Transistor JFET

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Encapsulado de un JFET de baja potencia, similar a un BJT El transistor JFET (Junction Field Efect Transistor, que se traduce como transistor de efecto de campo) es un dispositivo electrnico activo unipolar.

Contenido

1 Introduccin o 1.1 Historia o 1.2 Funcionamiento bsico o 1.3 Polarizacin y curvas caractersticas 2 Notacin 3 Ecuaciones y modelos fundamentales o 3.1 Transistor Canal N o 3.2 Transistor Canal P o 3.3 Modelo del transistor JFET a pequea seal o 3.4 Modelo en SPICE 4 Aplicaciones o 4.1 Osciladores o 4.2 Amplificadores

5 Referencias y enlaces

Introduccin
Historia
Desde 1953 se propuso su fabricacin por Van Nostrand (5 aos despus de los BJT). Aunque su fabricacin no fue posible hasta mediados de los aos 80's.

Funcionamiento bsico

Esquema interno del JFET El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en ingls) es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo elctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial. Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La puerta es la terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensin, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente. As como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o FET son tambin de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicacin de una tensin positiva en la puerta pone al transistor en estado de conduccin o no conduccin, respectivamente. El JFET es un transistor de efecto de campo, es decir, su funcionamiento se basa en las zonas de deplexin que rodean a cada zona P al ser polarizadas inversamente. Cuando aumentamos la tensin en el diodo compuerta-fuente, las zonas de deplexin se hacen ms grandes, lo cual hace que la corriente que va de fuente a drenaje tenga ms difucultades para atravesar el canal que se crea entre las zonas de deplexin, cuanto mayor

es la tension inversa en el diodo compuerta-fuente, menor es la corriente entre fuente y drenaje. Por esto, el JFET es un dispositivo controlado por tensin y no por corriente. Casi todos los electrones que pasan a travs del canal creado entre las zonas de deplexin van al drenaje, por lo que la corriente de drenaje es igual a la corriente de fuente .

Polarizacin y curvas caractersticas

Polarizacin de un transistor JFET

Curvas caractersticas de un JFET canal n Este tipo de transistor se polariza de manera diferente al transistor bipolar. La terminal de drenaje se polariza positivamente con respecto al terminal de fuente (Vdd) y la compuerta se polariza negativamente con respecto a la fuente (-Vgg). A mayor voltaje -Vgg, ms angosto es el canal y ms difcil para la corriente pasar del terminal drenador (drain) al terminal fuente o source. La tensin -Vgg para la que el canal queda cerrado se llama punch-off y es diferente para cada JFET. El transistor de juntura bipolar es un dispositivo operado por corriente y requieren que halla cambios en la corriente de base para producir cambios en la corriente de colector. El JFET es controlado por tensin y los cambios en tensin de la compuerta a fuente modifican la regin de rarefaccin (deplexin) y causan que vare el ancho del canal. Al hacer un barrido en corriente directa, se obtienen las curvas caractersticas del transistor JFET. Las curvas caractersticas tpicas para estos transistores se encuentran en la imagen, ntese que se distinguen tres zonas importantes: la zona hmica, la zona de corte y la zona de saturacin. Existen otros tipos de curvas, como las de temperatura, capacitancia, etc. Todas ellas normalmente las especifica el fabricante de cada transistor. Algunos programas de

simulacin (como SPICE) permiten hacen barridos de CD bsicos para obtener las curvas, en base a los modelos contenidos en sus bibliotecas de componentes. El transistor JFET, al igual que los BJT, se pueden polarizar de diversas maneras (ms adelante se ver) para dar lugar a configuraciones de amplificadores de seal, sin embargo no son las nicas aplicaciones, por ejemplificar algunas otras se tienen la configuracin para formar osciladores, interruptores controlados, resistores controlados, etc.

Notacin
Smbolo Unidades Descripcin A Corriente de compuerta A Corriente de fuente A Corriente de drenaje A Corriente de drenaje en saturacin V Voltaje drenaje-fuente en CD V Voltaje compuerta-fuente en CD V Voltaje drenaje-fuente en el punto de operacin en CD V Voltaje compuerta-fuente en el punto de operacin en CD V Voltaje compuerta-fuente en CA V Voltaje de ruptura (Pinch voltage) V Voltaje de Early A/V Transconductancia para el modelo de pequea seal Resistencia de salida para el modelo de pequea seal Modulacin de la longitud del canal Como notacin estndar, las variables que se escriben en maysculas y con subndices en maysculas hacen referencia a valores determinados (o analizados) en corriente directa, aquellas se escriben en minsculas e igualmente sus subndices son valores determinados en corriente alterna; finalmente aquellas que se escriben en minsculas con subndices en maysculas es la suma de la variable en corriente directa ms la variable en corriente alterna. De manera general en todo circuito con comportamiento lineal es posible aplicar el principio de superposicin, en el caso de amplificadores a transistores, se hace uso frecuentemente de este principio, analizando primeramente en corriente directa (polarizacin del transistor) y posteriormente el anlisis en corriente alterna.

Ecuaciones y modelos fundamentales

Estos transistores poseen dos regiones de polarizacin fundamentales: la regin lineal (o de triodo) y la regin de saturacin (o de estrangulamiento).

Transistor Canal N

Todas las regiones

Adems se cumple: Regin de corte

Regin de triodo

Entonces se puede despreciar dicho trmino en la ecuacin quedando:

Regin de estrangulamiento

Generalmente el valor de se puede despreciar, quedando as la ecuacin:

Transistor Canal P

Todas las regiones

Adems se cumple: Regin de corte

Regin de triodo

Entonces se puede despreciar dicho trmino en la ecuacin quedando:

Regin de estrangulamiento

Generalmente el valor de se puede despreciar, quedando as la ecuacin:

Modelo del transistor JFET a pequea seal

En la imagen se muestra el modelo del transistor JFET trabajando a pequea seal con corriente alterna.

Se observa que ste funciona como una fuente dependiente de corriente controlada por el voltaje compuerta-fuente. La impedancia de entrada de este dispositivo es lo

suficientemente alta como para no incluirla en el modelo, a diferencia de lo que ocurre con el transistor BJT. Para que el modelo de pequea seal tenga validez, debe cumplirse la siguiente condicin:

Esta condicin, en general es utilizada para el diseo y anlisis de amplificadores, sobre todo para conocer el rango de valores en amplitud que puede soportar el amplificador en la entrada sin que haya distorsin en la seal de salida.

Modelo en SPICE
Archivo:JFET modelo spice.GIF Modelo manejado por el programa SPICE En la imagen se observa el modelo que maneja el programa SPICE al momento de realizar simulaciones. Ntese que, a diferencia del modelo de pequea seal, aqu se incluyen otros componentes que permiten determinar el comportamiento del JFET en un rango de frecuencias ms amplio, as como amplitudes de seal no necesariamente pequeas. Es de notarse que se agregan diodos al modelo. En el presente artculo no se pretende hacer un anlisis profundo sobre dicho modelo, simplemente se menciona como referencia para estudios posteriores por parte del interesado. Para una mejor comprensin de los parmetros que se utilizan vase Modelo del JFET en SPICE. Es importante recordar que los modelos slo simplifican el anlisis realizado por el programa correspondiente durante la simulacin de un circuito. Para el caso de los transistores JFET los modelos usados dan excelentes resultados, sin embargo existen otros dispositivos en los que no es posible obtener simulaciones precisas, principalmente por el tipo de curvas caractersticas que stos exhiben (si sus curvas presentan discontinuidades pronunciadas, sensibilidad al ruido, sensibilidad a los cambios de temperatura, etc.). Se considera trascendente indicar que, segn el fabricante del software a utilizar para la simulacin, est el modelo de los diversos dispositivos, particularmente del transistor JFET. Si se requiere de un anlisis ms minucioso es recomendable consultar el modelo previo a la simulacin.

Aplicaciones
Como se mencion con anterioridad, las aplicaciones con este tipo de transistores es muy variada, aqu se mostrarn slo dos aplicaciones bsicas, a saber, la construccin de osciladores para generacin de formas de onda cuadradas a determinadas frecuencias, y el anlisis y diseo de las configuraciones fundamentales de amplificadores con JFET's.