UNSA - EPIE. Bueno, Solorzano, Dolmos, del Carpio, Flores. Diseo LNA de 2 Etapas.

Diseo de un Amplificador LNA de 2 etapas en Cascada

Bueno Zea, Justo Ivan; Solorzano Maraza, Jos Ricardo; Dolmos Becerra, Uriel; del Carpio Vilca, Jos Miguel; Flores Subeleta, Ral Rolando ivanbuenozea@ymail.com, Universidad Nacional de San Agustn Escuela Profesional de Ingeniera Electrnica

Abstract Equipment such as microwave amplifiers are indeed useful and important in communication systems, nowadays. This document has the purpose to show a process to design a two stages amplifier, based on transistors ATF38143, taking on count important parameters such as gain, stability, frequency, low noise. To achieve this goal it was designed an external circuit using microstrip technology. ResumenLos equipos tales como amplificadores de microondas son indispensables y de gran importancia en los diseos de comunicacin actuales. Este documento tienen como propsito mostrar el procedimiento para disear un amplificador de dos etapasbasado en los transistores ATF38143, teniendo en cuenta parmetros importantes tales como la ganancia, estabilidad, frecuencia, y bajo ruido, para ello se dise un circuito externo a los amplificadores en tecnologa microstrip. ndice de TrminosLNA, Amplificador de dos etapas y bajo ruido, amplificador en cascada de bajo ruido 1 INTRODUCCIN

MARCO TEORICO

El diseo se basa en des adaptar la entrada como la salida del transistor con el fin de obtener ganancia, esto mediante un matching de la red de entrada y salida como se ve en la figura 1

Figura 1. Diseo de un Amplificador Para el diseo de amplificadores usamos los parmetros S del transistor a utilizar, luego analizamos su estabilidad y por ultimo escogemos un mtodo de diseo.

2.1

CONDICION DE ESTABILIDAD
consideracin | Y ( ) | | de | estabilidad | | | | se mide

Esta mediante:

En este trabajo abordamos el diseo de un amplificador de bajo ruido LNA por sus siglas en ingls (low noise amplifier) en tecnologa microstrip el cual est compuesto de dos transistores en cascada; que trabajar a una frecuencia de 1.5 Ghz, con una ganancia mayor a 30dB y una figura de ruido no mayor a 1dB. El uso de tecnologa microstrip est en auge en estos momentos debido a su pequeo tamao y al hecho que se puede hacer circuitos completos dibujando en el sustrato. Actualmente la informacin existente en espaol sobre el diseo de amplificadores de microondas es muy escasa, y pretendemos que este trabajo sea de referencia para otros diseos. Para ello haremos uso de la teora existente [1] y de un software de simulacin .

( )

2.1.1

INCONDICIONALMENTE ESTABLE Se da cuando: , | |

Se puede usar toda la carta de Smith para el matching de las redes de entrada y salida. 2.1.2 POTENCIALMENTE INESTABLE Se da cuando: , | | Se debe tomar en cuenta los crculos de estabilidad para delimitar la zona estable en la carta de Smith y solo de esta zona escoger los coeficientes de reflexin ( y

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) que definirn la red entrada y salida.

2.2

CASOS DE DISEO
En la literatura se presentan dos casos:

amplificador no ser igual a la GP o GA escogidos sino menor, si por otro lado est muy lejos del lmite ser mejor escoger otro valor de GP o GA.

DESARROLLO

2.2.1

CASO UNILATERAL En nuestro trabajo usamos el sustrato fr4 con un Er previamente medido de 4.4 y un ancho de 1,6mm. La polarizacin fija del transistor se describe a continuacin: Corriente y voltaje de polarizacin: Vd=2v y Id=20mA Y nuestro esquema es:

Cuando del transistor, la ganancia en este caso est dada por (Figura 2.): ( )

Figura 2. Caso Unilateral En otras palabras diseamos cada red a una ganancia y la suma de todas en dB nos dar la total del sistema; est de ms decir que la suma no puede superar la ganancia mxima GTU 2.2.2 CASO BILATERAL Figura 3. Esquema de polarizacin fija de nuestro transistor

Cuando . Se puede trabajar en base a la ganancia de poder GP o en base a la Ganancia avalibre GA, se escoge esta siempre menor a la ganancia mxima y se obtiene el coeficiente de reflexin o +segn sea el caso | | | | | | ( )

( ) | | | |

( )

( ) Luego en base a o la conjugada segn el caso. se halla o segn Figura 4. Curva tpica I-V ( ) ( ) Cuando hallamos esto pasa que GP = GA = GT, en otras palabras la ganancia que escogimos es la del amplificador. Si el o hallados con (8) o (9) estn en un rea inestable de la carta de Smith pero cerca del lmite podemos escoger algn coeficiente aleatorio de la carta prximo a este, pero cabe recalcar que la ganancia del Para nuestro amplificador usaremos 2 transistores ATF38143 de Avago a una polarizacin de ID=20mA y VDS=2V, con estas consideraciones y a 1.5Ghz sus parmetros S son: Tabla 1 S11 0.79 -93 S12 0.085 41 S21 7.269 113 S22 0.31 -90 Parmetros S atf38143

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Por otro lado con estos datos nuestra ganancia mxima es de 19.32dB Haciendo uso de (1) y (2) vemos que nuestro transistor es potencialmente inestable para este diseo, por otro lado como haremos uso del diseo bilateral. Por otro lado nuestro amplificador est conformado por dos transistores en cascada, entonces tendremos estas consideraciones: El primer transistor y su red ser diseado para una figura de ruido de 0.45dB sin tomar mucha importancia en la ganancia. El segundo transistor junto a su red se diseara para que aporte ms ganancia sin que esta sea excesiva de manera que la seal proveniente del primer transistor no se vea afectada con el ruido generado por el segundo.

6, el simulador nos ayuda dndonos ya los datos de zS y S para este coeficiente de reflexin. Para determinar no hemos hecho uso de la conjugada de por aportar mucho VSWR al circuito y estar muy prximo a la zona

3.1

DISEO DE LA 1 ETAPA

Para poder hacer un diseo tomando en cuenta la Figura de ruido de 0.45dB debemos seleccionar una GA, en nuestro caso en particular es de 17dB; con ayuda del simulador dibujamos los crculos de estabilidad, un crculo de ruido a 0.45dB y un crculo de GA a 17dB como se muestra en la figura 5.

Figura 6

con la ayuda del Smith tool

de inestabilidad, as que seleccionamos uno aleatoriamente con la ayuda de una hoja Excel, donde tabulamos datos y escogimos los que aportaban menor VSWR. Con estos coeficientes hemos procedido a hacer un matching con stub balanceados figura 7, luego le hemos agregado sus respectivos capacitores de acoplo y desacoplo y unas lneas delgadas de /4 terminadas en un stub radial que nos servirn solo para polarizar el transistor ya que para la seal representara una alta impedancia a tierra, quedando el circuito como en la figura 8.

Figura 5. Zonas de estabilidad Hemos tomado el punto de interseccin de los crculos de ruido y ganancia, luego de verificar que est en la zona estable este ser nuestro , figura

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10, el camino de hallar atravez de la conjugada de no nos conviene pues nos da dentro de la zona de inestabilidad, por lo que escogemos uno aleatorio con la ayuda de microsoft Excel.

Figura 10.

con la ayuda del Smith tool

Con estos valores de y se hizo el matching con stub balanceados (figura 11) y de igual manera agregamos los capacitores de acoplo y desacoplo as como la lnea de polarizacin

Figura 7. Carta Smith Matching stub balanceado 1 etapa

Figura 8. Esquema 1 etapa

Analizando este circuito en el simulador nos da que su ganancia es 16.08 Y su ruido es de 0.8 como se puede apreciar en la figura 9.

Figura 9. Ganancia y ruido 1 etapa

Figura 11 matching de stub balanceado 2 etapa

3.2

DISEO DE LA 2 ETAPA

Quedando el esquema de la figura 12.

Para este diseo escogimos un GP = 17 dB de igual manera se dibuj su crculo con el Smith tool y los crculos de estabilidad para poder escoger un figura

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Figura 12. Esquema 2 etapa

Analizando este circuito en el simulador vemos que obtuvimos una ganancia de17.73dB, figura 13.

Una vez terminado con esto procedimos realizar las pistas del circuito figura 16 y quemamos la placa y soldamos los componentes obteniendo figura 17.

Figura 13. Grafica de ganancia y ruido simulados Figura 16. Circuito obtenido

3.3

UNIN DE LAS DOS ETAPAS

Como el matching de la red de carga de la primera etapa como la red de fuente de la segunda etapa estn hechas a 50 entonces podemos unirlas sin problemas, para ello hemos reemplazado los capacitores de cada una por uno solo y para facilitar el soldado le hemos agregado una lnea de 50 de /8 la cual la hemos dividido en dos en otras palabras dos de 22.5 de longitud elctrica una antes y otra despus del capacitor; quedando el circuito de la figura 14.

Figura 17 Circuito implementado

MEDICIONES EN LABORATORIO

Figura 14. Esquema de las dos etapas unidas por una lnea de 50 de /8
Y analizando este vemos que su ganancia es 33dB y su figura de ruido es 0.8 dB, figura 15.

Con alimentacin Sin alimentacin

Ganancia 64dB (figura 18) 20dB (figura 19)

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REFERENCIAS

[1] Application Note - AN 1197 A Current, High Intercept Point, Noise Amplifier for 1900 MHz the ATF38143 Noise PHEMT (159 KB,PDF) [2] Application Note - AN A004R: Electrostatic Discharge mage Control (396 KB,PDF) [3] Application Note - AN A006: Mounting Considerations for Microwave Semiconductors (87 KB,PDF) nd [4] Microwave engineering 2 Edition David. M. Pozar.

Figura 18 Medicin en laboratorio con transistores alimentados.

Figura 19 Medicin en laboratorio con transistores sin alimentacin.

CONCLUSIONES
Los resultados obtenidos en la practica varian respecto a los deseados, calculados y diseados en el simulador. Observamos que la ganancia obtenida en la practica es la deseada - 34dB, sin alimentacin obtenemos 17dB y con alimentacin 51dB (figura 18). Se observa un ruido en la seal cuya fuente la podemos atribuir a la fuente de alimentacin. El aplificador esta trabajando en la polarizacin calculada. (figura 19). Concluimos que el mtodo bilateral es efectivo pero, como la teora lo dice, no toma en cuenta el VSWR, lo que influye en el ruido observado.

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