UNIVERSIDAD DISTRITAL FRANCISCO JOSE DE CALDAS

LABORATORIO N3


ELECTRONICA II

DIEGO ANTONIO MONTAES SAENZ: 20091005081
JUAN SEBASTIAN VIZCAINO CASTRO: 20091005099




JOSE HUGO CASTELLANOS





08 DE MARZO DE 2010

BOGOTA D.C.
UNIVERSIDAD DISTRITAL FJC ELECTRONICA II LABORATORIO N3
2011



2

EL TRANSISTOR A ALTA FRECUENCIA
BASE COMUN Y COLECTOR COMUN


Despus de la creacin del primer dispositivo de semiconductor que reemplaz a
las vlvulas de vaco, la creacin de un dispositivo que pudiera controlar el flujo de
corriente de uno de los terminales era de gran utilidad para las aplicaciones
nacientes de la electrnica. Este dispositivo de tres terminales conocido como
transistor cuenta con dos uniones PN distribuidas de una forma especial y
conectadas espalda con espalda, la corriente es producida por el movimiento de
electrones y huecos, da aqu la palabra bipolar.

La aproximacin a pequea seal implica mantener la seal tan pequea que se
mantenga en un intervalo de operacin pequeo para tomar la curva exponencial
caracterstica del transistor y trabajar una porcin que se puede aproximar a una
lnea recta, si se aumenta la corriente de cloector resultar en componentes no
lineales que no se pueden describir por las relaciones mencionadas al inicio del
documento, como son la ganancia. Para seales en un rango aceptable, el
transistor se comporta como una fuente de corriente controlada por voltaje,
el puerto de entrada de la fuente es entre base y emisor y el de salida es el de
colector emisor. Los modelos que se utilizan para el anlisis del transistor y los
circuitos que se construyen
con el en pequea seal son el modelo Pi y el modelo T, modelos que describen al
transistor como un conjunto de componentes pasivos lineales que facilitan el
desarrollo de los
circuitos con la teora bsica. Cuando tenemos este modelo de pequea seal
pero incrementamos la frecuencia de la onda de entrada, el modelo es insuficiente
pues se presentan varios efectos que el modelo no describe inicialmente. El
transporte de cargas a travs delsemiconductor tarda cierto tiempo que al haber
una seal que excita los electrones y hace que se muevan entre canales, este
tiempo no es inmediato, depende de la construccin del trnasistor y del sustrato
con el que lo fabricaron. Aqui aparecen los efectos de las capacitancias parsitas
en el transistor.


1.- Transistor bipolar
Modelo de pequea seal y alta frecuencia pi-hbrido de un transistor bipolar
(simplificado) para funcionamiento en alta frecuencia:
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3

El modelo del transistor que incluye las capacitancias de unin del bjt. La regin
de agotamiento acta como el dielctrico del capacitor y el semiconductor hace de
las placas paralelas.

Puede considerarse, en una primera aproximacin, que las componentes del
modelo son independientes de frecuencia y dependientes del punto de
polarizacin del transistor.
r
bb'
--> Resistencia de difusin de base (10 ... 50 )
r
b'e
--> Resistencia de juntura base-emisor (100 ... 500 )
C
b'e
--> Capacidad de difusin del diodo base/emisor (10 .. 30 pF).
C
b'c
--> Capacidad de juntura (inversa) diodo base/colector (0.25 ... 1 pF)
g
m
--> Transconductancia base intrnseca (B')/colector (100 ... 200 mS)

Cbc: es la capacitancia formada entre el colector y la unin de la base. Es de un
valor cercano a los 30 pF, para transistores de baja potencia, hasta 1 pF para
transistores de altas frecuencias.
Cbe: capacitancia de difusin, es el resultado del fenmeno que se presenta al
moverse un electrn del emisor al colector por efecto de difusin a travs de la
base. Tiene una capacitancia de 50 a 5000 pF. Estos efectos capacitivos a altas
frecuencias cambian el modelo a pequea seal del transistor, la ganancia de
corriente y voltaje que se tenia al principio del anlisis se modifica por completo y
puede causar respuestas no deseables al presentarse, tales como deformar la
seal de salida o distorsionarla completamente. Caso que se puede presentar en
compuertas de fabricacin TTL, las seales de entrada pueden varar a muy alta
velocidad y los transistores usados en su fabricacin no hacen la conmutacin de
forma adecuada, generando problemas de ruido, recreando en las salidas del
sistema, niveles lgicos que no corresponden a las seales de entrada aplicadas o
creando niveles de voltaje que no se consideraran un nivel lgico, causando
prdidas de informacin.






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4

Equivalente pi configuracin base comn



Equivalente pi configuracin colector comn



Donde

Vin Cpi
Rg
Rb rpi Rc RL
B
E
Cu
C
gmVpi
Vin Cu
Rg
Rb
rpi
Re RL
Cpi
gmVpi
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DISEO



POLARIZACION













Caractersticas del transistor:
"Tomado de datasheet para Ic=3mA"














Vcc 9V :=
hFE 100 := Vbe 0.715V :=
hoe 15.610
6
S :=
hre 1.810
4
:=
hfe 100 :=
Ic 3mA :=
Rmo 100O :=
RL 330O := Rg 50O :=
Rc
Vcc
3 Ic
1 KO = :=
Ie
Ic
hFE
hFE 1 +
|

\
|
|
.
3.03mA = :=
Re
Vcc
3Ie
990.099O = :=
Ib
Ic
hFE
30 A = :=
Vcb
Vcc
3
Vbe 2.285V = :=
VRb Vcb
Vcc
3
+ 5.285V = :=
Rb
VRb
Ib
176.167KO = :=
Figura1. Circuito en proceso de
diseo.(Polarizacin base comn).
Q1
Rc
1k
Re
1k
Rb
176k
Rg
50
RL
330
C1
100u
C2
100u
C3
100u
+9V
Vg
Q2
Rc
1k
Re
1k
Rb
176k
RL
330
Rg
50
C4
100u
C6
100u
+9V
Vg
C7
100u
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MODELO AC
Definicin de parmetros:









GANANCIA DE VOLTAJE PARA BASE COMUN CON RL







"Temperatura promedio de Bogot D.C"
"Constante de Boltzmann

"Carga del electrn"









Kb 1.380650410
23

J
K
:=
T 273.15K 14K + 287.15K = :=
q 1.60910
19
C :=
VT
Kb T
q
24.64mV = := gm
Ic
VT
0.122
1
O
= :=
rt
VT hFE
Ic
821.325O = :=
Ct
gm
2t FT
35.232pF = := C 0.58pF :=
FT 550MHz :=
Av
Vout
Vin
Vin
Vt Rg rtllRe + ( )
rtllRe
Vout gm Vt RcllRL ( )
RcllRL
Rc RL
Rc RL +
248.12O = :=
rtllRe
rt Re
rt Re +
448.927O = :=
Av
RcllRLgm rtllRe
Rg rtllRe + ( )
27.182 = := 20log Av ( ) 28.686 =
Figura2. Equivalente AC.
Vin Cpi
Rg
Rb rpi Rc RL
B
E
Cu
C
gmVpi
Figura2.Polarizacin colector comn.
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CALCULO DE FHv POR CONSTATNES DE TIEMPO:












GANANCIA DE VOLTAJE EN COLECTOR COMUN:









"Frecuencia de corte"





Req1
1
1
Rg
rtllRe
Rg rtllRe +

gm +
6.945O = :=
Avm 20 log Av ( ) 28.686 = :=
t
1
Req1 Ct 0.204ns = :=
Req2 RcllRL :=
t
2
Req2 C 1.439ns = :=
FH
1
2t t
1
t
2
+
( )

96.838MHz = :=
RellRL
Re RL ( )
Re RL +
247.506O = := RbllRg
Rb Rg ( )
Rb Rg +
49.986O = :=
AV
2
Vout
Vin
Vout gm Vt
Vt
rt
+
|

\
|
|
.
RellRL ( )
Vin Vt
RbllRg rt + gm rt 1 + ( ) RellRL ( ) + [ ] Rg
rt RbllRg ( )
AV
2
gm rt 1 + ( ) RellRL ( ) RbllRg ( ) [ ]
RbllRg rt + gm rt 1 + ( ) RellRL ( ) + [ ] Rg
0.966 = :=
Vin Cu
Rg
Rb
rpi
Re RL
Cpi
gmVpi
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CALCULO DE FHv POR CONSTATNES DE TIEMPO:





















"Capacitancia en paralelo con RL"


"FH sin Cx=1nF"
"FH con Cx=1nF"


Req3
RbllRg RellRL rt + RellRLgm rt + ( )
RellRL RbllRg + rt + RellRLgm rt +
49.889O = :=
t
3
Req3 C 0.029ns = :=
Req4
1
RbllRg rt + gm rt 1 + ( ) RellRL ( ) + [ ] Rg
rt RbllRg ( )

(
(

RbllRg RellRL +
:=
Req4
RbllRg rt RellRL RbllRg + ( )
Rg RellRL RbllRg + rt + RellRLgm rt + ( )
9.442O = :=
t
4
Req4 Ct 0.327ns = :=
Req5
1
rt
gm +
|

\
|
|
.
RellRL ( )

(
(

gm
1
rt
+
|

\
|
|
.
247.506O = :=
Req5 RellRL 247.506O = :=
Cx 1nF :=
t
5
Req5 Cx 247.506ns = :=
FHV
2
1
2t t
3
t
4
+
( )

446.894MHz = :=
FHV
2
1
2t t
3
t
4
+ t
5
+
( )

0.642MHz = :=
Avm2 20 log AV
2
( )
0.3 = :=
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CALCULO DE FH TENIENDO EN CUENTA LAS CAPACITANCIAS
INTRINCESCAS DE LA MEDICION:
Base Comn







Colector Comn




BASE COMUN
CALCULO DE FHv





"FH en la medicin"




Cosc 15pF :=
Req1
1
1
Rg
rtllRe
Rg rtllRe +

gm +
6.945O = :=
Avm 20 log Av ( ) 28.686 = :=
t
1
Req1 Ct Cosc + ( ) ns = :=
Req2 RcllRL :=
t
2
Req2 C Cosc + ( ) ns = :=
FH
1
2t t
1
t
2
+
( )

29.099MHz = :=
Req3
RbllRg RellRL rt + RellRLgm rt + ( )
RellRL RbllRg + rt + RellRLgm rt +
49.889O = :=
t
4
Req4 Ct ns = :=
t
3
Req3 C Cosc + ( ) ns = :=
Req4
1
RbllRg rt + gm rt 1 + ( ) RellRL ( ) + [ ] Rg
rt RbllRg ( )

(
(

RbllRg RellRL +
:=
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SIMULACIONES
BASE COMUN
BIAS-POINT

AC SWEEP

Frequency
10KHz 30KHz 100KHz 300KHz 1.0MHz 3.0MHz 10MHz 30MHz 100MHz 300MHz 1.0GHz
V(Rg1:2) V(RL1:1) V(RL1:1)/V(V2:+)
0
2.0
4.0


"Capacitancia en paralelo con RL"


Req4
RbllRg rt RellRL RbllRg + ( )
Rg RellRL RbllRg + rt + RellRLgm rt + ( )
9.442O = :=
Req5 RellRL 247.506O = :=
Cx 1nF :=
t
5
Req5 Cx Cosc + ( ) 251.219ns = :=
FHV
2
1
2t t
3
t
4
+ t
5
+
( )

0.63MHz = :=
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COLECTOR COMUN
BIAS-POINT



AC/SWEEP






Frequency
10KHz 30KHz 100KHz 300KHz 1.0MHz 3.0MHz 10MHz 30MHz 100MHz 300MHz 1.0GHz
V(Rg2:2) V(C11:1) V(C11:1)/V(Rg2:2)
0
0.5
1.0
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COLECTOR COMUN CON C=1nF EN PARALELO CON RL
BIAS-POINT


AC/SWEEP





Frequency
10KHz 30KHz 100KHz 300KHz 1.0MHz 3.0MHz 10MHz 30MHz 100MHz 300MHz 1.0GHz
V(Rg2:2) V(C11:1) V(C11:1)/V(Rg2:2)
0
0.5
1.0
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RESULTADOS
BASE COMUN
F(Hz) Vin(mv) Vout(mV)


Medido Calculado
10000 10 300 30 27,18199838
500000 10 280 28 27,17796077
1000000 10 150 15 27,16585387
5000000 10 140 14 26,78677687
10000000 10 52 5,2 25,69712839
300000000 10 0,126 0,012 2,615402008

COLECTOR COMUN
F Vin(mv) Vout(mV) Av
Medido Calculado
10000 10 300 0.92 0,959866694
500000 10 280 0.67 0,737492428
1000000 10 150 0.32 0,493915925
5000000 10 140 0.27 0,114379412
10000000 10 52 0.15 0,057496599
300000000 10 0,126 0,005 0,001919996


CONCLUSIONES.

- Juntando los datos de la prctica anterior se logro determinar que la
configuracin colector comn tiene el mayor ancho de banda y la menor
ganancia en banda media entre las tres configuraciones. ancho de banda
bastante grande.

- Comparando los datos obtenidos en los dos laboratorios se concluye que el
emisor comn es el la nica configuracin que desfase y a medida que
aumenta la frecuencia este desfase va disminuyendo.
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- Tomando las graficas de los tres montajes se ha comprobado en la prctica
lo visto en teora, analizando que a mayor ancho de banda, la ganancia es
menor esto se puede mirar al observar la configuracin emisor comn done
su ganancia es muy grande pero un ancho de banda muy bajo, contrario a
la configuracin colector comn, donde su ganancia es muy baja pero
posee un

- Es necesario tener en cuenta la capacitancia que tiene el instrumento de
medicin, ya que estas contribuyen abundantemente en el ancho de banda,
observando en la prctica y en la teora que estos influyen para que el
ancho de banda por lo general caiga a ms de la mitad.

- Al colocar un condensador de un 1nF en paralelo con la carga en la
configuracin colector comn el ancho de banda cae ms de un 80%, lo
cual es demasiado si lo que se quiere es tener un producto ganancia-ancho
de banda abundante.

- Los condensadores de acople afecta la respuesta del sistema a bajas
frecuencias, por eso es necesario empezar hacer el barrido a una
frecuencia mayor de 1khz, para empezar a observar los resultados que se
pretenden en la prctica.

- Al aumentar la frecuencia se observa demasiada distorsin en las
ganancias, y el error entre lo previsto en los clculos y lo analizado en la
prctica es muy grande.


- Es necesario utilizar un acoplador de impedancias si la mxima seal de
entrada es muy pequea, ya que el error entre lo mostrado en el
osciloscopio y los datos que suministra el generador es muy grande.