Ciencia de Los Materiales Parte 1

CIENCIA DE LOS MATERIALES I
Tema 1: Concepto de Ciencia de los Materiales.

Trata de relacionar la estructura y las propiedades. 1.1.-Estructura: disposicin interna de los componentes del material. Estructura: Atmica CristalinaCristalesGranular Microestructura Macroestructura 1.2.-Propiedades: respuesta del material a un estmulo exterior que est soportando. Como el estmulo puede ser de muy diferentes naturalezas, en consecuencia las propiedades tambin lo podrn ser: Mecnicas (Resistencia, Dureza, Tenacidad) Elctricas (conductividad) Magnticas Trmicas pticas Qumicas (reactividad qumica del material en funcin del medio en el que opere)
Las propiedades pueden ser modificadas. En cambio, en ellas llevar un cambio en la estructura y viceversa. Hay diferentes posibilidades de modificar la estructura del material (trmicamente, mecnicamente, Termodinmicamente, etc.) sin cambiar la composicin qumica del material. Para un uso determinado no se puede pretender que el material tenga todas las dems propiedades. Siempre hay que adoptar una solucin de compromiso. El material una vez en uso est sometido a unas modificaciones que imponen las condiciones de trabajo o del medio. Hay unas propiedades de carcter tecnolgico que hay que tener en cuenta, puede ser que para algunos usos no podamos emplear determinados materiales. Otros condicionantes que influyen en la eleccin de un determinado material es el factor econmico. A la hora de elegir un material habr que sopesar globalmente todas estas consideraciones.
1.3.-Tipos de Materiales: Metlicos: los componentes de estos materiales son alguno o algunos de los elementos de la tabla peridica conocidos como metales.
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CIENCIA DE LOS MATERIALES I Presentan las siguientes caractersticas: 1) brillo metlico, globalmente son dctiles, admiten deformaciones que permiten conformar al material en forma de barras, planchas, lminas, etc. 2) Presentan muy buena conductividad trmica y elctrica, esa conductividad no es la misma en todos los metales. 3) Son opacos, an siendo cortados en lminas de muy poco espesor no permiten pasar la luz. 4) Presentan tendencia a perder los electrones de valencia (ltima capa) que configuran la nube electrnica, lo que explica la buena conductividad trmica y elctrica. Cermicos: formados por elementos no metales, junto con elementos no metales, por lo que normalmente aparecen en forma de xidos, sulfuros, sulfatos, etc. 1) Son ms duros que los metlicos y por tanto ms resistentes pero en cambio son ms frgiles. Tienen una gran tendencia a que cuando superan un determinado esfuerzo rompen sin previo aviso. 2) Tienen una gran estabilidad qumica en determinados ambientes, presentan un punto de fusin alto por lo que mantienen, hasta altas temperaturas buena resistencia. Son aislantes. Tipos de materiales cermicos: Con carcter cristalino Con carcter no cristalino Vidrio Vidrios-Cermicos Vitrocermicos, se logran conformando el material en estado vtreo y seguidamente sometido a un tratamiento trmico que permita desvitrificarlo con lo que obtendremos una estructura cristalina, esto permite alcanzar resistencias mximas. Polmeros: se caracterizan por estar formados por molculas de cadena ms o menos larga en la que hay una elemento mnimo que se repite llamado monmero o mero. Este mero estar normalmente constituido por alguno de estos elementos: O, H, F, Si, N. El nmero de unidades de repeticin puede ser corto o muy largo. 1) Estos materiales son dctiles(fciles de conformar) tienen poca resistencia, baja densidad, presentan bajo punto de fusin, con respecto a los cermicos presentan una mayor reactividad qumica. Materiales Compuestos: estn formados por dos componentes fundamentales (componente matriz y componente disperso) Componente Matriz: Metlica Cermica Polmera Componente disperso: Metlico Cermico Polmero
CIENCIA DE LOS MATERIALES I Se pueden dar todas las combinaciones posibles. Influye en las propiedades del conjunto la forma de presentacin del componente disperso. Se trata de que una vez elegida la naturaleza de la matriz (produce ductilidad) y la naturaleza y forma de presentacin del componente disperso (produce resistencia) se obtenga un material con buena resistencia y capacidad de deformacin. MMCS Materiales compuestos de matriz metlica reforzados con un componente disperso cermico. Tambin se habla de materiales compuestos con matriz cermica. Hormign: Matriz cermica cemento (slice, almina, cal) Componente disperso cermico. Hormign Armado: Matriz cermico cemento Componente disperso Metlico vigas de acero corrugado.
Jose Ant. Porto Rey-Cabarcos
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Tema 2: Estructura interna de la materia.

Los diferentes tipos de materiales presentan diferentes tipos de enlace. 2.1.-Tipos de enlace: Los electrones de la ltima capa son los que tiene un menor nivel de energa, son los llamados electrones de valencia y forman la llamada capa de valencia. La clasificacin de los elementos en la tabla peridica se efecta en funcin del nmero de electrones en la capa de valencia. Los gases nobles presentan la capa de valencia completamente llena. Los restantes elementos tienen tendencia a obtener una estructura electrnica lo ms semejante a la de los gases nobles. Para lo cual tiene dos posibilidades o aceptan electrones hasta la saturacin o ceden electrones llegando a una capa completamente vaca. Actan segn el primer caso los no metales por su carcter electronegativo, de hecho tienen una capa externa casi completa. Los metales electropositivos tienden a ceder sus electrones tiene pocos electrones en su capa externa. Un grupo de metaloides tiene un nmero medio de electrones por lo que su comportamiento depende del os elementos que se encuentren en sus alrededores. Para que dos tomos se agreguen entre s tienen que darse unas circunstancias, relacionadas con las fuerzas de unin que estn relacionadas con la afinidad qumica entre los tomos. La agregacin puede darse de las siguientes formas: Un elemento puede combinarse fcilmente con otro que le permita completar la capa de valencia (Cl, Na). Este es el enlace inico o bien enlace heteropolar, da lugar a fuerzas de tipo electrosttico y lo que implica que los enlaces inicos sean fuertes y por tanto los materiales que presentan este tipo de enlace presentan elevada dureza y elevada temperatura de fusin. Se consideran materiales aislantes. La magnitud de la energa de enlace es la misma en todas las direcciones se dice que es un enlace no direccional. El enlace inico se da con mucha frecuencia en los materiales cermicos. Otro enlace se da cuando un tomo determinado se junta con tomos de su misma especie mediante una cesin y comportamiento de los electrones de valencia completando as la capa de valencia, los materiales que presentan este tipo de enlace son los no metales o metaloides ya que poseen un elevado nmero de electrones en la capa de valencia y necesitan pocos para completarla. Este enlace recibe el nombre de enlace covalente o homopolar, es un enlace direccional. Es el enlace tpico de los materiales polmeros, estos materiales presentan caractersticas variables ya que este tipo de enlace puede ser muy fuerte en ciertos casos y dbiles en otros.
CIENCIA DE LOS MATERIALES I Otro posible enlace se da en los elementos metales que se caracterizan por tener un bajo nmero de electrones los que hace necesario tener un alto nmero de electrones, esto se consigue porque cada tomo cede sus electrones formando la nube electrnica que tiene gran facilidad de desplazamiento lo que explica la conductividad trmica y elctrica de los materiales metlicos. Las fuerzas de atraccin son entre los protones del ncleo y la nube electrnica. Este enlace (enlace metlico) tiene carcter no direccional y la energa vara entre valores bajos (mercurio) y altos (Wolframio), a mayor energa de enlace mayor ser su dureza y su temperatura de fusin. Otro tipo de enlace se da en los gases nobles que al carecer de electrones de valencia se agregan mediante dbiles fuerzas resultantes de la polarizacin de la molcula fuerzas de Van del Walls, estas fuerzas son importantes a bajas temperaturas cuando esa fuerza vence al grado de agitacin trmico de los tomos. Otro enlace Puente de Hidrgeno. Dependiendo del tipo de enlace tendremos diferentes caractersticas en los materiales. 2.2.-Fuerzas Interatmicas: Cuando consideramos dos tomos entre ellos habr unas fuerzas interatmicas muy pequeas que disminuirn con el aumento de la distancia interatmica, lo mismo ocurre a la energa potencial, la fuerza de atraccin. La energa potencial tiende a cero cuando aumenta la distancia interatmica. Si se acercan se produce el efecto contrario. Si disminuimos dicha distancia aumenta la fuerza de atraccin que tiende a unir los tomos entre s para formar dicho agregado de tomos. No son las nicas fuerzas que actan sobre el sistema considerado, tambin actan unas fuerzas de repulsin que hay que tener en cuenta. Hay una determinada distancia donde se igualan las fuerzas de repulsin y las de atraccin, esta distancia es la distancia interatmica de equilibrio. En esta distancia la energa potencial es mnima lo que implica un estado de mxima estabilidad. En condiciones de equilibrio la distancia est perfectamente prefijada para una pareja de tomos. Cuando la distancia se hace menor aumentan bruscamente las fuerzas repulsivas y la energa potencial. La distancia intertomica de equilibrio a0 no permanece inalterable, puede modificarse con la variacin de la temperatura, un cambio de la valencia de las partculas que consideramos, para un determinado tipo de partcula a0 est ntimamente relacionado con el ndice de coordinacin (n de tomos que equidistan de uno que se considera central). Si queremos variar a0 tendremos que ejercer un esfuerzo determinado que ser mayor o menor dependiendo de la distancia intertomica. Cualquier variacin de la distancia intertomica produce una variacin de la energa potencial.
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Fuerza Energa Potencial
Distancias
a0
a0
La energa de enlace la podemos determinar siempre y cuando consideremos los tomos como cargas puntuales, entonces podremos aplicar la ley de coulomb, segn la cual las fuerzas de atraccin:
FA =
1 q1.q2 4pe 0 a 2 n.b a n +1
Frepulsin = FR = -
donde : n, b son constantes empricas (7 < n < 9) a es la distancia interatmica. De ambas expresiones podemos deducir: K FA es proporcional a a 2 FB es proporcional a
K '
8 , 9 , 10
a Si aumenta a dominarn las fuerzas de atraccin, mientras que si a disminuye dominarn ls fuerzas de repulsin. Como la energa total viene dada por el producto de la fuerza por la distancia, la energa de enlace la podemos calcular como la integral de la resultante del sistema de fuerzas que actan sobre el sistema por el diferencial de distancia. stos clculos nos permitan calcular la energa terica de enlace, la energa real es menor que la terica. Para recuperar el enlace tendremos
CIENCIA DE LOS MATERIALES I que aplicar una fuerza superior a la del enlace que si fuera la terica en muchos casos sera muy difcil.
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Tema 3: Estructura Cristalina

3.1.-Introduccin Una pareja de tomos tiende a alcanzar una posicin de equilibrio distancia interatmica de equilibrio a0. Esos tomos en equilibrio estn sometidos a un movimiento armnico en torno de la posicin de equilibrio, siendo la amplitud del movimiento variable y funcin de la temperatura. Cada tomo se comportar como si se tratase de una esfera rgida de radio la mitad de la distancia interatmica de equilibrio, esta es la definicin de radio atmico. Si consideramos lo que le ocurre a un material en estado slido un agregado atmico. Existirn unas fuerzas que harn que los tomos se dispongan de una cierta manera, normalmente de forma que la estructura sea lo ms densa posible. La estructura estar formada por el apilamiento de sucesivas capas de tomos. Cuando tenemos una estructura de carcter cristalino la disposicin de los planos atmicos responde a una sucesin regular, de forma que en cada uno de los planos la disposicin de los tomos puede ser o no de mxima densidad. Esta ordenacin afecta a un nmero suficientemente grande de tomos y da lugar a la formacin de una red de cristalizacin en la que cada tomo ocupa una pocin determinada y el nmero de tomos que la rodean (ndice de coordinacin) responde a un cierto nmero (es fijo). En el agrupamiento de los tomos hay una unidad mnima que se reproduce as misma en las tres direcciones del espacio, es la llamada celda unidad, celdilla elemental o malla unidad o malla elemental. La celda unidad se caracteriza por una forma geomtrica determinada dada, por unos parmetros angulares y lineales. Asignando diferentes valores a estos parmetros se pueden construir diferentes tipos de celda unidad, pero slo son siete los tipos de celda unidad necesarias para crear todas las redes puntuales (todos los sistemas de cristalizacin). Atendiendo a las distintas posiciones de los tomos en la red el sistema de cristalizacin se obtienen 14 redes espaciales o redes de Bravais.
Sistema cristalino Redes de Bravais Cbico: 1. Simple o sencillo 2. Centrado en el cuerpo 3. Centrado en las caras Tetragonal 1. Simple 2. Centrado en el cuerpo
Ortorrmbico 1. Simple 2. Centrado en el cuerpo 3. Centrado en las bases 4. Centrado en las caras Rombodrico simple Hexagonal simple Monoclnico 1. Simple 2. Centrado en la base Triclnico simple
Los diferentes materiales tendrn tendencia a cristalizar en un determinado sistema. As, los metales, principalemente cristalizan en el sistema cbico centrado en el cuerpo, cbico centrado enlas caras y hexagonal compacto. Los materiales cermios cristalizan en sistemas ms complejos. Los polmeros tambin cristalizan en sistemas complejos (monoclnico, triclnico) esto se debe a que el porcentaje de cristalinidad es muy bajo, es decir, tiene un tanto por cien de estructura no cristalina muy elevado, en estos materiales cuanto ms elevada es su cristalinidad mayor es su densidad. 3.2.-Principales estructuras cristalinas metlicas Cbica centrada en el cuerpo: se caracteriza porque los tomos estn dispuestos de forma que la malla elemetal es cbica, los tomos ocupan los 8 vrtices del cubo y hay un tomo en el centro del cubo.
Parmetro de malla a (los tomos de la diagonal del cubo son tangentes).
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CIENCIA DE LOS MATERIALES I La distancia interatmica de equilibrio es a lo largo de la diagonal del cubo, donde se dan las mximas condiciones de tangencia.
a 3 = d CUBO = 4 ratm r atm = n atm a 3 4 = 1 + 8.

malla
1 =2 8
n de coordinacin: n de tomos que rodean a uno dado a una distancia determinada que es la distancia interatmica de equilibrio que a 3 en este caso es n de coordinacin = 8 2 Compacidad o factor de empaquetamiento: representa el volumen ocupado por los tomos en la malla unitaria.
4 3 2atm/ malla p (ratm ) 3 = = Compacidad a3
4 a 3 2atm/ malla p 3 4 a3
= 0.68
El 68% del volumen de la malla est ocupado por los tomos. El 32% del volumen no est siendo ocupado por los tomos del material, podr ser ocupado por otros tomos ajenos a la red. Huecos o Intersticios de este sistema de cristalizacin: son posiciones muy concretas en las cuales otros tomos podrn situarse cuando cumplan determinadas condiciones geomtricas. En el sistema centrado en el cuerpo habr dos tipos de huecos. Hueco o intersticio menor: (Octadrico irregular) Se da en cada una de las aristas del cubo
2rint.menor
a
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a - 2 ratm = 2 rimenor a -2 a 3 = 2 rimenor 4 3 12 a = 0.134 a = 0.067a rimenor = 2 2
Esto mismo ocurre con los tomos centrales de dos mallas elementales.
En nmero de estos huecos es:
1 1 n int ersticiosmenores malla = 12 + 6 = 6 4 2

Hueco o intersticio mayor: (Tetradrico irregular) Se encuentra en las caras del cubo:
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a 3 a a + rimayor = + 4 4 2 rimayor = 0.126a
1 n int ersticiosmayores malla = 6 4 = 12 2

Metales que cristalizan en este sistema son Fea, Cr, V, Mo, W. Son duros y con escasa capacidad de deformacin plstica (poco dctiles y maleables)
Sistema cbico centrado en las caras: los tomos ocupan los 8 vrtices y los centros de cada una de las caras. Parmetro malla a.
d cara = 4 Ratm Ratm = a 2 4
Las condiciones de tangencia se dan a lo largo de la diagonal de la cara.
1 1 n tomos malla = 8 + 6 = 4 8 2
n de coordinacin = 4 + 4 +4 = 12 (nmero de vecinos igual a la distancia interatmica de equilibrio a0= 2Ratm) Si consideramos el tomo central de la cara superior a la distancia a0 estn los 4 tomos de la misma cara situados en los vrtices.
Adems:
a a 2 a a d = + = = 2 2 2 2
Los cuatro tomos de los centros de las cuatro caras laterales tambin estn a esa distancia a0. La situacin se repite para los cuatro tomos de los centros de las cuatro caras laterales del cubo inmediatamente superior al dibujado. Total =12.
4 3 4 atm / malla 4 atm / malla p (ratm ) 3 = 0.74 Compacidad = = a3 a3 El 74% del volumen de la malla est ocupado por los tomos, hay un 26% que puede ser ocupado parcialmente por otros tomos siempre que cumplan las condiciones de tamao requeridas. Con el modelo de esferas rgidas nunca se puede llegar al 100% de compacidad. 4 a 2 p 3 4
3
Huecos o intersticios del sistema CCC: En el centro geomtrico del cubo:
a - 2 ratm = 2 rint a - 2 rint = 2 rint 4 0 . 293 a = 2 a 2
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CIENCIA DE LOS MATERIALES I Estos intersticios reciben el nombre de intersticios Octadricos porque estn situados en el centro geomtrico del octaedro que configuran los tomos situados en los centros de las caras. El nmero de estos huecos a nivel de malla:
1 n hue cos malla = 12 + 1 = 4 4

Otro tipo de huecos: Estos tipos de tomos definen un tetraedro regular en el centro de este tetraedro habr un hueco. Este hueco recibe el nombre de hueco o intersticio Tetradrico.
a 2 a 2 a 6 - = h= 2 4 4 a 2 2 a 6 a 3 - = H= 2 3 4 3
2 2
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CIENCIA DE LOS MATERIALES I El tomo estar situado en el centro de gravedad del tetraedro:
3 H = rint . tetra + ratm 4 3 3 a 2 a = rint . tetra + 4 3 4 rint . tetra = 0 .0795 a

El nmero total de estos intersticios a nivel de malla: nintersticios/malla=8 Hay 8 cubos como el que hemos considerado inicialmente en cada malla. Cristalizan en este sistema: Feg, Au, Ag, Pb, Cu, Al, Ni,... Son materiales con gran capacidad de deformacin plstica (muy dctiles y maleables). Sistema Hexagonal Compacto: Se caracterizan porque los tomos ocupan los planos basales (1 en cada vrtice 6, 1 en el centro) y el plano intermedio (3). Las condiciones de tangencia se dan en cualquier tomo. El tomo del centro de la base es tangente con los de los vrtices que a su vez son tangentes entre s. Cada tomo del plano intermedio es tangente con tres de cada una de las bases (inferior y superior). Dado que las condiciones de tangencia son mximas recibe el nombre de sistema hexagonal compacto. Los parmetros lineales son dos: a lado del hexgono c altura del prisma Como parmetros angulares debemos dar cuatro ejes, 3 coplanarios formando 120 y uno perpendicular a los 3 anteriores que pasa por el centro de la base. La base del hexgono est formado por 6 tringulos equilteros de lado a.
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3 a h = a - = a 2 2 a Ratm = 2 1 1 n atm malla = 3 + 2 + 12 = 6 2 6 n coordinacin = 6 + 3 + 3 = 12

2
4 a 4 3 6 p 6 p (ratm) 2pa 3 2 Compacidad = 3 = = 3 3c 1 a 3 1 3 6 a c 6 a2 c 2 2 2 2

Tenemos que encontrar una relacin entre c y a. a a
C/2 a
C/2 a
a 2h/3
2 a 3 c a 2 = = a2 - 2 3 3 2 8 c = 3 a
2
Compacidad = 074 74% Tiene el mismo valor que en el CCC esto se debe a que geomtricamente son idnticos. Los planos de mxima condicin de tangencia son : CCC ABAB HC ABCABC
c 8 , en la realidad los materiales que cristalizan en = a 3 este sistema difcilmente cumplen esa relacin. Normalmente suele ser inferior.
Tericamente Al ser la compacidad del 74% hay un 26% del volumen de la malla que es susceptible de ser ocupado por otros tomos siempre que cumplan determinadas condiciones de tamao.
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Intersticios del sistema hexagonal compacto:
1.Intersticios tetradricos: Se da en tetraedros (regulares) como el que anteriormente hemos considerado.
3c/8 a
C/2
2 3a 3.2
El hueco corresponde con el centro de gravedad del tetraedro
El nmero de intersticios por malla es: nintersticios tetradricos/malla= 12 El tomo se situar en el centro geomtrico del tetraedro a mucho puede ser tangente al tomo del vrtice superior.
c3 , como 24
3c = rint .tetra + ratm 42 a 3c = rint .tetra + 42 2 rint .tetra = 0.112a
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Huecos Octadricos: Es un octaedro regular

2 1 2 2
a 2 - 2 ratm = 2 rint .octa rint .octa = 0.207a

El nmero de estos huecos por malla: nintersticios octadricos/malla = 6 La altura de los intersticios octadricos respecto a la base es de para los de la mitad superior (3) y
3 c 4
c para los de la mitad inferior (3) 4 La altura de los intersticios tetradricos respecto de la base ser: c 3 8 3 3 c 8 5 3 c 8 7 3 c 8 Metales que cristalizan en este sistema son: Mg, Zn, Be, Co, Z. Sus propiedades resistivas y de conformado son intermedias entre las del sistema cbico centrado en el cuerpo y el sistema cbico centrado en las caras.
El 90% de los metales cristaliza en alguno de estos 3 sistemas que se han visto. No todos los metales presentan estas estructuras. Los vidrios orden de pequeo alcance hay un pequeo orden pero que no se repite a s mismo en las tres direcciones del espacio. Podemos obtener una estructura amorfa o vtrea en los metales mediante unas condiciones determinadas de enfriamiento. El estado vtreo se puede considerar como un estado intermedio entre el estado lquido y slido lquido subenfriado. 3.3.-Polimorfismo o Alotropa Hemos visto que los materiales podran cristalizar en 3 sistemas cristalinos. CC Fea, Cr, V, Mo, W Duros, Resistentes, dificultad de deformacin. CCC Feg, Al, Cu, Au, Ag ms blandos y por tanto menos resistentes, fcilmente conformables. HC Mg, Zn, Be entre CC y CCC. Hay elementos que se presentan bajo varias estructuras cristalinas: Fea, Feg, dependiendo de las condiciones termodinmicas. Cuando un determinado material presenta varias estructuras decimos que estamos ante un fenmeno de Polimorfismo, se dice que el material es porlimrfico. Este concepto es semejante al de Alotropa, un material es alotrpico cuando en estado slido se presenta en varias estructuras. La estructura depende de las condiciones termodinmicas de equilibrio, cuando hay un cambio los tomos adoptan posiciones de mnima energa y por lo tanto de mxima estabilidad. La temperatura a la cual tiene lugar el cambio de estructura recibe el nombre de temperatura de transformacin alotrpica. El hierro es un metal que es estado slido puede tener 3 estructuras cristalinas dependiendo de la temperatura a la que se encuentre. 910C Fea CC 910 1400C Feg CCC 1400 1536C Fed CC Hay dos variaciones alotrpicas y por tanto dos temperaturas de transformacin alotrpica. Hay que tener en cuenta a la hora de realizar calentamientos y enfriamientos las transformaciones alotrpicas. Veamos que ocurre en esta transformacin: Feg Fea
Pasamos del sistema CCC al sistema CC pasamos de un ndice de coordinacin 12 a uno de 8, de una compacidad del 74% a otra del 68%. Todo
CIENCIA DE LOS MATERIALES I esto se traduce en que el Fe reacciona de forma que se produce una variacin de volumen que en este caso es un aumento momentneo de volumen que tericamente debera ser del 9% pero realmente es del 1%, esta diferencia se debe a que al mismo tiempo que tiene lugar la transformacin los tomos de Fe disminuyen el radio atmico un 3% para compensar la variacin de volumen. La variacin de volumen puede provocar la rotura del material, por ello el temple del acero es difcil de realizar porque puede que aparezcan grietas superficiales. Otro metal que sufre transformaciones alotrpicas es el Estao (Sn): Snb Sna 0 18 C Sna (estao gris) 18 C Snb (estao blanco) El Snb cristaliza en una red cbica tipo diamante con ndice de coordinacin 4 y el Sna cristaliza en una red tetragonal centrada en el cuerpo. Esta transformacin no se da con mucha frecuencia debido a la propia cintica de la transformacin, tienen que estar expuestos a esas condiciones termodinmicas durante largos periodos. Esta transformacin no siempre ocurre salvo subenfriamientos altos para que la cintica sea suficiente. En esta transformacin la variacin del volumen es del 25% lo que da lugar al desmoronamiento del estao, las grietas producen un sonido conocido como grito del estao que pone de manifiesto el mal o peste del estao. El cobalto tambin sufre una transformacin alotrpica a los 450C pasando de CCC a HC en este caso la compacidad no vara por lo que no hay ningn peligro. Co: CCC 450C HC EL titanio tambin sufre transformaciones alotrpicas: Ti: CC 882C HC Este fenmeno no es exclusivo de los metales, un caso significativo lo tenemos en la Slice (SiO2).
Cristobalita SiO2 Tri dim ita a Cuarzo b

Si suponemos el calentamiento del SiO2 a 572C tiene lugar una transformacin del cuarzo con una variacin de volumen del 0,45%. Si seguimos calentando el cuarzo b a 867C se transforma en Tridimita, esta transformacin es muy lenta e irreversible, y en ella la variacin de volumen es importante 5,5%. Si seguimos calentando la Tridimita a 1470C se transforma en cristobalita producindose una variacin de volumen del 0,65%. La slice es un material que junto con la almina (Al2O3) que tambin sufre transformaciones de este tipo emplean para la fabricacin de ladrillos refractarios para hornos. Si tenemos un refractario con un porcentaje alto de slice si lo sometemos a calentamiento y enfriamiento continuos puede ser que la variacin del 5,5% del volumen lleve a la fractura de la pared. Para evitar se
CIENCIA DE LOS MATERIALES I busca que durante la fabricacin del refractario tenga lugar dicha transformacin para que en el uso no tenga lugar. En el temple del acero se produce una transformacin en estado slido durante el enfriamiento bajo determinadas condiciones que hace que por debajo de una temperatura determinada haya una variacin de volumen del orden del 1,2% lo que lleva consigo la aparicin de grietas.
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Tema 4: Planos y Direcciones Cristalogrficas

4.1.-ndices de Miller La forma de caracterizar las mallas es mediante una serie de ndices ndices de Miller. En un sistema de cristalizacin podemos considerar un nmero ilimitado de planos, de todos ellos slo nos interesa unos planos determinados. 4.2.-Planos Cristalogrficos Cada familia de planos est formada por una serie de planos paralelos y equidistantes entre s. Podemos considerar una familia de planos cuyos miembros tienen la misma orientacin y la misma equidistancia, puede haber otra familia de planos con la misma equidistancia pero con una orientacin distinta a la de la familia anterior. Las familias de planos cuyos miembros interceptan a los tomos de forma que definen la red sern familias de planos Cristalogrficos. La orientacin y la equidistancia de los planos son interdependientes y a su vez dependen del sistema de cristalizacin. Para definir los planos hay que determinar su orientacin y equidistancia. Para definir la orientacin tenemos que tomar un sistema de ejes trirrectangular y determinar las intersecciones de dicho plano con los ejes, de forma tal que debemos adoptar algn criterio para definirlo de la forma ms simple ndices de Miller.
2
x
z
x
4 3
x x
x
x
x
x
Puntos interseccin: 3 4 2 Inversos: 1/3 xMCM: 4 3 6
Los ndices de Miller nos indican el nmero de partes en que queda dividida la arista en cada direccin. Si el plano es paralelo a alguno de los ejes del sistema de referencia entonces el ndice de Miller correspondiente a ese eje es cero. Si el plano corta
CIENCIA DE LOS MATERIALES I al eje en la parte negativa (el proceso es el mismo), el signo menos va sobre el ndice de Miller correspondiente a ese eje. Planos Cristalogrficos Equivalentes: son planos cristalogrficos con distinta orientacin relativa. Para representar a un conjunto de familias de planos cristalogrficos equivalentes en los que la nica variacin es la posicin relativa de sus miembros, se encerrar entre llaves la notacin de uno de los miembros de esa familia {}. En el sistema cbico: planos laterales Para caracterizar las familias de planos: {1 0 0} as caracterizamos las 6 caras del cubo. Planos octadricos: reciben este nombre porque el conjunto de todas las familias de planos octadricos da lugar a un octaedro regular. (1 1 1): hace referencia a la familia de planos que son paralelos a este y tienen entre s una equidistancia determinada. Planos octadricos:
(111 )
(111 ) 111} { (111) (111)
(110 ) (101 ) (011 )
Planos diagonales:
{ 110 } (110 ) (101 ) (011 )
Podemos considerar planos que an teniendo distinta notacin son los mismos. En relacin con un sistema de cristalizacin dados las diferentes familias de planos cristalogrficos se pueden diferenciar en el hecho de que pueden tener diferente densidad atmica. Las diferentes familias de planos
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CIENCIA DE LOS MATERIALES I cristalogrficos de un sistema de cristalizacin tienen diferente densidad atmica. Siempre habr una familia que sea la ms densa y puede que adems los tomos dispuestos en esos planos cumplan las condiciones de ser tangente entre s, entonces se habla de planos cristalogrficos principales o planos cristalogrficos compactos, en relacin con un determinado sistema de cristalizacin. Puede que en un determinado sistema de cristalizacin existan planos ms densos y no planos cristalogrficos principales. La equidistancia entre los diferentes miembros de una familia de planos se puede determinar de la siguiente forma: d ( hkl )
a h2 + k 2 + l 2
, esta
frmula slo es vlida para el sistema cbico. Como ejemplo, para los planos laterales:
d (100) =
a 1 +0 +0
2 2 2
=a
a a 3 = 3 3 a 12 + 12 + 02
Para los planos octadricos:
d (111) =
a 12 + 12 + 12 d (110) =
, los planos octadricos dividen la
diagonal del cubo en 3 partes iguales. Plano diagonal:
a 2 2
Cuando existen planos principales o compactos los miembros de esa familia interceptan a todos los tomos de la red definiendo la red. Como los planos principales son los ms densos la equidistancia entre ellos ser mxima y ser necesario un menor nmero de planos para definir la red. Menor densidad de los planos mayor nmero de planos de esa familia para definir la red. Planos de mxima densidad entre ellos fuerzas de cohesin mnimas facilidad de conformado del material. 4.3.-Direcciones Cristalogrficas: Son aquellas direcciones que pasan al menos por dos de los tomos de los que definen la red. Si pasa por dos tomos es difcil que no pase por un nmero ilimitado de tomos de la red. Para caracterizar una direccin tomaremos un sistema de referencia que, en el sistema cbico, su origen coincidir con uno de los vrtices de la malla.
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CIENCIA DE LOS MATERIALES I Si no pasa por el origen lo que hay que hacer es considerar la paralela que pasa por el origen. Dividimos por el m.c.d para obtener enteros lo menor posible. Los nmeros resultantes los encerramos entre corchetes [h i k]. Las direcciones cristalogrficas que presentan diferente orientacin pero la misma posicin relativa son las llamadas direcciones cristalogrficas equivalentes. Puede ser que existan direcciones que en relacin a un determinado sistema de cristalizacin sean las ms densas (n de tomos interceptados por unidad de longitua). Si una direccin adems de ser la ms densa los tomos interceptados cumplen las condiciones de tangencia entonces dicha direccin se dir direccin principal o compacta. 4.4.-Sistema cbico centrado en el cuerpo (CC): A)Planos Cristalogrficos: Planos laterales: esta familia en relacin a este sistema no es cristalogrfico porque no intercepta al tomo del centro del cubo. Si consideramos estos planos pero con equidistancia a/2 si queda definida la red. El plano definido ahora: a/2 2/a 0 0 (2 0 0) , engloba a la familia (1 0 0) y adems tiene planos suplementarios: d(2 0 0)=a/2. Esta familia de planos en relacin al sistema CC si es cristalogrfica porque difine a la red pasando por todos los tomos. Planos diagonales:(1 1 0), la familia de estos planos es en relacin al sistema CC cristalogrfica. Estos planos definen a la red pasando por todos los tomos de la misma.
Planos octadricos:
d (111) =
a 3 , si 3
dividen a la diagonal del cubo en
tres partes iguales no hay ningn miembro de esta familia que intercepte al tomo del centro del cubo, por tanto no son planos cristalogrficos. Si
a
consideramos planos paralelos a stos pero que equidisten
2 3
dividen a la
diagonal del cubo en 6 partes iguales, entonces si son cristalogrficos (2 2 2):
d (222) =
a 22 + 22 + 22
a 2 3
.
Hay un nmero de esta familia que pasa por el centro del cubo definen a la red y son planos cristalogrficos para el sistema CC.
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CIENCIA DE LOS MATERIALES I Como regla nemotcnica podemos decir en relacin al sistema CC que: h + k + l = n par planos cristalogrficos en relacin al sistema CC. Existen diferencias entre los diferentes planos cristalogrficos, no todos tienen la misma densidad: 1 4 1 r{200 } = 4 = 2 atm 2 u.d .s a a 1 4 +1 2 r{110} = 4 = 2 atm 2 u.d .s a 2 a 1 3 1 3 6 r{200 } = = 2 atm u.d .s a 1 3 a 2a 2 2 Los planos ms densos son los planos {1 1 0} (planos diagonales). A pesar de ser los ms densos no son planos principales o compactos porque son no tangentes entre s todos los tomos que intercepta el plano. B)Direcciones Cristalogrficas: Consideramos como unidad el parmetro de la malla. Las diferentes direcciones que consideramos: Ejes coordenados: Eje X: [100] Eje Y: [010] Eje Z: [001] Son direcciones cristalogrficas porque todas pasan al menos por dos de los tomos que definen el sistema. Estas tres direcciones se diferencian en su orientacin pero cristalogrficamente son equivalentes. Nos referimos al conjunto de los tres ejes coordenados: <010>.
[110 ][11 0 ] [101 ][1 01 ] [011 ][011 ]
Diagonales de las caras:
Todas son cristalogrficas. Al conjunto de esas 6 direcciones que tienen diferente orientacin pero son equivalentes las representaremos: <101>.
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Diagonales del cubo:
[111 ][111 ]
[111 ][11 1 ]
Son direcciones cristalogrficas. Al conjunto de estas 4
direcciones que cristalogrficamente son equivalentes pero tienen diferente orientacin, lo representaremos: <111>. Se diferencian en la densidad:
1 1 r [100 ] = 2 = atm u.d .l a a 1 2 1 atm r [110 ] = 2 = u .d .l a 2 a 2 1 2 +1 2 atm = r [111 ] = 2 u .d .l a 3 a 3 La mxima densidad se da en <111>. La diagonal del cubo adems de ser la direccin ms densa, los tomos interceptados por ella son tangentes entre s y por tanto ser direccin principal compacta del sistema CC. El sistema CC no tiene planos principales pero si hay direcciones principales. 2
Una direccin que tenga ndices coincidentes con los de un plano es perpendicular a dicho plano. Una direccin est contenida en un plano si el producto escalar de sus ndices es nulo. 4.5.-Sistema cbico centrado en las caras (CCC): A)Planos Cristalogrficos: Planos laterales: {1 0 0}, d{1 0 0}=a no definen completamente a la red, excluyen a los tomos de los centros de las otras caras. Si consideramos planos de idntica orientacin pero equidistancia mitad, stos si son planos cristalogrficos del sistema CCC: {2 0 0} d{2 0 0}= a/2.
a no son cristalogrficos porque 2 excluyen a los tomos de los centros de las caras laterales.
Planos diagonales: {1 1 0}, d {110} =
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CIENCIA DE LOS MATERIALES I Si consideramos planos de la misma orientacin y equidistancia mitad, a s sern planos cristalogrficos del sistema CCC: {2 2 0} d {220 } = . 2 2 a , s son planos cristalogrficos del Planos octadricos: {1 1 1}, d {111} = 3 sistema CCC. Como regla nemotcnica: (h+k); (k+l); (h+l)= nos pares los planos sern cristalogrficos para el sistema CCC. Las densidades de los planos cristalogrficos: 1 4 +1 2 r{200} = 4 2 = 2 atm u.d .s a a 1 1 4 +2 2 r{220} = 42 2 = 2 atm u.d .s a a 2 1 1 3 +3 2 = 4 3 atm r{111} = 6 u.d .s a2 1 3 a 2a 2 2 Los planos ms densos son los planos octadricos {111} adems estos planos verifican las condiciones mximas de tangencia (todos los tomos son tangentes entre s), por lo tanto los planos octadricos son planos cristalogrficos compactos o principales del sistema CCC.
1, 2, y 3 tienen que ser tangentes, para ello h = cumple:

a/2
a 2 , veamos si lo 2
a/2
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a 2 a a , lo que implica que son tangentes. h = + = 2 2 2

B)Direcciones Cristalogrficas: Los ejes coordenados [100] son cristalogrficos. Las diagonales de las caras [110] tambin los son, as como las diagonales del cubo [111], la diferencia entre las 3 direcciones estribar en su diferente densidad. Supongamos que la direccin principal o compacta tendr lugar a lo largo de la diagonal de las caras porque los tomos en el sistema CCC son tangentes a lo largo de las diagonales de las caras del cubo. Las densidades son: 1 2 1 r [100 ] = 2 = atm u.d .l a a 1 1+ 2 2 = 2 atm r [110 ] = u.d .l a 2 a 2 1 2 1 atm r [111 ] = 2 = u .d .l a 3 a 3 La direccin de mxima densidad atmica es la diagonal de las caras, que adems es principal o compacta porque los tomos que interceptan son tangentes entre s.
4.6.-Sistema Hexagonal compacto (HC): A)Planos Cristalogrficos: Los ejes de referencia en este sistema son: i,h,k son los ejes coplanarios, y el eje l es perpendicular a ellos. Siempre se tiene que verificar que: h+i+k=0 Planos laterales: para representar el conjunto de las 6 familias de planos laterales: 01 1 0 . Planos Basales: c 0 0 0 1/c (0 0 0 1)
La equidistancia entre los diferentes miembros de una familia:
d ( hkil ) =
a 4 2 al ( h + hk + k 2 ) + 3 c
2
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No importa el orden de los ndices de los tres ejes coplanarios.
d(0110) =
a a0 4 2 (0 + 0 +12 )+ 3 c a a c
2 2
a a = 3 2 4 3
d(0001) =
=c
Ni los planos basales ni los planos laterales son planos cristalogrficos porque ningn miembro de sus familias intercepta a los tomos situados en el plano intermedio. Si consideramos planos con idntica orientacin a los planos basales pero equidistancia mitad, s sern planos cristalogrficos del sistema HC: c {0002} d {0002 } = . Hay unos planos que s son cristalogrficos. 2
d (112 0) =
a 4 2 a0 1 + ( -2) + 4 ) + ( 3 c
2
a 2
Si proyectamos sobre el plano de la base: Los diferentes planos cristalogrficos del sistema hexagonal compacto se diferencian en la densidad que presentan: 1 6 +1 4 3 atm r {0002 } = 6 = 2 u.d . s 3 a 3 3a 2 2 1 4 +1 3 atm r {1120} = 4 = 2 u.d .s ac a 2
c 8 = a 3
La mayor densidad la tienen los planos {0002}, adems en estos planos se dan las mximas condiciones de tangencia y por tanto son planos principales o compactos del sistema HC.
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CIENCIA DE LOS MATERIALES I B)Direcciones Cristalogrficas: Ejes coordenados:
a a Eje h : a,- ,- ,0 2110 2 2 a a Eje i : - , a,- ,0 1210 2 2
[ ] [ ]
[ ]
a a Eje k : - ,- , a,0 1120 2 2 Eje l : (0,0,0, c ) [0001] a a , ,-a,0 1121 2 2 a a a, , ,0 2110 2 2
[ ] ]
sta ltima direccin es idntica a la del eje h pero con sentido negativo los signos menos estn cambiados. En las diagonales de las bases (direcciones 2110 ) los tomos son tangentes entre s, sern por tanto direcciones principales o compactas del sistema HC.
1 1 r {2110 } = 2 = atm u.d .l a a 2
4.7.-Sistemas de Deslizamiento: Se ha obtenido que en el sistema CC no existen planos principales pero si existen direcciones principales [111]. En el sistema CCC existen planos principales (111) y direcciones principales [110]. En el sistema HC existen planos principales (0002) y direcciones principales 2110 .
Esto marca el carcter de los materiales que cristalizan en estos sistemas en cuanto a la facilidad de conformado. Los materiales cuando se deforman, el proceso implica el deslizamiento de un plano de mxima densidad siguiendo direcciones principales que suelen estar contenidas en dichos planos. El sistema CC tiene 4 planos principales y 6 direcciones principales, el HC tiene 1 plano principal y 3 direcciones principales. Donde mayor facilidad va a haber para el conformado de un material es en aquellos materiales que cristalicen en el sistema CCC.
Independientemente de la direccin de la deformacin es muy difcil que no coincida con el plano y un direccin principal. Los materiales que cristalizan en el sistema CC son de difcil conformacin debido a la inexistencia de planos principales. La existencia de planos principales implica que el nmero de miembros de esa familia para definir el sistema es mnimo y por tanto el espacio interplanar es mximo lo que hace que el esfuerzo cortante necesario par la deformacin es mnimo. Los sistemas de deslizamiento estn formados por los planos principales y las direcciones principales. En el proceso de deformacin los planos que se deslizan son los planos principales y se deslizan segn las direcciones principales. Los sistemas de deslizamiento en los diferentes sistemas de cristalizacin son: Sistema CCC: Planos principales: {111] Direcciones principales: <110> Las combinaciones posibles son 12, porque existen 4 planos principales y cada uno contiene 3 direcciones principales, lo que abarca prcticamente todo el espacio. Esto hace que el esfuerzo cortante crtico sea mnimo para los materiales que cristalizan en este sistema(Aluminio: 80Kg/mm2) Sistema HC: Planos principales: {0002} Direcciones principales: 1120 En cada plano principal existen 3 direcciones principales por lo que habr 3 sistemas de deformacin diferentes. El nmero de sistemas de deslizamiento es menor que el sistema CCC lo que se traduce en que el esfuerzo cortante crtico para los materiales que cristalizan en el sistema HC es mayor que para los que lo hacen en el sistema CCC. As para el cobalto: 670Kg/mm2. Adems en el sistema HC influye la relacin entre c y a a la hora de definir los sistemas de deslizamiento. As, si c 8 (terica) los sistemas de deslizamiento no son los tericos, las < a 3 direcciones siguen siendo las mismas pero pueden ser otros planos los que se deslizan: 1120 1010
{ } 1120 { 1011}
Sistema CC: No existen planos principales pero si existen direcciones principales <111>, esto hace que los sistemas de deslizamiento sean ms complejos y puede formar parte del sistema de deslizamiento cualquier plano que contenga
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CIENCIA DE LOS MATERIALES I una direccin principal. Normalmente: <111> {110}, y otras posibilidades: <111> {211}, <111> {321}. El hecho de que no existan planos principales implica que la dificultad de deformar es alta, por tanto el esfuerzo cortante crtico ser muy elevado. As, para el hierro: 2800Kg/mm2. Los materiales que cristalizan en el sistema CC son difcilmente deformables y por tanto sern duros y muy resistentes. No todos los planos tienen la misma densidad lo que se traduce en el fenmeno de amisotropa, la direccin que elijamos condiciona la respuesta del material. Si las propiedades del material dependen de la direccin que consideremos se dir que el material es Amistropo. Si las condiciones de simetra son totales las caractersticas son independientes de la direccin considerada y el material se dir Istropo (en realidad el material tiene unas direcciones preferentes). Al material se le da una forma determinada para su uso mediante el conformado, lo que pude dar lugar a Texturas, que es la deformacin de la estructura cristalina en una direccin preferente.
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Tema 5: Imperfecciones o Defectos Cristalinos

Hasta ahora hemos considerado que la estructura de los materiales es perfecta, es decir, se da la perfecta ordenacin de los tomos. Esta estructura perfecta se da en casos extraos y difciles de conseguir con unas condiciones de elaboracin muy especiales, son los llamados Whiskers que son materiales de estructura monocristalina y que debido a las condiciones de elaboracin est exento de defectos. Al ser un material ideal el esfuerzo necesario para deformarlo tiene que ser el terico calculado a partir del tipo de enlace. As el hierro tericamente 2800kg/mm2 mientras que la chapa naval 3842Kg/mm2. Esto ocurre porque en realidad el material tiene una estructura similar a la ideal con defectos. Material Real = Material Ideal + Defectos. Las propiedades de los materiales estn directamente relacionados con los defectos, las propiedades de un material real estn muy alejados de las que debera tener tericamente. As, los materiales son menos resistentes de lo que deberan ser lo que favorece su conformado. 5.1.-Defectos o Impurezas: 1.Puntuales: Vacantes o huecos ImpurezasSustitucionales, intersticiales De tipo intersticial Defectos tipo Frenkel Defectos tipo Schotty 2.Lineales o Dislocaciones: Dislocaciones tipo cua(tipo borde o tipo arista) Dislocaciones tipo tornillo o helicoidal Dislocaciones tipo mixta 3.Superficiales: Borde de grano Subjuntas de grano Poligonizacin Maclas o Banderas 5.1.1.-Defectos de tipo puntual: Se llaman as porque afectan a un nodo, a una posicin de la red que nosotros estamos considerando(principal o Intersticio). Lo que tienen lugar es que cuando un tomo de los que definen a la red no est en su posicin terica entonces se generar un hueco o vacante. Si alguno de los tomos que definen la red est ocupando un hueco se produce un defecto de tipo intersticial.
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CIENCIA DE LOS MATERIALES I Los materiales de pureza 100% son difciles de obtener, siempre habr una proporcin de impurezas(todos aquellos componentes diferentes de los principales que definen la red). Impurezas sustitucionales se dan cuando la impureza ocupa una posicin nodal(terica) desplazando al tomo principal. Impurezas intersticiales cuando ocupan una posicin intersticial, de forma que no provoca el desplazamiento de ningn tomo. Defecto tipo Frenkel se da cuando un tomo de los que define la red se encuentra en una posicin intersticial situado en sus inmediaciones, abandonando su posicin original. Defecto tipo Schotty slo se da en los compuestos de carcter inico y tienen lugar cuando se producen simultneamente la vacante de un catin y a de un anin, de forma que la carga del compuesto no vara. Los defectos puntuales se deben que cuando aumenta la temperatura aumenta el movimiento de los tomos y puede llegar a ocurrir que un tomo tenga la energa suficiente para abandonar su posicin terica pasando a una posicin cercana o fuera de la estructura. Otras causas que pueden provocar defectos puntuales son la deformacin mecnica, radiaciones nucleares. Los defectos puntuales existen siempre, el nmero de estos defectos est relacionado con la temperatura. A temperatura ambiente el nmero de huecos es de 1 hueco por cada 1018 tomos, si aumentamos la temperatura puede llegar a ser 1 hueco por cada 1000 tomos a temperaturas prximas a la de fusin. EL nmero de huecos frmula: N V= N * e -Q RT , donde: se puede calcular mediante la
NV: n de vacantes/unidad de volumen N: n de tomos/unidad de volumen Q: energa de activacin necesaria para que los tomos puedan desplazarse de su posicin terica. R: cte de los gases T: temperatura (K) La posicin de defectos de tipo intersticial y vacante es de 1 defecto de tipo vacante por cada 10-35400/T defectos de tipo intersticial. Vacantes contraccin del sistema en las inmediaciones de esa vacante. Defecto intersticial dilatacin. Frenkel D.Intersticial + Vacante Schotty Dos vacantes Contraccin Impurezas:
CIENCIA DE LOS MATERIALES I Sustitucionales Intersticiales Dilatacin Contraccin
Dilatacin Contraccin Dependiendo del tamao de la impureza en relacin con el de los tomos de la malla. Si no fuera por estos defectos los materiales no podran ser sometidos a tratamientos trmicos para modificar la estructura del material. 5.1.2.-Defectos Lineales o Dislocaciones Tienen gran importancia en el comportamiento de los materiales. Una dislocacin es una lnea o zona que se puede considerar desordenada que separa dos zonas del material que estn perfectamente ordenados, pero que han sufrido un desplazamiento relativo de una respecto a la otra. Este desplazamiento relativo se produce a lo largo de un plano cristalogrfico (plano de deslizamiento) y no tiene lugar simultneamente si no que la dislocacin se mueve progresivamente. Para caracterizar una dislocacin definimos: plano de deslizamiento como el plano sobre el que se desliza la dislocacin. Vector de desplazamiento o vector de Burgers vector desplazamiento que se produce entre zonas, siempre es paralelo a la direccin del deslizamiento de la dislocacin. La magnitud del vector es igual a la magnitud del desplazamiento relativo entre las dos zonas (normalmente del orden de 1 distancia interatmica), La dislocacin va avanzando y puede acabar en otro defecto o alcanzar la superficie exterior del material. Atendiendo al ngulo formado entre el vector de Burgers y la lnea de dislocacin (interseccin entre el plano atmico correspondiente y el plano de deslizamiento) se puede distinguir dos casos extremos de dislocacin. Dislocacin tipo cua: el vector de Burgers es perpendicular a la lnea de dislocacin, es como si en relacin con un plano determinado tuviramos un semiplano atmico. La dislocacin propiamente dicha es la interseccin de ese semiplano con el plano de deslizamiento. Puede ser positiva o negativa dependiendo de la posicin relativa del semiplano(arriba o abajo) en relacin con el plano de deslizamiento. Ese plano o semiplano extra que se intercala entre dos planos atmicos es el que provoca este tipo de defectos, el motivo de que aparezca se debe a que determinados tomos al estar sometidos a excitacin externa pueden sufrir grandes desplazamientos y ocupar posiciones intersticiales, es difcil que se produzca por agitacin trmica pero si por otros motivos. Dislocacin tipo Tornillo: existe la lnea de dislocacin y existe el vector de Burgers. El vector de Burgers es paralelo a la lnea de dislocacin. La continuidad del cristal se consigue a travs de un movimiento helicoidal alrededor de la lnea de dislocacin, esto es porque no existe plano de deslizamiento.
CIENCIA DE LOS MATERIALES I El motivo por el que se produce est relacionado con la existencia de vacantes que a su vez est relacionada con el grado de agitacin trmico. Esta dislocacin aparecer en las zonas de material ms propicias a la existencia de vacantes, es decir, cerca de la superficie del material. Estos dos casos de dislocacin son extremos, se pueden dar muchos casos intermedios, en esos casos se descompone el vector en dos componentes, una normal y otra paralela a la lnea de dislocacin que recibe el nombre de componentes cua y tornillo respectivamente. Cualquier dislocacin se puede descomponer en un tipo cua y en otro tipo tornillo. Si no fuera por las dislocaciones sera difcil provocar la deformacin de un material, por tanto las dislocaciones disminuyen las propiedades resistivas. La densidad de las dislocaciones en un estado de equilibrio(recocido) suele ser de 106-100.106 lneas de dislocaciones por cm2. Esta densidad de dislocacin se puede aumentar si el material es sometido a un proceso de deformado en fro pudiendo llegar a ser de 1012 lneas de dislocacin por cm2. Si aumentamos la densidad de dislocaciones se puede provocar que cuando se intensifique el proceso de deformacin el nmero de dislocaciones sea tan elevado que impide la continuidad del proceso, se dice que estamos en el estado de Acritud del material, se dice que el material est agrio. Estado de Acritud Mxima Dureza, Resistencia y nula capaciadad de deformacin. Otro procediemiento para producir el endurecimiento del material: sin aumentar la densidad de las deformaciones podemos aumentar la resistencia del material mediante lo que se llama Anclaje de las dislocaiones lo que se produce al precipitar partculas submicroscpicas muy duras en el material que impide el avance de las dislocaciones 5.1.3.-Defectos Superficiales Junta o borde de grano: Cuando solidificamos un material partimos del material en estado lquido. El avance de la solidificacin va pasando por diferentes etapas: En el estado lquido (orden de pequeo alcance) a medida que desciende la temperatura pequeas agrupaciones de tomos tiene la suficiente consistencia para formar un germen de cristalizacin (100 tomos como mnimo). Segn se est formando puede que se redisuelvan en el estado lquido que es mayoritario o que contine creciendo. A medida que continua descendiendo la temperatura se produce el avance progresivo crecimiento del nmero de tomos que se van agregando al ncleo que se ha formado en el lquido. El crecimiento a partir de los grmenes se llama Dendrtico, de forma que la ordenacin atmica va teniendo lugar en las tres direcciones del espacio, normalmente siempre habr un crecimiento preferente en una determinada direccin. No todos los grmenes van a dar lugar a un cristal que tendr la misma orientacin. El crecimiento progresivo va a dar lugar a que al final quedan unos restos de masa lquida que tendrn que ocupar los espacios interdendrticos. La cristalizacin finalizar cuando los diferentes cristales se interfieran entre s, dando lugar a la Junta o Borde de grano. Existen diferentes teoras en cuanto a la situacin que se origina en el borde de grano:
CIENCIA DE LOS MATERIALES I 1 Teora: a ambos lados de la frontera cada uno de los granos tiene una disposicin atmica perfectamente ordenada que se mantiene hasta alcanzar el borde de grano. 2 Teora: a ambos lados de la frontera cada uno de los granos tiene una ordenacin atmica total pero a medida que se aproxima al grano contiguo reordena su estructura, al igual que hace el grano contiguo. Esta es la teora de la zona de transicin. 3 Teora: Teora de la zona amorfa: en una zona comprendida entre ambos granos los tomos estn completamente desordenados mientras que a ambos lados estn ordenados. sta ultima es la ms consistente porque en la junta de grano es donde se da el mayor nmero de impurezas, donde es atacado preferentemente el material al ser sumergido en un reactivo, es la zona de mayor densidad de dislocaciones. La zona de mayor energa es la ms inestable. Las juntas de grano se deben a que los materiales en estrado slido presentan carcter policristalino. Subjuntas de Grano: los que se consolidan al final de la solidificacin tiene diferente orientacin. Pueden ser que dentro del grano existan zonas con una pequea diferencia de orientacin (menos de 1) que se llaman cristalitas y que dan lugar a las Subjuntas de grano. Subjuntas de granos son la frontera entre dos zonas de un mismo cristal que presentan diferentes orientaciones. La subjunta de grano est formada por una discontinuidad de dislocaciones tipo cua. La aparicin de Subjuntas de grano da lugar a lo que se llama Estructura tipo mosaico. Poligonizacin: cuando se deforma plsticamente un materia, ste adquiere una estructura fuera del equilibrio, una vez que cesa la causa que ha provocado la deformacin el material tiende a recuperar el equilibrio estructural: 1.Eliminando las deformaciones de la red cristalina producidas. 2.Formando nuevos granos recristalizar. La primera implica que grupos de tomos se deslicen a una nueva posicin, para que esto suceda es necesario que los tomos se difundan. Los tomos para difundir necesitan una cierta energa que adquieren mediante el calentamiento a una temperatura determinada temperatura de restauracin. Al alcanzar esta temperatura el nmero de vacantes, dislocaciones desciende, las tensiones internas son mitigadas. Este proceso se llama recocido de restauracin. Como consecuencia de este proceso surge la Poligonizacin: las dislocaciones que existen de forma desordenada tienen a ordenarse y a formar una estructura, hay una alineacin de las dislocaciones. El segundo proceso es el de recristalizacin. La temperatura de recristalizacin es especfica de cada material: TR=K*Tfusin; K<1. Atendiendo a la temperatura de recristalizacin los procesos de deformacin se clasifican en dos grupos: En fro En caliente En fro implica que el proceso tiene lugar por debajo de la temperatura de recristalizacin. Como consecuencia del proceso de conformado en fro la propia intensidad de la deformacin da lugar a la deformacin y orientacin de
CIENCIA DE LOS MATERIALES I cristales dando lugar a la textura del material, el material se vuelve amisotrpico. Los procesos de deformacin en caliente, a una temperatura superior a la de recristalizacin, presenta una ventaja debido al hecho de que la temperatura a la que tiene lugar sea a la de recristalizacin, se produce la deformacin de los cristales pero con la recristalizacin se mantiene la capacidad de deformacin del material lo que no ocurre en la deformacin en fro con lo que puede llegar al estado de Acritud. Los procesos de deformacin en caliente son procesos primarios, el acabado final de los materiales suele realizarse mediante procesos de deformacin en fro. Maclaje: da lugar a que en la red de cristalizacin aparezcan dos partes perfectamente simtricos con relacin a un plano (plano de Maclaje) que en si misma tiene una orientacin determinada. El maclado consiste en un movimiento de planos atmicos dentro de la red de cristalizacin paralelamente al plano de maclado, pero para que se den las condiciones de simetra el desplazamiento de cada uno de los planos atmicos es directamente proporcional a la distancia de cad uno de ellos al plano de maclado correspondiente. Gran nmero de aleaciones industriales presentan ste tipo de defecto. Aparecen principalmente en aquellos materiales que cristalizan en el sistema cbico centrado en las caras y suele aparecer como consecuencia de un proceso de deformacin y posteriormente un recocido de recristalizacin. Tambin puede aparecer en los otros sistemas de cristalizacin despus de un proceso de deformacin. Da lugar a las maclas o banderas. Latn monofsico Cu-Zn (Zn <38%) CCC Aceros inoxidables austenticos CCC
Tema 6: Estructura Granular de los materiales

6.1.-Nucleacin Aparicin de un germen o ncleo que acta como creador del cristal del durante el proceso de cristalizacin. Es necesario que presente un nmero determinado de tomos (25-100) al que se van aadiendo nuevos tomos y as se produce el crecimiento progresivo. Hay grmenes que se disuelven otros que permanecen estables, aparecen nuevos grmenes. Se puede decir que existe un equilibrio dinmico en relacin a los grmenes que existen en la masa lquida. Cuanto ms elevada es la temperatura mayor es el dimetro crtico de los grmenes, que es el dimetro que hace posible que aparezca el cristal. Velocidad de Nucleacin: Es el nmero de ncleos por unidad de tiempo y unidad de volumen. Cada ncleo suele tener una orientacin de crecimiento aleatoria salvo que las causas de provocacin del germen incidan en una
CIENCIA DE LOS MATERIALES I direccin preferente de crecimiento como la existencia de un gradiente trmico, etc... Se puede hablar de dos tipos de nucleacin: Homognea: cuando todos los grmenes que se forman lo hacen a partir de los tomos del material en estado lquido. Heterognea: la formacin de grmenes se ve favorecida por la presencia de tomos extraos (normalmente aadidos intencionadamente). La nucleacin homognea o heterognea condiciona la facilidad de la nucleacin y la consolidacin de la misma. En la nucleacin homognea para consolidar los ncleos es necesario someterlo a un subenfriamiento que consiste en enfriar de manera muy rpida por debajo de la temperatura de solidificacin del material para consolidar los ncleos. Este grado de subenfriamiento puede ser mayor a menor. En el caso de la nucleacin heterognea tambin se da el subenfriamiento pero el grado de subenfriamiento es menor que en el caso anterior, del orden de algn grado. Una vez consolidados los ncleos el paso siguiente conlleva la consolidacin de la fase slida con la cristalizacin, apilamientos de tomos que se incorporan a los ncleos. Mientras exista fase lquida puede ocurrir que parte de los cristales se redisuelvan en ella. Tambin pueden producirse fenmenos de Segregacin, es decir, si los cristales son menos densos que la fase lquida flotarn y habr mayor nmero de ellos en la superficie mientras que se la densidad de los cristales es mayor que la de la fase lquida los cristales se hundirn y habr por tanto mayor nmero de ellos en el fondo.
Agitando durante el proceso de solidificacin se produce la fragmentacin de los ncleos dando lugar a una estructura ms fina. En cuanto al crecimiento de los cristales pueden darse dos situaciones extremas: 1. Los cristales se desarrollan creciendo de forma idntica en las tres direcciones del espacio, tendiendo a presentar una forma regular, acoplndose perfectamente. Se dice que la forma perfecta de un cristal sera un volumen que diese lugar a un crecimiento por igual en las tres direcciones. 2. Los cristales tienen una nica direccin de crecimiento, el cristal se desarrolla de forma acicular. Los cristales estarn orientados al azar siendo muy difcil que compactaran para llenar el volumen. En realidad, el crecimiento tiene lugar en las tres direcciones del espacio pero con una direccin preferente de crecimiento. Realmente los cristales no tienen ni forma regular ni forma irregular lo que da lugar a que los cristales a nivel superficial puedan ser muy diferentes.
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CIENCIA DE LOS MATERIALES I Se pude hablar de una velocidad de crecimiento que representa el aumento de peso del cristal por unidad de tiempo. El crecimiento termina cuando se interceptan los cristales. A esos cristales limitados por la junta o borde de grano se les llaman granos. Cristal tres dimensiones, grano dos dimensiones, ambos expresan los mismo. 6.2.-Forma de los granos Los granos pueden tener diferentes formas, la forma ideal es la de un octaedro de vrtices truncados, esta forma sera capaz de llenar todo el espacio, para que se de esta forma de crecimiento tendra que ser igual en las tres direcciones del espacio. El borde de grano puede ser poligonal o disforme. El cristal ideal a nivel superficial debera de tener la forma de un hexgono perfectamente regular, si el crecimiento fuera igual en las tres direcciones del espacio.
Una vez finalizado el proceso de solidificacin vamos a tener un tamao de grano que se mide por diferentes mtodos. Dependiendo de los valores de la velocidad de nucleacin o la de crecimiento tendremos un tamao de grano diferente. Si la velocidad de nucleacin es baja tendremos pocos ncleos por lo que obtendremos una estructura granular basta (grano grande), mientras que si es elevada tendremos muchos ncleos que darn lugar a una estructura granular fina (grano pequeo). Si la velocidad de crecimiento es elevada tendremos una estructura granular basta, mientras que si es baja tendremos una estructura granular fina. El tamao de grano es un factor de calidad del material, dada su influencia en el comportamiento mecnico del material. En el tamao de grano tambin influye la velocidad durante el proceso de solidificacin, cuanto mayor sea ms fina ser la estructura granular que obtendremos.
Tamao grano
Velocidad de enfriamiento
Cuando reducimos el tamao de grano aumenta el nmero de granos por unidad de superficie lo que se traduce en un mayor nmero de juntas de grano, lo que hace que cuantos ms defectos superficiales por unidad de
CIENCIA DE LOS MATERIALES I superficie mayor impedimento tendrn las dislocaciones para deslizarse con lo que tendremos una menor capacidad de deformacin plstica. Esto se pone de manifiesto en la ecuacin de Hall-Petch:
s y = s 0 + kd -1 2
y: esfuerzo necesario para provocar una deformacin permanente en el material. 0: cte del material. : cte del material. d: dimetro medio de los granos.
sy
Ms grueso
d-1/2
ms fino
6.3.-Medicin del tamao de grano Para medir el tamao de grano existen 3 mtodos: Comparacin segn la normativa ASTM. Intercepcin. Planimtrico. Las dos ltimas estn en desuso. 6.3.1.-Comparacin: observando la muestra del material cuyo tamao de grano se desea medir mediante el microscopio o empleando una fotomicrografa, comparamos la muestra con una serie de patrones previamente establecidos por la norma ASTM a cada uno de los cuales se le asigna un nmero determinado que es lo que se llama ndice de tamao de grano. La norma tambin fija el nmero de aumentos a los que hay que observar la muestra, en este caso 100. El tamao de grano viene definido por la norma como: N = 2 n-1 , donde: N: nmero total de granos por unidad de superficie (pulgada2). n: nmero de tamao de grano: 1 < n < 10. Cuanto mayor es n tanto ms fino va a ser el tamao de grano. 6.3.2.-Interceptacin: bien en la observacin directa del microscopio o bien en una fotomicrografa vamos a trazar unas lneas, concretamente res, que podrn ser rectas o curvas y determinaremos el nmero de interceptaciones de dicha lnea con los bordes de grano, determinando el nmero de interceptaciones de grano por unidad de longitud se determina el
CIENCIA DE LOS MATERIALES I nmero de granos. Si un grano no es interceptado enteramente se contabilizar como medio grano. 6.3.3.-Planimtrico: sobre la micrografa o sobre la observacin del microscopio trazaremos una superficie de rea conocida (circulo o rectngulo) y contabilizamos el nmero de granos que quedan en el interior de la figura, aquellos granos que no estn totalmente incluidos en la superficie contabilizarn como medio grano. As obtenemos el nmero de granos por unidad de rea.
Tema 7: Constituyentes de las Aleaciones

Las aleaciones se caracterizan por: Propiedades: mecnicas, fsicas, qumicas. Composicin: proporcin de los componentes. Componentes: Elementos simples de la tabla peridica. Compuestos. Constitucin fsico-qumica: trata de expresar el nmero, la naturaleza, la composicin y el porcentaje de los constituyentes. Constituyentes: Los componentes pueden presentarse de diferentes formas y maneras, estas diferentes formas y maneras dan lugar a los constituyentes, se pueden presentar en forma de: componentes puros, compuestos, soluciones slidas. Estructura: trata de definir las dimensiones, la forma y como estn dispuestos los constituyentes. Estado mecnico: todos los esfuerzos que ha sufrido pueden dar lugar a tensiones internas.
CIENCIA DE LOS MATERIALES I La estructura y la combinacin condicionan las propiedades que se obtienen. Todo material presenta estructura policristalina, se refiere al hecho de que en estado slido estar formado por el apilamiento de una gran cantidad de cristales. Se pueden dar dos casos: Fase: En relacin con el conjunto considerado es cualquier parte del Monofsica: todos los cristales son de idntica naturaleza Policristalina Bifsica: dos clases de cristales diferentes. mismo que es diferenciable del resto. En muchos casos fase y constituyente es lo mismo, existen casos particulares en los que no. Monofsica: la naturalezas puede ser: Componente puro Compuesto Solucin slida Bifsica: pueden responder a dos casos particulares: 1 constituyente: mezcla de 2 compuestos puros mezcla de 2 compuestos mezcla de 2 soluciones slidas
2 constituyentes: mezcla de 1 componente puro y 1 compuesto mezcla de 1 componente puro ms 1 solucin slida mezcla de un compuesto ms 1 solucin slida. La diferencia est en que en el caso de 1 constituyente no es lo mismo hablar de constituyente y de fase, mientras que en el caso de 2 constituyentes en la mayora de los casos si son coincidentes. Los constituyentes de las aleaciones pueden ser: componentes puros soluciones slidas: de sustitucin: Ordenadas Desordenadas De insercin: Ordenadas Desordenadas Mixtas
CIENCIA DE LOS MATERIALES I Compuestos definidos: De valencia normal:
Covalentes Inicos De carcter electrnico De tipo intersticial Fases de Laves
De valencia anormal:
7.1.-Soluciones Slidas Soluciones slidas: son mezclas de los componentes (slidos) que tienen solubilidad mutua. Uno de los componentes actuar como disolvente y otro como soluto. Soluciones slidas de sustitucin: los tomos de soluto sustituyen total o parcialmente a los de disolvente, el disolvente es el que define la red de cristalizacin. Soluciones slidas de insercin: loa tomos de soluto se sitan en los intersticios de disolvente. 7.1.1.-Soluciones slidas de sustitucin Los tomos sustituyen a los del disolvente de las posiciones principales, esta sustitucin es totalmente aleatoria, esto hace que la solucin sea homognea a nivel macroscpico, pero a nivel elemental (malla) es heterognea. La sustitucin tomo a tomo de una posicin principal de disolvente no tiene por qu ser la misma en todas las mallas del sistema de cristalizacin. Al sustituir tomo a tomo ocurre que se produce una deformacin de la red que tiende a ser tanto mayor cuanto mayor es la concentracin de tomos de soluto que sustituyen a los tomos del disolvente. Esto hace que cambien las propiedades fsicas y mecnicas (dureza y resistencia), as la dureza y la resistencia tienden a variar a medida que aumenta el grado de distorsin. Cuanto mayor es el grado de distorsin mayor ser la dureza. La distorsin puede ser que venga dada por el aumento o la disminucin del parmetro de la red dependiendo del tamao relativo de los tomos esto tambin influye en la variacin de las propiedades. As el aumento de la dureza es tanto ms sensible a la disminucin de los parmetros de la red que al aumento de los mismos. Las slidas de sustitucin conllevan la sustitucin tomo a tomo, el grado de sustitucin puede llegar a tener poca identidad (o nula) entonces diremos que estamos ante soluciones slidas de sustitucin de solubilidad parcial, o bien puede llegar a ser del 100% y diremos que estamos ante soluciones slidas de sustitucin de solubilidad total, es decir, se dan cuando todos los tomos del disolvente son sustituidos por los tomos de soluto, pero para que se d esto tienen que darse una serie de
CIENCIA DE LOS MATERIALES I circunstancias todas ellas de forma favorable y al unsono, son las llamadas Reglas de Hume-Rothery: 1. Factor sistema de cristalizacin. 2. Factor tamao relativo. 3. Factor afinidad qumica. 4. Factor Valencia Relativa. 5. Factor Temperatura. 1.Factor sistema de cristalizacin: hace alusin al hecho de que la solubilidad mutua ser tanto mayor cuanto ms semejantes sean los sistemas de cristalizacin del soluto y del disolvente. Consideramos el disolvente a aquel componente cuya estructura permanece, pero cuando ambos componentes presentan la misma estructura consideramos que el disolvente es aquel que tiene mayor porcentaje atmico. Puede existir solubilidad completa a pesar de que el sistema de cristalizacin es diferente, pero debe de ser lo ms semejante posible. 2.Factor tamao relativo: hace alusin a que la diferencia de radio atmico es fundamental al definir la extensin de la disolucin. La sustitucin tomo a tomo producir distorsin tanto mayor cuanto mayor sea la diferencia de tamao y si la solubilidad aumenta, aumentar la inestabilidad, habr un lmite a partir del cual la solucin slida no puede permanecer estable. La mxima diferencia de tamao suele ser del 15%. Si la diferencia de tamao es superior al 15% el aumento de la inestabilidad tiende a no favorecer la solubilidad completa. Podr darse solubilidad completa cuando la diferencia de tamao relativo no supere el 15%. 3.Factor afinidad qumica: la afinidad qumica define el comportamiento de los componentes de la aleacin en funcin de su posicin en la tabla peridica. Sern tanto ms afines qumicamente cuanto ms separados estn en la tabla peridica. Cuanto ms afines mayor tendencia a la formacin de un compuesto y por tanto menor a la formacin de una solucin slida de sustitucin. 4.Factor valencia relativa: la solucin slida de sustitucin se forma por la sustitucin tomo a tomo de los tomos del disolvente por los tomos de soluto, el tomo de soluto al sustituir un tomo de disolvente puede tener la misma o diferente valencia. Si tiene la misma valencia y el tamao relativo est dentro del lmite el sistema no se inmuta. Si el soluto tiene mayor valencia que disolvente se n electrones inestabiliza porque aumenta la concentracin electrnica = . La n tomos variacin de la concentracin electrnica da lugar a que aumenta la
CIENCIA DE LOS MATERIALES I inestabilidad cuanto mayor sea la sustitucin tomo a tomo. La solucin slida admite una sustitucin que conlleve un aumento de la concentracin electrnica de forma que no sea superior al 40%. Si la valencia del disolvente es superior a la del soluto la sustitucin tomo a tomo da lugar a la disminucin de la concentracin electrnica, lo que tambin aumenta la inestabilidad, de forma tal que las soluciones slidas son ms reacias a que se produzca una disminucin que a se produzca un aumento, siempre y cuando ese aumento no sea superior al 40%. La probabilidad de que se produzca la solubilidad del de mayor valencia en el de menor valencia es mucho mayor que la de que se produzca la solubilidad del de menor valencia en el de mayor valencia. Cuanto mayor es la diferencia de valencia relativa entre el soluto y el disolvente menor es la capacidad de solucin del soluto en el disolvente. El factor primordial a la hora de obtener una solucin slida de sustitucin de solubilidad total es el factor tamao relativo aunque pudiera parecer que es el factor valencia relativa.
5.Factor Temperatura: el aumento de la temperatura vara el parmetro de la red y aumenta la energa cintica de los tomos, esto favorece la solubilidad porque adems al aumento de temperatura tiene a disminuir el factor afinidad qumica. Todo esto hace pensar que la temperatura influye en la capacidad de disolucin, pero existen excepciones en las que el aumento de la temperatura no aumenta la capacidad de disolucin. 7.1.2.-Soluciones slidas de insercin Son un caso raro, pero se dan en las aleaciones industriales ms usadas porque se dan en los sistemas formados por el hierro y el carbono (aceros y fundiciones). Se dan cuando los tomos de soluto ocupan una posicin que coincide con algn hueco del elemento que acta como disolvente. Para que se forme una solucin slida de insercin los tomos de soluto deben ser tomos de tamao atmico pequeo que haga posible su ubicacin en los huecos del elemento disolvente. Como consecuencia de esto el soluto suele ser C, H, N, B. An as si comparamos los tamaos de estos elementos con el del hueco darn lugar a la distorsin de la red porque su radio atmico ser mayor que el radio del hueco. Al deformarse la red se producir un aumento de la variacin de las propiedades, concretamente un aumento de las propiedades resistivas. Las ms famosas son las del hierro con el carbono: Ferrita C en Fea (CC) Austenita C en Feg(CCC) Ferrita d C en Fed (CC) Martensita C en Fea (CC)
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CIENCIA DE LOS MATERIALES I En el caso de la ferrita la insercin de los tomos de carbono tiene lugar en los intersticios mayores del Fea (4 en cada cara). Conocido el tamao atmico del hueco y el radio atmico del carbono (0,068nm) se puede llegar a determinar si se provoca deformacin o no en la red, debe ser as. Con esa deformacin la insercin de C tiene como consecuencia el aumento de la dureza. En la austenita el carbono puede situarse en los intersticios octadricos o en los tetradricos, en el caso de la austenita se sita preferentemente en los intersticios octadricos, como la capacidad del hueco es mayor que en la ferrita la solubilidad ser mayor. En el caso de la austenita la solubilidad es mxima a 1147C y es del orden del 1,7% C mientras que en el caso de la ferrita la solubilidad es mxima a 721C con un valor del orden de 0,03%C. En la Ferrita d los tomos de carbono ocupan los intersticios mayores del sistema CC, la solubilidad mxima tiene lugar a una temperatura del orden de 145C y el porcentaje de carbono est por el 0,08% de C.
En la martensita los tomos de carbono se sitan o bien en el centro de las aristas o en el centro de las caras, tienden a situarse en una determinada direccin produciendo la distorsin de la red.
a
c = f (% c ) > 1 a La distorsin que se provoca puede ser muy fuerte lo que implica un fuerte aumento de la dureza. La capacidad de solucin del carbono en la martensita puede alcanzar porcentajes del orden de 1,11,2% C.
7.1.3.-Soluciones slidas ordenadas Se dan preferentemente en el caso de las soluciones slidas de sustitucin aunque tambin se da en las de insercin. Una solucin slida de sustitucin ser ordenada cuando los tomos que actan como soluto desplazan tomos de disolvente adquiriendo una disposicin particular en la propia red del disolvente, es como si tuviramos dos
CIENCIA DE LOS MATERIALES I redes una de tomos de soluto y otra de tomos de disolvente. Se forman lo que se llaman Super-redes. En el caso de soluciones slidas ordenadas la homogeneidad es total, tanto a nivel elemental (de malla) como a nivel macroscpico. Para que se formen tiene que ocurrir que la red del disolvente sea fuertemente distorsionada por la sustitucin tomo a tomo, de forma que la distorsin aumenta la estabilidad del sistema. La formacin de super-redes se ver favorecida por diferencias entre los radios atmicos de soluto y disolvente mayores del 15%, que producir fuertes distorsiones en la red. Si no se da esto la aleacin reacciona disponiendo a los tomos de forma que se distancien lo ms posible los tomos semejantes. Otra circunstancia que favorece las soluciones ordenadas es el hecho de que el nmero de tomos de soluto tiene que ser alto, tiene que existir alta solubilidad, adems tienen que concurrir favorablemente las reglas de HumeRottery, en cuanto a la afinidad qumica favorece el hecho de que exista una cierta afinidad qumica porque as se crean fuerzas repulsivas. La porcin de tomos de soluto y disolvente suele ser fija y determinada, de forma que garantice una distribucin homognea y regular en el espacio. Puede responder a una relacin estequiomtrica entre los tomos de soluto y los de disolvente. Las soluciones slidas ordenadas no se generan en el proceso de solidificacin, se producen despus siempre y cuando las condiciones de enfriamiento hasta la temperatura ambiente respondan a las condiciones termodinmicas de enfriamiento, es decir, enfriamiento sumamente lento. Las soluciones slidas ordenadas slo existen por debajo una temperatura determinada de forma que una aleacin pueda presentarse en dos formas: como solucin slida ordenada y como solucin slida desordenada. Como consecuencia del grado de ordenacin se produce la modificacin de las propiedades, as en una solucin slida ordenada las propiedades resistivas aumentan en comparacin con la de la solucin slida desordenada. Ejemplos de soluciones slidas ordenadas: se dan en sistemas binarios de los componentes en los que los dos componentes cristalizan en el mismo sistema de cristalizacin. Consideramos el sistema: Cu-Au Ambos cristalizan en el sistema CCC y la diferencia de radio atmico es del 14%. Considerando unos porcentajes del 25%Au y del 75%Cu si se dan las condiciones de enfriamiento lento los tomos de Au tienden a disolverse ordenadamente en la red de Cu, de forma que los tomos de Au ocupan los vrtices y los de Cu centros de las caras del cubo. Au
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Cu
1 n atmAu malla = 8 = 1 8 1 n atmCu malla = 6 = 3 2
La relacin estequiomtrica ser: Cu3Au, con esta disposicin cada 2 tomo de Au est a una distancia a de otro de Au y a una distancia a de 2 2 un tomo de Cu y cada tomo de Cu est a una distancia a de otro tomo 2 de Cu. Si consideramos unos porcentajes del 50% Au y del 50% de Cu y enfriamos en las condiciones necesarias se formar una solucin slida de sustitucin ordenada en la que los tomos de Cu ocuparn los vrtices y los centros de las caras superior e inferior u los tomos de Au se situarn en los centros de las caras restantes. Cu
c Au a
1 n atmAu malla = 4 = 2 2 1 1 n atmCu malla = 8 + 2 = 2 8 2 La relacin estequiomtrica es: CuAu, la separacin entre un tomo de 2 Au y su vecino ms prximo es a . Se forma una estructura estratificada, 2 a formada por planos de tomos de Cu y Au sucesivamente que distan . Puede 2 c provocarse una deformacin de la altura del cubo: 1 . a
7.2.-Compuestos Definidos Reciben este nombre porque responden a una relacin fija y bien determinada entre los dos componentes de la aleacin y que por tanto se
CIENCIA DE LOS MATERIALES I caracterizan por una relacin estequiomtrica entre ambos. Clasificamos los compuestos definidos en: 7.2.1.-Valencia normal Se llaman as porque la relacin viene definida por las leyes de la valencia, son lo mismo que los compuestos qumicos. La estructura cristalina no tiene por qu ser la de ninguno de ambos compuestos. Para que se de un compuesto qumico tiene que haber una cierta afinidad qumica entre los componentes, se forman cuando uno es electropositivo y el otro es electronegativo. Esto da lugar a la formacin de enlaces fuertes que pueden ser o bien de tipo inico o bien de tipo covalente. Lo que conlleva altas energas de enlace que da lugar a que tengan elevado punto de fusin, sean muy duros, muy frgiles, poco dctiles (escasa deformacin plstica), no son conductores ni trmica ni elctricamente. El campo de existencia se restringe a la propia composicin del compuesto. La estructura cristalina normalmente suele responder a 4 casos: 1.Estructura semejante a la del NaCl (cloruro sdico) El Cl ocupa los vrtices y los centros de las caras del cubo, como hay 4 atm de Cl por malla y para mantener la relacin 1-1 tiene que haber 4 tomos de Na por malla, entonces el Na ocupar los huecos octadricos (centro del 1 cubo y de las aristas). 12 + 1 = 4 atmNa malla . Los compuestos que cristalizan 4 en este tipo de red suelen tener carcter fuertemente inico. 2.Estructura semejante a la del (F2Ca) (Fluoruro de Calcio) Se trata de un sistema cbico, el Ca ocupa las posiciones principales de un sistema CCC y por tanto habr 4 tomos de Ca por malla y para mantener la relacin estequiomtrica 2-1 el F debe ocupar los intersticios tetradricos, se coloca un tomo de F en el centro de cada uno de los 8 subcubos del cubo principal, formando un cubo centrado respecto al principal, las posiciones de a a cada tomo de F se separan formando una red cbica con parmetro . El 2 2 enlace primordial es el inico. 3.Cristalizar en la estructura tipo diamante Los tomos de uno de los componentes ocupa los vrtices y los centros de las caras y los del otro componente ocupan cuatro de los ocho intersticios tetradricos. N de coordinacin =4. Da lugar a enlaces fuertemente covalentes. 4.Cristalizar como el AsNi (Arseniuro de Niquel) El AsNi cristaliza en el sistema HC, el niquel ocupa las posiciones en los planos basales superior e inferior, mientras que el As ocupa las posiciones del plano intermedio.

1 1 n atmNi malla = 12 + 2 = 3 6 2 n atmAs malla = 3 Suele presentar carcter intermedio entre el covalente y el inico. El tipo de sistema de cristalizacin depende del tipo de enlace.
7.2.2.De valencia Anormal En estos compuestos la relacin fija determinada no viene dada por las leyes de la valencia sino que viene dado por otras circunstancias: Compuestos Intersticiales Geomtricas (de tamao relativo) Fases de Laves
Niveles Electrnicos ms favorables
Compuestos Electrnicos
Compuestos Intersticiales: se dan cuando elementos de radio atmico pequeo (H, C, O, B, N) ocupan los intersticios del sistema de cristalizacin de un elemento (normalemente metales de transicin Fe, W, Mo). Los intersticios son ocupados hasta la saturacin, es decir, los tomos del elemento de radio tomico pequeo ocupan todos los intersticios, haciendo que o bien se mantenga la red de cristalizacin o bien sta se deforme, dependiendo de la relacin de tamao. Pueden ser de dos tipos: Simples Complejos
Estos dos tipos se caracterizan por relaciones puramente geomtricas o de tamao, de forma que: Si
Rx < 0.59 tendremos compuestos intersticiales simples que se RM
caracterizan porque normalmente conservan la estructura del metal de transicin, suelen cristalizar en CCC o HC. Responden a una relacin estequiomtrica que ser del tipo MX o MX2, esto tiene que ver con el tipo de intersticios en el que se ubiquen los tomos de radio atmico pequeo. Si
Rx > 0.59 tendremos compuestos intersticiales complejos que ya RM
no tienen por que responder a una relacin estequiomtrica simple (MX o MX2)
CIENCIA DE LOS MATERIALES I ni tampoco tiene por qu cristalizar en los sistemas de cristalizacin CCC o HC. La fuerte distorsin hace que se de lugar a estructuras ms complejas. As, por ejemplo: la Cementita responde a la relacin estequiomtrica CFe3 con un porcentaje fijo de C del 6,67% y cristaliza en el sistema ortorrmbico debido a la fuerte distorsin cabe esperar que sea un compuesto duro y de hecho es el constituyente ms duro de los aceros. Los compuestos intersticiales tiene en comn que son muy duros, poseen una elevada temperatura de fusin, son frgiles y por tanto poseen escasa capaciada de deformacin plstica. Son compuestos endurecedores que interesa que aparezca cuando se busca dureza y que interesa eliminar cuando se busca capacidad de deformacin plstica. Fases de Laves: genericamente responden a una relacin estequiomtrica AB2 que viene impuesta por razones de tamao de forma que
RA = 1.2 . Pueden cristalizar en tres tipos de estructura: cbica de 24 atm/malla, RB

hexagonal de 12 atm/malla y tambin hexagonal con una disposicin planar diferente de la del sistema hexagonal compacto de forma que la estratificacin de las capas de tomos en 1213... en lugar de 12121...
3
Suelen emplearse para endurecer materiales que van a estar sometidos a altas temperaturas. Compuestos Electrnicos: se dan preferentemente en los sistemas dormados por componentes de diferente valencia. Para verlos vamos a estudiar diferentes sistemas. El sistema Cu-Zn Latones. Cu CCC Zn HC
a a+b b b+g g g+e e e+h h
Cu(CCC) 40
46
54
60
68
73
85
98
Zn(H.C)
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El Zn se disuelve en el Cu hasta un determinado lmite, cuando alcanzamos el lmite de sauracin como mucho se habr aumentado el factor de concentracin electrnica en un 40% respecto al del disolvente. n electrone f .c.e = n tomos x.1 + (1 - x )2 f .c.e = 1.4 = x = 60% 100 x: porcentaje de Cu en ese punto. 1-x: porcentaje de Zn en ese punto. Al sobrepasar el 40% de Zn aparece una nueva fase en equilibrio b, que se ir haciendo mayoritaria entre el 40 y el 46% de Zn hasta que a partir del 46% es la nica fase existente. El campo de existencia de la fase b est entre el 46 y el 54% de Zn. La fase a es una fase primaria o extrema, la fase b es una fase secundaria o intermedia. El sistema de cristalizacin de b no tiene por qu ser el de ninguno de los dos componentes, de hecho en este caso b cristaliza en el CC. Si superamos el 54% de Zn aparece una fase g, al superar el 60% aparece nicamente la fase g, su campo de existencia se extiende entre el 60 y el 68% de Zn, tambin es una fase intermedia. g Cristaliza en un sistema cbico complejo de 52 atm/malla. Si continuamos aumentando el porcentaje de Zn por encima del 68% aparece una nueva fase e que ser predominante cuanto mayor sea el porcentaje de Zn, a partir del 73% de Zn la nica fase es la e, y su campo de existencia est comprendido entre el 73 y el 85% de Zn, g es otra fase intermedia, su sistema de cristalizacin es el HC. Por encima del 85% de Zn aparece la fase h que en principio est en equilibrio con la fase e y que a medida que aumenta el porcentaje de Zn se va haciendo predominante, a partir del 98% slo existe a fase h, que es una fase extrema. Para la fase b (50% Zn) 50 1 + 50 1 3 21 f .c.e b = = = 100 2 14 (donde 50 es el % y 1 es la valencia) 50% Zn CuZn El lmite de existencia de la fase a: 21 f .c.ea = 1.4 = 15 Para la fase g (61,6% Zn)(donde 8 n tomos y 2 valencia) 5 1 + 8 2 21 f .c.eg = = 5+8 13 61,6% Zn Cu5 Zn8 Para la fase e (75% Zn)
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1 1 + 3 2 7 21 = = 1+ 3 4 12 75% Zn CuZn3 Las tres fases se caracterizan para una composicin dada dentro del campo de existencia de las mismas porque tienen similares valores del factor de concentracin electrnica. Tambin ocurre algo semejante con el sistema Cu-Al (cupro-aluminios). Cu CCC Al CCC Aparecen tres fases intermedias b, g, e. f .c.eg =
Cu a a+b b b+g g g+e e e+h h Al
En el lmite de existencia de a: y.1 + (1 - y )3 f .c.ea = 1.4 = y = 80% y +1- y y: % tomos de Cu 1-y: % tomos del Al La fase intermedia b cristaliza en el CC, gen un sistema cbico complejo y h en HC. Adems los factores de concentracin electrnica son iguales que en el caso anterior. Otro sistema de aleaciones: Cu-Sn (bronces) tambin es ocurre lo mismo que hemos visto en los casos anteriores. z.1 + (1 - z )4 f .c.ea = 1.4 = z = 13.33% z +1- z Las tres fases suelen presentar las mismas carctersticas: blandas, maleables, dctiles, con conductividad. Aunque la fase g es dura, muy frgil, poco maleable y no es conductora.
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Tema 8: Difusin
La difusin es un desplazamiento de los tomos desde las posiciones principales que les corresponde a una posicin situada en sus inmediaciones, este desplazamiento tiene lugar con una aptitud del orden de una distancia interatmica. El fin de este movimiento atmico es lograr la mxima homogeneizacin, es una transferencia neta de tomos o de masa que tiende a hacer desaparecer gradientes de concentracin en un determinado material. Puede ocurrir que cualquier otro material en el que existe otro tipo de gradientes adems del de concentracin (gradientes de temperatura, de presiones, de tensiones internas), la difusin puede que acte en sentido contrario, es decir, aumentando el gradiente de concentracin. Nos centraremos en el primer caso. Para que exista transferencia de masa los tomos tiene que saltar de las posiciones tericas a otras posiciones en las inmediaciones, estos saltos se ven favorecidos por el grado de agitacin trmica, la trasferencia neta de tomos va a ser mayor cuanto ms alta sea la temperatura. Estos saltos, en principio, existen siempre pero slo hay transferencia de masa cuando exista un gradiente de concentracin. Los mecanismos de desplazamiento pueden responder a diferentes situaciones. Mecanismo de simple intercambio: Un tomo intercambia su posicin con otro tomo contiguo al que se difunde. Esto puede tener lugar cuando el sistema de cristalizacin es poco compacto, debido a las distorsiones que se producen con los cambios de posiciones. Mecanismo de intercambio cclico o anillo Zener: consiste en una sucesin cclica de simples intercambios, cada tomo va ocupando el lugar del anterior, el ltimo ocupa el de primer. Mecanismo de difusin por vacancias: un tomo abandona su posicin principal y mediante un salto pasa a ocupar una vacancia en las inmediaciones, la energa requerida y la deformacin producida son pequeas y la difusin en este caso se ve favorecida. Es el mecanismo ms importante sobre todo en las soluciones slidas de sustitucin. Mecanismo de difusin simples intersticial: un tomo que ocupa una posicin tpicamente intersticial abandona la posicin que inicialmente est ocupando y pasa a una posicin de la misma naturaleza situada en sus inmediaciones, la deformacin es mnima porque el tamao del tomo que se difunde es pequeo aunque se produce un distorsin local. Mecanismo de desplazamiento mixto: un tomo que ocupa una posicin intersticial ante la existencia de una vacancia en sus inmediaciones pasa a ocupar esa posicin principal y desde esta posicin se sita en otra posicin intersticial. La deformacin es mnima.
CIENCIA DE LOS MATERIALES I Mecanismo Crandinico: consiste en el desplazamiento de un grupo de tomos que estn situados en una direccin determinada (ese grupo de tomos se llama grupo crandinico). El desplazamiento tiene lugar en esa direccin determinada porque existe un tomo adicional que provoca el desplazamiento. Para que se de este mecanismo es necesario la existencia de un tomo suplementario, es decir, que existan defectos. Los mecanismo ms importantes son el mecanismo de difusin por vacancias y el mecanismo de desplazamiento mixto. Para poner de manifiesto que slo existe difusin cuando hay gradiente de concentraciones consideramos el siguiente ejemplo: Tenemos un plano atmico de un material sin ningn defecto. Cada uno de los tomos radioactivos puede saltar a posiciones existentes en sus proximidades (consideraremos que el mecanismo de difusin es por simple intercambio). Vamos a suponer que son equipotenciales todos los desplazamientos, si existe un mecanismo de difusin por simple intercambio cada uno de los tomos radioactivos puede saltar a posiciones vecinas desplazando al tomo de ah y cambiar su posicin. Con ello se producir una nueva situacin.
Si representamos la curva de distribucin de los tomos radioactivos: Despus de una serie de saltos la concentracin de tomos radiactivos
C C
Inicialmente
Despus del primer desplazamiento
dC <0 dx
3 6 Columna Columna
dC <0 dx
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CIENCIA DE LOS MATERIALES I en cada una deg las 8 columnas ser la concentracin de 2 atm/comlumna. misma, respondiendo a una
Columna
Cuando no existe el gradiente de concentracin, la difusin acaba porque ha alcanzado el fin que persigue, pero no tien porqu acabar los saltos de los tomos. 8.1.-1 Ley de Fick Es una ley que rige la difusin. El comportamiento de los tomos durante la difusin es semejante al que ocurre en la transmisin de calor, llegamos a dC que: J = - D dt C concentracin (g/cm3) J g/cm2.sg D coeficiente de difusin (cm/sg) Esta primera ley de Fick es slo aplicable bajo el supuesto de que el flujo es estacionario, no vara en funcin del tiempo.
Llamando: d longitud del salto f frecuencia t tiempo entre dos saltos consecutivos El recorrido medio de una partcula viene dado por:
l=d
f t , es decir el recorrido medio es directamente proporcional
al tiempo elevado a . El recorrido total: l = d f t , es directamente proporcional al tiempo. D en el caso de los sistemas cbicos responde a una frmula concreta: 2 d D= f. 6
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CIENCIA DE LOS MATERIALES I Si consideramos la frecuencia de salto en uno de los modos de la malla: f
d2 D= z f ' 6 Donde z es el nmero de coordinacin del sistema cbico. En cada variedad del sistema cbico: Cbico simple: Z=6 (hay 6 tomos a una distancia a de un tomo determinado). a2 D = 6 f '= a2 f ' 6
a 3 2 8 f ' = a 2 f ' CC D = 6 a 2 2 12 f ' = a 2 f ' CCC D = 6 Para todas las variaciones del sistema cbico D tiene el mismo valor. En el caso de un sistema hexagonal D depende de la direccin y de la posicin concreta. El valor D alcanza magnitudes del orden de 10-8cm2/sg cuando se est considerando un metal a una temperatura muy prxima pero inferior a su temperatura de fusin. Consideramos: D=10-8cm2/sg d=0,3nm Un sistema cbico
2 2
6D d2 La frecuencia de saltos difusivos es del orden de 100 millones por segundo, podemos compararlo con el nmero de oscilaciones de cualquier tomo que es de: 1012-1013 oscilaciones/sg a esa temperatura, entonces vemos que de cada milln de oscilaciones slo una se traduce en un salto difusivo. La distancia recorrida por los tomos, suponiendo que el material se encuentra en los mismos supuestos anteriores y que permanece en esas condiciones 100 horas, resulta que: l = 1,4mm
Por tanto: f
l = 6500m
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CIENCIA DE LOS MATERIALES I Un tomo despus de recorrer ms de 6Km se separa, slo 1,4mm de su posicin inicial. Esto nos permite ver que es muy difcil eliminar el gradiente de concentracin de un material. Hasta ahora hemos considerado que el flujo de tomos era estacionario, considerando ahora que el flujo depende de la posicin y del tiempo obtendremos la 2 Ley de Fick. 8.2.-2 Ley de Fick Para obtenerla hay que considerar el flujo de tomos que entran en un determinado diferencial de superficie y el flujo de tomos que salen de ese C C = D mismo diferencial de superficie: . t x x La 2 ley de Fick implica conocer las condiciones de contorno y las iniciales en cada caso, si las conocemos podemos resolver problemas como la cementacin de los aceros, dopado de obleas de silicio. C 2C Si el material es isotrpico: D= cte. Y entonces tendremos: = D 2 t x 8.3.-Experiemento de Kinkerdall Trata de demostrar que cuando existe difusin simultnea de dos partculas diferentes que tienden a dar sendas soluciones de sustitucin, en razn de la diferente velocidad de difusin de ambas partculas, el mecanismo de difusin es por vacancias y no por simple intercambio de tomos. Tenemos dos barras de dos metales distintos A y B unidos por soldadura, en la frontera entre ambos se ha situado un sensor inerte (Pt o W). La temperatura de fusin del metal A es menor que la del metal B. A uno y otro lado de la frontera tendremos exclusivamente tomos de A y tomos de B.
Una vez soldada calentamos hasta una temperatura prxima a la temperatura de fusin del material de ms bajo punto de fusin. Los tomos de A tienden a difundirse hacia B y los de B hacia A, esto puede suponerse por simple intercambio atmico.
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CIENCIA DE LOS MATERIALES I Si estudiamos despus el enfriamiento la distribucin atmica:

100%B 100%A A
0%B
0%A
Esto no tiene lugar por intercambio atmico si no que debido a que la velocidad de difusin de A es mayor que la de B entonces como los tomos de B no ocupan las vacantes generadas por la difusin de A se produce un gran nmero de vacancias. Esto se comprueba porque al cabo de un determinado tiempo la frontera se ha desplazado en el sentido del componente de menor temperatura de fusin cuyos tomos se difunden ms rpidamente.
Pgina: I-61

Ciencia de Los Materiales Parte 1

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CIENCIA DE LOS MATERIALES I

Tema 1: Concepto de Ciencia de los Materiales.

Jose Ant. Porto Rey-Cabarcos

CIENCIA DE LOS MATERIALES I

Tema 2: Estructura interna de la materia.

Jose Ant. Porto Rey-Cabarcos

CIENCIA DE LOS MATERIALES I

1 q1.q2 4pe 0 a 2 n.b a n +1

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CIENCIA DE LOS MATERIALES I

Tema 3: Estructura Cristalina

CIENCIA DE LOS MATERIALES I

Parmetro de malla a (los tomos de la diagonal del cubo son tangentes).

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a 3 = d CUBO = 4 ratm r atm = n atm a 3 4 = 1 + 8.

4 3 2atm/ malla p (ratm ) 3 = = Compacidad a3

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a - 2 ratm = 2 rimenor a -2 a 3 = 2 rimenor 4 3 12 a = 0.134 a = 0.067a rimenor = 2 2

En nmero de estos huecos es:

1 1 n int ersticiosmenores malla = 12 + 6 = 6 4 2

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CIENCIA DE LOS MATERIALES I

a 3 a a + rimayor = + 4 4 2 rimayor = 0.126a

1 n int ersticiosmayores malla = 6 4 = 12 2

d cara = 4 Ratm Ratm = a 2 4

Las condiciones de tangencia se dan a lo largo de la diagonal de la cara.

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Huecos o intersticios del sistema CCC: En el centro geomtrico del cubo:

a - 2 ratm = 2 rint a - 2 rint = 2 rint 4 0 . 293 a = 2 a 2

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1 n hue cos malla = 12 + 1 = 4 4

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3 H = rint . tetra + ratm 4 3 3 a 2 a = rint . tetra + 4 3 4 rint . tetra = 0 .0795 a

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3 a h = a - = a 2 2 a Ratm = 2 1 1 n atm malla = 3 + 2 + 12 = 6 2 6 n coordinacin = 6 + 3 + 3 = 12

4 a 4 3 6 p 6 p (ratm) 2pa 3 2 Compacidad = 3 = = 3 3c 1 a 3 1 3 6 a c 6 a2 c 2 2 2 2

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Intersticios del sistema hexagonal compacto:

1.Intersticios tetradricos: Se da en tetraedros (regulares) como el que anteriormente hemos considerado.

3c = rint .tetra + ratm 42 a 3c = rint .tetra + 42 2 rint .tetra = 0.112a

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Huecos Octadricos: Es un octaedro regular

a 2 - 2 ratm = 2 rint .octa rint .octa = 0.207a

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Cristobalita SiO2 Tri dim ita a Cuarzo b

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Tema 4: Planos y Direcciones Cristalogrficas

Puntos interseccin: 3 4 2 Inversos: 1/3 xMCM: 4 3 6

(111 ) 111} { (111) (111)

(110 ) (101 ) (011 )

{ 110 } (110 ) (101 ) (011 )

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Para los planos octadricos:

, los planos octadricos dividen la

diagonal del cubo en 3 partes iguales. Plano diagonal:

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dividen a la diagonal del cubo en

diagonal del cubo en 6 partes iguales, entonces si son cristalogrficos (2 2 2):

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