Laboratorio N 1 Caractersticas de Conmutacin: Diodos y Rectificacin carga R

(14 de Junio 2013)

Edwin. O. Osorio, Estudiante ECI Julio Garavito , Jhonattan. A. Rodrguez, Estudiante ECI Julio Garavito, David. R. Espinosa, Estudiante ECI Julio Garavito
Resumen Para la prctica de laboratorio nmero 1, caractersticas de conmutacin de diodos y rectificaron de carga R, se realizaron diferentes montajes propuestos por el profesor. De dichos montajes, expuestos a lo largo del documento, se obtuvieron datos que permitieron anlisis, comparacin, obtencin de resultados y conclusiones. Los montajes realizados reconfirmaron diferentes aspectos elctricos de los diodos de propsito general y diodos Fast Recovey como Irr (corriente de recuperacion inversa) , trr (tiempo de recuperacin inverso) entre otros, con el nico Finn de comparar las bondades de los mismos. Palabras clave Diodo de Propsito General, Diodo recuperacin Rpida (Fast RecoveryDiode), Corriente de recuperacin Inversa, tiempo de recuperacin inverso, capacitancia parasita, tcnicas de rectificacin con diodos.

conduccin. El nico procedimiento de control es invertir el voltaje entre nodo y ctodo. Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conduccin, deben soportar una alta circulacin de corriente con una pequea cada de tensin. En sentido inverso, deben ser capaces de soportar una fuerte tensin negativa de nodo con una pequea intensidad de corrientes de fuga. Esto se ve reflejado en la curva caracterstica del diodo Fig. 1.

I. INTRODUCCIN

OS diodos sin lugar a duda han sido esenciales en el desarrollo de la electrnica como la conocemos hoy. Con estos se han generado un sin fin de topologas bases en diversas aplicaciones en el mbito de electrnica de baja, media y alta potencia. Ahora bien, en la prctica de laboratorio 1, caractersticas de conmutacin de diodos y rectificacin de carga R, se desarrollaron 5 topologas elctricas con los diodos conocidos como rectificadores. Para cada topologa propuesta se consignaron en la bitcora del laboratorio datos que permitieran posterior anlisis con fines de encontrar caractersticas elctricas que permitieran la comparacin tanto de los diferentes diodos como de las topologas de rectificacin. A final del informe se detallan los respectivos anlisis acompaados de los argumentos que consideramos consistes pues sustentan nuestras conclusiones.

Fig. 1. Curva caracterstica del diodo

En la zona donde se unen la zona P (nodo) y la zona N (ctodo) del diodo se crea una barrera de potencial, ya que en esta zona se crean iones positivos e iones negativos a cada uno de los lados y para que un electrn salte de una zona a otra de la unin, tienen que sobrepasar la barrera de potencial que estos iones han creado en ese lugar. La barrera de potencial es aproximadamente de 0.5 a 1.3 voltios para el silicio, tambin depender del dopado. Cuando un diodo se le aplica una diferencia de potencial, si el polo negativo de la fuente de alimentacin est conectado al lado N (ctodo) del diodo y el positivo al extremo P (nodo), se llama polarizacin directa. En polarizacin directa el diodo se comporta como un interruptor cerrado, ya que los electrones que provienen del extremo negativo de la fuente entran en el extremo N del diodo y cuando la diferencia de potencial de la fuente sea mayor a la tensin de codo (VD), podrn atravesar esta barrera, llenando los huecos que hay en el extremo P del diodo y comportndose como un electrn de valencia, saliendo por el extremo P del diodo y llegando al extremo P

II. MARCO TERICO A. Tipos de diodos y recuperacin inversa del diodo(Trr,Irr) Uno de los dispositivos ms importantes de los circuitos de potencia son los diodos. El diodo est compuesto por un cristal de silicio o de germanio dopado, es decir, al que se le han incluido impurezas. El dopado del silicio se realiza para variar sus propiedades de semiconductor. Estos poseen ciertas limitaciones: son dispositivos unidireccionales, no pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de

de la batera o fuente alimentadora. En directo hay dos caractersticas importantes: 1) Hay que vencer la barrera de potencial (superar la tensin umbral VD) para que conduzca bien en polarizacin directa (zona directa). 2) Aparece una resistencia interna (el diodo se comporta aproximadamente como una resistencia).

el diodo cuando se encuentra en el estado de conduccin. Los distintos modelos del diodo en su regin directa (modelos estticos) se representan en la figura superior. Estos modelos facilitan los clculos a realizar, para lo cual debemos escoger el modelo adecuado segn el nivel de precisin que necesitemos.

Fig. 3. Modelos de los diodos

Fig. 2. Comportamiento del diodo

B. Parmetros en bloqueo 1) Tensin inversa de pico de trabajo (VRWM): es la que puede ser soportada por el dispositivo de forma continua, sin peligro de entrar en ruptura por avalancha. 2) Tensin inversa de pico repetitivo (VRRM): es la que puede ser soportada en picos de 1 ms, repetidos cada 10 ms de forma continuada. 3) Tensin inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella que puede ser soportada una sola vez durante 10ms cada 10 minutos o ms. 4) Tensin de ruptura (VBR): si se alcanza, aunque sea una sola vez, durante 10 ms el diodo puede destruirse o degradar las caractersticas del mismo. 5) Tensin inversa contina (VR): es la tensin continua que soporta el diodo en estado de bloqueo. C. Parmetros en conduccin 1) Intensidad media nominal (IF(AV)): es el valor medio de la mxima intensidad de impulsos sinusoidales de 180 que el diodo puede soportar. 2) Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aquella que puede ser soportada cada 20 ms, con una duracin de pico a 1 ms, a una determinada temperatura de la cpsula (normalmente 25). 3) Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM): es el mximo pico de intensidad aplicable, una vez cada 10 minutos, con una duracin de 10 ms. 4) Intensidad directa (IF): es la corriente que circula por

El paso del estado de conduccin al de bloqueo en el diodo no se efecta instantneamente. Si un diodo se encuentra conduciendo una intensidad IF, la zona central de la unin P-N est saturada de portadores mayoritarios con tanta mayor densidad de stos cuanto mayor sea IF. Si mediante la aplicacin de una tensin inversa forzamos la anulacin de la corriente con cierta velocidad di/dt, resultar que despus del paso por cero de la corriente existe cierta cantidad de portadores que cambian su sentido de movimiento y permiten que el diodo conduzca en sentido contrario durante un instante. La tensin inversa entre nodo y ctodo no se establece hasta despus del tiempo ta llamado tiempo de almacenamiento, en el que los portadores empiezan a escasear y aparece en la unin la zona de carga espacial. La intensidad todava tarda un tiempo tb (llamado tiempo de cada) en pasar de un valor de pico negativo (IRRM) a un valor despreciable mientras van desapareciendo el exceso de portadores.

Fig. 4. Recuperacin Inversa del diodo

De la Fig.4 :

Factores de los que depende trr :

5) ta: (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el paso por cero de la intensidad hasta llegar al pico negativo. 6) tb: (tiempo de cada): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de intensidad hasta que sta se anula, y es debido a la descarga de la capacidad de la unin polarizada en inverso. En la prctica se suele medir desde el valor de pico negativo de la intensidad hasta el 10 % de ste. 7) trr: (tiempo de recuperacin inversa): es la suma de ta y tb. (1) 8) Qrr: se define como la carga elctrica desplazada, y representa el rea negativa de la caracterstica de recuperacin inversa del diodo. 9) di/dt: es el pico negativo de la intensidad. 10)Irr: es el pico negativo de la intensidad. La relacin entre tb/ta es conocida como factor de suavizado "SF". Si se observa la grfica se puede considerar Qrr como el rea de un tringulo: (2) donde :

A mayor IRRM menor trr. Cuanta mayor sea la intensidad principal que atraviesa el
diodo mayor ser la capacidad almacenada, y por tanto mayor ser trr.

D. Caractersticas y Funcionamiento de los multmetro,sondas atenuadas y osciloscopios. 1) Multmetros El multmetro es un instrumento muy verstil que sirve para medir corriente dc o ac, voltaje, corriente, resistencia, entre otras variables. Un multmetro electrnico posee las siguientes caractersticas: a) Amplificador de CD de puente-equilibrado y medidor indicado. b) Atenuador de entrada, para limitar los valores de voltaje de entrada al rango deseado. c) Seccin de rectificacin para convertir el voltaje AC de entrada en voltaje DC proporcional. d) Batera interna para proporcionar la capacidad de medir resistencias. e) Interruptor de funcin, para seleccionar las distintas funciones de medicin del sistema. Hay 2 tipos principales de multmetros electrnicos.

(3) Para el clculo de los parmetros IRRM y Qrr podemos suponer uno de los dos siguientes casos: Para ta = tbtrr = 2ta (4) Para ta = trrtb = 0 (5) En el primer caso se obtiene:

Los multmetros analgicos se han mejorado mediante el empleo de amplificadores de entrada con transistores de efecto de campo (FET) para mediciones de voltaje DC, sus impedancias rebasan con frecuencia a los 100 M. Las mediciones de voltaje se pueden efectuar sobre el rango de 0.4 mV hasta 1000 V con exactitudes de 0.1 por ciento. Las mediciones de corriente se pueden llevar a cabo desde 0.1 A hasta 10 A con exactitudes de 0.2 por ciento. Los multmetros digitales han tomado el lugar de los multmetros con movimientos de D'Arsonval por dos razones principales: mejor exactitud y eliminacin de errores de lectura. Sin embargo con frecuencia se agrega una escala analgica en la escala digital para dar una indicacin visual de entradas que varan con el tiempo. La posibilidad de observar la indicacin del medidor en forma analgica es muy importante cuando se estn localizando fallas en sistemas de instrumentacin, por ejemplo, la rapidez con que cambia una variable, al igual que su magnitud, pueden dar indicaciones valiosas en muchas situaciones de localizacin de problemas. La mayora de los multmetros digitales se fabrican tomando como base ya sea un convertidor A/D de doble rampa o de voltaje a frecuencia, con ajuste de rango. Para dar flexibilidad para medir voltajes en rangos dinmicos

(6) Y en el segundo caso:

(7) Si el tiempo que tarda el diodo en conmutar no es despreciable: Se limita la frecuencia de funcionamiento. Existe una disipacin de potencia durante el tiempo de recuperacin inversa. Para altas frecuencias, por tanto, debemos usar diodos de recuperacin rpida.

ms amplios con la suficiente resolucin se emplea un divisor de voltaje para escalar el voltaje de entrada. Para lograr la medicin de voltajes de AC se incluye un rectificador en el diseo del medidor. Como las exactitudes de los rectificadores no son tan altas como las de los circuitos de medicin de voltaje de DC, las exactitudes general de los instrumentos de medicin de AC es menor que cuando se miden voltajes de DC (las exactitudes para voltajes de AC van desde + 1.012 hasta + 1 por ciento + 1 digito). Las corrientes se miden haciendo que el voltmetro digital determine la cada de voltaje a travs de una resistencia de valor conocido y exacto. Hay que tener cuidado al emplear la funcin de medicin de corriente. No se debe permitir que pase demasiada corriente a travs de la resistencia. Las exactitudes tpicas de las mediciones de corriente de DC van desde + 0.03 hasta + 2 por ciento de la lectura + 1 dgito, mientras que para corriente alterna son de + 0.05 a + 2 por ciento + 1 dgito. La Fig.5 muestra un multmetro digital, el aspecto fsico y caractersticas de funcionamiento.

Fig. 5. Aspecto Fsico, Caractersticas de Funcionamiento.

2) Sondas Atenuadas Transmiten la seal desde el circuito al osciloscopio hechas de cable coaxial, el cual posee una capacitancia, as que dicha capacitancia es colocada a travs de cualquier seal y provoca efectos sobre la seal mostrada. El diseo inserta una resistencia de 9M en serie con extremo de la punta, la resistencia es usada para reducir la carga que la capacitancia del cable posee, que en serie con la impedancia de entrada del osciloscopio aproximadamente 1M, se crea un divisor de tensin, por lo que a estas puntas se les conoce como de baja capacitancia. El osciloscopio presenta capacitancias parsitas por lo que en paralelo con 1M, la resistencia de 9M debe tambin encontrarse en paralelo con un capacitar para formar un filtro pasa bajas con la capacitancia parsita del osciloscopio. Las puntas de prueba se conectan al osciloscopio con un conector BNC, la mayora de las puntas atenuadores x 10 presentan una carga alrededor de 10-15 P.D. y 10M al punto de prueba, mientras que puntas atenuadores presentan menor carga.

o o o o

Capac dad de intraday: 15pF Tensin de operacin: 600Vdc pico AC Rango de compensacin: de 10 a 50pF Longitude del cable: 1.2m

3) Oscilloscopic El osciloscopio es bsicamente un dispositivo de visualizacin grfica que muestra seales elctricas variables en el tiempo. Se pured realize lass siguientes tareas con un osciloscopio: Determinar directamente el periodo y el voltaje de una seal. Determinar indirectamente la frecuencia de una seal. Determinar que parte de la seal es DC y cual AC. Localizar averas en un circuito. Medir la fase entre dos seales. Determinar que parte de la seal es ruido y como varia este en el tiempo. Los osciloscopios pueden ser analgicos digitales. Los analgicos trabajan directamente con la seal aplicada, est una vez amplificada desva un haz de electrones en sentido vertical proporcionalmente a su valor. En contraste los osciloscopios digitales utilizan previamente un conversor analgico-digital (A/D) para almacenar digitalmente la seal de entrada, reconstruyendo posteriormente esta informacin en la pantalla. Los osciloscopios analgicos son preferibles cuando es preferible visualizar variaciones rpidas de la seal de entrada en tiempo real, mientras que los osciloscopios digitales se utilizan cuando se desea visualizar y estudiar eventos no repetitivos. Funcionamiento:

Fig. 6. Sondas de Osciloscopio

Specifications Position x1: o Attenuator: 1:1 o Ancho de banda: DC a 15MHz o Tiempo de subida: 23.3ns o Resistencia de entrada: 1Mohm (resistencia de entrada del osciloscopio) o Capacidad de entrada: 46pF + capacidad del osciloscopio o Tensin de operacin: 600Vdc pico AC o Position REF: Position x10: o Attenuator: 1:10 o Ancho de banda: DC a 60MHz o Tempo de subside: 5.8ns o Resistencia de entrada: 10Mohm (si entrada del osciloscopio = 1Mohm)

Fig. 7. Esquemtico del Osciloscopio

Cuando se conecta la sonda a un circuito, la seal atraviesa esta ltima y se dirige a la seccin vertical. Dependiendo de donde situemos el mando del amplificador vertical atenuaremos la seal la amplificaremos. En la salida de este bloque ya se dispone de la suficiente seal para atacar las placas de deflexin verticales (que naturalmente estn en posicin horizontal) y que son las encargadas de desviar el haz de electrones, que surge del ctodo e impacta en la capa fluorescente del interior de la pantalla, en sentido vertical. Hacia arriba si la tensin es positiva con respecto al punto de referencia (GND) hacia abajo si es negativa. La seal tambin atraviesa la seccin de disparo para de esta forma iniciar el barrido horizontal (este es el encargado de mover el haz de electrones desde la parte izquierda de la pantalla a la parte derecha en un determinado tiempo). El trazado (recorrido de izquierda a derecha) se consigue aplicando la parte ascendente de un diente de sierra a las placas de deflexin horizontal (las que estn en posicin vertical), y puede ser regulable en tiempo actuando sobre el mando TIME-BASE. El retrasado (recorrido de derecha a izquierda) se realiza de forma mucho ms rpida con la parte descendente del mismo diente de sierra. De esta forma la accin combinada del trazado horizontal y de la deflexin vertical traza la grfica de la seal en la pantalla. La seccin de disparo es necesaria para estabilizar las seales repetitivas (se asegura que el trazado comience en el mismo punto de la seal repetitiva). Fig. 9. Ejemplo, Caractersticas del Osciloscopio 4) Protoboard Compuesta por bloques de plstico perforados y lminas delgadas de aleacin de cobre o estao que unen las perforaciones formando varias lneas paralelas, por lo que los componentes electrnicos se pueden montar utilizando perforaciones adyacentes que no comparten la lnea conductora y realizando las respectivas interconexiones con cable. Presenta unas caractersticas de capacitancia de 2pF a 30pF por punto de contacto y resistencia que suelen tener, por lo que los protoboard estn diseados para trabajar a baja frecuencia, inferior a 20MHz.

Fig. 8. Osciloscopio usado en la prctica

Fig. 10. Ejemplo, Protoboard Clsica

5) Generador de Funciones Un Generador de Funciones es un aparato electrnico que produce ondas sinodales, cuadradas y triangulares, adems de crear seales TTL. Sus aplicaciones incluyen pruebas y calibracin de sistemas de audio, ultrasnicos y servo. Este generador de funciones, especficamente trabaja en un rango de frecuencias de entre 0.2 Hz a 2 MHz. Tambin cuenta con una funcin de barrido la cual puede ser controlada tanto internamente como externamente con un nivel de DC. El ciclo de mquina, nivel de offset en DC, rango de barrido y la amplitud y ancho del barrido pueden ser controlados por el usuario. a) Funcionamiento y usos generales Un generador de funciones es un instrumento verstil que genera diferentes formas de onda cuyas frecuencias son ajustables en un amplio rango. Las salidas ms frecuentes son ondas senoidales, triangulares, cuadradas y diente de sierra. Las frecuencias de estas ondas pueden ser ajustadas desde una fraccin de hertz hasta varios cientos de kilo hertz. Las diferentes salidas dl generador se pueden obtener al mismo tiempo. Por ejemplo, proporcionando una sola cuadrada para medir la linealidad de un sistema de audio, la salida en diente de sierra simultnea se puede usar para alimentar el amplificador de deflexin horizontal de un osciloscopio, con lo que se obtiene la a exhibicin visual de los resultados de las mediciones. La capacidad de un generador de funciones de fijar la fase de una fuente externa de seas es otra de las caractersticas importantes y tiles. Un generador de funciones puede fijar la fase de un generador de funciones con una armnica de una onda sinodal del otro generador. Mediante el ajuste de fase y amplitud de las armnicas permite general casi cualquier onda obteniendo la suma de la frecuencia fundamental generada por un generador de funciones de los instrumentos y la armnica generada por el otro. El generador de funciones tambin se puede fijar en fase a una frecuencia estndar, con lo que todas las ondas de salida generadas tendrn la exactitud y estabilidad en frecuencia de la fuente estndar. El generador de funciones tambin puede proporcionar ondas a muy bajas frecuencias. Ya que la frecuencia baja de un oscilador RC es limitada, la figura ilustrada otra tcnica. Este generador entrega ondas sinodales

triangulares y cuadradas con un rango de frecuencias de 0.01 Hz hasta 100 kHz. La red de control de frecuencia est dirigida por el selector fino de frecuencia en el panel frontal del instrumento o por un voltaje de control aplicado externamente. El voltaje de control de frecuencia regula dos fuentes de corriente. La fuente de corriente superior aplica una corriente constante al integrador, cuyo voltaje de salida se incrementa en forma lineal con el tiempo. La conocida relacin da el voltaje de salida. Un incremento o decremento de la corriente aplicada por la fuente de corriente superior aumenta o disminuye la pendiente del voltaje de salida. El multivibrador comparador de voltaje cambia de estado a un nivel predeterminado sobre la pendiente positiva del voltaje de salida del integrador. Este cambio de estado desactiva la fuente de corriente superior y activa la fuente inferior. Dicha fuente aplica una corriente distinta inversa al integrador, de modo que la salida disminuya linealmente con el tiempo. Cuando el voltaje de salida alcanza un nivel predeterminado en la pendiente negativa de la onda de la salida, el comparador de voltaje cambia de nuevo, desactiva la fuente de corriente inferior y activa al mismo tiempo la fuente superior. El voltaje a la salida del integrador tiene una forma de onda triangular cuya frecuencia est determinada por la magnitud de la corriente aplicada por las fuentes de corriente constante. El comparador entrega un voltaje de salida de onda cuadrada de la misma frecuencia. La tercera onda de salida se deriva de la onda triangular, la cual es sintetizada en oda sinodal por una red de diodos y resistencias. En ese circuito la pendiente de la onda triangular se altera a medida que su amplitud cambia resultado una onda sinodal con menos del 1% de distorsin. Los circuitos de salida del generador de funciones consisten de dos amplificadores que proporcionen dos salidas simultneas seleccionadas individualmente de cualquiera de las formas de onda.

6) Rectificacin de media onda La funcin de este circuito es eliminar uno de los dos semiperiodos de una seal alterna sinodal, proveniente del secundario del transformador o de un generador de seales. El componente electrnico que se usa para este fin es el diodo, que tiene la propiedad de conducir en un solo sentido. Aplicamos una onda sinodal a la entrada. En el semiciclo positivo el diodo queda polarizado directamente y se comporta prcticamente como un interruptor cerrado. Esto hace que por el circuito circule una corriente cuya forma de onda. Esta corriente provoca una cada de tensin sinodal. En el semiciclo negativo, el diodo se polariza inversamente (nodo ms negativo que el ctodo), comportndose como un interruptor abierto. No existe corriente por el circuito y en la resistencia de carga no hay cada de tensin, esto supone que toda la tensin de entrada estar en extremos del diodo.

Rectificacin de onda completa con tap central

Rectificacin de onda completa con puente de diodos El circuito conocido como rectificador en puente por la similitud de su configuracin con la del puente de Wheatstone, no requiere de transformador con derivacin central.

En esta aplicacin se utiliza en el devanado central del transformador con la finalidad de obtener dos voltajes VS iguales, en paralelo con las dos mitades del devanado secundario con las polaridades indicadas. Cuando el voltaje de lnea de entrada, que alimenta al devanado primario, es positivo, ambas seales marcadas como VS sern positivas. En este caso D1 conduce y D2 estar polarizado inversamente. La corriente que pasa por D1circulara por la carga y regresara ala derivacin central del secundario. El circuito se comporta entonces como rectificador de media onda, y la salida durante los semiciclos positivos ser idntica a la producida por el rectificador de media onda. Ahora, durante el semiciclo negativo del voltaje de ca de la lnea, los voltajes marcados como VS sern negativos. Entonces D1 estar en corte y D2 conduce. La corriente conducida por D2 circulara por la carga y regresa a la derivacin central. Se deduce que durante los semiciclos negativos tambin el circuito se comporta como rectificador de media onda, excepto que ahora el diodo D2 es el que conduce. Lo ms importante es que la corriente que circula por la carga siempre pasa por la misma direccin y el voltaje vo ser unipolar.

La operacin del rectificador en puente consiste que durante los semiciclos positivos del voltaje de entrada Vs es positivo y la corriente es conducida a travs del diodo D1, el resistor R y el diodo D2. Entre tanto los diodos D3 y D4 estarn polarizados inversamente; hay dos diodos en serie en la trayectoria de conduccin y por lo tanto Vo ser menor que Vs por dos cadas del diodo,

III. CLCULOS TERICOS A. Rectificador de media onda, carga R 1) Tensin promedio de salida V0dc

Vodc

1 2

V p sen t dt
0

Vp

(8)

2) Corriente promedio de salida IOdc

I odc
Fig. 11. Generador de Seales usado en la prctica

1 2

VP sen t dt R 0

Vp R

(9)

3) Potencia de salida DC POdcc

Podc

VOdc I Odc

V P2
2

2 VOdc R

(10)

4) Tensin rms de salida VOac

2 1 2

Voac

1 2

V sen
0

2 p

t dt

VP 2

(11)

5) Corriente rms de salida IOac

2 1 2

I oac

1 2

I sen
0

2 P

t dt

VP (12) 2R

6) Potencia de salida AC POac

POac

VOac I Oac

VP VP 2 2R

VP2 4R

(13)

7) Corriente de la fuente rms ifrms

i frms
Fig. 12. Caractersticas del generador de seales

I Oac

VP 2R

(14)

8) Potencia aparente de entrada Sent

5) Corriente rms de salida IOac

2 2 IP sen 2 0 1 2

S ent

V frms I frms

VP VP 2 2R

VP2 2 2R

(15)

I oac

2 2

t dt

VP 2R

(23)

9) Eficiencia en la carga carga 6) Potencia de salida AC POac

c arg a

POdc POac

VP2 VP2

R 100

40.5% (16)

POac

VOac I Oac

4R

VP VP 2 2R

VP2 2R

(24)

10) Eficiencia entrada-salida ent-sal

7) Corriente de la fuente rms ifrms

ent sal

POdc Sent

VP2 VP2

i frms
2

I Oac

R 100

VP 2R

(25)

28.6% (17)

8) Potencia aparente de entrada Sent

2 2R
11) Factor de utilizacin del transformador TUF

S ent

V frms I frms

VP VP 2 2R

VP2 R

(26)

TUF

ent sal

28 .6%

(18) 9) Eficiencia en la carga carga

B. Rectificador de onda completa con tap centra y puente, carga R. 1) Tensin promedio de salida V0dc
c arg a

POdc POac

4VP2 V
2 P

R 100

81%

(27)

2R

Vodc

2 Vp sen t dt 2 0

2V p

(19)

10) Eficiencia entrada-salida ent-sal

2) Corriente promedio de salida IOdc

ent sal

POdc S ent

4VP2 V
2 P

R 100

57% (28)

I odc

2 2

VP sen t dt R 0

2Vp R

(20)

11) Factor de utilizacin del transformador TUF

3) Potencia de salidaDC POdcc

TUF
(21)

ent sal

57 %

(29)

Podc

VOdc I Odc

4VP2 2 R

4) Tensin rms de salida VOac

2 1 2

Voac

2 2

V p2 sen 2
0

t dt

VP 2

(22)

IV. GRFICAS Y DATOS MEDIDOS 2) Rectificador de onda completa con TAP A .Parte A 1) Diodo de propsito general: caractersticas de conmutacin
TABLA I DATOS MONTAJE N 1 TABLA IV DATOS MONTAJE N 4

2) El diodo de potencia:FAST caractersticas de conmutacin

TABLA II DATOS MONTAJE N 2

RECOVERY,

Fig. 13. Seal de Salida (color azul)- Seal de Entrada (color amarillo) 3) Rectificador de onda completa con puente
TABLA V

Datos Montaje N 4

A .Parte B 1) Rectificador de media onda

TABLA III DATOS MONTAJE N 3

Fig. 14. Seal de Entrada

Nota del fabricante Medido a 1MHz se aplica un voltaje inverso de 4 V DC.

Fig. 15. Seal de Salida Nota: los valores consignados en la Tablas I, II, III, son fruto de los clculos realizados en seccin III V. DATASHEET DIODOS USADOS EN EL LABORATORIO

Fig. 17. Curva tpica de reduccin de potencia en corriente directa

A. Datasheet 4004

Fig. 18.Caractersticas de avance

Fig. 16. Diodo 1N4004

1. Especificaciones Voltaje mximo de pico inverso recurrente:400 V Voltaje mximo RMS: 280 V Voltaje mximo DC de bloque: 400 V Promedio de avance de corriente rectificada: 1 A Pico de aumento de corriente directa 8.3mS medio nico de onda sinusoidal superpuesta a la carga nominal: 30 A Voltaje mximo directo de 1 A DC a 25 A: 1.1 V Mxima corriente inversa a plena carga con ciclo promedio total: 30 A Mxima corriente inversa en temperatura ambiente: 5 A Capacitancia tpica de la unin: 15pF Resistencia tpica trmica de disipacin: 50W

Fig. 19.Caractersticas tpicas de inversa

B. DATASHEET 1n4148

Fig. 20. Diodo 1N4148

Fig. 23.Caracterstica de inversa

Fig. 21. Caractersticas Elctricas del diodo 1N4148

Fig. 22.Caractersticas elctricas con temperatura ambiente de 25C Fig. 24.Capacitancia entre terminales

VI. SIMULACIONES DE CADA MONTAJE A. DIODO DE PROPOSITO GENERAL (Voltajes DC Y AC especificados en los multimetros respectivamente) 1. A 60 Hz
D1 1N4004 V1 -10/10V R1 1k 2.851 V DC~V 3.562 V AC V

60 Hz

Fig. 23.Caracterstica de avance Fig. 25. Montaje N1, 60 Hz

D1 1N4004 V1 -10/10V

2.822 V DC~V 3.615 V AC V R1 1k

6kHz

Fig. 25. Forma de la Seal N1, 60 Hz Datos: Trr = 0 seg Irr= Vrr/R = 0 A 2. A 600 Hz
2.860 V DC~V 3.566 V AC V R1 1k

Fig. 28. Montaje N1, 6000 Hz

D1 1N4004 V1 -10/10V

Fig. 29. Forma de la Seal N1, 6000 Hz 4. A 60 kHz

1.790 V DC~V 5.067 V AC V R1 1k

600 Hz

D1 1N4004 V1 -10/10V

Fig. 26. Montaje N1, 600 Hz

60kHz

Fig. 30. Montaje N1, 60 kHz

Fig. 27. Forma de la Seal N1, 600 Hz Datos:

Trr = 0 seg Irr= Vrr/R = 0 A

Fig. 31. Forma de la Seal N1, 60 kHz

3. A 6000 Hz

5. A 600 kHz

D1 1N4004 V1 -10/10V

277.1mV DC~V 6.729 V AC V R1 1k

7. A 3 MHz
-9.887mV DC~V 6.959 V AC V R1 1k

D1 1N4004 V1 -10/10V

600kHz

3MHz

Fig. 32. Montaje N1, 600 kHz Fig. 36. Montaje N1, 3 MHz

Fig. 33. Forma de la Seal N1, 600 kHz 6. A 1 MHz

145.2mV DC~V 6.822 V AC V R1 1k

Fig. 37. Forma de la Seal N1, 3 MHz

D1 1N4004

V1 -10/10V

B. DIODO FAST RECOVERY (VOLTAJES DC Y AC ESPECIFICADOS RESPECTIVAMENTE ) 1. A 60 Hz

EN LOS MULTIMETROS

1MHz

D1 1N4148

2.743 V DC~V 3.460 V AC V R1 1k

Fig. 35. Montaje N1, 1 MHz

V1 -10/10V

60 Hz

Fig. 38. Montaje N2, 60 Hz

Fig. 35. Forma de la Seal N1, 1 MHz

Fig. 39. Forma de la Seal N2, 60 Hz 2. A 600 Hz

2.753 V DC~V 3.462 V AC V R1 1k V1 -10/10V

Fig. 44. Forma de la Seal N2, 6000 Hz 4. A 60 kHz

D1 1N4148 2.743 V DC~V 3.460 V AC V R1 1k

D1 1N4148 V1 -10/10V

60kHz

600 Hz

Fig. 45. Montaje N2, 60 kHz Fig. 40. Montaje N2, 600 Hz

Fig. 46. Forma de la Seal N2, 60 kHz Fig. 42. Forma de la Seal N2, 600 Hz 3. A 6000 Hz
D1 1N4148 V1 -10/10V R1 1k 2.742 V DC~V 3.460 V AC V V1 -10/10V R1 1k

5. A 600 kHz
D1 1N4148 2.743 V DC~V 3.460 V AC V

600kHz

6kHz

Fig. 47. Montaje N2, 600 kHz Fig. 43. Montaje N2, 6000 Hz

Fig. 48. Forma de la Seal N2, 600 kHz

Fig. 52. Forma de la Seal N2, 3 MHz C. RECTIFICADORES CON TRANSFORMADOR

6. A 1 MHz
D1 1N4148 V1 -10/10V R1 1k 2.749 V DC~V 3.465 V AC V

1. RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA (VOLTAJES DC Y AC ESPECIFICADOS EN LOS MULTIMETROS RESPECTIVAMENTE )

1MHz

Fig. 49. Montaje N2, 1 MHz

Fig. 53. Montaje N3

Fig. 50. Forma de la Seal N2, 1 MHz 7. A 3 M Hz

D1 1N4148 V1 -10/10V R1 1k 2.746 V DC~V 3.471 V AC V

Fig. 54. Forma de la Seal Montaje N3

3MHz

Fig. 51. Montaje N2, 3 MHz

VII. ANLISIS Y CONCLUSIONES 2. RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA CON TAP CENTRAL (VOLTAJES DC Y AC ESPECIFICADOS EN LOS MULTIMETROS RESPECTIVAMENTE) A. A. Parte A (punto 10) Por otra parte es clara la diferencia en las mediciones de tiempo y corrientes de recuperacin en la primera parte del laboratorio, aun poniendo las capacitancias en paralelo para las simulaciones, aunque concluimos que la diferencia es insignificante, ya que sus valores estn en trminos de micros y nano segundos.
EN BASE A LOS VALORES OBTENIDOS EN LA PRCTICA PODEMOS CONFIRMAR QUE EL DIODO DE USO GENERAL TIENE UNA GRAN CANTIDAD DE CAPACITANCIA DE JUNTURA Y POR CONSIGUIENTE MUCHA CARGA DE CAPACITANCIA DE JUNTURA HACIENDO AS QUE SU TIEMPO DE RECUPERACIN EN INVERSO SEA MUCHO MS LARGO. MIENTRAS QUE EL DIODO FAST RECOVERY TIENE UN TIEMPO DE RECUPERACIN EN INVERSO MUCHO MENOR.

Fig. 55. Montaje N4

Fig. 56. Forma de la Seal Montaje N4 3. RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA TIPO PUENTE (VOLTAJES DC Y AC ESPECIFICADOS EN LOS MULTIMETROS RESPECTIVAMENTE )
9.180 V AC V 6.987 V DC~V

B. Comparacin caractersticas de los diodos(punto 11) La practica y las caractersticas dadas en los DATASHEET mostraron en conjunto, la superioridad de recuperacion del diodo FAST RECOVERY sobre el de proposito general. Definitivamente la forma de fabricacin de cada diodo, especialmente la biscelacin, hacen que este ultimo no tenga el comportamiento adecuado a frecuencias altas. Una mejor biscelacion del diodo disminuye la capacitancia de juntura aumentando el tiempo de recuperacin.

C. Parte B (punto 12) Inicialmente se puede observar a partir de la prctica de laboratorio la inexactitud de las mediciones tanto de valores rms , como dc, esto se debe a que la mayora de instrumentos de medicin no trabajan en el mismo ancho de banda, adems tienes capacitancias a la entrada las cuales aumenta directamente proporcional a la frecuencia con la que se trabaja. Por esta razn es notoria la poca practicidad de los instrumentos al trabajar con frecuencias superiores a 600KHz. Adems cabe destacar que el multmetro mide valores rms de una forma de onda perfectamente sinodal que al ser deformada, altera claramente los resultados.

D1 1N4004 V1 -170/170V T1 10TO1

D3 1N4004 R1 1k 3.843 V AC V

60 Hz D2 1N4004 D4 1N4004

Fig. 57. Montaje N5

Fig. 58. Forma de la Seal Montaje N5

B. Anlisis y argumentacin limitaciones del multmetro, osciloscopio ,sonda de osciloscopio (punto 14,15) De acuerdo a los datos obtenidos, se puede observar claramente la variacin en la forma de onda y su tiempo de recuperacin a medida que se aumenta la frecuencia del generador, en un diodo de propsito general. Tambin se puede ver la diferencia de los voltajes y corrientes medidos por el osciloscopio y el multmetro, donde se evidencia que el mtodo utilizado por el multmetro no es el ideal, debido a que en las mediciones rms no hace un anlisis espectral de la seal, sino que toma algunos armnicos haciendo que el resultado no sea preciso, y en muchos casos mide valores errneos. Esto hace que se deba tener en cuenta un factor fundamental en instrumentos como el osciloscopio, como lo es el ancho de banda en el cual trabajan. En un diodo de propsito general, la capacitancia de juntura formada por la combinacin de materiales N y P (15pF), no es comparable por la suma de las capacitancias parsitas que se presentan en los instrumentos de medicin. Por otro lado, el diodo de fast recovery, tiene una capacitancia de juntura ms pequea (4pF), que es comparable con las capacitancias generadas por el multmetro, el osciloscopio, el generador, las sondas y el protoboard, por lo que afectara su funcionamiento comportndose como un circuito RC altas frecuencias. En las simulaciones, al no tener en cuenta el efecto de las capacitancias parsitas, se observa un comportamiento subamortiguado de la seal al aumentar la frecuencia. VIII. BIBLIOGRAFA [1] http://www.uv.es/marinjl/electro/diodo.html [2] http://www.fceia.unr.edu.ar/enica3/rectif.pdf [3] Muhammad H. Rashid - Electrnica de Potencia [2da. Ed.]PP.465-476. [4] William D. Cooper, Albert D. Helefrick PP.345358. [5]http://www.forosdeelectronica.com/tutoriales/gener ador.html [6] http://todoelectronica.com/juego-sondas-paraosciloscopio-p-12709.html [7] http://www.siste.com.ar/Osciloscopio/osc_3.htm [8] http://www.hameg.com/4.130.0.html [9]http://www.extech.com/instruments/resources/manu als/EX430_UMsp.pdf [10]http://www.etitudela.com/Electrotecnia/electronica /01d56994c00dc4601/01d56994c00df600b.html [11]http://www.forosdeelectronica.com/tutoriales/recti ficadores.htm