Universidad de Oriente Ncleo de Anzotegui Escuela de Ingeniera y Ciencias Aplicadas Departamento de Tecnologa rea de Electrnica

Prof. Tony Castillo

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Smbolos Electrnicos

Smbolo de un FET de canal N

Smbolo de un FET de canal P

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Diagrama de Construccin

Diagrama de Capas

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Diferencias entre el JFET y el BJT
BJT
Controlado por corriente de base. Dispositivo bipolar que trabaja con las cargas libres de los huecos y electrones IC es una funcin de IB (beta factor de amplificacin) Altas ganancias de corriente y voltaje

JFET
Controlado por tensin entre puerta y fuente Dispositivo unipolar que trabaja con las cargas libres de los huecos (canal p) electrones (canal n) ID es una funcin de Vgs gm (factor de transconductancia) Ganancias de corriente indefinidas y ganancias de voltaje menores a las de los BJT Relacin cuadrtica entre Vgs e Id

Relacin lineal entre Ib e Ic

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Donde: Id: Corriente de fuente Idss: Corriente mxima del drenaje (Vgs=0V y Vds>lVpl Vgs=Voltaje puerta-fuente (es el voltaje que controla al FET) Vp=Voltaje de estrangulamiento K: Valores obtenidos en la Data Sheet

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Caractersticas de Transferencia del JFET
Esta es una curva de la corriente de salida en funcin de la tensin Puerta-Fuente. Se puede observar que la corriente Id aumenta rpidamente a medida que Vgs se acerca a 0V. La caracterstica de transferencia normalizada muestra que el Id es igual a un cuarto del mximo cuando Vgs es igual a la mitad del corte.

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Curva de Transferencia de un FET de canal P

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Curva Caracterstica

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Regiones o zonas de operacin del FET:
Zona hmica o lineal: El
FET se comporta como una resistencia cuyo valor depende de la tensin VGS. Zona de saturacin: A diferencia de los transistores bipolares en esta zona, el FET, amplifica y se comporta como una fuente de corriente controlada por la tensin que existe entre Puerta (G) y Fuente o surtidor (S) , VGS. Zona de corte: corte La intensidad de Drenador es nula.

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Configuraciones Bsicas:
1. Surtidor comn (SC), equivale al EC en los transistores bipolares. Drenador comn (DC), equivale al CC en los transistores bipolares. Puerta comn (PC), equivale al BC en los transistores bipolares.

2.

3.

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Tipos de Transistores de Efecto de Campo: Los JFET (Junction Field Effects Transistor) Los MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET ). Los transistores MOS respecto de los bipolares ocupan menos espacio por lo que su aplicacin ms frecuente la encontramos en los circuitos integrados. Un MOS de canal P o "PMOS" se indica con una flecha dirigida hacia el sustrato, sealando que el mismo es de tipo N, aunque el canal ser de tipo P.

NMOS

Estructura Fsica de un Transistor NMOS

PMOS

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Ventajas del FET con respecto al BJT Impedancia de entrada muy elevada (107 a 1012)M. Generan un nivel de ruido menor que los BJT. Son ms estables con la temperatura que los BJT. Son ms fciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permiten integrar ms dispositivos en un CI. Se comportan como resistencias controladas por tensin para valores pequeos de tensin drenaje-fuente. La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo suficiente para permitir su utilizacin como elementos de almacenamiento. Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes.

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Desventajas de los FET:

Los FETs presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad de entrada. Los FETs presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que los BJT. Los FETs se pueden daar debido a la electricidad esttica.

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Parmetros del FET:

FET de canal N

FET de canal P

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HOJAS DE CARACTERSTICAS DE LOS FET En las Data Sheets de los fabricantes de FETs se encuentran los siguientes parmetros (los ms importantes): VGS y VGD.- son las tensiones inversas mximas soportables por la unin PN. IG.- corriente mxima que puede circular por la unin puerta surtidor cuando se polariza directamente. PD.- potencia total disipable por el componente. IDSS.- Corriente de saturacin cuando VGS=0. IGSS.- Corriente que circula por el circuito de puerta cuando la unin puerta - surtidor se encuentra polarizado en sentido inverso.

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APLICACIN Aislador o separador (buffer) Amplificador de RF PRINCIPAL VENTAJA USOS Impedancia de entrada Uso general, equipo de alta y de salida baja medida, receptores Bajo ruido Sintonizadores de FM, equipo para comunicaciones Receptores de FM y TV, equipos para comunicaciones Receptores, generadores de seales Instrumentos de medicin, equipos de prueba

Mezclador

Baja distorsin de intermodulacin

Amplificador con CAG Facilidad para controlar ganancia Amplificador cascodo Baja capacidad de entrada

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APLICACIN Resistor variable por voltaje Amplificador de baja frecuencia Oscilador PRINCIPAL VENTAJA Se controla por voltaje USOS Amplificadores operacionales, control de tono en rganos Audfonos para sordera, transductores inductivos Generadores de frecuencia patrn, receptores Integracin en gran escala, computadores, memorias

Capacidad pequea de acoplamiento Mnima variacin de frecuencia Pequeo tamao

Circuito MOS digital

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DETECCION DE FALLAS
VDD 20V

RD 3.3k DC V 13.88 V

Q1 2N5457 -646.9mV DC V

RS 390

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DETECCION DE FALLAS
VDD -20V

RD 3.3k DC V -18.72 V

Q1 PJFET 135.6mV DC V RS 390

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Anlisis AC Determinacin matemtica del factor de transconductancia

I D gm VGS

2 I DSS gm = VP

VGS 1 VP
Determinacin grfica del factor de transconductancia

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Modelo Hibrido de Pequea Seal
V2 10V +V

V1 -10m/10mV

Q1 NJFET

RD

1kHz

RESISTENCIA DE SALIDA

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SIMBOLOGIA DE LOS TRANSISTORES MOS

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CURVA CARACTERISTICA DE UN TRANSISTOR NMOS

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Prof. Tony Castillo