9.

Semiconductor p-n y uniones metal-semiconductor

9.1 Introduccin 9.2 unin ideal p-n en equilibrio 9.2.1 unin ideal p-n 9.2.2 Aproximacin de agotamiento 9.2.3 Incorporado en el campo elctrico 9.2.4 Incorporado en el potencial 9.2.5 Agotamiento de ancho 9.2.6 Energa perfil de banda y energa de Fermi 9.3 Propiedades de unin p-n de no equilibrio 9.3.1 Polarizacin directa: una descripcin cualitativa 9.3.2 Polarizacin inversa: una descripcin cualitativa 9.3.3 Una descripcin cuantitativa 9.3.4 agotamiento de la capa de capacitancia 9.3.5 Unin ideal p-n ecuacin del diodo 9.3.6 Minoras y mayoras de corrientes portadoras en regiones neutras 9.4 Desviaciones del caso ideal del diodo de unin p-n 9.4.1 desviacin del potencial inverso del caso ideal 9.4.2 desviacin del potencial directo del caso ideal 9.4.3 ruptura inversa 9.4.4 Ruptura de avalancha 9.4.5Ruptura zener 9.5 Uniones metal-semiconductor 9.5.1 Formalismo 9.5.2 Schottky y contactos hmicos 9.6 Resumen 9.1 Introduccin Hasta ahora, nuestra discusin se bas nicamente en semiconductores homogneos cuyas propiedades son uniformes en el espacio. Aunque unos pocos dispositivos se pueden hacer de tales semiconductores, la mayora de los dispositivos y los ms importantes utilizan estructuras no homogneas de semiconductores. La mayora de ellos implican uniones p-n de semiconductores, en el que un dopado de la regin tipo p y un dopado de la regin tipo n se ponen en contacto. Tal unin en realidad forma un diodo elctrico. Por esta razn, es usual hablar de un punto p-n de unin como un diodo. Otra estructura importante consiste en un semiconductor de ntimo contacto con un metal, dando lugar a lo que se llama un metal-semiconductor. Bajo ciertas circunstancias, esta configuracin puede tambin conducir a un diodo elctrico. El objetivo de este primer captulo ser establecer un modelo preciso para la unin p-n que puede ser al mismo tiempo matemticamente descrito. Este modelo ser el ideal diodo de unin p-n. Las propiedades bsicas de esta unin ideal p-n en equilibrio se describe en detalle. Las propiedades

de no-equilibrio de esta unin p-n entonces sern discutidas derivando la ecuacin del diodo que relaciona la corriente y voltaje a travs del diodo. Las desviaciones del caso diodo ideal tambin sern descritas. Finalmente, En este captulo tambin se discuten las propiedades de uniones metal-semiconductor y su comparacin con las de unione p-n. 9,2. Unin ideal p-n en equilibrio 9.2.1. Unin Ideal p-n El modelo ideal de unin p-n es tambin llamado unin abrupta o paso modelo de unin. Este es un modelo idealizado para el cual se supone que el material es uniformemente dopado tipo p con un aceptor de NA, concentracin total en un lado de la unin (por ejemplo, x <0), y el material es uniformemente dopado de tipo n con un donante ND, concentracin total en el otro lado (por ejemplo, x> 0). Para ms sencillez, consideraremos una homounin, es decir, ambas regiones dopadas son del mismo material semiconductor. Vamos a restringir nuestro anlisis al caso unidimensional, como se ilustra en la figura. 9,1.

La figura. 9,1. modelo ideal de unin p-n, en la que un lado de la unin es un semiconductor puramente de tipo p y el otro un semiconductor puramente de tipo n. Ambos materiales son uniformemente dopados. En la regin de tipo p dopado lejos de la zona de unin, el equilibrio de concentraciones de electrones y agujeros se denotan PP y NP, respectivamente. En la regin de tipo n dopada lejos de la zona de unin, y el agujero de electrones, Las concentraciones se indican pn y nn, respectivamente. Estas concentraciones de portadores deben cumplir con la ley de accin de masas en la ecuacin. (7,31).

donde ni es la concentracin de portadores intrnsecos en el material semiconductor considerado. Adems, suponemos que todos los dopantes son ionizados, lo que conduce a las siguientes concentraciones de portadores de las regiones p- y tipo n, respectivamente:

Algunos valores tpicos para estas concentraciones se dan entre parntesis. Es importante recordar que tanto un tipo p, y un tipo n, semiconductores aislados son elctricamente neutros.

Sin embargo, cuando se lleva un semiconductor de tipo p en contacto con un semiconductor de tipo n, el material no es elctricamente neutral en todas partes. En efecto, en un lado de la zona de unin, para x <0, existe una alta concentracin de agujeros mientras que en el otro lado hay una baja concentracin de agujeros. Esta asimetra en los resultados de la densidad de portadores en la difusin de los agujeros a travs de la unin se muestra en la figura. 9,2. Al hacerlo, los orificios dejan atrs de aceptores no compensados (x <0) que estn cargados negativamente. Un anlisis similar puede realizarse para los electrones como tambin hay una asimetra en la densidad de electrones en cada lado de la unin p-n. Esto conduce a su difusin y hace que el material cargado positivamente para x> 0 como los electrones dejan atrs donantes no compensados, como se muestra en la figura. 9,2.

La figura. 9,2. Hueco y difusin de electrones a travs de una unin p-n. Los huecos se difunden desde la izquierda a la derecha, lo que conduce a una corriente de difusin elctrica desde la izquierda a la derecha tambin. Por el contrario, los electrones se difunden desde la derecha a la izquierda, pero esto conduce a una corriente elctrica de difusin desde la izquierda a la derecha debido a la carga negativa de los electrones. El proceso de difusin deja aceptores no compensados en la regin de tipo p y donantes en las regiones de tipo n, es decir, una carga neta negativa en la regin de tipo p y una carga neta positiva en la regin de tipo n. La presencia de estas cargas da como resultado en un campo elctrico incorporado.

Esta redistribucin de la carga elctrica no dura indefinidamente. En efecto, como cargas positivas y negativas aparecen en el x> 0 y x <0 a los lados de la unin respectivamente, una intensidad del campo elctrico E (x), llamada la incorporada campo elctrico, resultado y se muestra en la figura. 9.3. Como se discuti en el Captulo 8, este campo elctrico se genera por los portadores de los huecos cargados positivamente y los electrones cargados negativamente. Mediante la comparacin de la figura. 9,2 y la fig. 9,3, podemos ver que el desplazamiento de estos portadores de carga contrarresta el proceso de difusin anterior. Un estado de equilibrio se alcanza cuando las corrientes de difusin J difusin y la corriente de portadores J drift estn exactamente balanceadas para cada tipo de portador, es decir, huecos y electrones tomados de forma independiente:

La figura. 9.3. Hueco y la portadora de electrones a travs de una unin p-n. Bajo la influencia de la incorporada en el campo elctrico, la portadora de los huecos de la derecha a la izquierda, que conduce a una corriente elctrica de portadores desde la derecha a la izquierda tambin. Por el contrario, la portadora de los electrones desde la izquierda a la derecha, pero esto conduce a una corriente de corriente elctrica desde la derecha a la izquierda debido a la carga negativa de los electrones. El proceso de la corriente se contrapone a la difusin de portadores de carga con el fin de llevar equilibrio al sistema.

Hay una zona de transicin alrededor de la zona de unin p-n con un ancho W0 en el que las cargas elctricas estn presentes. Esta regin es llamada la regin de carga espacial y se muestra esquemticamente en la figura. 9,4 (a). La distribucin de carga dentro de esta regin se modela como sigue: se considera que hay una concentracin uniforme de cargas negativas en -XP0 <x < 0 igual a Q(x) =-qNA (donde NA es la concentracin total de aceptores de tipo en la regin), y una concentracin uniforme de cargas positivas para 0 <x <xn0 igual a Q (x) = + qND (donde ND es la concentracin total de donantes en la regin de tipo n). Las cantidades XP0 y xn0 son positivas y expresar cuanto se extiende la carga espacial en la regin a cada lado de la unin, como se ilustra en la figura. 9,4 (b). El ancho de la regin de carga espacial, tambin es llamada anchura agotamiento, entonces se da por:

La figura. 9,4. (a) El espacio de carga en una regin de unin p-n. Cerca de la zona de unin, la regin de tipo p est cargada negativamente como resultado de la difusin de portadores de carga. (B) La densidad electica de carga elctrica en una unin p-n. Para mantener la neutralidad de la carga total, el nmero total de cargas negativas en la regin de tipo p es igual al nmero total de cargas positivas en la regin de tipo n. En la aproximacin de agotamiento, las cargas se suponen uniformemente distribuidas en el espacio, dentro de la regin de agotamiento delimitada por -XP0 y xn0. Fuera de esta zona de carga espacial, se supone que el semiconductor es elctricamente neutro sin ninguna carga de agotamiento y que el hueco y las concentraciones de electrones estn dados por la ecuacin. (9,2). Estas regiones son llamadas regin bulk(carga) tipo p y bulk(carga) tipo n. Las concentraciones de portadores por lo tanto, de alguna manera debe ir desde un valor alto en un lado de la unin a un valor bajo en el otro lado, y esto ocurre dentro de la regin de carga espacial, como se ilustra en la figura. 9,5. En particular, tenemos:

Semiconductor uniones pn y MetalSemiconductor:

La figura. 9,5. (a) los huecos cargas parcialmente positivas y (b) la concentracin de electrones en una unin pn. En la juntura entre los materiales pn, las concentraciones de los huecos o agujeros y electrones se supone que es constante e igual a sus valores de equilibrio fuera de la regin de agotamiento. Este modelo se denomina aproximacin de agotamiento. En este modelo, donde hay huecos libres o electrones en la regin de carga espacial: el agotamiento de los portadores es completo. El campo elctrico existe slo dentro de esta carga. Debido a que el conjunto de la estructura pn globalmente debe permanecer elctricamente neutro, y por lo tanto la zona de carga espacial debe ser neutro en su conjunto, hay que equiparar el nmero total de cargas negativas en un lado de la unin con el nmero total de cargas positivas en el otro lado, por lo tanto tenemos:

Donde A es el rea de seccin transversal de la unin, y despus de la simplificacin obtenemos:

Combinando la ecuacin. (9,4) y la ecuacin. (9,6), podemos expresar las cantidades Xpo y Xno como una funcin de la anchura de agotamiento W0:

Esto muestra que la zona de carga espacial se extiende ms en la regin de tipo p que en la regin de tipo n cuando ND> NA y recprocamente. Por ejemplo:

Q: Estimar la relacin de espesor de la regin de agotamiento en el lado de tipo p (NA = 1018 cm3) y el lado de tipo n (ND = 1017 cm-3) para una unin brusca pn en la aproximacin de agotamiento. A: Los espesores de la regin de agotamiento en el lado de tipo p y el lado de tipo n se denotan Xpo y Xno, respectivamente. Su relacin es tal que:

9.2.3. Incorporado en el campo elctrico: La fuerza integrada en el campo elctrico se puede calcular usando la ley de Gauss que se puede escribir en nuestro modelo unidimensional como:

Donde es la permitividad del material semiconductor y Q (x) es la concentracin de carga total. Esta relacin puede ser reescrita para ambos lados de la unin:

De estas relaciones se ve que la intensidad de campo elctrico vara linealmente a ambos lados de la unin. Mediante la integracin de la ec. (9,9) usando las condiciones de contorno asumidos en la aproximacin de agotamiento:

Que la intensidad de campo elctrico es igual a cero en los lmites de la zona de carga espacial (x =-Xpo y x = Xno), se obtiene sucesivamente:

Para x = 0, obtenemos dos expresiones para la intensidad de campo elctrico, de las dos expresiones anteriores para E (x) tenemos:

Y estas expresiones son iguales, de acuerdo con Eq. (9,6). Por lo tanto, la neutralidad elctrica global de la estructura de pn asegura la continuidad de la intensidad de campo elctrico incorporado. Una grfica de E (x) se muestra en la figura. 9,6:

La figura. 9,6. Muestra la intensidad del campo elctrico a travs de una unin pn. En la aproximacin de agotamiento, la intensidad de campo elctrico es cero fuera de la regin de agotamiento porque no hay ninguna carga elctrica neta. Dentro de la regin de agotamiento, la intensidad de campo elctrico vara linealmente con la distancia.

9.2.4. Construccin en Potencial Como resultado de la presencia de un campo elctrico, un potencial elctrico V (x) existe tambin y se relaciona con la intensidad de campo elctrico a travs de.

El potencial es constante fuera de la regin de carga espacial debido a que la intensidad de campo elctrico es igual a cero all. Una expresin analtica para el potencial elctrico se puede obtener mediante la integracin (9.11):

Cuando elegimos el origen del potencial en x = 0 y aplicamos la condicin de continuidad del potencial en x = 0. Este potencial se representa en la figura. 9.7

La diferencia de potencial total a travs de la unin pn se llama el potencial incorporado y se representa convencionalmente o Se puede obtener mediante la evaluacin de la diferencia de potencial entre y : Eq.(9.15) ( ) ( )

Esto puede reescribirse como:

Expresando obtenemos:

como una funcin de la anchura de agotamiento dada en la ecuacin. (9.7),

Otra expresin independiente del potencial incorporado se puede obtener mediante la expresin del equilibrio de las corrientes de difusin y de la deriva. En el captulo 8 se determin expresiones analticas para estas corrientes en la ec. (8.12) y la ecuacin. (8.38) para los agujeros, y la ecuacin. (8.36) para los electrones. La corriente total a partir del movimiento de agujeros y que, desde el movimiento de los electrones vienen dados por:

En estas expresiones, p (x) y n (x) representan el agujero y las concentraciones de electrones en una posicin x. .teniendo en cuenta la condicin de la ecuacin (9.3) que indica el equilibrio exacto de las corrientes de difusin y de la deriva de huecos y electrones, podemos escribir:

Wich puede reescribirse utilizando la ecuacin (9.13) como:

Mediante la integracin de estas ecuaciones, obtenemos sucesivamente:

Usando la ecuacin. (9,5), y la ecuacin. (9.15), y teniendo en cuenta la relacin de Einstein obteniendo de la ecuacin (8.44) y la ecuacin (8.45), tenemos:

Que se integra fcilmente en:

i.e.:

Esta puede ser reescrita en la forma:

Uso de las expresiones en la ecuacin (9.2), podemos escribir el potencial incorporado en funcin de las concentraciones de dopaje:

Usando las expresiones en la ecuacin (9.2), podemos escribir el potencial incorporado en funcin de las concentraciones de dopaje:

Este potencial existe en equilibrio y es una consecuencia directa de la unin entre materiales pocamente dopados. Sin embargo, no puede medirse directamente utilizando un voltmetro porque los voltmetros miden la diferencia de potencial qumico y el potencial qumico es el mismo en todo el dispositivo, ya que est en equilibrio trmico balanceado con corrientes de difusin en todas partes. Ancho de agotamiento. Ahora es posible relacionar la anchura W0 de la regin de espacio de carga, as como su extensin a ambos lados de la Unin p-n, con el potencial incorporado. De la expresin del potencial incorporado en la ecuacin (9,17), podemos expresar el ancho de agotamiento:

que se convierte, despus de considerar la ecuacin (9,22):

la medida de la anchura de agotamiento en cada lado de la Unin p-n entonces puede determinarse mediante la sustitucin de W0 (9,23) en la ecuacin (9.7):

estas dos ltimas expresiones muestran que la regin de espacio de carga se extiende ms en la regin de dopaje inferior, de conformidad con la subseccin 9.2.2.

Ejemplo P: Considrese GaAs abrupto p-n con un nivel de dopaje en el lado del tipo p de NA = 2 1017 cm^-3 y un nivel de dopaje en el lado del tipo n de ND = 1 1017 cm^-3. Estimar las anchuras de la regin de agotamiento en el lado de tipo p y el lado del tipo n a 300 K. R: las anchuras de la regin de agotamiento buscadas estn dadas por las siguientes expresiones:

donde es la constante dielctrica del GaAs ( = 13,1 0 ) y V0 es el potencial incorporado. Este ltimo se calcula a partir de:

debido a que la concentracin de portadores intrnsecos en GaAs en 300 K es ni = 1,79 106 cm^3. Las anchuras pueden entonces ser calculado como:

9.2.6. Perfil de banda de energa y la energa de Fermi. Debido a la presencia de un potencial incorporado, las bandas de energa permitidas en el semiconductor, por ejemplo la conduccin y las bandas de Valencia en particular, se cambian de puesto demasiado. El perfil de banda de energa resultante se obtiene multiplicando el potencial por la carga de un electrn (-q). Esto se muestra en la figura 9.8, donde es convencional para trazar la parte inferior de la banda de conduccin (CE) y la parte superior de la banda de Valencia (EV) a travs de la estructura PN. La razn por qu nosotros debemos multiplicar por la carga negativa de un electrn es porque el diagrama resultante de la banda corresponde a los Estados de energa permitidos para los electrones. Esto es intuitivamente comprensible porque los electrones tienen ms probabilidades de ser donde existe un mayor potencial elctrico positivo, por lo tanto la banda de energa para los electrones ser menor all.

Figura 9.8. Perfil de banda de energa a travs de una Unin p-n. Este perfil se obtiene multiplicando el potencial en la Figura 9.7 por - q, la carga elctrica de electrones.

Por lo tanto, vemos que la bandas de conduccin y de valencia se flexionan de la regin tipo p a la tipo n. Por otra parte, la cantidad de banda de flexin est directamente relacionada con el potencial incorporado: ( 9.26 )

Ejemplo: Estimar la banda de energa si se hace una inclinacin desde el lado de tipo p hacia el lado de tipo n en una unin p-n abrupta de GaAs, con un nivel de dopaje en el lado de tipo p de NA = 2 1017 cm-3 y un nivel de dopaje en el lado de tipo n de ND = 1 1017 cm-3 a 300 K. Solucin: A partir del ejemplo anterior, sabemos que el potencial incorporado es V0 = 1.297 V. La banda doblando por tanto igual a qV0 = 1.297 eV. Lejos de la zona de carga espacial, la energa de Fermi en las regiones de tipo p y de tipo n se denotan EFP y EFn respectivamente, como se muestra en la figura. 9.8. En el equilibrio, estas cantidades deben ser iguales. En efecto, la densidad de orificios en las regiones de tipo p y de tipo n est dada por la ecuacin 7.29 para el caso no degenerado, simplemente remplazamos con los coeficientes:

Eqns. (9.27.)
Usando la ecuacin 9.21 obtenemos:

[ [

] ]

Eqn. (9.28)

Adicionalmente usando 9.26 tenemos: * +

Lo que significa que EFn = EFP, es decir que la energa de Fermi en las regiones de tipo p y de tipo n es la misma como se anticip en la figura. 9.8. De hecho, una propiedad general e importante es que en el equilibrio trmico, las energas de Fermi de materiales diferentes deben ser iguales, fsicamente esto significa que no debe haber un flujo neto de huecos o electrones a travs de la estructura si hay equilibrio. 9.3 Propiedades de la uniones p-n fuera de equilibrio Las propiedades ms interesantes y prcticas de una unin pn se observan en condiciones fuera del equilibrio, por ejemplo, cuando se aplica un voltaje a travs de ella o cuando se hace incidir luz sobre su superficie. Debido a su naturaleza no simtrica, una unin pn presenta diferentes propiedades dependiendo de la polaridad de la tensin externa es decir de la polarizacin aplicada. La convencin de signos que se utiliza para la tensin externa y la corriente en una unin pn se muestra en la figura. 9.9, el voltaje ser positivo si el potencial aplicado en el lado de tipo p es superior a la aplicada en el de tipo n. Tenga en cuenta que la tensin incorporada V0 se ha hecho positiva.

Figura 9.9. Convenio para la polaridad de la tensin y la corriente externa. Cuando se aplica una polarizacin externa, las corrientes de difusin y de la deriva ya no se equilibran entre. Este desequilibrio produce un flujo neto de corriente elctrica en una u otra direccin. Adems, el campo elctrico interno, la tensin a travs de la unin pn, el ancho de agotamiento y el perfil de banda de energa cambiarn. En esta seccin, vamos a revisar cmo se modifican estos parmetros. 9.3.1. Polarizacin Directa: una descripcin cualitativa Cuando una polarizacin externa V se aplica a la estructura p-n tal como se representa en la figura. 9.9, por lo general hay una cada de tensin a travs del bloque neutro es decir ambas regiones p y n (es decir, fuera de la zona de carga espacial) que se debe la ley de Ohm. En otras palabras, toda la polarizacin externa no es aplicada a travs de toda la regin de transicin debido a que parte de ella se "pierde" a travs de las regiones neutrales debido a la resistencia elctrica. Sin embargo, en la mayora de los dispositivos semiconductores que utilizan uniones p-n, la longitud de estas regiones neutras en las que la corriente elctrica deber fluir es pequea, y cualquier cada de tensin sera por lo tanto ser insignificante en comparacin con el cambio de voltaje a travs de la regin de transicin. En nuestra discusin, por ahora vamos a suponer que la polarizacin externa se aplica directamente a los lmites de la zona de carga espacial. De acuerdo con la convencin de signos en la figura. 9.9, el voltaje total a travs de la zona de transicin se da ahora por V0-V. En general, existen dos regmenes que deben tenerse en cuenta para las condiciones de desequilibrio de una unin p-n: polarizacin directa y polarizacin inversa. En el rgimen de polarizacin directa, correspondiente a V> 0, la tensin total o barrera de potencial a travs de la regin de transicin se reduce realmente de V0 a V0-V, ello tiene varias consecuencias. En primer lugar, la fuerza del campo elctrico interno asociado con la barrera de potencial ms bajo se reduce, as, como se muestra en la figura. 9.10 (c). Esto a su vez significa que la anchura de la zona de carga espacial se reduce debido a que se necesitan menos cargas elctricas para mantener este campo elctrico, tal como se muestra en la figura. 9.10 (b). En otras palabras, Wo se reduce y ahora se denota W, xn0 se convierte en xn, y xp0 se convierte en xp, de la manera en que se ilustra en la figura. 9.10 (a). A medida que el potencial interno se reduce desde

su valor de equilibrio en una cantidad V, perfil de banda de energa cambia y la banda de flexin se reduce una cantidad qV, como se muestra en la figura. 9.10 (e). Esto significa que tenemos: Eqn.( 9.29 ) ( )

En lugar de la ecuacin. (9.26). Por otra parte, podemos considerar que los niveles de energa de Fermi fuera de la zona de carga espacial, es decir, en las regin neutral en la tipo n (EFn) y tipo p (EFP), se encuentran en sus posiciones de equilibrio, pues asumimos que no hay ninguna cada de tensin en estas regiones. Por lo tanto, debido a que la banda de flexin se ha reducido por qV, de acuerdo a la figura. 9.10 (e), se debe tener que: Eqn. (9.30) Esto significa quela energa de Fermi no es constante en toda la estructura de unin p-n, pero los niveles de energa de Fermi en el neutro de tipo p y las regiones de tipo no estn separadas por qV, donde V es la polarizacin aplicada externa. Esta es una consecuencia directa de una condicin de no equilibrio. Veamos ahora cualitativamente examinar los efectos de una polarizacin directa en las corrientes de difusin y la deriva a travs de la zona de carga espacial de una unin pn. Como hemos visto en la seccin anterior, la corriente de difusin surge de la diferencia entre la densidad de portadores de carga en cada lado de la zona de unin. Corresponden al movimiento de los electrones de la regin de tipo n hacia la regin de tipo p, y por el contrario para los agujeros. Esto significa que, en su origen, la corriente de difusin est relacionada con el movimiento de los portadores mayoritarios (por ejemplo, electrones en la regin de tipo n). Sin embargo, tan pronto como estos portadores lleguen al otro lado de la unin, se convierten en portadores minoritarios. Por lo tanto, los actos de difusin actuales como si se inyectaran portadores minoritarios en un lado de la unin tirando de ellos desde el otro lado de la unin donde son portadores mayoritarios. En el equilibrio, el proceso de difusin se estabiliza cuando el campo elctrico incorporado ejerce una fuerza que contrarresta exactamente la difusin de estos portadores de carga. Bajo un sesgo hacia adelante, como acabamos de ver en la fig.9,10 (c), esta intensidad de campo elctrico se reduce. Por lo tanto, cada tipo de portadores de carga puede difundirse ms fcilmente, lo que significa quelas corrientes de difusin de ambos tipos de portador es aumentan bajo una polarizacin directa. Esto tambin puede entenderse examinando el perfil debanda de energa. Por ejemplo: cuando los electrones en la regin de tipo n, en el lado derecho de la figura. 9,10 (e) cuando estn ms concentrados, difunden hacia la regin de tipo p en el que estn menos concentrados, los estados de energa permitidos se encuentra con energas ms altas. Esto significa que los electrones de difusin tienen que cruzar una barrera de alta energa. En virtud de una polarizacin directa, esta barrera de energa se reduce, como se muestra en la figura. 9.10(e), y ms electrones por lo tanto puede participar en la difusin hacia la regin de tipo p. Un argumento similar es vlido para los

agujeros. Como resultado, las corrientes de difusin de ambos tipos de portadores aumentan en virtud de una polarizacin directa.

La figura. 9.10.(a) Ancho regin de carga espacial, (b) Densidad de carga elctrica, (c) Intensidad de campo elctrico, (d) Perfil de potencial, y(e) Perfil de banda a energa de una unin p-n bajo polarizacin directa(V>0). Las curvas de trazos gruesos representan el caso de equilibrio para la comparacin. Por el contrario, la corriente de deriva no cambia con una polarizacin externa, aunque esto puede parecer contradictorio con el hecho de que el campo elctrico interno es ms dbil. Esto se puede entender mediante el examen de la corriente de deriva en ms detalle. Ya vimos en la seccin 9.2 quela corriente de deriva contrarresta la difusin de los portadores de carga y por lo tanto consiste en electrones que se mueven hacia la regin de tipo n y los agujeros se mueven hacia la regin de tipo p. Esto significa que, en su origen, la corriente de deriva est relacionada con el movimiento de los portadores minoritarios, como los electrones en la regin de tipo p que deriva hacia la regin de tipo n bajo la influencia del campo elctrico. La corriente de deriva por tanto, desempea la funcin inversa de la corriente de difusin. La corriente de deriva acta como si se extrae portadores minoritarios desde un lado de la unin y los enviara a la otra parte de la unin donde son portadores mayoritarios. Debido a que las concentraciones de portadores minoritarios son muy pequeas (ver ec. (9.2)), las corrientes de deriva estn limitadas principalmente por el nmero de portadores minoritarios disponibles para la deriva (es decir, los electrones en la regin de tipo p y los agujeros en la regin de tipo n) en lugar de la velocidad a la que se deriva (es decir, la intensidad del campo elctrico). Se comprende entonces por qu la corriente de deriva no cambia significativamente cuando una polarizacin externa se aplica, en comparacin con la corriente de difusin. 9.3.2. Polarizacin inversa: una descripcin cualitativa Por el contrario, en el rgimen de polarizacin inversa, correspondiente a V <0, el voltaje total o barrera de potencial a travs de la regin de transicin se incrementa realmente a partir de V0a V0-V, que tambin tiene los efectos opuestos de una polarizacin directa. La fuerza del campo elctrico interno se incrementa, como se muestra en la figura. 9,11 (c). Esto agranda la anchura de la zona de carga espacial de W0 a W (con Xn0Xn convertirse, y XP0 convertirse xp, como se ilustra en la figura. 9,11 (a)) porque las cargas elctricas ms son necesarias para mantener este campo elctrico, como se muestra En la medida interna se de su valor cantidad figura. 9,11 (b). A que la tensin incrementa a partir de equilibrio en una igual a-V, el perfil de

banda de energa se cambia y la cantidad de banda de flexin se incrementa en-qV, como se representa en la figura. 9,11 (e). El monto total de la banda de flexin se sigue aplicando la frmula de la ecuacin. (9.29). La diferencia entre los niveles de energa de Fermi fuera de la zona de carga espacial tambin est siendo dada por la ecuacin. (9,30).

Figura. 9.11. (a) de carga de espacio regin ancha, (b) la densidad de carga elctrica, (c) la intensidad de campo elctrico, (d) el perfil de potencial, y (e) el perfil de banda de energa de una unin p-n bajo polarizacin inversa (V <0). Las curvas gruesas de trazos representan el caso de equilibrio para la comparacin.

Adems, en contraste con el caso de polarizacin directa, las corrientes de difusin de ambos tipos de disminucin transportista en virtud de una polarizacin inversa. Sin embargo, la corriente de deriva todava no cambia significativamente en comparacin con la corriente de difusin cuando una polarizacin inversa se aplica, por la misma razn como se discuti previamente.

9.3.3. Una descripcin cuantitativa En las subsecciones anteriores, hemos expresado cuantitativamente la cantidad de banda de flexin y de la diferencia entre los niveles de energa de Fermi de tipo p y regiones de tipo n como una funcin de la polarizacin aplicada externa (ecuacin (9.29) y Ec. (9,30) respectivamente). De hecho, la mayora de las relaciones que se derivan en la seccin 9,2 para el caso de equilibrio son vlidas cuando una tensin de polarizacin V externa se aplica, a condicin de que hagamos las siguientes transformaciones:

Esta afirmacin se justifica por el hecho de que la mayora de las expresiones en la seccin 9.2 se han obtenido sin necesidad de invocar la condicin de equilibrio de la ecuacin. (9,3), pero utilizando el principio de neutralidad de carga elctrica y la ley de Gauss vez que son vlidos en todo momento.

Las pocas relaciones siguientes, sern importantes para futuras discusiones. El ancho de agotamiento se puede obtener de la ecuacin. (9.23) por medio de la ecuacin. (9,31):

Ecuacin (9.32)

)(

Para V < . Se ve claramente que la anchura de agotamiento se contrae cuando una polarizacin directa se aplica (V > 0), mientras que se expande cuando una polarizacin inversa se aplica (V < 0). Esto confirma el anlisis cualitativo de la subseccin anterior.

Ejemplo Q: Calcular la relacin de la anchura de agotamiento de la regin W bajo una polarizacin directa de 0,3 V a la anchura de equilibrio, para una unin p-n abrupta GaAs con un nivel de dopaje en el lado de tipo p de = 2 1017 cm-3 y un nivel de dopaje en el lado de tipo n de = 1 1017 cm-3 a 300 K. A: La anchura W de agotamiento bajo un sesgo V viene dado por la expresin:

)(

Donde el potencial incorporado es La relacin buscada es por lo tanto:

= 1,297 V, tal como se determina en los ejemplos anteriores.

La anchura de agotamiento es entonces: la extensin de la zona de carga espacial en el interior de las regiones de tipo p y de tipo n, tal como se muestra en la figura. 9.10 (a) y la figura. 9.11 (a), se puede obtener de la ecuacin. (9.25).

 ( { (

( (

)( )(

) Eq.(9.33) )

Del mismo modo, el no equilibrio de huecos y las concentraciones de electrones en los bordes de la zona de carga espacial, denotan p (-xp), p (-xn) n (-xp) y n (x n), se pueden obtener teniendo en cuenta la ecuacin. (9.21):
( ( ) ) ( ( ) )

) Eq. (9.34)

y usando la ecuacin. (9.21) para eliminar PP y nnde esta ltima ecuacin:

( ) ( )

)Eq. (9.35)

Estas expresiones son importantes ya que muestran que, cuando se aplica un voltaje de polarizacin externa, las concentraciones de portadores minoritarios en el lmite de la zona de carga espacial, p (x n) y n (XP), son directamente relacionados con el simple equilibrio de las concentracionesde portadores minoritarios pn ynp y la tensin de polarizacin aplicada V. Todas estas relaciones pueden ser importantes para la derivacin de la ecuacin del diodo para una unin pn ideal que ser el tema del siguiente apartado. Ejemplo: Calcular las concentraciones de portadores minoritarios en xn y-xp para la unin p-n de GaAs descrito en el ejemplo anterior. La concentracin de portadores minoritacions en xn y-xpse dan por: ( ) ( ) ( )

Donde pn y np son las concentraciones de portadores minoritarios en el lado de tipo n neutros, respectivamente, en el equilibrio. stos vienen dados por la ley de accin de masas: ( ( ) )

Adems, la exponencial es numricamente igual a:

( Por lo tanto, se obtiene:

( (

) )

( (

)( )(

) )

9.3.4 Capacitancia Capa De Agotamiento La capa de agotamiento es relativamente carente de compaas de telefona mvil, y por lo tanto puede ser considerado como algo similar al dielctrico en un condensador.Cargas positivas y negativas estn separadas por esta capa de agotamiento, y esto conduce a una capacitancia asociada con la unin pn.Esta capacitancia puede ser considerada como igual que la de un condensador de placas paralelas, y se expresa como: Eq. (9.36) Sin embargo, en lugar de ser constante, la capacitancia de una unin pn vara con la polarizacin inversa a travs de la dependencia de voltaje de la anchura de agotamiento como se muestra en la figura. 9.12

Ms formalmente, la capacitancia de la unin pn se puede derivar a partir de la capacitancia OS definicin: | |Eq. (9.37)

Donde dQ es el cambio incremental en la carga almacenada en cada lado de la unin para un aumento gradual en el voltaje de dV. Para la unin abrupta, la carga almacenada en cada lado de la unin se puede expresar como: Eq. (9.38) Donde xn y xp estn dadas por la ecuacin (9.33). Sustituyendo en la ecuacin (9.38) para cualquiera de los trminos da la ecuacin: ( ( )( ) )

Como podemos ver la diferencia respecto a V:

Como podemos ver reduce la ecuacin 9.36 de arriba donde V=0. El voltaje depende de la juntura p-n y la capacitancia es usada en el varactor o diodo varicaps, puesto a punto con el circuito donde el diodo reserva la parcialidad para evitar la conduccin ms adelante, luego un pequeo voltaje DC es aplicado para variar la capacitancia. Adicionalmente la medicin de la capacitancia de un diodo est en funcin de la parcialidad que pueda ser usada para extraer la informacin acerca de la construccin en el voltaje y en el perfil de dopaje. Esto puede ser graficado 1/Cdep vs el voltaje aplicado.

En este caso en particular en un lado de la juntura (tal como p+ y n- o un metal semiconductor el diodo Schottky (ver seccin 9.5)), donde la ecuacin se reduce adicionalmente, y la concentracin de portadores puede ser extrada ms directamente as:

9.3.5 juntura p-n ideal de la ecuacin del diodo. La ecuacin del diodo refiere de la expresin matemtica cuando relacionamos la corriente elctrica total a travs de la juntura p-n ideal aplicada externa y parcialmente al voltaje V. esto tambin hace referencia a la corriente voltaje o I-V caracterstica del diodo. Se determina as, vamos a demostrar el foco del anlisis de los transportadores minoritarios i.e. los agujeros en las regiones n-tipo y p-tipo. En adicin a la aproximacin del agotamiento del modelo considerado, pocos supuestos necesitamos para esta consideracin. (i), asumimos que no hay una carga de los transportadores de generacin de fuente externa. (ii) no hay recombinacin en los transportadores de carga cuando se produce un espacio en la regin de carga. (iii) nosotros asumimos que la aplicacin de una carga moderada asegura una produccin suficiente de transportadores de carga para permanecer en menos nmero que la mayora de transportadores de la regin neutral. (iv) finalmente, nosotros asumimos que la carga en minora de la concentracin de los transportadores de la regin neutral no es el resultado de la no negligencia elctrica del campo. En virtud de esto asumimos que (i) y (ii), cualquier electrn que este difuso a travs del espacio de la regin de carga esta presente en los siguientes limites i.e. y xp y xn respectivamente. Cuando una parcialidad V es aplicada, la concentracin de los agujeros y los electrones, que estn en exceso del equilibrio de concentracin, estn dadas por:

Esto se convierte despus usando la ecuacin (9.35):

En el resto de este texto, nosotros vamos a usar el significado extendido de exceso de transportadores, por ejemplo, si pn y np son positivos, i.e. V>0 o polarizado directamente,

cuando hay un exceso neto de agujeros y electrones en el espacio de carga limite y nosotros hablamos acerca de portadores de inyeccin minoritaria. Esto se muestra en la figura 9.13

Fig. 9.13. (a) exceso de concentracin de agujeros en la regin n-tipo y (b) exceso de concentracin de electrones en la regin p-tipo, por debajo de la parcialidad. El exceso en la disminucin de la concentracin de los portadores, sigue decayendo exponencialmente, y adems de los bordes en la regin de agotamiento. Pero si pn y np son negativos, i.e. V<0 reserva una parcialidad, entonces hay una deficiencia real neta de agujeros y electrones cuando hablamos acerca de portadores de inyeccin minoritaria. En este caso la minora de portadores en el limite del espacio de la regin de carga son menos numerosas que en el volumen neutral de materia, por lo tanto hay una difusin en los transportadores minoritarios para el volumen neutral en la regin hacia los bordes del espacio de la regin de carga. Esto se ilustra en la Fig. 9.14. Retomando el caso de parcialidad, el exceso de agujeros , presenta x=xn con una concentracin de pn, as ser ms profunda la difusin neutral n-tipo en la regin cuando esta en equilibrio la concentracin es solo pn. Como se difunde, en la recombinacin de experiencias de la discusin del captulo 8 con las caractersticas de difusin de longitud Lp como en el rgimen de estado estacionario. El excesos de concentracin de agujeros es por lo tanto reducido cuando hacemos un avance de la materia mas profundo. Esta situacin esta encontrada ya en el captulo 8 y analizada por la expresin pn(x1), el exceso de agujeros en la concentracin es positivo x1, es obtenido por la ecuacin (8.55)

Donde Lp es la longitud de difusin de huecos en la regin de tipo n. En esta expresin, elegimos otro eje, denotado x1, orientado en la misma direccin que el x ejes originales y con su origen en x = xn. Es importante recordar que el exceso de concentracin de agujeros en x = xn se mantiene constante en pn dada por Ecuacin. (9.42) porque los agujeros son inyectados o extrados a travs de la continua regin de carga espacial en o desde la regin de tipo n debido a la aplicacin de el voltaje de polarizacin externa. Podemos hacer uso de la figura. 8.7 Para representar la distribucin espacial el perfil de la concentracin de huecos en exceso en la figura. 9.13 (a) para la polarizacin directa caso y la fig. 9.14 (a) para el caso de polarizacin inversa.

Figura 9.14. (a) perfil de "exceso" agujero de concentracin en la regin de tipo n, y (b) "exceso perfil de la concentracin de electrones en la regin de tipo p, bajo una polarizacin inversa. Estas concentraciones de portadores cambian despus de una dependencia exponencial, ya que ir ms lejos de los bordes de la regin de agotamiento. A la inversa, el exceso de electrones presentes en x =-xp con una concentracin np se difundir ms en la regin de tipo p neutro, con una longitud de difusin Ln. Esto conduce a la np perfil espacial (x2) se muestra en la figura. 9.13 (b) para el caso avance sesgo y la fig. 9.14 (b) para el caso de polarizacin inversa, y es analtica dada por:

Donde Ln es la longitud de difusin de electrones en la regin de tipo p. Es importante tener en cuenta que, aqu, elegimos la convencin de signos para el eje x2 en el direccin opuesta del eje x original, porque los electrones se difunden en este direccin opuesta. Hay esencialmente dos mtodos para calcular la ecuacin del diodo. El primero consiste en el anlisis de las corrientes de difusin en la unin p-n. A partir de la discusin en la subseccin 9.3.1 entendemos que, cuando un se aplica polarizacin externa, las corrientes de deriva a travs de la zona de carga espacial hacen no vara mientras que la difusin corrientes de cambio. La suma de los incrementos en el agujero y las corrientes de difusin de electrones a travs de la zona de carga espacial es por lo tanto una medida directa de la corriente elctrica neta a travs de la unin pn ya que no hay corriente neta es originalmente presente en el equilibrio, porque tenemos supone que no existen fuentes externas de generacin soporte y porque el corriente elctrica total es constante a travs de un dispositivo de dos terminales, tales como la unin p-n anterior se muestra en la figura. 9.9. Las corrientes de difusin incrementales son las corrientes de difusin que resultar de los portadores en exceso en el material. La corriente de difusin densidades de electrones y los huecos se pueden obtener de la ecuacin. (8.36) y Ecuacin. (8,38), y se dan a travs de:

Usando las expresiones de las concentraciones de portadores en exceso en Ecuacin. (9.43) y la ecuacin. (9.44), obtenemos:

Con el fin de obtener la corriente total a travs de la unin p-n, debemos Evaluar las densidades de corriente de difusin de huecos y electrones en los lmites de la zona de carga espacial en x = x n y x =-xp, respectivamente, o de manera equivalente en x1 = x2 = 0:

En todas estas expresiones de densidades de corriente, es importante recordar que el convenio de signos para la densidad de corriente ( ) es el mismo que el eje , mientras que para ( )es opuesta a la del eje .La densidad de corriente total es la suma del agujero y corrientes de electrones de difusin, con sin embargo una diferencia signo:

El signo menos para ( ) representa la convencin de signos para el eje seleccionado Insercin de ecuaciones. (9.47) en esta relacin, se obtiene:

y utilizando la ecuacin. (9.42), obtenemos finalmente:

La corriente total est dada por la densidad de corriente total multiplicado por el rea de la unin p-n. Si asumimos un rea uniforme A, tenemos:

Mediante la introduccin de un nuevo trmino , esto puede ser reescrita como:

Con:

Ecuacin. (9.52) y la ecuacin. (9.53) representa la ecuacin del diodo por una ideal unin p-n. Esta funcin se representa en la figura. 9.15.

Figura. 9.15. Corriente-tensin caracterstica para un diodo de unin p-n ideales. La dependencia de la corriente de la tensin sigue una expresin exponencial. La corriente es cero cuando el voltaje es cero, sin excitacin externa.

Vemos que en virtud de una polarizacin directa, la corriente aumenta de manera exponencial en funcin del voltaje aplicado. Por el contrario, en virtud de la polarizacin inversa, la corriente rpidamente tiende a . El valor de la corriente por eso se llama la corriente de saturacin inversa. El significado fsico de esta corriente puede ser entendido como sigue. Cuando una polarizacin inversa se aplica a una fuente ( ) la densidad de los portadores minoritarios en el lmite de la zona de carga espacial cae rpidamente a cero de acuerdo a la ecuacin. (9,35). Esto significa que, dentro de la regin de agotamiento, no hay difusin de portadores pero nicas corrientes de deriva estn presentes. Fuera de la regin de agotamiento sin embargo, el movimiento de carga slo es la difusin de los portadores minoritarios de las regiones neutras hacia la regin de agotamiento, tal como se ilustra por las flechas de bloque en la figura. 9.14. Por lo tanto, se puede decir que la corriente de saturacin en la ecuacin. (9.53) corresponde a la desviacin total, a travs de la zona de carga espacial, de los portadores minoritarios que han sido

extrados o capaz de alcanzar los lmites de la zona de carga espacial a travs de la difusin desde las regiones neutras. El diodo de unin p-n acta como un dispositivo de un solo sentido: cuando est polarizado directamente, la corriente puede fluir desde la de tipo p para la regin de tipo n sin mucha resistencia mientras que cuando es polarizado inversamente, una resistencia muy grande evita que el actual fluya en la direccin opuesta a la de tipo n a la regin tipo p. El segundo mtodo que se puede utilizar para determinar la ecuacin del diodo consiste en calcular la carga total acumulada a cada lado de la zona de unin. Este segundo mtodo se llama a la aproximacin de control de carga. Veamos ser el estado estacionario exceso de carga positiva en la regin tipo n que viene dada por la integracin de la ec. (9,43):

Donde A es el rea de la unin p-n. Este exceso de carga se ilustra en la figura. 9,16 (a), en el caso de polarizacin directa. La corriente de difusin agujero entonces debe ser capaz de mantener esta carga positiva en exceso, a pesar de que los agujeros se recombinacin. Como la vida media de los agujeros en la regin de tipo n es la vida de recombinacin p definido en la subseccin 8.5.3, la difusin agujero actual debe ser capaz de suministrar cargas positivas durante un tiempo igual a . Esta corriente debe ser por lo tanto

Figura. 9,16. (a) El exceso de carga positiva en la regin de tipo n y (b) exceso de carga negativa en la regin de tipo p, en virtud de una polarizacin directa. Las cargas en exceso totales se calculan mediante la integracin de las concentraciones de portadores en exceso sobre el volumen de las regiones fuera de la regin de agotamiento.

Del mismo modo, el exceso de carga negativa en la regin de tipo p est dado por:

y se muestra en la figura. 9,16 (b). La difusin de electrones en la corriente de tipo p es: En esta ltima expresin, se hizo uso de la misma convencin de signo tal como eleje x2. Por lo tanto la corriente total es igual a:

Usando la definicin de las longitudes de difusin dada en la ecuacin. (8.53) y la Ecuacin. (8.56), en la ecuacin. (9.42), podemos transformar esta ltima expresin en:

De este modo obtener la ecuacin del diodo (9,51).

9.3.6. Corrientes minoras y mayoritarias de transporte en las regiones neutras

Anteriormente, vimos que la corriente elctrica total a travs de un dispositivo de unin P-N se determin por las corrientes de difusin a travs de la regin de carga espacial que se traducen en los portadores minoritarios que se inyecta en l, o extrada de las regiones neutras bajo la influencia de una fuerza externa. En aras de la claridad, consideremos el ejemplo de una polarizacin directa donde la unin P-N, como la que se muestra en la figura. 9.13. Vimos que es menor el exceso portadores de difundirse en las regiones neutras despus de un decaimiento exponencial, dada en la ecuacin. (9,43) y la ecuacin. (9,44). Esto conduce a corrientes de difusin que tambin siguen en decaimiento exponencial, tal como se obtiene de la ecuacin. (9.46). Sin embargo, an es desconocido si la corriente elctrica total a travs de un dispositivo de dos terminales es constante. Por ejemplo, la corriente de difusin, en los agujeros en el lado derecho de la figura, a medida que se alejan de esta regin de carga tiene que ser compensado por otra corriente. Esto se consigue a travs del cambio de portadores mayoritarios, por ejemplo electrones en la regin de tipo N. En efecto, el flujo de portadores mayoritarios se mueve en la direccin opuesta para volver a suministrar los que se perdieron en el proceso de recombinacin. Este flujo de portadores genera una corriente de deriva. Por lo tanto, en las regiones neutras, hay dos componentes que hacen la corriente elctrica total: la corriente de difusin de los portadores minoritarios y la tendencia actual de los portadores mayoritarios. Estos se muestran en la figura. 9.17. Esta significa, en particular, que no debe presentar flujo de campo elctrico en la regin neutra, de lo contrario no habra ninguna corriente de deriva. Al parecer, esto contra dice nuestra suposicin al principio de la sub-seccin 9.3.1 donde hubo cada de potencial en las regiones neutras. De hecho, la cada de potencial es muy pequea en comparacin con cualquier tensin de polarizacin aplicada y externa por lo tanto, se puede despreciar en nuestro modelo.

Figura. 9.17. Difusin actual de portadores minoritarios y de portadores mayoritarios en (a) la regin de tipo N y (b) la regin de tipo p, en funcin de una polarizacin directa. Como los portadores minoritarios se difunden ms lejos de la regin de agotamiento, estos se re combinan con portadores mayoritarios. La corriente de difusin de los portadores minoritarios se ve reducida. Pero, este proceso tambin da como resultado en el flujo de portadores mayoritarios en la direccin opuesta, lo que compensa la disminucin de la corriente de difusin con una corriente de deriva en la misma proporcin. Una expresin analtica para la corriente de deriva se puede determinar fcilmente, en cada lado de la juntura P-N. En efecto, la densidad de corriente de electrones debe ser constante en los valores dados por la ecuacin del diodo (9.47). Como sabemos, la expresin para la densidad de corriente de difusin corriente de deriva serla diferencia: de la ecuacin. (9.46), las densidades de

Recordando la ecuacin. (9.46) y la ecuacin. (9.49), obtenemos sucesivamente:

Es importante recordar que la convencin de signos elegido para x. 9,4. Las desviaciones en el diodo ideal P-N

es opuesta a la del eje

Antes de derivar la ecuacin del diodo ideal en la seccin anterior, era necesario hacer varios supuestos. En realidad, estas suposiciones no son necesariamente vlidas, y la ecuacin del diodo ideal da slo un valor cualitativo de acuerdo con las mediciones reales de la I- V caractersticas de los verdaderos diodos de unin P-N. Esta desviacin del caso ideal se debe principalmente a: (a) generacin de portadores en la regin de agotamiento, (b) los efectos de fuga de superficie en la

periferia de una unin real, (c) recombinacin de portadores en la regin de agotamiento, (d) la condicin de inyeccin de portadores minoritarios excede la densidad de dopaje, y finalmente (e) toda la aplicada sesgo no se cae a travs de la regin de agotamiento debido a efectos de la resistencia en serie. Las desviaciones anteriores se ilustran en la figura siguiente. El caso especial de ruptura inversa se discutir en la subseccin 9.4.3.

(e) toda la polarizacin no se disminuye atreves de la regin de agotamiento debido a los efectos resistencia en serie. Las desviaciones anteriores se ilustran en la siguiente figura. El caso especial de ruptura inversa se tratar en el apartado 9.4.3.

Fig. 9.18.La

caracterstica de corriente-voltaje para un diodo deSi p-n de unin (slido) no lo hacen coincidir exactamente con el comportamiento de un diodo de unin de Si predicho por el modelo de diodo ideal (de puntos), ambos mostrados ms arriba en escala semi-logaritmica.Un verdadero diodo Si tiene los siguientes desviaciones de la (difusin limitada) caso ideal: corriente debido a la generacin trmica y los efectos de fuga superficiales fuga inversa, la recombinacin en la regin de agotamiento, la desviacin mxima de la inyeccin, y los efectos de resistencia en serie. 9.4.1. Desviacin inversa de la polarizacin del caso ideal Parte de la desviacin de la corriente de saturacin inversa surge de la generacin trmica de pares electrn-hueco dentro de la zonaespacial de carga, El campo elctrico incorporado separa estos portadores y se deriva hacia las regiones neutras del diodo. Este resultado deriva en un exceso de corriente, adems de la difusin de los portadores minoritarios, que se analizan en el caso ideal. Seccin 8.6 introdujo el concepto degeneracin trmica de portadores, y junto con l una tasa de generacin trmica por unidad de volumen Gt (T), expresado en cm-3 s-1. Dado que el volumen de la regin de agotamiento es igual a WA, suponiendo que no se produce la recombinacin, la corriente debido a la generacin en la regin de agotamiento se puede expresar como: Eq. (9.59)Igen= qWAGt(T)

Pg. 403
Bajo la corriente de polarizacin inversa a continuacin, se puede expresar como la suma de la difusin y generacin de componentes: Eq. (9.60) ( ) ( )

Dado que la anchura de la capa de agotamiento (W) depende de la polarizacin aplicada, la corriente inversa del diodo ahora muestra una dependencia de polarizacin:a medida que aumenta la polarizacin inversa, el ancho de la capa de agotamiento aumenta, y por lo tanto esto conduce a la generacin de un aumento de corriente correspondiente a una funcin de la polarizacin inversa.Adems de exceso de portadores que surgen de la generacin trmica, es posible la foto-excitacin para crear portadores en la regin de agotamiento - este es el caso de un fotodiodo.Esta corriente de fuga se ve agravada por la fuga superficial. Los efectos de fuga de superficie son debido a la extensin finita de la zona de unin p-n, y las caractersticas de las uniones que se producen en la periferia del diodo.Esto se debe principalmente a cargas inicas en o fuera del semiconductor que inducen cargas de imagen correspondientes dentro de los semiconductores. Estas cargas crean su propia regin de agotamiento en la superficie que acta como un canal de conduccin en paralelo que no pasa por la unin p-n y permite que la corriente fluya a lo largo de la superficie del diodo. Normalmente, este corriente de fuga aumenta con la polarizacin inversa.

9.4.2 Desviacin de la polarizacin directa para el caso ideal La polarizacin directa domina los procesos de generacin por recombinacin, Con el fin de suministrar los portadores perdidos a la recombinacin, logrando que la corriente externa neta que fluye a travs del diodo se incremente. Esta corriente se denomina corriente de recombinacin (Irec). La tasa de recombinacin tiene su mximo cerca del centro de la regin de agotamiento, donde casi igual nmero de electrones y huecos que estn disponibles para contribuir a la recombinacin. Suponiendo una variacin lineal de la potencial a travs de la regin de agotamiento, el potencial en el centro puede ser tomado como En este caso la
(
( )

concentracin de portadores en el centro de la regin de agotamiento depende de vez de

(
( )

en

. La velocidad a la que los electrones y los huecos estn recombinando es

)

proporcional a Pg. 404

Mediante la introduccin de la constantedel material (IR0) que depende de los tiempos de vida de recombinacin de portadores minoritarios en las respectivas mitades de la capa de agotamiento, y la anchura global de la capa de agotamiento, se hace posible para llegar a una expresin para la corriente de recombinacin (IR): Eq. (9.61)
( )

La combinacin de esta nueva ecuacin para la corriente junto con los actuales portadores minoritarios da una nueva expresin para la corriente total del diodo de recombinacin: Eq. (9.62)
( ) ( )

En el trabajo con diodos reales esta ecuacin se representa generalmente en una forma emprica mediante la introduccin de un nuevo factor n llamado factor de idealidad: Eq. (9.63)
( )

En esta ecuacin combinada, el factor de idealidad n tiende hacia 2 cuando la corriente de recombinacin domina, y tiende a 1 cuando la corriente de difusin domina, y vara desde 1 hasta 2 cuando ambas corrientes son comparables.En el caso de los diodos de silicio que funcionan a temperatura ambiente, ambos procesos se pueden vercomo la inyeccin de corriente que se incrementa de niveles bajos a moderados.Con los niveles ms altos de inyeccin de corriente (bajo polarizacin directa), el diodo entra en el rgimen de inyeccin alta, donde la densidad de portadores minoritarios inyectado es comparable o mayor que la densidad de portadores mayoritarios.En este caso, la corriente se vuelve proporcional a figura 9.18.
( )

, como se muestra en la

Bajo mayor polarizacin inversa, los potenciales de contacto y la cada de potencial a travs de las regiones masivas del semiconductor dejan de ser insignificante, y la resistencia en serie del diodo p-n ya no domina. En este punto el aumento exponencial de la corriente comienza a disminuir en favor de un aumento ms lineal, limitada por la resistencia en serie del diodo.

Limitada por la resistencia en serie del diodo. La ecuacin emprica del diodo introducida anteriormente puede ser modificada para tener en cuenta este comportamiento, mediante la introduccin de un trmino (RS) para la resistencia en serie. As, la ecuacin se convierte en:

9.4.3. Ruptura inversa En el modelo de diodo de unin pn ideal, vimos que la corriente a travs de un pn diodo de unin estaba limitada por la saturacin de corriente-I0 cuando una polarizacin inversa se aplic. Incluso en el caso no ideal de la corriente inversa se observ al aumentar lentamente. En realidad, este modelo tiene slo hasta un cierto valor de revertir el VBR, llamado el voltaje de ruptura. En ese punto, la corriente repente aumenta drsticamente una muestra en la figura. 9.19. Este fenmeno es llamado ruptura inversa. El valor de pico para el campo elctrico interno la fuerza (es decir, en x = 0) correspondiente a esta polarizacin inversa aplicada se denomina campo elctrico crtico. Esta situacin no es necesariamente perjudicial para la unin pn y es reversible, el tiempo que la corriente puede ser limitada para evitar demasiada alimentacin para que no se disipe en el interior del dispositivo. De lo contrario, las partes del dispositivo pueden ser destruido fsicamente (por ejemplo fundido).

Figura 9.19. Caracterstica de corriente-tensin para una unin pn de un diodo ideal que muestra una corriente inversa. Cuando el voltaje a travs de la unin pn es igual a la ruptura inversa, la corriente aumenta de forma exponencial. Si no se limita, esta corriente puede daar el diodo a travs de calefaccin. Existen dos mecanismos principales para la ruptura inversa: la avera que se produce en la corriente de ida y mayores como resultado del impacto de ionizacin y la ruptura Zener que se produce en la corriente inversa e inferiores como resultado de un tnel a travs de la unin. 9.4.4. Corrientes de Avalancha Como se aplica una polarizacin inversa ms fuerte, la intensidad de campo elctrico a travs de la regin aumenta la carga espacial. Las partculas portadoras de carga, agujeros y electrones que se desplazan a travs de la regin de agotamiento por lo tanto, pueden lograr velocidades ms altas. Cuando la polarizacin inversa es lo suficientemente fuerte, tpicamente mayor que 6EG / q e incluso puede llegar hasta 1000 V, la intensidad de campo elctrico puede ser tan grande que un agujero o un electrn puede ganar energa cintica suficiente para impactar en un Lattice Semiconductor tomo y ioniza, o incluso romper un enlace qumico. Este fenmeno se llama ionizacin por impacto. Puede parecer conceptualmente difcil prever un agujero impactando en la red cristalina, pero esto puede ser entendido mejor cuando nos damos cuenta de que cuando un agujero se mueve en una direccin, que, de hecho, se corresponde con el movimiento de un electrn en la direccin opuesta con la misma velocidad. Una partcula acelerada tpicamente debe adquirir energa por lo menos igual a la energa de banda prohibida Por ejemplo con el fin de romper un producto qumico, porque esto corresponde a la energa requerida para excitar un electrn de la banda de valencia a la de conduccin. Por lo tanto, parauna ms amplia banda prohibida semiconductores, una mayor intensidad de campo elctrico es necesaria para asegurar un impacto de ionizacin. Como resultado de la ionizacin por impacto, se crea un par electrn-agujero (EHP) dentro de la zona de carga espacial, adems de la partcula impactante. El electrn y el agujero de la pareja sern luego separados espacialmente por el campo elctrico presente en ese lugar: el electrn hacia el de tipo n lado y el agujero hacia el lado de tipo p, como se ilustra en la figura. 9.20. Los electrones y los huecos generados de esta manera pueden ser ellos mismos ms acelerados por el campo elctrico. Si llegan a una alta energa cintica suficiente dentro de la zona de carga espacial, que a su vez puede contribuir a crear EHPS adicionales a travs de colisiones ionizantes. Esto resulta en una cascada o efecto avalancha. Un portador de carga inicial por lo tanto tiene el potencial para crear muchos portadores adicionales y un aumento dramtico en la corriente se consigue como el que se muestra en la figura. 9.19. Es posible caracterizar la ruptura por avalancha cuantitativamente por la introduccin de un factor de multiplicacin M tal que la corriente inversa cerca Se detallan a por MI dondeI es la corriente
0 0

de saturacin. Este factor significa en realidad que un incidencia de electrones en un total de M

lectrn-hueco pares. Este factor es empricamente dada por: Donde Vr es la polarizacin inversa, Vbr es la tensin de ruptura, y n es un exponente en el rango de 3 ~ 6. A partir de esta expresin, vemos claramente que la corriente inversa, MI0, aumenta bruscamente cuando Vr se acerca Vbr como se muestra en la figura 9.19.

Figura 9.20. Proceso de ionizacin de impacto: bajo una fuerte polarizacin inversa, los electrones y los huecos son inyectado en la regin de agotamiento, cuando ganan suficiente energa cintica que repercuten en la estructura del Semiconductor para crear pares electrn-hueco. Estas compaas de nueva creacin pueden entonces conducir al mismo proceso de ionizacin por impacto si se puede obtener suficiente energa cintica en la zona de carga espacial. El proceso de avalancha es ms probable que ocurra cuando una la suficientemente amplia regin de carga espacial para que pueda ser sostenida y asegurar la aceleracin suficiente. Esto puede lograrse ms fcilmente mediante el uso de uniones p-n ligeramente dopado, porque, si se utilizan uniones fuertemente dopadas, otro fenmeno puede ocurrir ms fcilmente: tneles de portadores de carga desde un lado de la unin a la otra.

Ejemplo Q. Un diodo estabilizador de voltaje (tambin llamado diodo avalancha) se aprovecha de la fuerte pendiente en el rgimen de avera (zona de ruptura) para mantener la tensin. Para un tipo de diodo con Vbr = -14 V, estimar cuntas veces aumentar la corriente cuando la polarizacin inversa va desde -13,990 a -13,995 V. Asumir n = 6. A. Si el factor de multiplicacin est dado por:

Para los dos lados de ida mencionadas, se obtiene la proporcin del factor de multiplicacin: ( ( ( ( ) ) ) )

As, la corriente se incrementar en un factor de 2 cuando el voltaje se reduce en 0,005 V. Zener de ruptura En virtud de una polarizacin inversa ms moderada, tpicamente inferior a 6E, la parte superior de la banda de valencia en el lado de tipo-p, EVP, es ya superior a la parte inferior de la banda de conduccin en el lado de tipo n, EVc . Esta situacin se ilustra en la figura 9.21. Esto significa que los electrones en la parte superior de la banda de valencia en el lado de tipo-p tiene igual o mayor energa que los estados vacos disponibles en la parte inferior de la banda de conduccin en el lado de tipo-n. Este escalonamiento de las bandas de energa, tambin resulta en una separacin espacial entre la reducida banda de conduccin y de valencia, como se muestra por d en la figura 9.21. Adems, en uniones p-n dopadas fuertemente, la zona de carga espacial es ya estrecha (con una anchura W) y no se expande tanto en virtud de una polarizacin inversa moderada. La alineacin alternada de las bandas de energa y su proximidad espacial favorecer la tunelizacin de los electrones desde la banda de valencia en el lado de tipo-p hacia la banda de conduccin en el lado de tipo-n, como se muestra en la figura 9.21. Esto conduce a una corriente negativa. Este proceso se conoce como el efecto Zener. Como hay muchos electrones en la banda de valencia y

muchos estados vacos disponibles en la banda de conduccin, la corriente tnel puede ser sustancial. El probabilidad tunelizacin ZenerTz es fuertemente dependiente del campo V aplicado y de la banda prohibida Eg. Esto puede ser escrito como:

Mecanismo de ruptura Zener que afecta la tunelizacin de electrones desde la banda de valencia del lado de tipo-p hacia la banda de conduccin del lado de tipo-n.

Uniones Metal-Semiconductor Como ya hemos mencionado en la subseccin 9.2.6 y tal como se ilustra en el caso de una unin pn, dos materiales diferentes en contacto uno con el otro y en condiciones de equilibrio trmico debe tener el mismo valor de energa de Fermi. Cuando un metal se pone en contacto con un semiconductor, una banda de flexin se produce para compensar la diferencia entre las energas de Fermi del metal y la del semiconductor. De hecho, esta diferencia en la energa de Fermi significa que los electrones en un material tienen una energa mayor que en el otro. Estos por lo tanto tendern a fluir desde el material con mayor energa hacia el de menor energa. Existe pues, una transferencia de electrones a travs de la unin metal-semiconductor de una manera similar como la transferencia de carga en el caso de una unin p-n. Tal unin es tambin llamada una unin metalrgica o un contacto de metal ya que los metales se utilizan comnmente en la industria de semiconductores para conectar o hacer "contacto" entre un material semiconductor y un circuito elctrico externo.

La transferencia de carga se puede lograr fcilmente, ya que, como hemos visto en la fig. 4,11 en subseccin 4.2.7, la energa de Fermi en un metal se encuentra dentro de una banda de energa, lo que hace que sea fcil para que los electrones sean emitidos o para recibir electrones de un metal. Esta redistribucin de la carga da lugar a un campo elctrico local que compensa esta redistribucin. Cuando la fuerza de campo elctrico que se estableci alrededor de la unin metalrgica, es lo suficientemente grande, la redistribucin se detiene. Dado que la neutralidad de la carga total se debe mantener, las cargas elctricas en exceso dentro del semiconductor y en el interior del metal deben ser de una cantidad igual pero con signos opuestos. Sin embargo, debido a que un metal tiene una densidad de carga mucho mayor que un semiconductor, la anchura sobre la cual estas cargas por exceso deben propagarse dentro del metal es muy delgada en comparacin con la anchura interior del semiconductor. Esto es algo similar al caso de una unin p-n con un lado fuertemente dopado. Como resultado, el campo elctrico incorporado y la banda de flexin estn presentes principalmente en el interior del semiconductor. La siguiente seccin tiene como objetivo ofrecer una descripcin cuantitativa de las propiedades fsicas de una unin de metal-semiconductor. Formalismo Los parmetros fsicos que deben tenerse en cuenta en esta descripcin se muestran en la figura 9,22. Para el metal, se incluyen su energa de Fermi y la funcin de trabajo . Como se vio al examinar el efecto fotoelctrico en el Captulo 3, la funcin de trabajo de un metal es la energa requerida para extraer un electrn de la superficie del metal y tire de ella hacia el vaco. De una manera ms cuantitativa, la funcin de trabajo es la diferencia de energa entre la energa de Fermi y el nivel de vaco como se muestra en la figura. 9,22. Para el semiconductor, los parmetros de inters, como la energa de Fermi EFs, su funcin trabajo s> 0, y tambin su afinidad electrnica > 0. Esta ltima es la energa requerida para extraer un electrn de la banda de conduccin del semiconductor al nivel vaco, y est dada por la diferencia de energa entre la parte inferior de la banda de conduccin y el nivel vaco. Algunos valores de la afinidad electrnica de los elementos en la tabla peridica se dan en la figura. A.12 del Apndice A.3.

Figura. 9,22. Energas de Fermi, funciones trabajo en un metal y un semiconductor, cuando se consideran aislados unos de otros. El nivel vaco es el mismo para ambos materiales, pero las energas de Fermi son generalmente diferentes.

La cantidad de banda de flexin y de la direccin de la transferencia de electrones depende de la diferencia entre las funciones trabajo del metal y el semiconductor. Cuando estos materiales se aslan, sus niveles vacos son el mismo, como se ilustra en la figura. 9,22. Pero, cuando estos materiales estn en contacto, la energa de Fermi debe ser igual en ambos lados de la unin. El nivel vaco est a una energa m por encima de la parte superior de la energa de Fermi del metal, mientras que s por encima de la energa de Fermi del semiconductor. Esto significa que las bandas de energa en el semiconductor deben desplazarse hacia arriba por una cantidad igual a m - s con el fin de alinear la energa de Fermi en ambos lados de la unin. Por un lado, si m > s, las bandas de energa del semiconductor en realidad se desplaza hacia abajo con respecto a las del metal y los electrones se transfieren desde el semiconductor al metal, como se muestra en la figura. 9.23. Los signos de los portadores de carga que aparecen en cada lado de la unin y la direccin del campo elctrico incorporado, tambin se muestra en la figura. 9,23, determinados a partir del anlisis llevado a cabo para una unin p-n. Por otro lado, si m < s, las bandas de energa del semiconductor se desplazan hacia arriba con respecto a las del metal y los electrones se transfieren desde el metal al semiconductor.

Figura. 9.23. Niveles de energa, portadores de carga acumulados y campo elctrico introducido en la unin metal- semiconductor. Cuando el metal y el semiconductor se ponen en contacto, en equilibrio, el perfil de la banda de energa del semiconductor cerca de la unin se modifica de modo que las energas de Fermi se hacen iguales en ambos materiales.

9.5.2. Contacto Schottky y contacto hmico

Las propiedades elctricas de una unin metal-semiconductor dependern de si una regin de deflexin se crea como resultado de la redistribucin de la carga. Este fenmeno a su vez depende de la diferencia en funcin de trabajo m - s, y del tipo de semiconductor (tipo n o tipo p). En efecto, se sabe que cuando m > s, los electrones son extrados del semiconductor al metal. Si el semiconductor es tipo n, entonces este proceso agota el semiconductor de sus electrones o portadores mayoritarios de carga. Aparece as una regin de agotamiento cerca de la unin y se obtiene un comportamiento de diodo similar a una unin p-n cuando una polarizacin externa se aplica. Esto se muestra en la figura. 9,24 (a). Esta situacin a menudo se llama un contacto de rectificacin o contacto Schottky. Sin embargo, si el semiconductor es tipo p, los electrones que son extrados de los semiconductores se han tomado de los dopantes de tipo p que entonces se ionizan. Este proceso crea as ms agujeros o portadores mayoritarios de carga. En este caso, no hay ninguna regin de agotamiento, sino ms bien portadores mayoritarios que se acumulan cerca de la zona de unin y no se observa un comportamiento similar al diodo. Los portadores mayoritarios pueden fluir libremente en cualquier direccin bajo la influencia de una polarizacin externa. Esto se muestra en la figura. 9,25 (a). Esta situacin es a menudo llamada contacto hmico y las caractersticas de corriente-tensin son lineales. Si consideramos ahora m < s, los electrones son extrados del metal hacia el semiconductor. El anlisis anterior tiene que ser revertido. En otras palabras, para un semiconductor de tipo n la unin ser un contacto hmico, mientras que para un semiconductor de tipo p la unin ser un contacto Schottky. Estas cuatro

configuraciones se muestran en la figura. 9,24 y la fig. 9,25, y se resumen en la Tabla 9.1.

Figura. 9.24. Estos dos de los cuatro posibles configuraciones de la unin metal-semiconductor conducen a un contacto Schottky: (a) m > s y tipo n, (b) m < s y tipo p. Un contacto Schottky se obtiene en cada caso debido a que los portadores mayoritarios en el semiconductor experimentan una barrera de potencial que impide su movimiento libre a travs de la unin metalsemiconductor y por lo tanto, como se muestra en la parte inferior de la figura, la curva caracterstica I-V muestra el comportamiento rectificador.

Fig.. 9.25. Estas dos de las cuatro posibles configuraciones de unin metal-semiconductor conducir a un contacto hmico: (a) > y de tipo p, (b) < y tipo n. A diferencia de las configuraciones mostradas en la figura. 9,24, los perfiles de la banda de energa aqu son tales que los portadores mayoritarios en el semiconductor puede moverse a travs de la unin metalsemiconductor sin experimentar una barrera de potencial y por lo tanto, como se muestra en la parte inferior de la figura, la caracterstica IV muestra un comportamiento hmico. Semiconductor > Tipo n Tipo p > Tipo p Tipo n Union Schottky schottky hmico hmico

Tabla 9.1. Cuatro posibles configuraciones metal-semiconductor de unin y los tipos de contacto resultantes.

En el caso de un contacto Schottky, la existencia de la regin de agotamiento significa que hay una barrera de potencial a travs de la unin que se puede desplazar por una cantidad igual a-QV cuando un voltaje externo V se aplica entre el metal y el semiconductor. Esto a su vez influye en el flujo de corriente en una manera similar que para una unin pn. Esto se muestra en la figura. 9,26 para el caso de un semiconductor de tipo n. Sin embargo, es importante comprender que la mayora de los portadores son responsables para el transporte de corriente en una unin metal semiconductor, mientras que en una unin pn que se debe a los portadores minoritarios.

Fig.. 9,26. Alineacin de la banda de metal en una Schottky-(tipo n) semiconductor contacto bajo (a) de polarizacin directa que se reduce la barrera de potencial, y en (b) la polarizacin inversa en donde la barrera de potencial se incrementa, lo que reduce el efecto tnel de portadores. El convenio de signos para una unin metal-semiconductor es el mismo que para una unin pn, considerando el tipo de semiconductor. Aunque el mecanismo de transporte de corriente en un contacto de Schottky es algo diferente de la de una unin pn, la relacin corriente-tensin de un ideal de contactos Schottky tiene una expresin similar a la de un ideal unin pn: Eq. ( 9.67 ) * +

Donde es la corriente de saturacin inversa y es exponencialmente proporcional a la diferencia entre el metal de funcin de trabajo y el semiconductor afinidad electrnica :

Eq. ( 9.68 )

es la constante efectiva Richardson, y para la mayora del metal semiconductor

Schottky lo uniones vara de 10 a 100 K-2cm-2 La cantidad ( ) se denota a menudo , donde se denomina potencial altura de la barrera de Schottky. Para un verdadero contacto Schottky, hay que tener en cuenta la emisin termoinica (Apndice A.9), as como estados de impureza y de interfaz. En este caso, la relacin corriente-tensin viene dada por: Eq. ( 9.69 ) * +

Donde n es el factor de idealidad como se ha mencionado antes y es tpicamente entre 1 y 2.

9,6. Resumen En este captulo, hemos presentado un modelo matemtico completo para uniones ideales pn, basado en un modelo de unin abrupto y la aproximacin agotamiento. Hemos introducido los conceptos de una regin de carga espacial, una funcin de campo elctrico, una funcin de potencial, y el ancho de agotamiento en el equilibrio. Hemos discutido el equilibrio de cargas elctricas, as como la de las corrientes de difusin y la deriva dentro de la zona de carga espacial. Las propiedades de equilibrio no de uniones pn tambin han sido discutidas. La polarizacin directa y las condiciones de polarizacin inversa se examinaron. Hemos hecho hincapi en la importancia de la inyeccin de portadores minoritarios y extraccin. Derivamos la ecuacin del diodo y entendido la naturaleza de las corrientes fuera de la zona de carga espacial. Hemos hablado de la avalancha y los mecanismos de ruptura Zener como desviaciones del comportamiento ideal de diodo de unin pn bajo fuertes condiciones de polarizacin inversa. Finalmente, se presentan las propiedades elctricas de uniones metal-semiconductor y present los conceptos de Schottky y los contactos hmicos.