UNIVERSIDAD PRIVADA ANTENOR ORREGO FACULTAD DE INGENIERA ESCUELA DE INGENIERA ELECTRNICA

TRANSISTORES BIPOLARES: ZONA DE OPERACIN

-LABORATORIO-

CURSO

: CIRCUITOS ANALGICOS I

DOCENTE

: ING. GUILLERMO EVANGELISTA ADRIANZN

INTEGRANTES

: HERNNDEZ SUREZ, JORGE ARMANDO. PINEDO LUJN, ERIC GERARDO. RODRGUEZ DVILA, ERICK JESS. JARA POLO, JOSE DANIEL.

CICLO

: V

SEMESTRE

: 2013 10

TRUJILLO PER

E 5 TRANSISTORES BIPOLARES: ZONA DE OPERACIN.OBJETIVO: Mostrar al alumno las caractersticas de los transistores bipolares en estado de conmutacin, las operaciones en las zonas de corte y saturacin as como la identificacin de las rectas de carga y punto de operacin. FUNDAMENTO TERICO: Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de encapsulado, as como el esquema de identificacin de los terminales. Tambin tendremos que conocer una serie de valores mximos de tensiones, corrientes y potencias que no debemos sobrepasar para no destruir el dispositivo. El parmetro de la potencia disipada por el transistor es especialmente crtico con la temperatura, de modo que esta potencia disminuye a medida que crece el valor de la temperatura, siendo a veces necesario la instalacin de un radiador o aleta refrigeradora. Todos estos valores crticos los proporcionan los fabricantes en las hojas de caractersticas de los distintos dispositivos. Una forma de identificar un transistor NPN o PNP es mediante un polmetro: Este dispone de dos orificios para insertar el transistor, uno para un NPN y otro para el PNP.Para obtener la medida de la ganancia es necesario insertarlo en su orificio apropiado, con lo que queda determinado si es un NPN o un PNP. Zonas de funcionamiento del transistor bipolar: 1. ACTIVA DIRECTA: El transistor slo amplifica en esta zona, y se comporta como una fuente de corriente constante controlada por la intensidad de base (ganancia de corriente).Este parmetro lo suele proporcionar el fabricante dndonos un mximo y un mnimo para una corriente de colector dada (Ic); adems de esto, suele presentar una variacin acusada con la temperatura y con la corriente de colector, por lo que en principio no podemos conocer su valor. Algunos polmetros son capaces de medir este parmetro pero esta medida hay que tomarla solamente como una indicacin, ya que el polmetro mide este parmetro para un valor de corriente de colector distinta a la que circular por el BJT una vez en el circuito. 2. SATURACIN: En esta zona el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin (potencia, circuitos digitales, etc.), y lo podemos considerar como un cortocircuito entre el colector y el emisor. 3. CORTE: el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin (potencia, circuitos digitales, etc.), y podemos considerar las corrientes que lo atraviesan prcticamente nulas (y en especial 3. ACTIVA INVERSA: Esta zona se puede considerar como carente de inters. Ic).

MATERIALES Y EQUIPO: 1 Multmetro 2 Fuentes DC variables 2 Cables de fuente y para conexiones Protoboard PROCEDIMIENTO: a) Armar el circuito de la Fig. 1 2 transistores BJT iguales 2 R = 1k, 2 R = RB = 47K R =180K, 56k, 2 x 22k, 15k, 3.3k 2 C = 47uF 2 Diodos LED

C B

Polarizacin con 2 fuentes Figura 1 b) Polarizar el dispositivo con V1 = 12 v y medir VC y VB, obteniendo la tabla siguiente:

Vin VC VB IC IB BETA

0 1 11.99 11,48 0 0,61 5 0.01 0,52 66,66 63,2 6 5 0,15 8,22 1

2 9,82 0,649 2,18 63,06 1 34,56 9

3 8,26 0,661 3,74 62,99 4 59,37 0

4 6,7 0,669 5,3 62,95 84,19 3

5 5,166 0,676 6,834 62,911 108,62 9

6 3,821 0,683 8,179 62,872 2 130,08 9

7 2,33 0,692 9,67 62,822 153,92 6

8 1,11 0,699 10,89 62,783 173,45 3

9 0,365 0,706 11,635 62,744 185,43 5

10 0,259 V 0,709 V 11,741 mA 62,728 uA 187,17 4

c) A partir de esta tabla graficar la curva de transferencia de entrada a salida: Vc-vs-Vin. Si es necesario, tomar medidas de puntos intermedios. (Tomar como referencia la Figura 2.)

Curvas VC - Vin Astable Figura 2

Segppun la referencia de la dfigura2, observamos q tiene esa tendencia ya que en la parte final de nuestra curva se ve una tendencia constante.

d) Graficar la curva de trasferencia de corrientes (IC-vs-IB) y el beta de las mismas (BETA-vsIC) (Tomar como referencia la Figura 5.)

e) Armar el circuito de la Fig.2

C B E Figura 3 BJT Autopolarizado Astable

f) Medir las tensiones VC, VE y VB para trazar la recta de carga del circuito, variando R2

g) Determinar las corrientes (NO MEDIR CORRIENTES) y graficar la recta de carga en el plano IC-vs-VCE del transistor ensayado. Indicar la ZONA de operacin correspondiente. R2=56K

R2=47K

R2=22K

R2=15K

R2=3.3K

h) Colocar R2 de 22k y variar esta vez la resistencia RC para obtener (por evaluacin) diferentes rectas de carga en DC.

i) Graficar en un mismo plano las diferentes rectas de carga, a colores, indicando las zonas de operacin. Adjuntar las fotocopias de los manuales con los datos de los transistores utilizados. j) Armar el circuito de la Fig.4 y averiguar cul BJT est en corte y cul est en saturacin

47k

47k

Oscilador Astable

Figura 4

Figura 5

IC mA

Curvas de Beta - IC

Ing. Oscar Morales Gonzaga