ELECTRNICA

LABORATORIO N 4

EL TRANSITOR COMO INTERRUPTOR Y AMPLIFICADOR

INFORME
Integrantes del grupo: - Garca Gonzales, junior - Gonza Julca, li shan

Profesor: Nicols herencia

Seccin: C12 - 2 A
Fecha de realizacin: 24 de abril Fecha de entrega: 8 de mayo

2013-2

I. INTRODUCCIN
El transistor es un dispositivo semiconductor que actualmente es el ms usado en cualquier aparato electrnico. Este dispositivo tiene dos tipos de utilizacin como: interruptor y amplificador de seales. En este informe presentaremos el transistor como interruptor donde se reconocieron sus partes emisor, colector y base. Mostraremos los resultados obtenidos, grficos con la ayuda del programa multisim, observaciones y conclusiones.

II. OBJETIVO
Identificar los tipos de transistores NPN Y PNP utilizando el probador de diodos del multmetro. Comprobar el funcionamiento del transistor como interruptor Identificar los elementos que conforman un transistor, emisor, base y colector.

III. FUNDAMENTO TEORICO

El transistor
Dispositivo semiconductor que permite el control y la regulacin de una corriente grande mediante una seal muy pequea. Existe una gran variedad de transistores. En principio, se explicarn los bipolares. Los smbolos que corresponden a este tipo de transistor son los siguientes:

Transistor NPN

Estructura de un transistor NPN

Transistor PNP

Estructura de un transistor PNP

Veremos ms adelante como un circuito con un transistor NPN se puede adaptar a PNP. El nombre de estos hace referencia a su construccin como semiconductor. 1. FUNCIONAMIENTO BASICO Cuando el interruptor SW1 est abierto no circula intensidad por la Base del transistor por lo que la lmpara no se encender, ya que, toda la tensin se encuentra entre Colector y Emisor. (Figura 1).

Cuando se cierra el interruptor SW1, una intensidad muy pequea circular por la Base. As el transistor disminuir su resistencia entre Colector y Emisor por lo que pasar una intensidad muy grande, haciendo que se encienda la lmpara. (Figura 2). En general: IE < IC < IB ; IE = IB + IC ; VCE = VCB + VBE 2. POLARIZACIN DE UN TRANSISTOR Una polarizacin correcta permite el funcionamiento de este componente. No es lo mismo polarizar un transistor NPN que PNP.

Polarizacin de un transistor NPN

Polarizacin de un transistor PNP

Generalmente podemos decir que la unin base - emisor se polariza directamente y la unin base - colector inversamente. 3. ZONAS DE TRABAJO CORTE.- No circula intensidad por la Base, por lo que, la intensidad de Colector y Emisor tambin es nula. La tensin entre Colector y Emisor es la de la batera. El transistor, entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor abierto. IB = IC = IE = 0; VCE = Vbat SATURACION.- Cuando por la Base circula una intensidad, se aprecia un incremento de la corriente de colector considerable. En este caso el transistor entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor cerrado. De esta forma, se puede decir que la tensin de la batera se encuentra en la carga conectada en el Colector. ACTIVA.- Acta como amplificador. Puede dejar pasar ms o menos corriente. Cuando trabaja en la zona de corte y la de saturacin se dice que trabaja en conmutacin. En definitiva, como si fuera un interruptor. La ganancia de corriente es un parmetro tambin importante para los transistores ya que relaciona la variacin que sufre la corriente de colector para una variacin de la corriente de base. Los fabricantes suelen especificarlo en sus hojas de caractersticas, tambin aparece con la denominacin hFE. Se expresa de la siguiente manera: = IC / I

IV. PROCEDIMIENTO
I.-Caractersticas de los transistores. Identificar las principales caractersticas de los transistores mostrados en la tabla 1 usando el manual del ECG-NTE y antelos en la tabla 1.

transistor 2N3904 2N3055

Tipo NPN o PNP NPN NPN

Material Si Ganancia o Ge hfe Silicio 30-300 silicio 20-70 Tabla 1

Corriente Ic max. 200mA 15 A

Potencia max. 625mW 115W

Identifique el tipo de encapsulado que comprende a cada uno de los transistores mostrados en la figura 1.

to-3

to-92

Para ubicar el colector vea detalladamente las dos lecturas obtenidas y la de ms bajo valor corresponder al colector y el otro ser el emisor. Para comprobar si el transistor est en buen estado realice en el circuito anterior la prueba directa e inversa entre los terminales B-E y B-C como si fueran diodos y ante los valores obtenidos en la siguiente tabla 2.

transistor

directa B-E 0,631 v 0,503 B-C 0,620 v 0,490 v

Inversa E-B 0 0 TABLA 2 C-B 0 0

Estado del transistor

2N3904 2N3055

II.- El transistor como interruptor. Implementar el circuito de la figura3

Conecte el interruptor a la posicin 1(al dispositivo de la batera). Conecte el ampermetro y el voltmetro como se muestra en la figura. Mida la tensin y la corriente que pasa por el colector del transistor y antelo en la tabla 3.

Posicin del interruptor Posicin 1 Posicin 2 -

Tensin del colector-emisor voltios (voltios) 0,29 11,99

Corriente de colector (mA) 780,014 201,3 na

Zona de trabajo del transistor. Saturacin Corte

Lleve el interruptor a la posicin 2(conecte GND), mida la VCE y la corriente de colector Ic anote en la tabla 3.

Seale para cada posicin en que zona de trabajo opera el transistor y anote en la tabla 3.

De acuerdo a los datos obtenidos en la tabla 3. El interruptor se comporta como un interruptor? Si

Por qu?

Cuando se abre o cierra el swith el transistor tiene una tensin de saturacin o corte

III.-Interface transistor- rel. Comprobar el funcionamiento del transistor como carga inductiva Implemente el circuito de la figura 4. (P1al transformador de 110v AC)

Cmo se comporta el rel en la posicin 1?que se observa en la lmpara

Enciende Cmo se comporta el rel en posicin 2?que observa en la lmpara ?

No enciende

Obtenga del generador de funciones una seal cuadrada TTL de 5 VDC. A una frecuencia de 1Hz y conect como se indica en la figura 5.

Qu observa en la lmpara?, explique porque

Se enciende parpadeando cada segundo, esto sucede debido al la frecuencia de 1 HZ.

Retire la lmpara del circuito y aumente la frecuencia del generador a 1khz. Conecte el osciloscopio entre el colector y el emisor del transistor, graficar la forma de onda obtenida.

IV.-El transistor como amplificador. Comprobar el comportamiento de un transistor como amplificador en emisor comn. Implemente el circuito mostrado en la figura 6

Variar los potencimetros, hasta obtener Vce= 6V (zona activa del transistor) Medir las corrientes de base, de colector y calcular la ganancia del transistor.

VCE

IC

IB

6V -

3,35

0,02

GANANCIA DE CORRIENTE hfe (B) 1,67

Obtenga del generador de funciones una seal sinusoidal de 200mVpp a una frecuencia de 1 kHz (utilice la atenuacin del generador de 20db).

Implemente el circuito mostrado en la figura 8.

V. OBSERVACIONES
Los terminales del transistor son muy delicados. El reconocimiento del transistor se realiza de una manera muy fcil. El programa multisim es de gran ayuda para realizar circuitos electrnicos.

VI. CONCLUCIONES

Se verifico las partes del transistor con la ayuda del multmetro Se obtuvieron las grficas y los datos requeridas tal como se muestra en el procedimiento Se diferenci los tipos de transistor NPN y PNP.