Objetivos.

El Alumno aprender a reconocer un transistor en buen estado de uno en mal estado, as como a reconocer si trata de un transistor NPN o un PNP. Medir los parmetros TBJ operando en las regiones de corte, saturacin y amplificacin. Medir la potencia disipada por el transistor trabajando en cada una de las tres regiones. Introduccin. Para esta prctica abordamos un tema nuevo, referente a lo que denominamos transistores bipolares de juntura TBJ. El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consta de dos capas de material tipo n y una de material tipo p(transistor NPN) o dos capas de material tipo p y una de material tipo n (transistor PNP).

Un modelo mas aproximada a la realidad del transistor bipolar de juntura es el que se representa mediante diodos, para el transistor NPN, contiene un diodo entre base y emisor por lo que circula una corriente IBE otro diodo entre base y colector por lo que circula corriente IBE. De lo contrario para el transistor PNP contiene los mismo diodos solo que ahora estn polarizados de manera inversa al NPN.

Para el estudio y anlisis de este tipo de dispositivos de tres terminales se requieren y se utilizan dos conjuntos de caractersticas, uno para parmetros de entrada y el otro para parmetros de salida. El conjunto de entrada para estos dispositivos relaciona una corriente de entrada IB con un voltaje de entrada VBE para varios voltajes de salida VBC. El conjunto de salida relaciona una corriente de entrada IC con un voltaje de salida VCE para varios niveles de corriente de entrada IE. Se toma como configuracin de base comn por que es la pata correspondiente a la base la cual se encargara de polarizar el dispositivo transistor. El conjunto de caractersticas del colector ofrece tres regiones bsicas de inters, las regiones activa, de corte y saturacin. En la regin activa a unin base-emisor se polariza en directa, en tanto que la unin colector-base se polariza en inversa. En la regin de corte las uniones base-emisor y colector-base de un transistor se polarizan en inversa. En la regin de saturacin las uniones base-emisor y colector-base se polarizan en directa.

Procedimiento Experimental. Como primer experimento lo que hicimos fue medir para los dos tipos de transistores que tenamos su resistencia interna, esto quera decir que si haba una resistencia interna por esa parte del transistor existira una corriente y por lo tanto un voltaje, esto gracias a lo que se explico anteriormente que un modelo ideal de transistores es semejante al uso de dos diodos. De los cuales dependiendo su polarizacin pueden definir el transistor como NPN o como PNP.

Transistor Tipo REB RCB RCE RBE RBC REC

BC 547A NPN Infinita Infinita Infinita 1100 ohm 1100 ohm infinita

BC 557 PNP 1100 ohm 1100 ohm Infinita Infinita Infinita infinita

Como podemos observar la resistencia existe solo en dos partes del transistor dependiendo de que tipo sea, asi para el NPN la corriente fluir de base a emisor y de base a colector, y para el caso del PNP del emisor a base y de colector a base. De tal manera que para todos los casos de diodos siempre solo dos partes del transistor son lo que deben tener una resistencia interna, de lo contrario lo que nos indica es que nuestro transistor esta averiado. Y con este experimento comprobamos el primer objetivo de esta prctica. Posteriormente lo que hicimos fue analizar como es que se polariza un transistor, esto armando el circuito de la figura y variando el voltaje de alimentacin de la base del transistor, primero con un voltaje de cero y posteriormente con uno de 10 V. Midiendo los voltajes y corrientes que existen en el transistor. VB [V] 0 (tierra) 10 VBE [V] 0 748 mV VCE [V] 10.18 50 mV IB [mA] 0 0,63 IC [mA] 0 15 Regin Corte Amplificacin

Una vez hecho este primer circuito implementamos ahora un divisor de voltaje de tal manera que ahora el voltaje del colector es diferente al voltaje de base, ya que en el caso anterior estos dos voltajes fue el mismo.

Medimos los parmetros necesario para obtener la siguiente tabla y a su vez compararla con los datos obtenidos tericamente, para obtener en que regin estaba polarizado nuestro transistor. VB(V) 1.48 VBE (mV) 665.1 VCE (V) 4.78 IB (A) 29.6 IC (mA) 6.87 = IC / IB 232.09 Regin Amplificacin

Cabe mencionar que para hacer la medicin del VB tomamos en cuenta que la parte izquierda del circuito es nuestro divisor de voltaje, y no es lo mismo medir el voltaje saliendo directamente de este arreglo que directamente de la pata base el transistor que es el que requeramos. Despus hicimos las misma mediciones de la parte de arriba solo que ahora hicimos una modificacin en nuestro divisor de voltaje de tal manera que le llegara mas voltaje a la pata base del nuestro transistor, como observamos en la imagen y posteriormente en la tabla.

VB(V) 2.59

VBE (mV) 801.6

VCE (mV) 24.9

IB (mA) 2.64

IC (mA) 12.40

= IC / IB 4.70

Regin Saturacin

Como podemos observar la regin no concuerda con la que obtuvimos en el terico esto ya que segn vimos en el laboratorio los valores no son ideales por lo que es mas conveniente utilizar el diagrama en la introduccin descrito. Por ultimo con el mismo arreglo de resistencia solamente variando las resistencias del divisor con ayuda de potencimetro. Hicimos las mismas mediciones pero ahora para valores distintos de resistencias, como se muestra en el diagrama y posteriormente en la tabla.

Rp K 0 2.5 5

VB(V) 0 1.39 2.2

VBE (mV) 0 662.2 502.3

VCE (V) 10.10 5.33 203.8 mV

IB (A) 0 27.1 64.1

IC (mA) 0 6.08 12.58

= IC / IB 0 224.35 196.2

Regin Corte Amplificacin Amplificacin

Como podemos observar mientras mayor sea el voltaje de alimentacin en la pata base del transistor para el caso que este en la regin de amplificacin, la amplificacin ser mayor y la beta disminuye, mas sin en cambio el voltaje de colector a base se hace ms pequeo. El transistor como lo vimos en la prctica pasada no se encarga de amplificar el voltaje de salida si no que amplifica la potencia, es este caso la corriente. Cuestionario. 1.- En base a los datos obtenidos en la tabla 6.1 a) Si se le diera TBJ. Qu mediciones hara para saber la destribucion de las terminales y si el transistor en cuestin es un NPN o un PNP? Como pudimos observar al realizar las mediciones de la resistencia interna de los TBJ en cuestion con estos no podemos percatar de que tipo de TBJ es al medir la resistencia interna de sus terminales, ya que solo existir un resistencia real en dos patas, dependiendo del tipo de TBJ lo unico que permanecra constatne sera que el polo positivo del multimetro sera la pata base.

b) Si se le diera un transistor que usted ya conociera, por ejemplo un 2N2218A, Cmo determinara si esta en buen estado? Al igual que todos los transistores al medir las resistencia internas forzosamente solo debe haber ressitencia en dos de las formas de tomar las ptas, si hubiese mas de dos resistencias quiere decir nuestro transistor esta en mal estado. 2.- Explique detalladamente el funcionamiento de la figura 6.1 La figura 6.1 se trata del circuito que oupamos para analizar a lo que se refiere la polarizacion de un TBJ, como ya lo habias mencionado anteriormente se refiere a polarizacion del TBJ al hecho de en que region esta trabajando nuestro transistor, en corte, saturacion u amplificacin. En esta caso y para todos la polarizacion se lleva acabo siempre a traves de la pata base del transistor. Para nuestra figura hicimos dos casos uno no alimentando la base del transistor y solo alimentando la pata del collector, con lo que pudimos ver solo teniamos voltaje en la parte del collector-emisor, lo que nos indico que de este modo el transistor esta en corte pues aun no ropia el voltaje para comenzar a funcionar. Para el otro caso ahora si alimetnamos la pata base del transistor con 10 v, con lo que ahora pudimos observar al tomar medicones ya habia corrientes y voltajes en las demas patas. La polarizacion del TBJ hara que trabaje en cada region dependiendo primordialmente de la corriente que circule por el collector y el voltaje que halla entre la pata colector-emisor. 3.- Con los datos de las tablas 6.2, 6.3 , 6.4 y 6.5 Tabla 6.2 6.3 6.4 6.5 IB 0 0.63 mA 29.6 A 2.64 mA 0 27.1 A 64.1 A IC 0 15 mA 6.87 mA 12.40 mA 0 6.08 mA 12.58 mA VCE 10.18 50 mV 4.78 V 24.9 mV 10.18 V 5.33 203.8 mV 0 25.80 232.09 4.70 0 224.35 196.2 Pdc= VCE* IC 0 0.00075 0.0328386 0.00030876 0 0.03242464 0.002563804 VCB 0 10.2 4.67 V 8.432 V 0 4.13 8.55

4.- Cul circuito hace que el transistor disipe mayor potencia y en que region de operacin se encuentra? Es en el circuito de la figura 6.2 se observa como en la tabal anterior es el que presenta una mayor disipacion de potencia en el transistor, este transitor segn obtuvimos los valores se encuentra operando en la region de Amplificacin.

5.- Explique al diferencia de los diferentes valores de beta obtenidos en la tabal 6.6 . Como bien sabemos beta es denominada constatne de amplificacion del transitor, asi bien entonces este valor variara dependiendo de la region en que este trabajando nuestro transistor. Mientras mas grnade sea el valor obtenido en Vce la ganancia sera mas grande. 6.*Corte El voltaje es cero ya que aun nuestro transistor no cimienza a trabajar. *Saturacion El voltaje Vcb es muy grande a comparacion de los obtenidos en el colector-emisor y baseemisor. *Amplificacin 7.- La unica diferencia que existe entre estos dos circuitos es el voltaje que se alimenta la base, ya que como pudimos observar en la practica la parte izquierda de nuestro circuito se conformaba por el divisor de voltaje, por lo que entonces el trnasistor s epolarizara d emanera diferente. Lo valores experiemntales ocn los teoricos en el primer cisrcuito son parecidos mas si encambio en el segundo no es asi, esto se puede deber a la beta que se ocupamos, nosotros la tomamos de 200 siendo que experimentalmente nos dio una de 4.7 debido a la forma en que se polarizo el transistor. 8.Figura 6.2 Teorico VB(V) 1.52 VBE (mV) 0.7 V VCE (mV) 5.04 V IB (mA) IC (mA) = IC / IB Regin

30.85 6.17 200 Amplificacin A Practico 1.48 665.1 4.78 29.6 6.87 232.09 Amplificacin 6.3 Teorico 8.47 0.7 V -30.36 292.32 50.46 200 Saturacin V A Practico 2.59 801.6 24.9 2.64 12.40 4.70 Saturacin Como podemos observar los datos en el priemr caso son parcidos pero en el segundo no es asi, esto se puede deber nuemro unos al voltaje que nomamos en la base ya no era igual toamrlo directo de la base del emisor que tomando en cuenta el divisor d evoltaje.