You are on page 1of 15

2012

Resistencia Variable (LDR-VDR)

Luna Daz, Nstor Crdenas Achulli, Brayan Carbajal Navarro, Vctor UNMSM Facultad de Ciencias Fsicas

08/07/2012

Resistencia Variable (LDR-VDR)

Resistencia Variable
1. Introduccin: Los ltimos 100 aos en trminos de ciencia, chips, computadoras, televisores, transbordadores, mquinas de degeneracin molecular, anuladores de inercia, etc. cuenta con dispositivos electrnicos de circuitos, que se desarrollan en base a los conceptos fsicos (intensidad de corriente, voltaje, resistencia, etc.) donde los mismos esta expuestos a toda clase de influencias externas, conocidas y no conocidas por cual se requieren que los dispositivos electrnicos respondan de las formas ms verstiles a esos cambios de subida de tensin sbita, incrementos de la resistencia por iluminacin, calentamientos, presin, aumento-disminucin de intensidad de corriente, etc. Para la proteccin del funcionamiento de los dispositivos que involucran: Componente Biestable PLD Diac Diodo Funcin ms comn Control de sistemas secuenciales. Control de sistemas digitales. Control de potencia. Rectificacin de seales, regulacin, multiplicador de tensin. Regulacin de tensiones. Diodo Zener Control de sistemas digitales. FPGA Almacenamiento digital de datos. Memoria Microprocesador Control de sistemas digitales. Microcontrolador Control de sistemas digitales. Generacin de energa elctrica. Pila Control de potencia. Tiristor Control de sistemas combinacionales. Puerta lgica Amplificacin, conmutacin. Transistor El hombre ha diseado toda una gama de alternativas para la proteccin de los dispositivos y especficamente dispositivos llamados resistencia variables que vienen a ser: resistencias que se caracterizan porque su valor hmico, vara de forma no lineal, es funcin de distintas magnitudes fsicas como puede ser la temperatura, tensin, luz, campos magnticos, etc... As estas resistencias estn consideradas como sensores. Entre las ms comunes podemos destacar las siguientes: Termistores o resistencias NTC y PTC. En ellas la resistencia es funcin de la temperatura. Varistores o resistencias VDR. En ellas la resistencia es funcin de la tensin. Fotoresistencias o resistencias LDR. En estas ltimas la resistencia es funcin de la luz.

UNMSM FACULTAD DE CIENCIAS FSICAS -EAP FSICA-

Pgina 1

Resistencia Variable (LDR-VDR)

2. Objetivos Mostrar cmo es el comportamiento de las resistencias Variables Caracterizar sensores resistivos Emplear la resistencia LDR como conmutador sensible de luz 3. Materiales Tarjeta insertable UniTrain-I de Resistencias Variables, SO4203-7B, sirve para analizar esta clase de resistencias, siendo posible estudiar los siguientes tipos: Fotorresistencia (LDR) Termo resistencia con coeficiente negativo de temperatura (NTC) Termo resistencia con coeficiente positivo de temperatura (PTC) Varistores (VDR) En este caso usaremos la Fotorresistencia (LDR) y los varistores (VDR) Tarjeta insertable UniTrain-I de Resistencias Variables, SO4203-7B Datos tcnicos: Tensin de servicio: +15 V DC para LDR, PTC y NTC 10 Vrms AC para VDR Dimensiones: 160 x 100 mm (ancho x altura) Mdulos funcionales: LDR = OPR12 PTC = 50 V, 160E NTC = K164, 150E VDR = SR 2220 MUS

UNMSM FACULTAD DE CIENCIAS FSICAS -EAP FSICA-

Pgina 2

Resistencia Variable (LDR-VDR) 4. Fundamento Terico Para observaciones sencillas, se puede prescindir de la aplicacin de la tecnologa de medicin puesto que las resistencias (excepto la VRD) reaccionan muy sensiblemente a las influencias externas. La sensibilidad de los componentes se puede variar por medio de potencimetros o resistencias conectadas en serie. Se puede comprobar la reaccin de los componentes que reaccionan a los cambios de temperatura simplemente con el tacto (temperatura corporal). La alimentacin de tensin se realiza por medio del sistema de bus UniTrain-I o por los experimentadores. Fotorresistencia (LDR) Las resistencias que varan su valor en funcin de la intensidad luminosa se denominan fotorresistencias. Una fotorresistencia es un componente optoelectrnico pasivo, el cual, la mayora de las veces se designa con la abreviatura LDR (Light Dependant Resistor) La respuesta de estas resistencias se debe al efecto fotoelctrico interno. La energa de la luz emitida (fotones), en un semiconductor, libera los electrones de valencia de su vnculo con la red. La cantidad de portadores de carga liberados es mayor mientras mayor sea la intensidad luminosa. La resistencia elctrica disminuye, por tanto, si la luminosidad aumenta. Las fotorresistencias son componentes electrnicos pasivos, cuya dependencia de la luz se debe al efecto fotoelctrico interno. Para la fabricacin de fotorresistencias se emplean cristales mixtos sobre la base de sulfuro de cadmio (CdS) y sulfuro de plomo (PbS). Dado que, en una fotorresistencia, frente a la luminosidad, la resistencia elctrica disminuye enormemente, es necesario observar que, cuando exista iluminacin, el componente no se destruya trmicamente debido a sobrecarga por corrientes elevadas. Un problema que se presenta con el uso de las fotorresistencias es su inercia relativamente elevada, la cual, adems, aumenta ante la luminosidad y que, por lo general, llega a algunos milisegundos. Por esta razn, en los circuitos con resistencias LDR slo se pueden alcanzar frecuencias de conmutacin de aproximadamente 100 Hz. Entre los datos caractersticos de las fotorresistencias se encuentran los siguientes: Resistencia oscura R0 (valor que tiene la resistencia un minuto despus del oscurecimiento total); valor aproximativo: R0 = 106 ... 108 Resistencia bajo iluminacin RH, medida con una intensidad de luminosidad de E = 1000 Lux; valor aproximativo: RH = 102 ... 104 Tiempo de reaccin (hasta algunos milisegundos) la longitud de onda de la sensibilidad mxima Coeficiente de temperatura

UNMSM FACULTAD DE CIENCIAS FSICAS -EAP FSICA-

Pgina 3

Resistencia Variable (LDR-VDR) Para alcanzar una variacin lineal de la intensidad lumnica, se recomienda cubrir parcialmente la LDR con una tira de aproximadamente 1,5 cm de ancho, y variar la intensidad lumnica que incide sobre la LDR sobre la extensin de la superficie iluminada. Varistores (VDR) La resistencia de determinados semiconductores (por ejemplo los de SiC [carburo de silicio]) presenta una fuerte dependencia con la tensin aplicada. Estas resistencias se denominan varistores o resistencias VDR (del ingls Voltage Dependant Resistor).

Las resistencias VDR dependen de la tensin debido a su carcter de semiconductores. Su resistencia disminuye fuertemente ante tensiones crecientes. Por encima de un determinado umbral de tensin, el cual es tpico para el varistor correspondiente, la resistencia se vuelve ms pequea de manera abrupta. La caracterstica muestra por tanto un quiebre pronunciado que le concede al varistor propiedades de conmutacin. Es simtrica con relacin a la tensin, es decir, que la polaridad no juega aqu ningn papel. La imagen siguiente muestra el smbolo grfico de un varistor (izquierda) al igual que una caracterstica tpica (derecha).

Los varistores son aptos para proteccin contra sobretensiones. En funcionamiento normal, su resistencia es muy elevada, mientras que ante sobretensiones sta se vuelve muy pequea, casi sin retardo, y deriva la carga. Las resistencias VDR se emplean tanto para la proteccin de circuitos electrnicos sensibles al igual que en la tecnologa de corriente de alta tensin. Hoy en da, en su mayora, los varistores se fabrican a partir de xido de zinc (ZnO). Junto con otros xidos metlicos, como el xido de bismuto, el xido de cromo o el xido de manganeso, para su fabricacin, el polvo se presiona hasta que adopte una forma de tableta y luego se sinteriza. La pieza se pone en contacto por los dos lados con plata o aluminio y se la provee de contactos de conexin.

UNMSM FACULTAD DE CIENCIAS FSICAS -EAP FSICA-

Pgina 4

Resistencia Variable (LDR-VDR) 5. Procedimiento LDR, resistencia bajo iluminacin y resistencia oscurecida En el experimento siguiente, en primer lugar, por medio de mediciones de corriente y tensin se determinar el valor de la resistencia bajo condiciones de iluminacin y oscuridad de un fototransistor. Adems, se analizar cul es la influencia que ejerce la intensidad lumnica sobre la tensin a travs de la fotorresistencia. Monte el circuito experimental que se representa a continuacin de la tarjeta de experimentacin SO4203-7B: Abra el instrumento virtual Voltmetro A, y seleccione los ajustes que se detallan en la tabla siguiente. En el caso de que realice la medicin de corriente empleando el ampermetro virtual, abra el instrumento Ampermetro B, y seleccione los ajustes que se detallan en la tabla siguiente. Ajustes del voltmetro A Rango de 1 V DC medicin: Modo de AV operacin: Ajustes del Ampermetro B Rango de 1 mA DC medicin: Modo de AV operacin: Shunt: 100 ohmios

UNMSM FACULTAD DE CIENCIAS FSICAS -EAP FSICA-

Pgina 5

Resistencia Variable (LDR-VDR) Gire el potencimetro P1 hasta el tope, en sentido antihorario, de manera que la seccin del circuito que se encuentra a la derecha de la LDR se pueda despreciar. Posicione el montaje experimental de manera que la luz del medio ambiente pueda incidir sin obstculos sobre la resistencia LDR. Reuniendo datos experimentales: Mida la corriente que fluye a travs de la LDR (clavijeros X6/X7) y la cada de tensin en la LDR con la luz normal del medio ambiente.

Cada de tensin en LDR Corriente en LDR

ULDR iluminada = 0.29V ILDR iluminada = 0.65mA

Calcule el valor de la resistencia bajo iluminacin a partir de los valores de tensin y corriente medidos.

Resistencia bajo iluminacin

RLDR iluminada = 446.15

Cubra ahora la resistencia LDR de manera que sobre ella incida la menor cantidad posible de luz. Mida otra vez la corriente y la tensin bajo estas condiciones, para determinar el valor de la resistencia oscurecida.

Cada de tensin en LDR Corriente en LDR

ULDR oscurecida =1.4V ILDR oscurecida = 0.54mA

Calcule el valor de la resistencia oscurecida a partir de los valores de tensin y corriente medidos.

Resistencia oscurecida

RLDR oscurecida = 2.78k

Recorte una tira de cartn (de aproximadamente 1 a 2 cm de ancho) y cubra con ella parcialmente la LDR desde el borde. Mientras ms cubra la resistencia, menos luz incidir sobre ella, esto es, la intensidad luminosa ser menor. Observe cmo influye esta reduccin de la luminosidad sobre la tensin y la corriente. A qu conclusiones puede llegar a partir de sus observaciones? i. ii. iii. iv. La corriente que fluye por la resistencia LDR disminuye ms fuertemente mientras ms se la cubre. La corriente que fluye por la resistencia LDR aumenta ms fuertemente mientras ms se la cubre. La tensin de la resistencia LDR disminuye ms fuertemente mientras ms se la cubre. La tensin de la resistencia LDR aumenta ms fuertemente mientras ms se la cubre. B) FVFV C) VFFV D) FVVF E) FFFV Pgina 6

A) VVFF

UNMSM FACULTAD DE CIENCIAS FSICAS -EAP FSICA-

Respuesta de conmutacin de un circuito con resistencia LDR En el experimento siguiente se debe analizar la respuesta de conmutacin de un circuito con resistencia LDR. Monte el circuito experimental que se representa a continuacin en la seccin I de la tarjeta de experimentacin SO4203-7B: Asegrese de que la resistencia LDR se encuentra expuesta a la luz del medio ambiente sin que nada la cubra. Gire lentamente el potencimetro P1 en sentido horario, hasta que el LED se ilumine y vuelva a girarlo con cuidado en la direccin contraria hasta el exacto momento en que el LED se apague. Durante este proceso de ajuste, tenga cuidado de que la LDR no se oscurezca de ninguna manera.

Preguntas desarrollando la experiencia: Cubra la resistencia una vez que se haya alcanzado el punto de conmutacin descrito anteriormente; vuelva a emplear para ello la tira de cartn o tambin su propia mano. Repita el proceso varias veces. Cules de las siguientes afirmaciones son correctas? i. El LED slo se ilumina si la resistencia LDR se encuentra cubierta por completo. ii. El LED tambin se ilumina si la resistencia LDR se encuentra cubierta parcialmente. iii. La resistencia LDR reacciona con rapidez relativa a las variaciones de la incidencia de la luz. iv. La resistencia LDR reacciona muy lentamente a las variaciones de la incidencia de la luz. v. La resistencia LDR es muy sensible. vi. La resistencia LDR se puede emplear como conmutador sensible a la luz.
A) VVFVFF B) VVVFVF C) VFVFVF D) FFVFVF E) FVVVFV F) FVVFVV

Ahora, gire el potencimetro un cuarto de vuelta en sentido antihorario. Cmo reacciona ahora el circuito conmutador a la cobertura de la LDR? (una respuesta correcta) i. ii. La resistencia LDR es ms sensible, esto es, el LED se ilumina incluso si se cubre levemente la LDR. La LDR no es sensible, esto es, el LED slo se ilumina si la resistencia LDR se cubre en gran parte.

Vuelva a girar el potencimetro en el sentido contrario hasta llegar a la posicin original y, a continuacin, grelo nuevamente en sentido horario un cuarto de vuelta o bien hasta alcanzar el tope derecho. Cmo reacciona ahora el circuito conmutador a la cobertura de la LDR? (una respuesta correcta) i. ii. iii. iv. El cubrimiento de la resistencia LDR no tiene ningn efecto, el LED se ilumina constantemente. El cubrimiento de la resistencia LDR no tiene ningn efecto, el LED est constantemente apagado. El LED slo se ilumina si la resistencia LDR se encuentra cubierta por completo. El LED se ilumina incluso si la resistencia LDR se encuentra cubierta parcialmente.

A qu conclusiones puede llegar a partir de sus observaciones? i. ii. iii. iv. v. El potencimetro se puede usar para ajustar la sensibilidad de la resistencia LDR. El potencimetro se puede usar para ajustar la sensibilidad del circuito conmutador. El potencimetro se puede usar para ajustar la ganancia del circuito conmutador. Si sobre la resistencia LDR incide ms luz, desciende su resistencia. Si sobre la resistencia LDR incide ms luz, aumenta su resistencia. B) VFVFV C) FFVVV D) VVFVF

A) FVFVF

Imgenes de la tarjeta SO4203-7B (Izquierda: punto de conmutacin ajustado, LDR iluminado) (Derecha: punto de conmutacin ajustado, LDR parcialmente cubierto)

Resistencia Variable (LDR-VDR) Umbral de conmutacin de una resistencia LDR En el siguiente experimento se determinar el punto de operacin (umbral de conmutacin) de una resistencia LDR. Por otra parte, se analizarn tambin las funciones de las partes individuales del circuito y se discutirn posibles campos de aplicacin de las fotorresistencias. Monte el circuito experimental que se representa a continuacin en la seccin I de la tarjeta de experimentacin SO4203-7B: Abra el instrumento virtual Osciloscopio y seleccione los ajustes que se detallan en la tabla siguiente. Ajustes del osciloscopio Canal A Canal B Base de tiempo: Modo operacin: Trigger: de 500 mV / div 200 mV / div 500 ms / div X/T, DC off

UNMSM FACULTAD DE CIENCIAS FSICAS -EAP FSICA-

Pgina 1

Resistencia Variable (LDR-VDR) Preguntas desarrollando la experiencia: El canal A del osciloscopio se usa para medir la tensin en la resistencia LDR, el canal B muestra la tensin de la toma del potencimetro (clavijero X10). Ajuste el circuito conmutador de modo que muestre una respuesta ptima de conmutacin y mida entonces la tensin en la toma del potencimetro.

Tensin en la toma del potencimetro

U Pot = 42mV

Observe la reaccin de ambas tensiones mientras se cubre lentamente la fotorresistencia. Cules de las siguientes afirmaciones son correctas? i. ii. iii. iv. v. La tensin de la resistencia LDR aumenta ms fuertemente si se cubre mayormente la LDR. La tensin de la resistencia LDR desciende ms fuertemente si se cubre mayormente la LDR. La tensin de la toma del potencimetro aumenta ms fuertemente si se cubre mayormente la resistencia LDR. La tensin de la toma del potencimetro desciende ms fuertemente si se cubre mayormente la resistencia LDR. La tensin de la toma del potencimetro no vara si se cubre la resistencia LDR.

(Grfica obtenida experimentalmente; al momento de cubrir la fotorresistencia consecutivamente se observan unos picos de tensin en la grfica) Tensin LDR (lnea verde), tensin de toma del potencimetro (lnea amarilla)

A) FVFVF

B) VFFFV

C) VVFFV

D) VFVFF

UNMSM FACULTAD DE CIENCIAS FSICAS -EAP FSICA-

Pgina 2

El diagrama siguiente muestra el circuito conmutador completo de la seccin I de la tarjeta de experimentacin:

Qu tareas cumplen las reas individuales (en el diagrama de circuito especificadas por A, B y C) del circuito? i. ii. iii. iv. v. vi. El rea A representa un divisor de tensin con relacin de divisin variable. El rea A representa un divisor de tensin con relacin de divisin fija. El rea B representa un divisor de tensin con relacin de divisin variable. El rea B representa un divisor de tensin con relacin de divisin fija. El rea C representa un comparador que conecta o desconecta el LED. El rea C compara las tensiones en los puntos centrales de ambos divisores de tensin. B) VFVFVV C) FVFVFV D) FVFVFF

A) VFVFVF

Cules reas de aplicacin podra imaginar para un circuito de esta naturaleza? i. ii. iii. iv. El circuito se podra emplear como conmutador sensible a la luz. El circuito podra emplearse como barrera de luz (por ejemplo, en la puerta de un tren). El circuito podra emplearse para ganancia de luz. El circuito podra emplearse como fuente luminosa. B) VFVV C) VVFF D) FFVV

A) VFFF

Resistencia Variable (LDR-VDR) Caracterstica de una resistencia VDR En el experimento siguiente se examinar el funcionamiento de una resistencia dependiente de la tensin (VDR), y se registrar y analizar su caracterstica. Monte el circuito experimental que se representa a continuacin en la seccin IV de la tarjeta de experimentacin SO4203-7B:

Abra el instrumento virtual Generador de funciones, y seleccione los ajustes que se detallan en la tabla siguiente. Encienda a continuacin el instrumento por medio de la tecla POWER. Abra el instrumento virtual Osciloscopio, y seleccione los ajustes que se detallan en la tabla siguiente. Ajustes del generador de funciones Modo de DC POS operacin: Amplitud: 1:1, 0% Ajustes del osciloscopio Canal A 5 V / div Canal B 2 V / div Base de tiempo: 2 s / div Modo de operacin: Trigger: X/T, DC off

Advertencia! La resistencia VDR no debe permanecer mucho tiempo en el circuito conmutador. Para proteger el componente, debe realizar el experimento en pocos minutos y, una vez finalizado el ensayo, retirar siempre el conector puente Br6.

UNMSM FACULTAD DE CIENCIAS FSICAS -EAP FSICA-

Pgina 1

Resistencia Variable (LDR-VDR)

Grfica: Tensin de en el resistor VDR (lnea verde), tensin de la resistencia fija (lnea amarilla) en funcin del tiempo. Preguntas desarrollando la experiencia: Qu puede observar? i. ii. iii. iv. v. vi. vii. La tensin en la resistencia VDR aumenta continuamente y alcanza un valor mximo. La tensin en la resistencia VDR aumenta apenas se aplica tensin al circuito. El aumento de la tensin en la resistencia VDR es constante. La tensin en la resistencia fija aumenta continuamente apenas se aplica tensin al circuito. La tensin en la resistencia fija empieza a aumentar si la tensin de la resistencia VDR se acerca a su valor mximo. Con 10 V, el valor de la resistencia VDR es mayor que el de la resistencia fija. Con 10 V, el valor de la resistencia VDR es menor que el de la resistencia fija. B) VVFFVVF C) VFVFVVF

A) FFVFVVF

UNMSM FACULTAD DE CIENCIAS FSICAS -EAP FSICA-

Pgina 2

Resistencia Variable (LDR-VDR) 6. conclusiones: La corriente que fluye por la resistencia LDR disminuye ms fuertemente mientras ms se la cubre. Las fotorresistencias son componentes electrnicos pasivos, cuya dependencia de la luz se debe al efecto fotoelctrico interno. La resistencia LDR reacciona con rapidez relativa a las variaciones de la incidencia de la luz. La resistencia LDR se puede emplear como conmutador sensible a la luz. Si sobre la resistencia LDR incide ms luz, desciende su resistencia. Las resistencias VDR dependen de la tensin debido a su carcter de semiconductores. Su resistencia disminuye fuertemente ante tensiones crecientes. Los varistores son aptos para proteccin contra sobretensiones. En funcionamiento normal, su resistencia es muy elevada, mientras que ante sobretensiones sta se vuelve muy pequea, casi sin retardo, y deriva la carga.

UNMSM FACULTAD DE CIENCIAS FSICAS -EAP FSICA-

Pgina 1

You might also like