UNIVERSIDAD PRIVADA TELESUP

FISICA ELECTRONICA

UNION P-N

Se denomina unin PN a la estructura fundamental de los componentes electrnicos comnmente denominados semiconductores, principalmente diodos y transistores BJT. Est formada por la unin metalrgica de dos cristales, generalmente de Silicio (Si), aunque tambin se fabrican de Germanio (Ge), de naturalezas P y N segn su composicin a nivel atmico. Estos tipos de cristal se obtienen al dopar cristales de metal puro intencionadamente con impurezas, normalmente con algn otro metal o compuesto qumico.

Diodo de unin P-N Se denomina unin P-N a la estructura fundamental de los componentes electrnicos comnmente denominados semiconductores, principalmente diodos y transistores BJT. Est formada por la unin metalrgica de dos cristales, generalmente de Silicio (Si), aunque tambin se fabrican de Germanio (Ge), de naturalezas P y N segn su composicin a nivel atmico. Estos tipos de cristal se obtienen al dopar cristales de metal puro intencionadamente con impurezas, normalmente con algn otro metal o compuesto qumico.

Ledgar Javier Guzmn Valverde Ingeniera en sistemas e

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Cuando el voltaje se encuentra en 0 voltios y hay una perdida energa es -3.28 V/cm En donde la distancia entre cargas de los elementos de sodio y neodimio es xp=2.14 cm Mientras que en la distancia es mucho menor la energa es mxima hasta llegar a 0 V/cm La unin P-N la encontramos en los diodos, cuando aplicamos un voltaje a la unin P-N los electrones y los huecos se mueven respectivamente hacia la unin de los dos materiales porque polaridades del mismo signo se repelen, el voltaje positivo que se aplica al material tipo P repele los huecos y estos cruzan la unin hacia el material tipo N, y as cada hueco encuentra un electrn y de esta forma las cargas se neutralizan, por otro lado los electrones cruzan la unin hacia el material tipo P y sucede lo mismo los electrones y huecos que se neutralizan son remplazados por mas electrones y huecos que entran en la unin P-N.

En la grfica se observa la carga espacial en donde el neodimio tiene una carga de positiva y mayor que en el sodio, mientras en las dimensin del elemento es menor, la relacin es directamente proporcional .El voltaje es mayor las dimensiones son menores En este caso para un voltaje de -2.0 voltios la Energa es6.64 V/cm La diferencia de potencial se hace ms grande mientras que el voltaje inicial disminuya. En la parte superior hay parmetros para poder activar y desactivar con el texto "Parmetros circuito". Al presionar lo aparecer una ventana con tres campos editables donde se pueden introducir los valores numricos deseados para la tensin directa (VF), la tensin inversa(VR) y la resistencia de polarizacin (R). Tras introducir los nuevos valores es necesario pulsar el botn "Aceptar" de la ventana de los parmetros del circuito para que tengan efecto los cambios.

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Debajo del circuito aparecen cuatro grficas que varan en el tiempo y donde se representan los parmetros ms importantes que controlan el comportamiento del diodo. La primera grfica representa la tensin seleccionada en el circuito; la segunda la corriente que circula por el diodo; la tercera la carga acumulada en las zonas neutras del diodo (aplicando la aproximacin de diodo asimtrico) y la ltima grfica es la tensin que cae en bornes del diodo. Estas cuatro grficas se van actualizando en el tiempo y se irn desplazando hacia la derecha conforme avance el tiempo. En la parte superior de la derecha del programa aparecen las ecuaciones que rigen el comportamiento del diodo en el experimento que se simula. Se muestran las ecuaciones literal espera la carga del diodo, la tensin en bornes del diodo y para los perfiles de los minoritarios en el nodo y al ctodo. Justo debajo de cada una de estas ecuaciones se muestran las mismas pero sustituyendo cada variable por al valor actual que tiene en la simulacin. Algunos de los parmetros son constantes en el tiempo (hasta que se modifican por parte del usuario), pero otros se modifican instantneamente conforme evoluciona el tiempo. Tambin, a la derecha de las grficas, se muestran los valores instantneos para estas funciones temporales.

Para modificar los parmetros del diodo se debe presionar el botn del panel superior "Parmetros Diodo". Cuando se hace se despliega una nueva ventana donde se podrn modificar los parmetros: las concentraciones de impurezas del nodo y el ctodo, los tiempos medios de vida de los minoritarios, las contantes de difusin de los huecos y electrones, el rea de la unin, la tensin de disrupcin y la capacidad media equivalente de la unin para inversa. Tras introducir los nuevos valores es necesario pulsar el botn "Aceptar" de la ventana de los parmetros del circuito para que tengan efecto los cambios. Debajo de las ecuaciones apare una imagen donde se representa, instantneamente, los perfiles de minoritarios que hay en el nodo y en el ctodo, as como la

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anchura de la zona espacial descarga. El valor de los perfiles para x=0 (junto a la zona dipolar) se muestra tambin, as como el valor de los que penetra la zona dipolar en las zonas N y P del diodo. Debajo, para todo momento, aparece el estado en que se encuentra el diodo (Directa, Inversa o Disrupcin).En el panel inferior aparecen ocho botones que permiten configurar la apariencia de la zona de las funciones temporales y la simulacin temporal del applet. Los cuatro Botones de la izquierda Permiten ocultar o mostrar cada una de las grficas de las funciones. As se podr ocultar alguna de ellas si no se est interesado en ella en algn momento para centrarse en la evolucin y caractersticas de otras. Los cuatro Botones de la derecha Permiten variar la velocidad disimulacin. Con dos de ellos se puede acelerar o frenar la simulacin y con los otros dos se puede detener y avanzar paso a paso. El botn de siguiente paso slo estar activo cuando la simulacin est pausada. Por defecto aparecer un nuevo valor en las funciones cada microsegundo.

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