir como: Av = g m ( RCr o ) 1+ ao Se observa que la ganancia obtenida es positiva y levemente superior a la ganancia de un EC.

) (

g m+

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La ganancia de corriente nos queda Ri R Er eer o 1 Ai = Av = ( roRC ) g m + Ro RC[ r o+ (1+ a 0)( REr )] ro Si tomamos r o nos da: r R E + 1 RE y Av g m RC Ai g m ( R Eree )= = r R E + ree Ya que normalmente RE >>ree, entonces: Ai 1. Por esta razn el amplificador base comn se comporta como un seguidor de corriente.
0

( )

Podemos concluir que el amplificador BC tiene una ganancia de corriente cercana a la unidad (siendo menor) y una alta ganancia de voltaje, sin desfase de seal, que depende de la resistencia de colector. La resistencia de salida es alta (la misma resistencia de salida del EC), mientras que la resistencia de entrada es pequea y aproximadamente igual al inverso de la transconductancia del transistor. Esta caracterstica en las resistencias de entrada y salida lo hacen inadecuado como amplificador de voltaje, ya que los divisores de seal en la entrada y salida respectivamente, sern menores que uno y su ganancia se ver degradada por accin de los elementos de carga externos.

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AMPLIFICADOR COLECTOR COMN (CC)

El circuito equivalente para el amplificador CC se ilustra en la figura 12.

Figura 12. Circuito equivalente del amplificador CC.

La resistencia de entrada es igual a la calculada previamente en el EC pero adicionalmente RE=0 (ya que se cortocircuita la salida): Ri = R Br En la salida tenemos la resistencia de entrada calculada para el BC: r 1 Ro = R Er eero R E R E + 1 gm Para encontrar la ganancia intrnseca de voltaje, usamos el circuito equivalente presentado en la figura 13.

( )

Figura 13. Circuito equivalente para obtener la ganancia de voltaje del amplificador CC.

En el circuito se tiene que: vo ro Y el voltaje de salida: v o = R E i e , ya que i e = i c=/(+ 1) i c Combinando las ecuaciones, obtenemos: vo vo 1 1 i c= g m ( v i v o ) => = g m v i g m + v => + g m + v =g mvi ro RE ro o RE ro o De donde vo 1 1 Av = = vi 1 r 1 1+ + 1+ + ee gm ro gm RE ao R E Ya que tpicamente RE>>ree y |a0|>>1 entonces: Av 1 , por lo que el amplificador EC se comporta
v = v i v o , ic = g m v

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como un seguidor de voltaje. Es ms conveniente entonces, caracterizar el CC en trminos de un amplificador de corriente. Del circuito de la figura 11 con la salida en corto circuito y haciendo un divisor de corriente en la base, se RB i y ya que i o= i e =(+ 1) i b nos queda: obtiene: i b= R B + r i RB i (+ 1 ) R B i o=(+ 1 ) i i => Ai = o = R B+ r ii R B+ r R +r Ya que Ree = B para ro muy grande, entonces podemos interpretar la ganancia de corriente + 1 del CC como el cociente entre la resistencia de base y la total equivalente vista desde el emisor del RB transistor, esto es: Ai = Ree Por otro lado, usando la ecuacin que relaciona la ganancia de corriente y voltaje, podemos expresar la ganancia en voltaje como: R R r r (+ 1) R B ( R r r ) R r r Av = o Ai = E ee o =(+ 1 ) E ee o = E ee o Ri R Br R B+ r r r ee
0

Con los datos obtenidos, podemos concluir que la ganancia de voltaje del amplificador CC es cercana a la unidad (siendo menor) mientras su ganancia en corriente es elevada y depende de las resistencias en la base del transistor. La resistencia de entrada es alta e igual a la del EC y su resistencia de salida es pequea e igual a la del BC. Desde este punto de vista el amplificador CC tiene las resistencias de entrada y salida ideales para un amplificador de voltaje, pero no puede ser usado para tal fin, pues su ganancia en voltaje es, a lo sumo, unitaria.

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Finalmente, tenemos la caracterizacin de los amplificadores EC,BC y CC resumida en la tabla 1. Parmetro Resistencia de entrada (R i ) Resistencia de salida (Ro) Emisor Comn Generalizado (EC) R B Rbb = R Br + (+ 1 ) R E
Con: ( RC =0 )

Base Comn (BC) R E

ee Con: ( R B =0, RC =0)

Colector Comn (CC) R B Rbb = R Br

Con: ( RE = 0 )

= R Er eer o 1 R E gm

R C R cc

= R C[ r o 1a o R Er ] R C gm ( 1 + 1 /) g m R E + 1 Si r o : R C RB Av , A i R E + r ee R E + Ree G m=
0

Con: R B = 0

R C R cc

= R C[ r o 1a o R Er ] R C 1 Av = g m ( RCr o) 1 + a o RE Si r o : Ai = 1 RE + r ee
0

Con: R B = 0

ee Con: ( RB = 0, RC =0)

= REr eer o R E 1 gm

Ganancias

Ai =

(+ 1 ) RB R B+ r

Con: ro

RB Ree

R r r Av = E o ee 1 r ee
0

Tabla 1. Resumen de caractersticas de Amplificadores Mono-etapa Discretos.

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