CIRCUITOS DE AYUDA A LA CONMUTACIN DE DIODOS Y TIRISTORES Los circuitos de ayuda a la conmutacin, tambin conocidos como Snubber, tienen la funcin

de absorber la energa procedente de los elementos reactivos del circuito durante el proceso de conmutacin controlando parmetros tales como la evolucin de la tensin o corriente en el interruptor, o bien limitando los valores mximos de tensin que ha de soportar. Se incrementa de esta forma la fiabilidad de los semiconductores al reducirse la degradacin que sufren debido a los aumentos de potencia disipada y de la temperatura de la unin. Circuitos de ayuda a la conmutacin de diodos Los circuitos de ayuda a la conmutacin de diodos, o snubbers, son esenciales para los diodos usados en circuitos de conmutacin. Estos pueden proteger a un diodo de sobretensiones, las cuales pueden ocurrir durante el proceso de recuperacin inversa. Un circuito snubber comn para un diodo de potencia consiste de una capacitancia y una resistencia conectadas en paralelo con el diodo.

Figura.1 a) Circuito de un convertidor reductor con inductancia parasita y red de ayuda a la conmutacin para el diodo de libre circulacin. b) Corriente de recuperacin inversa del diodo. Cuando la corriente de recuperacin inversa disminuye, la capacitancia mantendr su voltaje por un tiempo, el cual es aproximadamente el mismo del diodo. La resistencia por otra parte, disipar parte de la energa almacenada en la inductancia parsita L. El cambio de voltaje se puede calcular de la siguiente manera

donde Vs es el voltaje aplicado al diodo. El cambio de voltaje dv/dt usualmente es dado por el fabricante. Al conocer el cambio de voltaje y Rs, uno puede

escoger el valor de la capacitancia Cs. La resistencia Rs se puede calcular por medio de la corriente de recuperacin inversa del diodo:

El cambio de voltaje dv/dt diseado siempre debe ser igual o menor al cambio de voltaje encontrado en la hoja de datos del fabricante. 3 Circuitos de ayuda a la conmutacin de tiristores Las corrientes de recuperacin inversas generadoras en los tiristores cuando estn en polarizacin inversa pueden generar sobretensiones de magnitud inaceptable debido a la inductancia de serie si no se usan redes de ayuda a la conmutacin. En la Figura.2a observamos un convertidor trifsico de tiristores de frecuencia de lnea, el cual puede funcionar como red de ayuda a la conmutacin como en el caso del convertidor reductor para el diodo. Las inductancias del lado de C.A. se deben a las reactancias de lnea ms cualquier inductancia de dispersin del transformador. El lado C.D. se representa por una fuente de corriente donde se supone que id fluye en forma continua. Se supone que los tiristores 1 y 2 conducen y que el 3 est conectado con un ngulo de retraso como se muestra en la Figura.2b. La corriente i d se conmutara desde el tiristor 1 (conectado a la fase a) al tiristor 3 (conectado a la fase b). El voltaje Vba es responsable de la conmutacin de la corriente. El sub circuito que consiste en 1 y 3 se muestra en la Figura.2b con 3 encendido y 1 apagado, as como en su recuperacin inversa en t 1, con i = Irr. Se supone que la fuente de tensin en el circuito de la Figura.2b es una constante de voltaje con un valor Vba en t 1, debido a la variacin lenta de voltajes de 60 Hz en comparacin con los transitorios rpidos de tensin y corrientes en este circuito.

Figura.2 Circuito de ayuda a la conmutacin de apagado de tiristores en el circuito de un convertidor trifsico de frecuencia de lnea: a) Convertidor trifsico de frecuencia de lnea. b) Circuito equivalente. c) Tiempos de disparo. Para analizar el diseo de la red, se usa una impedancia del peor caso 5% y tenemos la siguiente ecuacin

Donde Vll es el voltaje RMS de lnea a lnea e Id es la corriente de la carga. Para un diseo del peor caso, la fuente de voltaje de la Figura.2b tiene un valor mximo de 2Vll, que corresponde a = 90. Aqu suponemos que el tiempo de recuperacin inversa en 10s. De este modo, durante la conmutacin de corriente, si suponemos que el valor de conmutacin tiene un valor constante de 2V ll, el di/dt a travs del tiristor 1 es

Y por lo tanto

Para calcular el valor Cs tenemos

Sustituyendo la ecuacin (1) y (3) en (4) para 60 Hz

Para calcular el valor Rs tenemos

Para el peor de los casos con una = 90 tenemos que las perdidas total de energas en cada circuito sera

Se sigue un procedimiento similar con cualquier valor de trr y de inductancia de lnea C.A.

Unin PN Se denomina unin PN a la estructura fundamental de los componentes electrnicos comnmente denominados semiconductores, principalmente diodos y transistores BJT. Est formada por la unin metalrgica de dos cristales, generalmente de Silicio (Si), aunque tambin se fabrican de Germanio (Ge), de naturalezas P y N segn su composicin a nivel atmico. Estos tipos de cristal se obtienen al dopar cristales de metal puro intencionadamente con impurezas, normalmente con algn otro metal o compuesto qumico.

Malla cristalina del Silicio puro. Los cristales de Silicio estn formados a nivel atmico por una malla cristalina basada en enlaces covalentes que se producen gracias a los 4 electrones de valencia del tomo de Silicio. Junto con esto existe otro concepto que cabe mencionar: el de hueco. Los huecos, como su nombre indica, son el lugar que deja un electrn cuando deja la capa de valencia y se convierte en un electrn libre. Esto es lo que se conoce como pares electrn - hueco y su generacin se debe a la temperatura (como una aplicacin, al caso, de las leyes de la termodinmica) o a la luz (efecto fotoelctrico). En un semiconductor puro (intrnseco) se cumple que, a temperatura constante, el nmero de huecos es igual al de electrones libres. Silicio "extrnseco" tipo "P" Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, sustituyndole algunos de los tomos de un semiconductor intrnseco por tomos con menos electrones de valencia que el semiconductor anfitrin, normalmente trivalente, es decir con 3 electrones en la capa de valencia (normalmente boro), al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso positivos, huecos). Cuando el material dopante es aadido, ste libera los electrones ms dbilmente vinculados de los tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin conocido como impurezas aceptores. El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio, una impureza trivalente deja un enlace covalente incompleto, haciendo que, por difusin, uno de los tomos vecinos le ceda un electrn completando as sus cuatro enlaces. As los dopantes crean los "huecos". Cada hueco est asociado con un ion cercano cargado negativamente, por lo que el semiconductor se mantiene elctricamente neutro en general. No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado por la red, un protn del tomo situado en la posicin del hueco se ve "expuesto" y en breve se ve equilibrado por un electrn. Por esta razn un hueco se comporta como una cierta carga positiva. Cuando un nmero suficiente de aceptores son aadidos, los huecos superan ampliamente la excitacin trmica de los electrones. As, los huecos son los portadores mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores minoritarios en los materiales tipo P. Los

diamantes azules (tipo IIb), que contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se produce de manera natural. Silicio "extrnseco" tipo "N" Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo un cierto tipo de elemento, normalmente pentavalente, es decir con 5 electrones en la capa de valencia, al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso, negativos, electrones libres). Cuando el material dopante es aadido, ste aporta sus electrones ms dbilmente vinculados a los tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambin conocido como impurezas donantes ya que cede uno de sus electrones al semiconductor. El propsito del dopaje tipo N es el de producir abundancia de electrones libres en el material. Para ayudar a entender cmo se produce el dopaje tipo N considrese el caso del silicio (Si). Los tomos del silicio tienen una valencia atmica de cuatro, por lo que se forma un enlace covalente con cada uno de los tomos de silicio adyacentes. Si un tomo con cinco electrones de valencia, tales como los del grupo VA de la tabla peridica (ej. fsforo (P), arsnico (As) o antimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr cuatro enlaces covalentes y un electrn no enlazado. Este electrn extra da como resultado la formacin de electrones libres, el nmero de electrones en el material supera ampliamente el nmero de huecos, en ese caso los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. A causa de que los tomos con cinco electrones de valencia tienen un electrn extra que "dar", son llamados tomos donantes. Ntese que cada electrn libre en el semiconductor nunca est lejos de un ion dopante positivo inmvil, y el material dopado tipo N generalmente tiene una carga elctrica neta final de cero. Formacin de la zona de la barrera interna de potencial. Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusin de electrones del cristal n al p (Je). Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la unin, zona que recibe diferentes denominaciones como barrera interna de potencial, zona de carga espacial, de agotamiento o empobrecimiento, de deflexin, de vaciado, etc. A medida que progresa el proceso de difusin, la zona de carga espacial va incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la unin. Sin embargo, la acumulacin de iones positivos en la zona n y de iones negativos en la zona p, crea un campo elctrico (E) que actuar sobre los electrones libres de la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento, que se opondr a la corriente de electrones y terminar detenindolos. Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensin entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (V0) es de 0,7 V en el caso del silicio y 0,3 V si los cristales son de germanio.

La anchura de la zona de carga espacial una vez alcanzado el equilibrio, suele ser del orden de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales est mucho ms dopado que el otro, la zona de carga espacial es mucho mayor. Polarizacin directa de la unin P - N

Polarizacin directa del diodo p-n. En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs de la unin; es decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad. Se produce cuando se conecta el polo positivo de la pila a la parte P de la unin P - N y la negativa a la N. En estas condiciones podemos observar que: El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos electrones se dirigen hacia la unin p-n. El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n. Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la energa suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la unin p-n. Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p convirtindose en electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es atrado por el polo positivo de la batera y se desplaza de tomo en tomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batera. De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones de valencia de la zona p, aparece a travs del diodo una corriente elctrica constante hasta el final. Polarizacin inversa de la unin P - N Polarizacin inversa del diodo PN. En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensin en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensin de la batera, tal y como se explica a continuacin: El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la batera. A medida que los electrones libres abandonan la zona n, los tomos pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de su electrn en el orbital de conduccin, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de valencia, ver semiconductor y tomo) y una carga elctrica neta de +1, con lo que se convierten en iones positivos. El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes de la zona p. Recordemos que estos tomos slo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una vez que han formado los enlaces covalentes con los tomos de silicio,

tienen solamente 7 electrones de valencia, siendo el electrn que falta el denominado hueco. El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la batera entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los tomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una carga elctrica neta de -1, convirtindose as en iones negativos. Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el mismo potencial elctrico que la batera. En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto de la temperatura se formarn pares electrn-hueco (ver semiconductor) a ambos lados de la unin produciendo una pequea corriente (del orden de 1 A) denominada corriente inversa de saturacin. Adems, existe tambin una denominada corriente superficial de fugas la cual, como su propio nombre indica, conduce una pequea corriente por la superficie del diodo; ya que en la superficie, los tomos de silicio no estn rodeados de suficientes tomos para realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que los tomos de la superficie del diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en su orbital de valencia con lo que los electrones circulan sin dificultad a travs de ellos. No obstante, al igual que la corriente inversa de saturacin, la corriente superficial de fugas es despreciable.